FR1086596A - Procédé de fabrication des dispositifs semi-conducteurs comportant une ou plusieurs jonctions p-n - Google Patents
Procédé de fabrication des dispositifs semi-conducteurs comportant une ou plusieurs jonctions p-nInfo
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
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- C30B15/02—Single-crystal growth by pulling from a melt, e.g. Czochralski method adding crystallising materials or reactants forming it in situ to the melt
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- H—ELECTRICITY
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Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US305838A US2765245A (en) | 1952-08-22 | 1952-08-22 | Method of making p-n junction semiconductor units |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| FR1086596A true FR1086596A (fr) | 1955-02-14 |
Family
ID=23182579
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| FR1086596D Expired FR1086596A (fr) | 1952-08-22 | 1953-08-19 | Procédé de fabrication des dispositifs semi-conducteurs comportant une ou plusieurs jonctions p-n |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US2765245A (fr) |
| DE (1) | DE961913C (fr) |
| FR (1) | FR1086596A (fr) |
| GB (1) | GB740655A (fr) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| DE1045550B (de) * | 1956-09-03 | 1958-12-04 | Siemens Ag | Fadenhalbleiteranordnung mit zwei sperrfreien Basiselektroden und mindestens einer Emitterelektrode mit stetiger oder stufenweiser Zunahme der Feldstaerke |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| BE522837A (fr) * | 1952-09-16 | |||
| US2849341A (en) * | 1953-05-01 | 1958-08-26 | Rca Corp | Method for making semi-conductor devices |
| US2861017A (en) * | 1953-09-30 | 1958-11-18 | Honeywell Regulator Co | Method of preparing semi-conductor devices |
| DE975772C (de) * | 1953-12-19 | 1962-08-30 | Telefunken Patent | Verfahren zur Herstellung von Legierungsflaechengleichrichtern oder -transistoren |
| NL110588C (fr) * | 1955-03-10 | |||
| BE546128A (fr) * | 1955-03-18 | 1900-01-01 | ||
| US2871149A (en) * | 1955-05-02 | 1959-01-27 | Sprague Electric Co | Semiconductor method |
| NL107648C (fr) * | 1956-05-15 | |||
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| US2893901A (en) * | 1957-01-28 | 1959-07-07 | Sprague Electric Co | Semiconductor junction |
| NL108282C (fr) * | 1957-03-05 | |||
| DE1104068B (de) * | 1957-03-30 | 1961-04-06 | Bosch Gmbh Robert | Halbleiteranordnung mit einem Halbleiterkoerper aus Germanium und einer Anschluss-elektrode aus Aluminium |
| DE1075223B (de) * | 1957-05-03 | 1960-02-11 | Telefunken GmbH Berlin | Verfahren zum Auflegicren ^mcs eutektischen Legierungsmatenals auf einen Halbleiterkörper |
| NL228981A (fr) * | 1957-06-25 | |||
| NL110563C (fr) * | 1957-09-23 | 1900-01-01 | ||
| NL106425C (fr) * | 1958-01-14 | |||
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| NL242895A (fr) * | 1958-09-02 | |||
| DE1121735B (de) * | 1958-09-10 | 1962-01-11 | Siemens Ag | Verfahren zur Herstellung von Halbleiteranordnungen mit einlegierten UEbergaengen zwischen Bereichen verschiedener Leitfaehigkeit oder verschiedenen Leitfaehigkeitstyps |
| CH377448A (de) * | 1958-10-17 | 1964-05-15 | Bbc Brown Boveri & Cie | Verfahren zum Herstellen von Halbleitergleichrichtern |
| NL247735A (fr) * | 1959-01-28 | |||
| NL256342A (fr) * | 1959-09-29 | |||
| NL258171A (fr) * | 1959-11-27 | |||
| NL259311A (fr) * | 1959-12-21 | |||
| DE1178948B (de) * | 1960-10-20 | 1964-10-01 | Philips Patentverwaltung | Verfahren zur Herstellung einer Halbleiter-anordnung mit Breitbandelektrode |
| NL270684A (fr) * | 1960-11-01 | |||
| NL278654A (fr) * | 1961-06-08 | |||
| US3192081A (en) * | 1961-07-20 | 1965-06-29 | Raytheon Co | Method of fusing material and the like |
| BE624228A (fr) * | 1961-10-31 | |||
| DE1163977B (de) * | 1962-05-15 | 1964-02-27 | Intermetall | Sperrfreier Kontakt an einer Zone des Halbleiterkoerpers eines Halbleiterbauelementes |
| DE1189657B (de) * | 1962-07-17 | 1965-03-25 | Telefunken Patent | Verfahren zur Herstellung von Halbleiteranordnungen mit legierten Elektroden |
| DE1213057B (de) * | 1964-10-17 | 1966-03-24 | Telefunken Patent | Halbleiteranordnung mit legierten Elektroden |
| DE19531369A1 (de) * | 1995-08-25 | 1997-02-27 | Siemens Ag | Halbleiterbauelement auf Siliciumbasis mit hochsperrendem Randabschluß |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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-
1952
- 1952-08-22 US US305838A patent/US2765245A/en not_active Expired - Lifetime
-
1953
- 1953-08-19 FR FR1086596D patent/FR1086596A/fr not_active Expired
- 1953-08-22 DE DEG12494A patent/DE961913C/de not_active Expired
- 1953-08-24 GB GB23296/53A patent/GB740655A/en not_active Expired
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Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US2765245A (en) | 1956-10-02 |
| GB740655A (en) | 1955-11-16 |
| DE961913C (de) | 1957-04-11 |
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