FR1109535A - Perfectionnements aux procédés de fabrication des jonctions nu-p - Google Patents
Perfectionnements aux procédés de fabrication des jonctions nu-pInfo
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Classifications
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- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10P95/00—Generic processes or apparatus for manufacture or treatments not covered by the other groups of this subclass
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
- H10D10/00—Bipolar junction transistors [BJT]
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| FR1109535T | 1954-07-30 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| FR1109535A true FR1109535A (fr) | 1956-01-30 |
Family
ID=9625648
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| FR1109535D Expired FR1109535A (fr) | 1954-07-30 | 1954-07-30 | Perfectionnements aux procédés de fabrication des jonctions nu-p |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| FR (1) | FR1109535A (fr) |
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE1062823B (de) * | 1957-07-13 | 1959-08-06 | Telefunken Gmbh | Verfahren zur Herstellung von Kristalloden des Legierungstyps |
| DE1148661B (de) * | 1959-05-29 | 1963-05-16 | Siemens Ag | Verfahren zur Herstellung von Halbleiteranordnungen mit einlegiertem pn-UEbergang |
| DE1162487B (de) * | 1959-05-06 | 1964-02-06 | Nippon Telegraph & Telephone | Verfahren zur Herstellung von einlegierten pn-UEbergaengen eines Hochfrequenz-Flaechen-Transistors |
| DE1170082B (de) * | 1960-03-25 | 1964-05-14 | Western Electric Co | Verfahren zum Herstellen von Halbleiterbauelementen |
| DE1185296B (de) * | 1961-07-08 | 1965-01-14 | Telefunken Patent | Vorrichtung und Verfahren zum Herstellen von Halbleiteranordnungen |
| DE1233495B (de) * | 1960-02-24 | 1967-02-02 | Nippon Telegraph & Telephone | Verfahren zum Herstellen von Tunneldioden |
| DE1233949B (de) * | 1959-07-13 | 1967-02-09 | Siemens Ag | Verfahren zur Herstellung einer Halbleiter-gleichrichteranordnung mit einem einkristallinen Halbleiterkoerper |
| DE1292257B (de) * | 1960-08-30 | 1969-04-10 | Siemens Ag | Verfahren zum Einlegieren einer Elektrode unter Bildung eines pn-UEbergangs in einem halbleitenden Germaniumkristall fuer ein Halbleiterbauelement |
| DE1292259B (de) * | 1959-02-04 | 1969-04-10 | Telefunken Patent | Verfahren zum Herstellen von Transistoren durch Legieren |
-
1954
- 1954-07-30 FR FR1109535D patent/FR1109535A/fr not_active Expired
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE1062823B (de) * | 1957-07-13 | 1959-08-06 | Telefunken Gmbh | Verfahren zur Herstellung von Kristalloden des Legierungstyps |
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| DE1148661B (de) * | 1959-05-29 | 1963-05-16 | Siemens Ag | Verfahren zur Herstellung von Halbleiteranordnungen mit einlegiertem pn-UEbergang |
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| DE1292257B (de) * | 1960-08-30 | 1969-04-10 | Siemens Ag | Verfahren zum Einlegieren einer Elektrode unter Bildung eines pn-UEbergangs in einem halbleitenden Germaniumkristall fuer ein Halbleiterbauelement |
| DE1185296B (de) * | 1961-07-08 | 1965-01-14 | Telefunken Patent | Vorrichtung und Verfahren zum Herstellen von Halbleiteranordnungen |
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