FR1131213A - Procédé et appareil de contrôle de l'épaisseur d'un échantillon de semi-conducteur au cours d'une attaque électrolytique - Google Patents

Procédé et appareil de contrôle de l'épaisseur d'un échantillon de semi-conducteur au cours d'une attaque électrolytique

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FR1131213A
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Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE1146982B (de) * 1959-05-28 1963-04-11 Ibm Verfahren zur Herstellung von Halbleiterzonen mit genauer Dicke zwischen flaechenhaften PN-UEbergaengen in einkristallinen Halbleiterkoerpern von Halbleiterbauelementen,insbesondere von Dreizonentransistoren
DE1158636B (de) * 1960-08-24 1963-12-05 Telefunken Patent Verfahren zum Herstellen von legierten Halbleiterdioden, insbesondere von Tunneldioden, und Vorrichtung zur Durchfuehrung des Verfahrens
US3192141A (en) * 1959-12-24 1965-06-29 Western Electric Co Simultaneous etching and monitoring of semiconductor bodies
US3219556A (en) * 1961-12-26 1965-11-23 Beckman Instruments Inc Ion measurement apparatus and method
DE1211721B (de) * 1959-05-26 1966-03-03 Philco Corp Eine Ges Nach Den Verfahren und Vorrichtung zum AEndern der Dicke von Festkoerpern

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DE1211721B (de) * 1959-05-26 1966-03-03 Philco Corp Eine Ges Nach Den Verfahren und Vorrichtung zum AEndern der Dicke von Festkoerpern
DE1146982B (de) * 1959-05-28 1963-04-11 Ibm Verfahren zur Herstellung von Halbleiterzonen mit genauer Dicke zwischen flaechenhaften PN-UEbergaengen in einkristallinen Halbleiterkoerpern von Halbleiterbauelementen,insbesondere von Dreizonentransistoren
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