FR1308109A - Procédé destiné à augmenter le niveau d'impuretés de matériaux semi-conducteurs - Google Patents
Procédé destiné à augmenter le niveau d'impuretés de matériaux semi-conducteursInfo
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-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
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- H—ELECTRICITY
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Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| FR880564A FR1308109A (fr) | 1961-01-23 | 1961-11-30 | Procédé destiné à augmenter le niveau d'impuretés de matériaux semi-conducteurs |
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US83972A US3111433A (en) | 1961-01-23 | 1961-01-23 | Method for increasing the doping level of semiconductor materials |
| FR880564A FR1308109A (fr) | 1961-01-23 | 1961-11-30 | Procédé destiné à augmenter le niveau d'impuretés de matériaux semi-conducteurs |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| FR1308109A true FR1308109A (fr) | 1962-11-03 |
Family
ID=26193307
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| FR880564A Expired FR1308109A (fr) | 1961-01-23 | 1961-11-30 | Procédé destiné à augmenter le niveau d'impuretés de matériaux semi-conducteurs |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| FR (1) | FR1308109A (fr) |
-
1961
- 1961-11-30 FR FR880564A patent/FR1308109A/fr not_active Expired
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