FR1359131A - Procédé pour la croissance épitaxiale de matières semi-conductrices - Google Patents
Procédé pour la croissance épitaxiale de matières semi-conductricesInfo
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-
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- B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
- B01J—CHEMICAL OR PHYSICAL PROCESSES, e.g. CATALYSIS OR COLLOID CHEMISTRY; THEIR RELEVANT APPARATUS
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
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Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| FR918194A FR1359131A (fr) | 1961-12-11 | 1962-12-11 | Procédé pour la croissance épitaxiale de matières semi-conductrices |
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US158298A US3156591A (en) | 1961-12-11 | 1961-12-11 | Epitaxial growth through a silicon dioxide mask in a vacuum vapor deposition process |
| FR918194A FR1359131A (fr) | 1961-12-11 | 1962-12-11 | Procédé pour la croissance épitaxiale de matières semi-conductrices |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| FR1359131A true FR1359131A (fr) | 1964-04-24 |
Family
ID=26198840
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| FR918194A Expired FR1359131A (fr) | 1961-12-11 | 1962-12-11 | Procédé pour la croissance épitaxiale de matières semi-conductrices |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| FR (1) | FR1359131A (fr) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN114365290A (zh) * | 2019-09-10 | 2022-04-15 | 微软技术许可有限责任公司 | 制造方法 |
-
1962
- 1962-12-11 FR FR918194A patent/FR1359131A/fr not_active Expired
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN114365290A (zh) * | 2019-09-10 | 2022-04-15 | 微软技术许可有限责任公司 | 制造方法 |
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