FR1396405A - Procédé de formation d'une couche d'oxyde sur une surface d'un dispositif à semiconducteur en germanium - Google Patents
Procédé de formation d'une couche d'oxyde sur une surface d'un dispositif à semiconducteur en germaniumInfo
- Publication number
- FR1396405A FR1396405A FR966620A FR966620A FR1396405A FR 1396405 A FR1396405 A FR 1396405A FR 966620 A FR966620 A FR 966620A FR 966620 A FR966620 A FR 966620A FR 1396405 A FR1396405 A FR 1396405A
- Authority
- FR
- France
- Prior art keywords
- forming
- semiconductor device
- oxide layer
- germanium semiconductor
- germanium
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C8/00—Solid state diffusion of only non-metal elements into metallic material surfaces; Chemical surface treatment of metallic material by reaction of the surface with a reactive gas, leaving reaction products of surface material in the coating, e.g. conversion coatings, passivation of metals
- C23C8/06—Solid state diffusion of only non-metal elements into metallic material surfaces; Chemical surface treatment of metallic material by reaction of the surface with a reactive gas, leaving reaction products of surface material in the coating, e.g. conversion coatings, passivation of metals using gases
- C23C8/08—Solid state diffusion of only non-metal elements into metallic material surfaces; Chemical surface treatment of metallic material by reaction of the surface with a reactive gas, leaving reaction products of surface material in the coating, e.g. conversion coatings, passivation of metals using gases only one element being applied
- C23C8/10—Oxidising
- C23C8/16—Oxidising using oxygen-containing compounds, e.g. water, carbon dioxide
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10P14/00—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars
- H10P14/60—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars of insulating materials
- H10P14/63—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars of insulating materials characterised by the formation processes
- H10P14/6302—Non-deposition formation processes
- H10P14/6304—Formation by oxidation, e.g. oxidation of the substrate
- H10P14/6306—Formation by oxidation, e.g. oxidation of the substrate of the semiconductor materials
- H10P14/6308—Formation by oxidation, e.g. oxidation of the substrate of the semiconductor materials of Group IV semiconductors
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10P14/00—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars
- H10P14/60—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars of insulating materials
- H10P14/63—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars of insulating materials characterised by the formation processes
- H10P14/6302—Non-deposition formation processes
- H10P14/6322—Formation by thermal treatments
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10P95/00—Generic processes or apparatus for manufacture or treatments not covered by the other groups of this subclass
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Pharmaceuticals Containing Other Organic And Inorganic Compounds (AREA)
- Inorganic Compounds Of Heavy Metals (AREA)
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| FR966620A FR1396405A (fr) | 1964-03-09 | 1964-03-09 | Procédé de formation d'une couche d'oxyde sur une surface d'un dispositif à semiconducteur en germanium |
| DE19651521700 DE1521700A1 (de) | 1964-03-09 | 1965-03-09 | Verfahren zur Erzeugung einer Oxydschicht auf der Oberflaeche einer Germanium-Halbleitervorrichtung |
| GB10054/65A GB1034636A (en) | 1964-03-09 | 1965-03-09 | Process for forming an oxide layer on the surface of a germanium semi-conductor device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| FR966620A FR1396405A (fr) | 1964-03-09 | 1964-03-09 | Procédé de formation d'une couche d'oxyde sur une surface d'un dispositif à semiconducteur en germanium |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| FR1396405A true FR1396405A (fr) | 1965-04-23 |
Family
ID=8825022
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| FR966620A Expired FR1396405A (fr) | 1964-03-09 | 1964-03-09 | Procédé de formation d'une couche d'oxyde sur une surface d'un dispositif à semiconducteur en germanium |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| DE (1) | DE1521700A1 (fr) |
| FR (1) | FR1396405A (fr) |
| GB (1) | GB1034636A (fr) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0427853A4 (en) * | 1988-08-04 | 1991-11-13 | Osaka Sanso Kogyo Kabushiki-Kaisya | Metal oxidation apparatus and method |
-
1964
- 1964-03-09 FR FR966620A patent/FR1396405A/fr not_active Expired
-
1965
- 1965-03-09 DE DE19651521700 patent/DE1521700A1/de active Pending
- 1965-03-09 GB GB10054/65A patent/GB1034636A/en not_active Expired
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0427853A4 (en) * | 1988-08-04 | 1991-11-13 | Osaka Sanso Kogyo Kabushiki-Kaisya | Metal oxidation apparatus and method |
| US5226968A (en) * | 1988-08-04 | 1993-07-13 | Tadahiro Ohmi | Apparatus and method for oxidation treatment of metal |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| DE1521700A1 (de) | 1970-02-05 |
| GB1034636A (en) | 1966-06-29 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| FR1430595A (fr) | Dispositif semi-conducteur à couche d'arrêt | |
| BE781643A (fr) | Procede de fabrication d'un contact intermetallique sur un dispositif semiconducteur | |
| CH465065A (fr) | Procédé de fabrication d'un dispositif semi-conducteur | |
| FR1364466A (fr) | Procédé de fabrication d'un dispositif à semi-conducteur | |
| FR1451676A (fr) | Procédé de fabrication d'un dispositif semiconducteur | |
| CH431655A (fr) | Procédé de fabrication d'un dispositif de connexion | |
| FR1461015A (fr) | Procédé de dépôt d'une couche sur des petites surfaces | |
| CH427046A (fr) | Procédé de fabrication d'un dispositif semi-conducteur à effet de champ | |
| FR1396405A (fr) | Procédé de formation d'une couche d'oxyde sur une surface d'un dispositif à semiconducteur en germanium | |
| FR1385041A (fr) | Procédé pour produire une couche d'oxyde sur un semi-conducteur en germanium ou encomposé aiii-bv | |
| FR1522733A (fr) | Procédé de fabrication d'un dispositif semiconducteur | |
| CH481847A (fr) | Procédé et dispositif pour l'obtention d'une couche mince d'oxyde métallique sur une surface de verre | |
| FR1405134A (fr) | Procédé pour la fabrication d'un dispositif à semi-conducteurs | |
| FR1351843A (fr) | Dispositif semi-conducteur à passage p n avec une couche d'oxyde superficielle et procédé pour sa fabrication | |
| FR1346590A (fr) | Procédé de formation d'une couche semi-conductrice sur un cristal | |
| FR1478042A (fr) | Procédé de fabrication d'un dispositif semi-conducteur | |
| FR1408613A (fr) | Procédé pour appliquer deux couches superficielles voisines sur un support, de préférence pour la fabrication d'un dispositif à semi-conducteur | |
| FR1374096A (fr) | Procédé de fabrication d'un dispositif à semi-conducteur | |
| FR1490346A (fr) | Procédé de dépôt d'une couche semi-conductrice sur un support isolant | |
| CH490510A (fr) | Procédé et dispositif pour la formation d'une couche métallique sur la surface d'une matière | |
| FR1485207A (fr) | Procédé de fabrication d'un dispositif semiconducteur | |
| FR1413350A (fr) | Procédé de fabrication d'un dispositif à semi-conducteurs | |
| FR1433471A (fr) | Procédé de fabrication d'un dispositif semiconducteur à effet de champ pour cirucits intégrés | |
| FR2334200A1 (fr) | Procede pour former une couche d'oxyde sur un substrat de silicium | |
| FR1488659A (fr) | Dispositifs à semi-conducteur et procédé de fabrication pour ce dispositif |