FR1488810A - Perfectionnement aux transistors pour haute fréquence - Google Patents

Perfectionnement aux transistors pour haute fréquence

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    • H10W15/00—Highly-doped buried regions of integrated devices
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
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    • H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
FR2059634A1 (fr) * 1969-08-22 1971-06-04 Molekularelektronik
FR2188311A1 (fr) * 1972-06-13 1974-01-18 Thomson Csf

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FR2059634A1 (fr) * 1969-08-22 1971-06-04 Molekularelektronik
FR2188311A1 (fr) * 1972-06-13 1974-01-18 Thomson Csf

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