FR1495043A - Procédé de préparation de monocristaux de carbure de silicium utilisables comme semi-conducteurs - Google Patents

Procédé de préparation de monocristaux de carbure de silicium utilisables comme semi-conducteurs

Info

Publication number
FR1495043A
FR1495043A FR74395A FR74395A FR1495043A FR 1495043 A FR1495043 A FR 1495043A FR 74395 A FR74395 A FR 74395A FR 74395 A FR74395 A FR 74395A FR 1495043 A FR1495043 A FR 1495043A
Authority
FR
France
Prior art keywords
semiconductors
preparation
silicon carbide
single crystals
carbide single
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired
Application number
FR74395A
Other languages
English (en)
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Dow Silicones Corp
Original Assignee
Dow Corning Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Dow Corning Corp filed Critical Dow Corning Corp
Priority to FR74395A priority Critical patent/FR1495043A/fr
Application granted granted Critical
Publication of FR1495043A publication Critical patent/FR1495043A/fr
Expired legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B25/00—Single-crystal growth by chemical reaction of reactive gases, e.g. chemical vapour-deposition growth
    • C30B25/02—Epitaxial-layer growth

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
FR74395A 1966-08-26 1966-08-26 Procédé de préparation de monocristaux de carbure de silicium utilisables comme semi-conducteurs Expired FR1495043A (fr)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
FR74395A FR1495043A (fr) 1966-08-26 1966-08-26 Procédé de préparation de monocristaux de carbure de silicium utilisables comme semi-conducteurs

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
FR74395A FR1495043A (fr) 1966-08-26 1966-08-26 Procédé de préparation de monocristaux de carbure de silicium utilisables comme semi-conducteurs

Publications (1)

Publication Number Publication Date
FR1495043A true FR1495043A (fr) 1967-09-15

Family

ID=8616065

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
FR74395A Expired FR1495043A (fr) 1966-08-26 1966-08-26 Procédé de préparation de monocristaux de carbure de silicium utilisables comme semi-conducteurs

Country Status (1)

Country Link
FR (1) FR1495043A (fr)

Similar Documents

Publication Publication Date Title
FR1138273A (fr) Procédé de préparation par sublimation de cristaux de carbure de silicium
BE829378A (fr) Procede pour le tirage de couches epitaxiales en silicium
FR1435786A (fr) Procédé pour la préparation de jonctions p-n dans le silicium
BE596545R (fr) Procédé pour la préparation de silicium très pur
FR1455244A (fr) Procédé de culture épitaxiale de carbure de silicium
FR1495043A (fr) Procédé de préparation de monocristaux de carbure de silicium utilisables comme semi-conducteurs
FR1495011A (fr) Procédé de préparation d'organopolysiloxanes à substituants alcoxylés liés au silicium
CH516480A (fr) Procédé de préparation de filaments de carbure de silicium
BE598163A (fr) Procédé de préparation de cristaux de carbure de silicium.
FR1302077A (fr) Procédé de préparation de carbure de silicium très pur
BE593058A (fr) Procédé de préparation de carbure de silicium de grande pureté
CH461463A (fr) Procédé de préparation d'éthers cyano éthyliques des propanediols-1-3 substitués en position 2
FR1219624A (fr) Procédé de préparation de carbure de silicium très pur, cristallisé
FR1225566A (fr) Préparation de monocristaux de carbure de silicium
CH520078A (fr) Procédé de préparation du carbure de silicium
CH529069A (fr) Procédé de préparation de filaments de carbure de silicium
FR1536842A (fr) Cristaux de carbure de silicium et procédé pour leur préparation
FR1282688A (fr) Procédé de préparation de cristaux de carbure de silicium
CH534696A (fr) Procédé de préparation de composés du silicium
FR1541868A (fr) Procédé d'élaboration de cristaux de carbure de silicium
FR1415437A (fr) Procédé de préparation du silicium cristallin, et de préférence monocristallin
FR1238548A (fr) Procédé pour la préparation d'acétylure de silicium
FR1212780A (fr) Carbure de silicium pour semi-conducteurs
BE577334A (fr) Procédé de préparation de carbure de silicium très pur, cristalisé.
FR1515718A (fr) Procédé de préparation de composés de silicium