FR1530926A - Procédé pour la fabrication de dispositifs à effet de champ à électrodes de commande isolées - Google Patents
Procédé pour la fabrication de dispositifs à effet de champ à électrodes de commande isoléesInfo
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- FR1530926A FR1530926A FR113739A FR113739A FR1530926A FR 1530926 A FR1530926 A FR 1530926A FR 113739 A FR113739 A FR 113739A FR 113739 A FR113739 A FR 113739A FR 1530926 A FR1530926 A FR 1530926A
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- 230000005669 field effect Effects 0.000 title 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
- H10D30/00—Field-effect transistors [FET]
- H10D30/60—Insulated-gate field-effect transistors [IGFET]
- H10D30/611—Insulated-gate field-effect transistors [IGFET] having multiple independently-addressable gate electrodes influencing the same channel
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
- H10D99/00—Subject matter not provided for in other groups of this subclass
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| FR113739A FR1530926A (fr) | 1966-10-13 | 1967-07-10 | Procédé pour la fabrication de dispositifs à effet de champ à électrodes de commande isolées |
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US58654666A | 1966-10-13 | 1966-10-13 | |
| FR113739A FR1530926A (fr) | 1966-10-13 | 1967-07-10 | Procédé pour la fabrication de dispositifs à effet de champ à électrodes de commande isolées |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| FR1530926A true FR1530926A (fr) | 1968-06-28 |
Family
ID=26177980
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| FR113739A Expired FR1530926A (fr) | 1966-10-13 | 1967-07-10 | Procédé pour la fabrication de dispositifs à effet de champ à électrodes de commande isolées |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| FR (1) | FR1530926A (fr) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| FR2009170A1 (fr) * | 1968-05-23 | 1970-01-30 | Philips Nv | |
| FR2019642A1 (fr) * | 1968-10-02 | 1970-07-03 | Nat Semiconductor Corp | |
| DE2128536A1 (de) * | 1970-06-10 | 1971-12-16 | Hitachi Ltd | Halbleiterbauelement mit zwei MOS-Transistoren vom nicht-symmetrischen Typ |
-
1967
- 1967-07-10 FR FR113739A patent/FR1530926A/fr not_active Expired
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| FR2009170A1 (fr) * | 1968-05-23 | 1970-01-30 | Philips Nv | |
| FR2019642A1 (fr) * | 1968-10-02 | 1970-07-03 | Nat Semiconductor Corp | |
| DE2128536A1 (de) * | 1970-06-10 | 1971-12-16 | Hitachi Ltd | Halbleiterbauelement mit zwei MOS-Transistoren vom nicht-symmetrischen Typ |
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