FR1531730A - Procédé pour préparer des tiges de silicium monocristallines - Google Patents

Procédé pour préparer des tiges de silicium monocristallines

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    • C30B29/00—Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape
    • C30B29/02—Elements
    • C30B29/06—Silicon
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
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Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
FR2387079A1 (fr) * 1977-04-13 1978-11-10 Western Electric Co Analyse en temps reel et controle de la chimie de fusion dans les operations de croissance des cristaux
FR2633313A1 (fr) * 1988-06-02 1989-12-29 Westinghouse Electric Corp Procede de dopage d'une masse fondue pour la croissance de cristaux, notamment de silicium, en rubans dendritiques et cristaux obtenus a l'aide de ce procede
EP0428415A1 (fr) * 1989-11-16 1991-05-22 Shin-Etsu Handotai Company Limited ProcÀ©dé et pour régler la résistance spécifique d'un monocristal
EP0432914A1 (fr) * 1989-11-16 1991-06-19 Shin-Etsu Handotai Company Limited Procédé pour régler la concentration de l'oxygène dans un monocristal
EP0669413A1 (fr) * 1993-12-28 1995-08-30 Research Development Corporation Of Japan Préparation d'un bain de silicium en fusion destiné à la fabrication de monocristaux d'après la méthode de tirage

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