FR2461967A2 - Composition de photomasquage, son procede de preparation, et masque obtenu - Google Patents
Composition de photomasquage, son procede de preparation, et masque obtenu Download PDFInfo
- Publication number
- FR2461967A2 FR2461967A2 FR7918467A FR7918467A FR2461967A2 FR 2461967 A2 FR2461967 A2 FR 2461967A2 FR 7918467 A FR7918467 A FR 7918467A FR 7918467 A FR7918467 A FR 7918467A FR 2461967 A2 FR2461967 A2 FR 2461967A2
- Authority
- FR
- France
- Prior art keywords
- sep
- integers
- positive
- haloalkyl
- zero
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 title abstract 2
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 title description 2
- 229910052736 halogen Inorganic materials 0.000 title 1
- 229920001577 copolymer Polymers 0.000 claims abstract description 10
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 claims abstract description 9
- 229910052794 bromium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 8
- 229910052801 chlorine Inorganic materials 0.000 claims abstract description 8
- 125000000217 alkyl group Chemical group 0.000 claims abstract description 6
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 19
- 125000001188 haloalkyl group Chemical group 0.000 claims description 10
- 239000000460 chlorine Substances 0.000 claims description 9
- 230000005855 radiation Effects 0.000 claims description 9
- -1 haloalkyl acrylates Chemical class 0.000 claims description 8
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 claims description 6
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 6
- WKBOTKDWSSQWDR-UHFFFAOYSA-N Bromine atom Chemical compound [Br] WKBOTKDWSSQWDR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N Chlorine atom Chemical compound [Cl] ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 150000001252 acrylic acid derivatives Chemical class 0.000 claims description 5
- GDTBXPJZTBHREO-UHFFFAOYSA-N bromine Substances BrBr GDTBXPJZTBHREO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 125000001153 fluoro group Chemical group F* 0.000 claims description 4
- 229920001897 terpolymer Polymers 0.000 claims description 4
- 238000007334 copolymerization reaction Methods 0.000 claims description 3
- 239000002685 polymerization catalyst Substances 0.000 claims description 3
- PXGOKWXKJXAPGV-UHFFFAOYSA-N Fluorine Chemical compound FF PXGOKWXKJXAPGV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 125000004429 atom Chemical group 0.000 claims description 2
- 125000004432 carbon atom Chemical group C* 0.000 claims description 2
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 2
- 125000005843 halogen group Chemical group 0.000 abstract description 3
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 10
- OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N Methanol Chemical compound OC OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 239000000178 monomer Substances 0.000 description 8
- 125000001495 ethyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 7
- 238000003786 synthesis reaction Methods 0.000 description 7
- UHOVQNZJYSORNB-UHFFFAOYSA-N Benzene Chemical compound C1=CC=CC=C1 UHOVQNZJYSORNB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 238000000034 method Methods 0.000 description 4
- WSFSSNUMVMOOMR-UHFFFAOYSA-N Formaldehyde Chemical compound O=C WSFSSNUMVMOOMR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 3
- PNJWIWWMYCMZRO-UHFFFAOYSA-N pent‐4‐en‐2‐one Natural products CC(=O)CC=C PNJWIWWMYCMZRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 3
- 239000011800 void material Substances 0.000 description 3
- OZAIFHULBGXAKX-UHFFFAOYSA-N 2-(2-cyanopropan-2-yldiazenyl)-2-methylpropanenitrile Chemical compound N#CC(C)(C)N=NC(C)(C)C#N OZAIFHULBGXAKX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N Acetone Chemical compound CC(C)=O CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004342 Benzoyl peroxide Substances 0.000 description 2
- OMPJBNCRMGITSC-UHFFFAOYSA-N Benzoylperoxide Chemical compound C=1C=CC=CC=1C(=O)OOC(=O)C1=CC=CC=C1 OMPJBNCRMGITSC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 235000019400 benzoyl peroxide Nutrition 0.000 description 2
- 238000005119 centrifugation Methods 0.000 description 2
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 2
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 2
- 150000002148 esters Chemical group 0.000 description 2
- MTCMFVTVXAOHNQ-UHFFFAOYSA-N ethyl 2-(bromomethyl)prop-2-enoate Chemical compound CCOC(=O)C(=C)CBr MTCMFVTVXAOHNQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 239000008188 pellet Substances 0.000 description 2
- 238000010526 radical polymerization reaction Methods 0.000 description 2
- 239000013557 residual solvent Substances 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 2
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 2
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 2
- FYSNRJHAOHDILO-UHFFFAOYSA-N thionyl chloride Chemical compound ClS(Cl)=O FYSNRJHAOHDILO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- LTMRRSWNXVJMBA-UHFFFAOYSA-L 2,2-diethylpropanedioate Chemical compound CCC(CC)(C([O-])=O)C([O-])=O LTMRRSWNXVJMBA-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- QQZJWQCLWOQDQV-UHFFFAOYSA-N 3-bromo-2-(bromomethyl)propanoic acid Chemical compound OC(=O)C(CBr)CBr QQZJWQCLWOQDQV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-M Acrylate Chemical compound [O-]C(=O)C=C NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical group [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YZCKVEUIGOORGS-OUBTZVSYSA-N Deuterium Chemical compound [2H] YZCKVEUIGOORGS-OUBTZVSYSA-N 0.000 description 1
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 1
- 229920006243 acrylic copolymer Polymers 0.000 description 1
- 150000001298 alcohols Chemical class 0.000 description 1
- XZGOVFDQIUQKCW-UHFFFAOYSA-N bis(hydroxymethyl) propanedioate Chemical compound OCOC(=O)CC(=O)OCO XZGOVFDQIUQKCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000031709 bromination Effects 0.000 description 1
- 238000005893 bromination reaction Methods 0.000 description 1
- AOJDZKCUAATBGE-UHFFFAOYSA-N bromomethane Chemical compound Br[CH2] AOJDZKCUAATBGE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MIVUJMYYGHHCNH-UHFFFAOYSA-N bromomethyl prop-2-enoate Chemical compound BrCOC(=O)C=C MIVUJMYYGHHCNH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000003054 catalyst Substances 0.000 description 1
- 238000009833 condensation Methods 0.000 description 1
- 230000005494 condensation Effects 0.000 description 1
- 238000006114 decarboxylation reaction Methods 0.000 description 1
- 238000007269 dehydrobromination reaction Methods 0.000 description 1
- 229910052805 deuterium Inorganic materials 0.000 description 1
- WIOHBOKEUIHYIC-UHFFFAOYSA-N diethyl 2,2-bis(hydroxymethyl)propanedioate Chemical compound CCOC(=O)C(CO)(CO)C(=O)OCC WIOHBOKEUIHYIC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000004177 diethyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 1
- 238000004090 dissolution Methods 0.000 description 1
- 230000032050 esterification Effects 0.000 description 1
- 238000005886 esterification reaction Methods 0.000 description 1
- SYGAXBISYRORDR-UHFFFAOYSA-N ethyl 2-(hydroxymethyl)prop-2-enoate Chemical compound CCOC(=O)C(=C)CO SYGAXBISYRORDR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000001914 filtration Methods 0.000 description 1
- 230000007062 hydrolysis Effects 0.000 description 1
- 238000006460 hydrolysis reaction Methods 0.000 description 1
- 230000000873 masking effect Effects 0.000 description 1
- VLCAYQIMSMPEBW-UHFFFAOYSA-N methyl 3-hydroxy-2-methylidenebutanoate Chemical compound COC(=O)C(=C)C(C)O VLCAYQIMSMPEBW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000002496 methyl group Chemical group [H]C([H])([H])* 0.000 description 1
- 238000004377 microelectronic Methods 0.000 description 1
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 1
- 230000005693 optoelectronics Effects 0.000 description 1
- XNLICIUVMPYHGG-UHFFFAOYSA-N pentan-2-one Chemical compound CCCC(C)=O XNLICIUVMPYHGG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000001376 precipitating effect Effects 0.000 description 1
- 238000001556 precipitation Methods 0.000 description 1
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 1
- 238000010992 reflux Methods 0.000 description 1
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 1
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 1
- 229940096017 silver fluoride Drugs 0.000 description 1
- REYHXKZHIMGNSE-UHFFFAOYSA-M silver monofluoride Chemical compound [F-].[Ag+] REYHXKZHIMGNSE-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- KZJPVUDYAMEDRM-UHFFFAOYSA-M silver;2,2,2-trifluoroacetate Chemical compound [Ag+].[O-]C(=O)C(F)(F)F KZJPVUDYAMEDRM-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 239000011734 sodium Substances 0.000 description 1
- ZBSDTYVOGPRSLK-UHFFFAOYSA-M sodium;ethene;2-hydroxyacetate Chemical compound [Na+].C=C.OCC([O-])=O ZBSDTYVOGPRSLK-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 1
- 238000005809 transesterification reaction Methods 0.000 description 1
- 230000009466 transformation Effects 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/004—Photosensitive materials
- G03F7/039—Macromolecular compounds which are photodegradable, e.g. positive electron resists
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Addition Polymer Or Copolymer, Post-Treatments, Or Chemical Modifications (AREA)
Abstract
L'ADDITION CONCERNE LES RESINES POSITIVES UTILISEES POUR LA FABRICATION OU LA REPRODUCTION DE MASQUES EN ELECTRONIQUE. LA COMPOSITION DE PHOTOMASQUAGE SUIVANT L'ADDITION EST CARACTERISEE EN CE QU'ELLE REPOND A LA FORMULE GENERALE: (CF DESSIN DANS BOPI) DANS LAQUELLE R, R, R, R, R, R DESIGNENT DES RADICAUX ALKYLES DONT LA CHAINE PRINCIPALE CONTIENT DE 1 A 10 ATOMES DE CARBONE, LES SYMBOLES F, CL ET BR QUI DESIGNENT LE FLUOR, LE CHLORE ET LE BROME ETANT AFFECTES D'INDICES A, B, C, A, B, ET C REPRESENTANT LE NOMBRE DE CES ATOMES QUI SONT ENTIERS POSITIFS OU NULS COMME M, N P. APPLICATION A LA REALISATION DE MASQUES A HAUTE RESOLUTION, POUR LES CIRCUITS INTEGRES OU L'OPTIQUE INTEGREE.
Description
La présente addition concerne une composition désignée sous le nom générique de "composition de photomasquage", mais pouvant être effectivement mise en oeuvre sous l'action de faisceaux de photons (rayons gamme rayons X, rayonnement ultraviolet lointain ou proche) et/ou d'électrons
Elle concerne également le procédé de préparation de la composition ainsi que les masques mis en oeuvre.
Elle concerne également le procédé de préparation de la composition ainsi que les masques mis en oeuvre.
Le brevet principal décrit une composition de photomas tuage; dégradable sous l'action d'un rayonnement, répondant à la formule générale
où Ra R', R" et Y sont des radicaux alkyle.
où Ra R', R" et Y sont des radicaux alkyle.
Dans le cas de l'addition, la composition de photomasquage, dégradable sous l'action d'un rayonnement, est caractérisée en ce qu'elle se compose de copolymères ou de terpolymères du type a -(alkyX acrylique substitués sur les radicaux alkyle liés au carbone quaternaire par au moins deux types d'atomes d'halogènes, et substitués ou non sur les radicaux alkyles des channes esters par des atomes d'halogènes de même type, de formule générale
dans laquelle R1, R'1, R"1, R2, R'2, R"2 désignent des radicaux alkyles dont la channe principale contient de 1 à 10 atomes de carbone, les symboles F, Cl, Br qui désignent le fluor, le chlore et le brome étant affectés d'indices a, b, c, a', b', c' représentant le nombre de ces atomes, qui sont des entiers positifs ou nuls selon le cas (m, n, p étant également des entiers positifs ou nuls).
dans laquelle R1, R'1, R"1, R2, R'2, R"2 désignent des radicaux alkyles dont la channe principale contient de 1 à 10 atomes de carbone, les symboles F, Cl, Br qui désignent le fluor, le chlore et le brome étant affectés d'indices a, b, c, a', b', c' représentant le nombre de ces atomes, qui sont des entiers positifs ou nuls selon le cas (m, n, p étant également des entiers positifs ou nuls).
A) Cas des copolymères
10) Si m et n sont entiers positifs alors que p est nul, a' et
b' sont nécessairement entiers positifs, a et b étant entiers
positifs ou nuls ;
20) Si m et p sont entiers positifs alors que n est nul, a' et
c' sont nécessairement entiers positifs, a et c étant entiers
positifs ou nuls ;
3 ) Si n et p sont entiers positifs alors que m est nul, b' et
c' sont nécessairement entiers positifs, b et c étant entiers
positifs ou nuls.
10) Si m et n sont entiers positifs alors que p est nul, a' et
b' sont nécessairement entiers positifs, a et b étant entiers
positifs ou nuls ;
20) Si m et p sont entiers positifs alors que n est nul, a' et
c' sont nécessairement entiers positifs, a et c étant entiers
positifs ou nuls ;
3 ) Si n et p sont entiers positifs alors que m est nul, b' et
c' sont nécessairement entiers positifs, b et c étant entiers
positifs ou nuls.
B) Cas des terpolymères :
Si m, n et p sont des entiers positifs, a', b' et c' sont nécessairement entiers positifs, a,-b et c étant entiers positifs ou nuls.
Si m, n et p sont des entiers positifs, a', b' et c' sont nécessairement entiers positifs, a,-b et c étant entiers positifs ou nuls.
L'invention sera mieux comprise, et d'autres caractéristiques apparatront, en se reportant à la description qui suit, donnant notamment la méthode de synthèse de la composition dans différents cas, un exemple de synthèse et d'utilisation,
METHODE DE SYNTHESE
La composition est préparée par copolymérisation ou terpolymérisation des a-(halogénoalkyl) acrylates d'alkyle ou d'halogénoalkyle.
METHODE DE SYNTHESE
La composition est préparée par copolymérisation ou terpolymérisation des a-(halogénoalkyl) acrylates d'alkyle ou d'halogénoalkyle.
Parmi les aShalogénoalkyl) acrylates intéressants, on peut citer
- 1' a-(bromométhyl) acrylate d'éthyle
- l'α -(chlorométhyl) acrylate d'éthyle
- 1' a-(bromométhyl) acrylate d'éthyle
- l'α -(chlorométhyl) acrylate d'éthyle
La synthèse de ces-monomères met en jeu plusieurs étapes qui apparaissent sur le schéma réactionnel reproduit au tableau 1. Il est à noter que les composés fluoré et chloré s'obtiennent à partir du monomère bromé.
<SEP> |
<tb> <SEP> 2 <SEP> H <SEP> - <SEP> H <SEP> + <SEP> H5 <SEP> C2-0 <SEP> 0 <SEP> C <SEP> - <SEP> C <SEP> H2 <SEP> - <SEP> C <SEP> O <SEP> O <SEP> - <SEP> C2 <SEP> H5
<tb> <SEP> CH2 <SEP> - <SEP> OH
<tb> <SEP> (E,T <SEP> H5 <SEP> C20 <SEP> 0 <SEP> C <SEP> - <SEP> I <SEP> - <SEP> C <SEP> O <SEP> O-C2 <SEP> H5
<tb> <SEP> I <SEP> CH2 <SEP> - <SEP> OH
<tb> <SEP> H <SEP> Br <SEP> (hydrolyse,décarboxylation, <SEP> bromation) <SEP> CH2 <SEP> Br
<tb> -------------------------------------------* <SEP> # <SEP> H <SEP> - <SEP> C <SEP> - <SEP> C <SEP> O <SEP> O <SEP> H
<tb> <SEP> (E2) <SEP> CH2Br
<tb> <SEP> C2 <SEP> H <SEP> O <SEP> H <SEP> (estérification) <SEP> CH2 <SEP> Br
<tb> <SEP> > <SEP> ----) <SEP> H <SEP> - <SEP> C <SEP> - <SEP> C <SEP> O <SEP> O-C2 <SEP> H5
<tb> <SEP> (E3) <SEP> CH2 <SEP> Br
<tb> <SEP> Na, <SEP> C <SEP> H2 <SEP> O <SEP> H <SEP> - <SEP> C <SEP> H2 <SEP> O <SEP> H <SEP> CH <SEP> Br <SEP> O
<tb> <SEP> ----------------------------+ <SEP> > C <SEP> H2 <SEP> = <SEP> f <SEP> C
<tb> <SEP> (E4)(déhydrobromation) <SEP> r <SEP> ~ <SEP> - <SEP> C2 <SEP> H5
<tb> <SEP> CH2 <SEP> F
<tb> <SEP> I- <SEP>
<tb> <SEP> (E5) <SEP> > <SEP> C <SEP> H2 <SEP> = <SEP> C <SEP> - <SEP> H2 <SEP> - <SEP> C2 <SEP> H5
<tb> <SEP> CH <SEP> 0 <SEP> C-C
<tb> <SEP> CF <SEP> C <SEP> 02 <SEP> Ag <SEP> C <SEP> H <SEP> = <SEP> 22 <SEP> 3
<tb> <SEP> C <SEP> F3 <SEP> C <SEP> 2 <SEP> Ag <SEP> C <SEP> H2 <SEP> = <SEP> C <SEP> - <SEP> C'O
<tb> <SEP> (E6 > <SEP> - <SEP> C2 <SEP> H5
<tb> <SEP> CH2 <SEP> OH
<tb> <SEP> H2 <SEP> 0
<tb> <SEP> C <SEP> CH2 <SEP> = <SEP> C <SEP>
<tb> <SEP> (E6,) <SEP> '0 <SEP> - <SEP> C2 <SEP> H5
<tb> <SEP> CH2 <SEP> Cl
<tb> <SEP> S <SEP> O <SEP> Cl <SEP> > C <SEP> H2 <SEP> = <SEP> C <SEP>
<tb> <SEP> (E6,,) <SEP> C <SEP> H <SEP> H2 <SEP> C2 <SEP> H5
<tb> <SEP> (E") <SEP> 2 <SEP> ~O <SEP> ~ <SEP> C2 <SEP> H5
<tb>
Les étapes El à E4, pour la synthèse du monomère bromé, consistent à
(El) : préparer du bis (hydroxyméthyl) malonate de diéthyle
par condensation du formol et du malonate de diéthyle ;
(E2) : former l'acide ss, ss' -dibromoisobutyrique par action
de H-Br sur le bis-(hydroxyméthyl) malonate de
diéthyle ;
(E3) : estérifier l'acide par de l'éthanol pour former du
BI ss'-dibromoisobutyrate d'éthyle ;
(E#) : déhydrobromer l'ester ainsi obtenu par de l'éthylène
glycolate de sodium entraînant la formation
d' a-(bromométhyl) acrylate d'éthyle.
<tb> <SEP> 2 <SEP> H <SEP> - <SEP> H <SEP> + <SEP> H5 <SEP> C2-0 <SEP> 0 <SEP> C <SEP> - <SEP> C <SEP> H2 <SEP> - <SEP> C <SEP> O <SEP> O <SEP> - <SEP> C2 <SEP> H5
<tb> <SEP> CH2 <SEP> - <SEP> OH
<tb> <SEP> (E,T <SEP> H5 <SEP> C20 <SEP> 0 <SEP> C <SEP> - <SEP> I <SEP> - <SEP> C <SEP> O <SEP> O-C2 <SEP> H5
<tb> <SEP> I <SEP> CH2 <SEP> - <SEP> OH
<tb> <SEP> H <SEP> Br <SEP> (hydrolyse,décarboxylation, <SEP> bromation) <SEP> CH2 <SEP> Br
<tb> -------------------------------------------* <SEP> # <SEP> H <SEP> - <SEP> C <SEP> - <SEP> C <SEP> O <SEP> O <SEP> H
<tb> <SEP> (E2) <SEP> CH2Br
<tb> <SEP> C2 <SEP> H <SEP> O <SEP> H <SEP> (estérification) <SEP> CH2 <SEP> Br
<tb> <SEP> > <SEP> ----) <SEP> H <SEP> - <SEP> C <SEP> - <SEP> C <SEP> O <SEP> O-C2 <SEP> H5
<tb> <SEP> (E3) <SEP> CH2 <SEP> Br
<tb> <SEP> Na, <SEP> C <SEP> H2 <SEP> O <SEP> H <SEP> - <SEP> C <SEP> H2 <SEP> O <SEP> H <SEP> CH <SEP> Br <SEP> O
<tb> <SEP> ----------------------------+ <SEP> > C <SEP> H2 <SEP> = <SEP> f <SEP> C
<tb> <SEP> (E4)(déhydrobromation) <SEP> r <SEP> ~ <SEP> - <SEP> C2 <SEP> H5
<tb> <SEP> CH2 <SEP> F
<tb> <SEP> I- <SEP>
<tb> <SEP> (E5) <SEP> > <SEP> C <SEP> H2 <SEP> = <SEP> C <SEP> - <SEP> H2 <SEP> - <SEP> C2 <SEP> H5
<tb> <SEP> CH <SEP> 0 <SEP> C-C
<tb> <SEP> CF <SEP> C <SEP> 02 <SEP> Ag <SEP> C <SEP> H <SEP> = <SEP> 22 <SEP> 3
<tb> <SEP> C <SEP> F3 <SEP> C <SEP> 2 <SEP> Ag <SEP> C <SEP> H2 <SEP> = <SEP> C <SEP> - <SEP> C'O
<tb> <SEP> (E6 > <SEP> - <SEP> C2 <SEP> H5
<tb> <SEP> CH2 <SEP> OH
<tb> <SEP> H2 <SEP> 0
<tb> <SEP> C <SEP> CH2 <SEP> = <SEP> C <SEP>
<tb> <SEP> (E6,) <SEP> '0 <SEP> - <SEP> C2 <SEP> H5
<tb> <SEP> CH2 <SEP> Cl
<tb> <SEP> S <SEP> O <SEP> Cl <SEP> > C <SEP> H2 <SEP> = <SEP> C <SEP>
<tb> <SEP> (E6,,) <SEP> C <SEP> H <SEP> H2 <SEP> C2 <SEP> H5
<tb> <SEP> (E") <SEP> 2 <SEP> ~O <SEP> ~ <SEP> C2 <SEP> H5
<tb>
Les étapes El à E4, pour la synthèse du monomère bromé, consistent à
(El) : préparer du bis (hydroxyméthyl) malonate de diéthyle
par condensation du formol et du malonate de diéthyle ;
(E2) : former l'acide ss, ss' -dibromoisobutyrique par action
de H-Br sur le bis-(hydroxyméthyl) malonate de
diéthyle ;
(E3) : estérifier l'acide par de l'éthanol pour former du
BI ss'-dibromoisobutyrate d'éthyle ;
(E#) : déhydrobromer l'ester ainsi obtenu par de l'éthylène
glycolate de sodium entraînant la formation
d' a-(bromométhyl) acrylate d'éthyle.
L'étape E5, pour le monomère fluoré consiste à substituer du fluor au brome par action du fluorure d'argent, entraînant la formation d' afluorométhyl) acrylate d'éthyle.
Les étapes E6, E6, E6 pour le monomère chloré consistent à :
(E6) : faire agir du trifluoroacétate d'argent sur
l'a-(bromométhyl) acrylate d'éthyle, entraînant
la formation d' a-(trifluoroacétoxyméthyl) acrylate
d'éthyle ;
(E6,) : hydrolyser ce composé d'où formation d' a-(hydroxy
méthyl) acrylate d'éthyle ;
(E6) : faire agir du chlorure de thionyle sur
1' a-(hydroxyméthyl) acrylate d'éthyle pour former
1' a-(chlorométhyl) acrylate d'éthyle.
(E6) : faire agir du trifluoroacétate d'argent sur
l'a-(bromométhyl) acrylate d'éthyle, entraînant
la formation d' a-(trifluoroacétoxyméthyl) acrylate
d'éthyle ;
(E6,) : hydrolyser ce composé d'où formation d' a-(hydroxy
méthyl) acrylate d'éthyle ;
(E6) : faire agir du chlorure de thionyle sur
1' a-(hydroxyméthyl) acrylate d'éthyle pour former
1' a-(chlorométhyl) acrylate d'éthyle.
L'obtention, à partir de ces monomères, de monomères halogénés de surcroît sur le radical ester est réalisé par transestérification à partir des alcools halogénés correspondants en utilisant des catalyseurs habituels dans une réaction de ce type.
La copolymérisation ou la terpolymérisation de ces monomères est ensuite réalisée en les mélangeant dans un solvant adéquat, par exemple le benzène. Un catalyseur de polymérisation radicalaire est ajouté : le peroxyde de benzoyle. Ce mélange est chauffé à 800 C pendant 48 heures. A#près refroidissement, on isole les polymères formés par precipitation dans unnon solvant, par exemple le méthanol.
D'autres catalyseurs de polymérisation radicalaire sont
utjlisables,par parexemple le 2, 2 azo-bis-isobutyronitrile.
utjlisables,par parexemple le 2, 2 azo-bis-isobutyronitrile.
PROCEDE D'UTILISATION :
Le procédé d'utilisation de la composition de photomasquage
selon l'invention en tant que matériau de transfert d'image est particulièrement simple et conforme aux règles de l'art. Elle
est dissoute dans un solvant adéquat, par exemple la méthyl
4 pentanone-2 puis déposée en couche mince (typiquement 0,5 à
1 1um) par centrifugation sur un substrat (silicium oxydé par
exemple).
Le procédé d'utilisation de la composition de photomasquage
selon l'invention en tant que matériau de transfert d'image est particulièrement simple et conforme aux règles de l'art. Elle
est dissoute dans un solvant adéquat, par exemple la méthyl
4 pentanone-2 puis déposée en couche mince (typiquement 0,5 à
1 1um) par centrifugation sur un substrat (silicium oxydé par
exemple).
Après chauffage à une température optimale, destiné à éliminer le solvant résiduel et à augmenter l'adhérence des couches, le substrat enduit de la composition est irradié en vue de provoquer des
scissions de chaînes, dans la couche mince donc de rendre
celle-ci plus soluble dans un mélange de révélation approprié.
scissions de chaînes, dans la couche mince donc de rendre
celle-ci plus soluble dans un mélange de révélation approprié.
Différents rayonnements sont utilisables, aussi bien de type électronique que photonique : rayonnement y émis par exem 60 pie par des sources classiques (telles que 55 Cs ou 27 Co)
55 ou rayonnement ultra-violet "lointain" (200 < X < 300 nm) provenant par exemple d'une lampe au deutérium, enfin rayonnement
o
X, en particulier le rayonnement X "mou" (4 < X < 50 Assoit continu
(synchrotron dans un anneau de stockage), soit provenant de l'émision de raies caractéristiques.
55 ou rayonnement ultra-violet "lointain" (200 < X < 300 nm) provenant par exemple d'une lampe au deutérium, enfin rayonnement
o
X, en particulier le rayonnement X "mou" (4 < X < 50 Assoit continu
(synchrotron dans un anneau de stockage), soit provenant de l'émision de raies caractéristiques.
EXEMPLE DE SYNTHESE
L'exemple de synthèse ci-après est relatif à l'élaboration d'un copolymère de 1' a-(fluorométhyl) acrylate d'éthyle et de
1' a-(bromométhyl) acrylate d'éthyle en proportion molaire relative 1/1.
L'exemple de synthèse ci-après est relatif à l'élaboration d'un copolymère de 1' a-(fluorométhyl) acrylate d'éthyle et de
1' a-(bromométhyl) acrylate d'éthyle en proportion molaire relative 1/1.
0,019 g (0,05 % de la masse totale) de peroxyde de benzoyle sont dissous dans une solution de benzène (21, 9 g soit 25 cm3) contenant 6,6 g (0,05 mole) d' a-(fluorométhyl) acrylate d'éthyle et 9,65 g (0,05 mole) d' a-(bromométhyl) acrylate d'éthyle, tous deux préalablement distillés. La solution est chauffée à reflux
de la masse réactionnelle pendant 48 Heures. Après refroidissement, elle est diluée avec 50 cm3 d'acétone puis coulée dans du méthanol (2 litres). Le copolymère > qui précipite, est recueilli par filtration, lavé au méthanol puis séché sous vide pendant 96 heures. La masse de produit sec obtenue correspond à un taux de transformation de l'ordre de 50 %.
de la masse réactionnelle pendant 48 Heures. Après refroidissement, elle est diluée avec 50 cm3 d'acétone puis coulée dans du méthanol (2 litres). Le copolymère > qui précipite, est recueilli par filtration, lavé au méthanol puis séché sous vide pendant 96 heures. La masse de produit sec obtenue correspond à un taux de transformation de l'ordre de 50 %.
EXEMPLE D'UTILISATION
L'exemple d'utilisation ci-après rend compte de l'utilisation du copolymère cité précédemment : a-(fluorométhyl) acrylate d'éthyle - a(bromométhyl) acrylate d'éthyle en tant que matériau de masquage lors d'une irradiation par des rayons
X mous. Ce copolymère est dissous dans la méthyl-4 pentanone-2 de façon à obtenir une solution à 15 % en poids à partir de laquelle il est déposé en film mince (0,5 /um d'épaisseur) par centrifugation sur une pastille de silicium oxydé en surface.
L'exemple d'utilisation ci-après rend compte de l'utilisation du copolymère cité précédemment : a-(fluorométhyl) acrylate d'éthyle - a(bromométhyl) acrylate d'éthyle en tant que matériau de masquage lors d'une irradiation par des rayons
X mous. Ce copolymère est dissous dans la méthyl-4 pentanone-2 de façon à obtenir une solution à 15 % en poids à partir de laquelle il est déposé en film mince (0,5 /um d'épaisseur) par centrifugation sur une pastille de silicium oxydé en surface.
La pastille recouverte du film mince est recuite à 1800 C pendant 30 minutes pour éliminer le solvant résiduel. Elle
o est alors irradiée sous vide par des rayons X de 21, 6 A de longueur d'onde (anticathode de Cr) à travers un masque. La durée de l'irradiation est "optimisée" de façon à obtenir la dissolution totale de la couche de résine dans les zones irradiées après révélation.
o est alors irradiée sous vide par des rayons X de 21, 6 A de longueur d'onde (anticathode de Cr) à travers un masque. La durée de l'irradiation est "optimisée" de façon à obtenir la dissolution totale de la couche de résine dans les zones irradiées après révélation.
De façon plus générale, les masques de fabrication obtenus à l'aide d'une te#lle composition dégradable sous l'action d'un rayonnement, font partie de l'invention.
De tels masques sont utilisés en microélectronique, pour la fabrication de composants électroniques, notamment de circuits intégrés.
Ils peuvent également etre utilisés en optique intégrée, pour la fabrication de composants opto-électroniques.
Claims (7)
1. Composition de photomasquage suivant la revendication 1 du brevet principal, caractérisée en ce qu'elle répond à la formule générale :
dans laquelle R1, R1, R, R2, R2, R2 désignent des radicaux alkyles dont la chaîne principale contient de 1 à 10 atomes de carbone, les symboles F, Cl et Br qui désignent le fluor, le chlore et le brome étant affectés d'indices a, b, c, a', b' et c' représentant le nombre de ces atomes, qui sont des entiers positifs ou nuls, m, n, p, p > étant également des entiers positifs ou nuls.
entiers positifs ou nuls.
et c' sont nécessairement entiers positifs, b et c étant
30) Si n et p sont entiers positifs alors que m est nul, b'
entiers positifs ou nuls ;
et c' sont nécessairement entiers positifs, a et c étant
2 ) Si m et p sont entiers positifs alors que n est nul, a'
entiers positifs ou nuls ;
et b' sont nécessairement entiers positifs, a et b étant
10) Si m et n sont entiers positifs alors que p est nul, a'
A) Cas Ces copolymères
Si m, n et p sont entiers positifs, a', b' et c' sont nécessairement entiers positifs, a, b et c étant entiers positifs ou nuls.
B) Cas des terpolymères
2. Composition selon la revendication 1, caractérisée en ce qu'elle est un copolymère d' a-(hålogénoalkyl) acrylates d'alkyle ou d'halogénoalkyle substitués par du fluor et du chlore (p = O).
3. Composition selon la revendication 1, caractérisée en ce qu'elle est un copolymère d' a-(halogénoalkyl) acrylates d'alkyle ou dshalogénoalkyle substitués par du fluor et du brome #n = 0).
4.. Composition selon la revendication 1, caractérisée en ce qu'elle;est un copolymère d' a-(halogénoalkyl) acrylates d'alkyle ou d'halogénoalkyle substitués par du chlore et du brome (m = 0).
5. Composition selon la revendication 1, caractérisée en ce qu'elle est un terpolymère d' a-(halogénoalkyl) acrylates d'alkyle ou dthalogénoalkyle substitués par du fluor, du chlore et du brome (m, n, p i O).
6. Procédé de fabrication d'une composition de photomasquage selon l'une quelconque des revendications 1 à 5, caractérisé en ce qu'il comporte-la copolymérisation d'au moins 2 parmi les trois dérivés fluorés, chlorés, bromés d' a-(halogénoalkyle) acrylates d'alkyle ou dthalogénoalkyle, par chauffage en présence de catalyseurs de polymérisation de type radicalaire.
7. Masque de fabrication obtenu a 11 aide d'une composition de photomasquage selon l'une quelconque des revendications 1 à 5, caractérisé en ce qu'elle est dégradable sous l'action de l'un des rayonnements suivants : gamma, X, ultraviolet, électrons.
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| FR7918467A FR2461967A2 (fr) | 1979-07-17 | 1979-07-17 | Composition de photomasquage, son procede de preparation, et masque obtenu |
| DE8080400300T DE3060510D1 (en) | 1979-03-09 | 1980-03-04 | Photomasking substances, process for preparing them and mask obtained |
| EP80400300A EP0016679B1 (fr) | 1979-03-09 | 1980-03-04 | Substances de photomasquage, leur procédé de préparation, et masque obtenu |
| US06/127,745 US4268590A (en) | 1979-03-09 | 1980-03-06 | Photomasking composition, process for preparing same and mask obtained |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| FR7918467A FR2461967A2 (fr) | 1979-07-17 | 1979-07-17 | Composition de photomasquage, son procede de preparation, et masque obtenu |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| FR2461967A2 true FR2461967A2 (fr) | 1981-02-06 |
| FR2461967B2 FR2461967B2 (fr) | 1984-11-30 |
Family
ID=9227970
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| FR7918467A Granted FR2461967A2 (fr) | 1979-03-09 | 1979-07-17 | Composition de photomasquage, son procede de preparation, et masque obtenu |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| FR (1) | FR2461967A2 (fr) |
Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| GB780218A (en) * | 1954-04-23 | 1957-07-31 | Du Pont | Photographic process for preparing intaglio and relief images |
| FR2299665A1 (fr) * | 1975-01-29 | 1976-08-27 | Ibm | Procede de formation d'image utilisant une laque a base de polymeres de methacrylate |
| FR2339184A1 (fr) * | 1976-01-23 | 1977-08-19 | Nippon Telegraph & Telephone | Composition polymere pour masques photoresists |
| US4061829A (en) * | 1976-04-26 | 1977-12-06 | Bell Telephone Laboratories, Incorporated | Negative resist for X-ray and electron beam lithography and method of using same |
| DE2743763A1 (de) * | 1976-10-04 | 1978-04-06 | Ibm | Positivlackmaterial und verfahren zur herstellung einer lackmaske |
| FR2389156A1 (fr) * | 1977-04-26 | 1978-11-24 | Int Standard Electric Corp | Substance sensible aux rayons x pour photogravure |
-
1979
- 1979-07-17 FR FR7918467A patent/FR2461967A2/fr active Granted
Patent Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| GB780218A (en) * | 1954-04-23 | 1957-07-31 | Du Pont | Photographic process for preparing intaglio and relief images |
| FR2299665A1 (fr) * | 1975-01-29 | 1976-08-27 | Ibm | Procede de formation d'image utilisant une laque a base de polymeres de methacrylate |
| FR2339184A1 (fr) * | 1976-01-23 | 1977-08-19 | Nippon Telegraph & Telephone | Composition polymere pour masques photoresists |
| US4061829A (en) * | 1976-04-26 | 1977-12-06 | Bell Telephone Laboratories, Incorporated | Negative resist for X-ray and electron beam lithography and method of using same |
| DE2743763A1 (de) * | 1976-10-04 | 1978-04-06 | Ibm | Positivlackmaterial und verfahren zur herstellung einer lackmaske |
| FR2389156A1 (fr) * | 1977-04-26 | 1978-11-24 | Int Standard Electric Corp | Substance sensible aux rayons x pour photogravure |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| FR2461967B2 (fr) | 1984-11-30 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US4603101A (en) | Photoresist compositions containing t-substituted organomethyl vinylaryl ether materials | |
| KR101414278B1 (ko) | 레지스트 하층막용 고분자, 이를 포함하는 레지스트 하층막 조성물 및 소자의 패턴 형성 방법 | |
| CN102566281B (zh) | 硬掩模组合物和形成图案的方法以及包括该图案的半导体集成电路器件 | |
| TW434452B (en) | A resist composition, a process for forming a resist pattern and a process for manufacturing a semiconductor device | |
| CN1166704C (zh) | 防反射性涂料聚合物及其制备方法 | |
| FR2786491A1 (fr) | Agent de reticulation pour photoresist, et composition de photoresist comprenant celui-ci | |
| TWI242565B (en) | Fluorine-containing polymerizable monomers and polymers, anti-reflection film materials and resist compositions using same | |
| KR101555410B1 (ko) | 감광성 알칼리-가용성 수지, 이의 제조 방법, 및 이를 함유하는 컬러 감광성 레지스트 | |
| FR2782715A1 (fr) | Nouveau monomere de photoresist ayant un groupe hydroxy et un groupe carboxy, son copolymere et composition de photoresist l'utilisant | |
| TW491860B (en) | Acrylic or methacrylic acid derivatives and polymers obtained therefrom | |
| EP0016679B1 (fr) | Substances de photomasquage, leur procédé de préparation, et masque obtenu | |
| JPS61256347A (ja) | アルカリ可溶性シロキサン重合体 | |
| FR2461967A2 (fr) | Composition de photomasquage, son procede de preparation, et masque obtenu | |
| JP2001515606A (ja) | 新規の光活性化合物を含有するポジ型フォトレジスト | |
| KR100191126B1 (ko) | 비닐4-t-부톡시카르보닐옥시벤잘-비닐 알코올-비닐 아세테이트 공중합체와 비닐 4-t-부톡시카르보닐옥시벤잘-비닐 4-히드록시벤잘-비닐 알코올-비닐 아세테이트 공중합체 및 그들의 제조방법 | |
| US20040126695A1 (en) | Fluorinated polymers | |
| EP0011520B1 (fr) | Résine à cycle thiétane réticulable par irradiation électronique ou photonique, et procédé d'utilisation d'une telle résine | |
| KR20050099494A (ko) | 플루오르화 단량체, 포토레지스트로서 유용한 4원헤테로시클릭 접합 고리를 갖는 폴리시클릭기를 함유하는플루오르화 중합체, 및 마이크로리소그래피법 | |
| JP2009134020A (ja) | レジスト組成物及びパターン形成方法 | |
| JPH0234380B2 (fr) | ||
| JPS637377B2 (fr) | ||
| US6482566B1 (en) | Hydroxycarborane photoresists and process for using same in bilayer thin film imaging lithography | |
| FR2489007A1 (fr) | Sensibilisateurs de la classe des bisquinones et compositions photoreactives les contenant | |
| JP2002501485A (ja) | 感光性キノロン化合物及び製造方法 | |
| FR2648468A1 (fr) | Composition de resine sensible aux rayonnements uv et aux electrons |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| CL | Concession to grant licences |





