FR2503367A1 - Procede et dispositif de preparation d'echantillons pour l'examen au microscope electronique - Google Patents

Procede et dispositif de preparation d'echantillons pour l'examen au microscope electronique Download PDF

Info

Publication number
FR2503367A1
FR2503367A1 FR8205573A FR8205573A FR2503367A1 FR 2503367 A1 FR2503367 A1 FR 2503367A1 FR 8205573 A FR8205573 A FR 8205573A FR 8205573 A FR8205573 A FR 8205573A FR 2503367 A1 FR2503367 A1 FR 2503367A1
Authority
FR
France
Prior art keywords
sample
source
neutral
examination
samples
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
FR8205573A
Other languages
English (en)
Other versions
FR2503367B1 (fr
Inventor
Joseph Franks
Franks Joseph
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Ion Tech Ltd
Original Assignee
Ion Tech Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Ion Tech Ltd filed Critical Ion Tech Ltd
Publication of FR2503367A1 publication Critical patent/FR2503367A1/fr
Application granted granted Critical
Publication of FR2503367B1 publication Critical patent/FR2503367B1/fr
Expired legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01NINVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N1/00Sampling; Preparing specimens for investigation
    • G01N1/28Preparing specimens for investigation including physical details of (bio-)chemical methods covered elsewhere, e.g. G01N33/50, C12Q
    • G01N1/32Polishing; Etching
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/30Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects
    • H01J37/305Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects for casting, melting, evaporating, or etching
    • H01J37/3053Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects for casting, melting, evaporating, or etching for evaporating or etching

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Biochemistry (AREA)
  • General Health & Medical Sciences (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Immunology (AREA)
  • Pathology (AREA)
  • Sampling And Sample Adjustment (AREA)
  • Analysing Materials By The Use Of Radiation (AREA)

Abstract

UNE TECHNIQUE D'AMINCISSEMENT D'UN ECHANTILLON EN VUE DE SON EXAMEN AU MICROSCOPE ELECTRONIQUE CONSISTE A DIRIGER SUR L'ECHANTILLON UN OU PLUSIEURS FAISCEAUX 3, 4 CONSTITUES EXCLUSIVEMENT DE PARTICULES NEUTRES. CETTE TECHNIQUE EST PLUS RAPIDE QUE LES TECHNIQUES D'EROSION IONIQUE ET ELLE PERTURBE MOINS LA REPARTITION DES PORTEURS DE CHARGES MOBILES DANS LA REGION AMINCIE.

Description

i 2503367 t"Procédé et dispositif de préparation d'échantillons pour
l'examen au microscope électronique".
La présente invention concerne les techniques
d'amincissement d'échantillons pour la préparation de ma-
tières en vue de l'examen au microscope électronique. La résolution élevée que permet d'obtenir la microscopie électronique par transmission fait de cette dernière une technique d'un intérêt exceptionnel pour l'examen de la microstructure de matières. L'examen direct de matières par microscopie électronique par transmission
exige que l'échantillon examiné soit transparent aux élec-
trons. Par conséquent, l'épaisseur des échantillons doit
être limitée à 100 à 200 mm.
Il a donc été nécessaire de développer des pro-
cédés de préparation d'échantillons de matières ayant des propriétés chimiques et mécaniques très variables. Les matières molles telles que les échantillons biologiques peuvent être préparées par traitement au microtome, bien qu'on rencontre quelquefois des difficultés lorsque des
particules dures sont présentes.
Pour certains métaux, semiconducteurs et autres matières minérales, les techniques d'attaque chimique et
les techniques électrolytiques conviennent. Dans un procé-
dé largement utilisé, la matière à amincir est placée dans une cuve d'attaque par un jet, et on observe le processus
d'attaque à travers une lentille, avec une source de lu-
mière derrière l'échantillon.
L'action d'attaque du jet est prolongée jusqu'à la perforation de l'échantillon. Du fait que l'action
d'attaque est plus forte au centre du jet qu'à sa périphé-
rie, la perforation commence au centre et s'étale vers la périphérie. Ainsi, on arr4te immédiatement le processus d'attaque lorsque la perforation se produit, en rinçant l'échantillon avec un inhibiteur, ce qui laisse autour
de la perforation des zones adjacentes qui sont habituel-
lement suffisamment minces pour permettre de prendre des
micrographies au cours de l'examen au microscope électro-
nique. Pour les matières pour lesquelles il n'existe pas d'agents d'attaque chimique appropriés, comme certains verres, les céramiques et des échantillons géologiques, on a essayé diverses techniques de préparation mécanique. On peut broyer les échantillons et sélectionner des éclats fins,
ou bien on peut produire des coupes minces par un polissa-
ge mécanique très soigné. Ces opérations nécessitent une habileté considérable et ne peuvent généralement pas 9tre appliquées à des matières granulaires cassantes avec des
vides.
Une grande variété de matières qui ne se prêtent
pas au traitement chimique peuvent être amincies par éro-
sion ionique.
Dans un équipement d'amincissement connu de type caractéristique, des faisceaux d'ions d'environ 2 mm de
diamètre provenant de deux sources tombent en position cen-
trale sur les deux faces d'un échantillon. On laisse le faisceau d'ions former un trou ou une perforation dans l'échantillon, le faisceau agissant d'une manière similaire à celle du jet chimique pendant l'attaque chimique. Lorsque
la perforation se produit on arrête immédiatement le fais-
ceau d'ions pour laisser autour de là perforation des zones
minces adjacentes qui sont transparentes aux électrons.
L'érosion ionique s'est avérée 9tre un outil de
valeur croissante pour les personnes utilisant la micros-
copie électronique, en particulier celles qui ont à exami-
ner des classes de matières telles que les céramiques, les
semiconducteurs dopés avec des impuretés et les alliages.
Il appara t cependant une difficulté dans le cas des matières ioniques et covalentes, du fait que le bombardement par les particules chargées du faisceau d'ions
peut avoir un effet nuisible sur la structure de la matière.
L'invention a pour but d'offrir un procédé
d'amincissement d'échantillons par bombardement de l'échan-
tillon avec des particules, ce procédé faisant disparaître les défauts des techniques connues d'érosion ionique, dans
le cas de matières ioniques et covalentes.
L'invention consiste en un procédé de préparation
3 2503367
d'échantillons convenant à l'examen par les techniques de microscopie électronique, dans lequel on établit une source qui produit un faisceau de particules énergétiques non chargées ou neutres, et on irradie un échantillon avec le faisceau de façon à éroder l'échantillon jusqu'à la pénétration et à produire une zone entourant le point de pénétration qui a une épaisseur appropriée pour la
transmission d'électrons.
Le procédé d'amincissement d'échantillons de l'invention, avec un faisceau neutre, est particulièrement avantageux dans le cas de matières ioniques et covalentes,
du fait que l'absence de charge de surface réduit la mi-
gration de tout constituant chargé mobile de la matière
qui est amincie.
L'amincissement de l'échantillon au moyen d'une source de faisceau neutre peut 4tre effectué en utilisant deux faisceaux neutres de part et d'autre de l'échantillon et en amincissant l'échantillon jusqu'à la pénétration. On peut employer une technique plus rapide qui consiste à
utiliser une seule source, avec la position de l'échantil-
lon proche de l'ouverture d'émission du faisceau de la source, à l'endroit o l'intensité et donc la puissance d'érosion du faisceau de particules neutres sont les plus grandes. On peut employer n'importe quelle source eapable de produire un faisceau de particules chargées qui peuvent
ensuite être neutralisées avant de tomber sur l'échantil-
lon, et de telles sources sont bien connues de l'homme de l'art.
On peut par exemple faire passer des ions à tra-
vers un tube d'échange de charges à résonance, et projeter
le faisceau neutre résultant sur l'échantillon. Une techni-
que préférée consiste à utiliser une source à champ en forme de selle, avec un faisceau de sortie neutre, ce qui
élimine le tube d'échange de chargesqui est encombrant.
L'invention sera mieux comprise à la lecture de
la description qui va suivre d'un mode de réalisation,
donné à titre non limitatif. La suite de la description se
réfère au dessin annexé qui représente une vue en perspec-
tive des principaux éléments d'un dispositif d'amincisse-
ment capable d'émettre un faisceau de particules neutres.
Comme on l'a mentionné précédemment, on connaît la technique d'amincissement par érosion ionique pour des
échantillons destinés à être utilisés en microscopie élec-
tronique, et la source d'ions à champ en forme de selle convient pour produire le faisceau neutre nécessaire à la
mise en oeuvre de l'invention.
La figure représente un dispositif d'amincisse-
ment destiné à amincir des échantillons avec un faisceau neutre. Il comprend deux sources à champ en forme de selle
et à faisceau neutre fin, 1 et 2, qui produisent des fais-
ceaux neutres 3 et 4 d'environ 1,5 mm de diamètre, à par-
tir des ouvertures de cathode 5.
Les faisceaux neutres sont dirigés de façon à passer par le centre d'un support d'échantillon tournant 6 dont le centre P se trouve sur l'axe du pivot d'un bras
7 qui supporte les deux sources 1 et 2.
Le bras 7 est entraené par un servomoteur 8 par l'intermédiaire d'un arbre tournant 9. Le bras tournant 7 peut 9tre réglé à un certain angle par rapport au plan du support d'échantillon 6, de 00 (incidence rasante) jusqu'à 180 en passant par 900 (incidence normale), et on peut le faire pivoter pour l'amener à n'importe quelle
orientation entre ces limites.
Au cours d'un processus d'amincissement, la ma-
tière est enlevée de façon commandée de part et d'autre de l'échantillon par exposition aux faisceaux neutres
provenant des deux sources 1 et 2 diamétralement opposées.
L'échantillon est éclairé et on peut l'observer
pendant le traitement au moyen d'un microscope binoculai-
re (non représenté) qui est monté au-dessus du dispositif.
Bien que l'amincissement de l'échantillon en utilisant le dispositif décrit, avec un faisceau neutre, puisse être effectué au moyen de deux sources de faisceau neutre situées de part et d'autre de l'échantillon, avec l'échantillon maintenu normalement à 2 cm de l'ouverture de la source, on peut employer une technique plus rapide en n'utilisant qu'une seule source. L'échantillon est alors positionné aussi près que possible de l'ouverture
d'émission de faisceau (en respectant la possibilité d'in-
sertion et d'enlèvement de l'échantillon entre la source et le support d'échantillon 6), à l'endroit o l'intensité et donc la puissance d'érosion du faisceau de particules neutres sont les plus grandes. En pratique, la puissance
de faisceau préférée pour la source correspond à une ten-
sion dans la plage de 4 à 8 kV, avec un courant de plasma
s'élevant jusqu'à 0,5 mA.
L'amiincissement d'échantillons isolants en uti-
lisant un faisceau constitué exclusivement par des parti-
cules neutres est plus rapide qu'avec un faisceau d'ions
ou un faisceau constitué par un mélange d'ions et de par-
ticules neutres de m6me énergie et de même densité de flux. Pour comparer les effets du bombardement avec
des ions et avec des particules neutres sur la stoechiomé-
trie, on a bombardé des échantillons minces d'oxyde de
magnésium, par un coté de l'échantillon, en procédant sé-
parément avec des ions et des particules neutres. En ap-
pliquant 6 kV à la source à champ en forme de selle, l'analyse par rayons X a montré que la concentration de cations à la surface non amincie a augmenté de 80% sous
l'effet du bombardement par des ions, tandis que l'augmen-
tation a été de 20 % avec un bombardement par des particu-
les neutres. De plus, la vitesse de pulvérisation de l'oxy-
de avec une source neutre était supérieure de 15 % à cette même vitesse avec une source d'ions ayant la même densité
de flux.
Pour expliquer cet effet, on suggère que les ions chargés positivement dans un faisceau d'ions exercent des forces électrostatiques sur les ions situés dans l'échantillon. La force attractive sur les anions produit une augmentation de la pulvérisation préférentielle des ions oxygène avec une création associée d'une région de surface chargée positivement. Les forces électrostatiques
6 2503367
répulsives provenant à la fois du faisceau et de la surface produisent ainsi une force d'entraînement qui chasse les
cations de la surface amincie.
Avec un faisceau neutre, ces forces d'entraîne-
ment sont réduites. Cependant, une certaine charge de sur- face positive peut encore demeurer, à cause de l'émission
d'électrons secondaires.
Il va de soi que de nombreuses modifications peuvent etre apportées au procédé et au dispositif décrits
et représentés, sans sortir du cadre de l'invention.
REVEIDICATIONS
1. Procédé de préparation d'échantillons conve-
nant à l'examen par les techniques de microscopie électro-
nique, caractérisé en ce qu'on établit une source (1, 2) destinée à produire un faisceau (3, 4) de particules éner-
gétiques non chargées ou neutres, et on irradie un échan-
tillon avec le faisceau, afin d'éroder l'échantillon jus-
qu'à la pénétration et de produire une zone entourant le point de pénétration qui a une épaisseur appropriée pour
la transmission d'électrons.
2. Procédé selon la revendication 1, caractérisé
en ce que l'échantillon est maintenu aussi près que pos-
sible de l'ouverture (5) de la source, c'est-à-dire à un endroit o l'intensité et donc la puissance d'érosion du faisceau neutre sont les plus grandes, afin d'amincir
rapidement l'échantillon jusqu'à la pénétration.
3. Procédé selon la revendication 1, caractérisé
en ce qu'on emploie une paire de sources de faisceau neu-
tre (1, 2) pour agir respectivement de part et d'autre de l'échantillon, afin d'amincir l'échantillon jusqu'à la pénétration.
4. Procédé selon l'une quelconque des revendica-
tions 1 à 3, caractérisé en ce que la source est une sour-
ce à champ en forme de selle.
5. Procédé selon l'une quelconque des revendica-
tions 1 à 3, caractérisé en ce que la source comprend une
source d'ions et un tube à échange de charges à résonance.
6. Dispositif destiné à la préparation d'échan-
tillons convenant à l'examen par les techniques de micros-
copie électronique, caractérisé en ce qu'il comprend un support (6) destiné à supporter un échantillon, et une source (1, 2) destinée à produire un faisceau de particules neutres (3, 4) et disposée par rapport à l'échantillon de façon qu'au cours de l'utilisation, le faisceau produit par la source soit dirigé sur l'échantillon afin d'amincir
ce dernier jusqu'à la pénétration.
7. Dispositif selon la revendication 6, caracté-
risé en ce qu'une source est positionnée de chaque côté de l'échantillon, de façon que Luxsfaisceawu (3, 4) puissent 9tre dirigés sur l'échantillon pour amincir une partie de
celui-ci jusqu'à la pénétration.
8. Dispositif selon l'une quelconque des reven-
dications 6 ou 7, caractérisé en ce que la source est une source d'ions à champ en forme de selle qui est modifiée
pour produire un faisceau de particules neutres.
9. Dispositif selon l'une quelconque des reven-
dications 6 ou 7, caractérisé en ce que la source comprend
une source d'ions et un tube à échange de charges à réso-
nance qui est associé à la source d'ions pour produire
le faisceau neutre.
FR8205573A 1981-03-31 1982-03-31 Procede et dispositif de preparation d'echantillons pour l'examen au microscope electronique Expired FR2503367B1 (fr)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
GB8110073 1981-03-31

Publications (2)

Publication Number Publication Date
FR2503367A1 true FR2503367A1 (fr) 1982-10-08
FR2503367B1 FR2503367B1 (fr) 1986-03-21

Family

ID=10520802

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
FR8205573A Expired FR2503367B1 (fr) 1981-03-31 1982-03-31 Procede et dispositif de preparation d'echantillons pour l'examen au microscope electronique

Country Status (4)

Country Link
US (1) US4510386A (fr)
JP (1) JPS57178127A (fr)
DE (1) DE3211022A1 (fr)
FR (1) FR2503367B1 (fr)

Families Citing this family (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
AU601188B2 (en) * 1986-06-16 1990-09-06 Huron/St. Clair Company. Load-bearing slat for vehicle luggage carriers
US5989779A (en) * 1994-10-18 1999-11-23 Ebara Corporation Fabrication method employing and energy beam source
US5472566A (en) * 1994-11-14 1995-12-05 Gatan, Inc. Specimen holder and apparatus for two-sided ion milling system
US5922179A (en) * 1996-12-20 1999-07-13 Gatan, Inc. Apparatus for etching and coating sample specimens for microscopic analysis
CN108181487B (zh) * 2018-03-15 2020-03-06 上海交通大学 一种超高真空样品截断装置

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
FR2203509A5 (fr) * 1972-10-16 1974-05-10 Anvar
US4128765A (en) * 1976-10-29 1978-12-05 Joseph Franks Ion beam machining techniques and apparatus
GB2010577A (en) * 1977-11-07 1979-06-27 Ion Tech Ltd Preparing specimens using an ion beam

Family Cites Families (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3657542A (en) * 1970-05-04 1972-04-18 Atomic Energy Commission Production of beams of excited energetic neutral particles
US4340815A (en) * 1977-11-07 1982-07-20 Ion Tech Limited Preparation of material for examination by transmission electron microscopy techniques
US4284952A (en) * 1977-11-21 1981-08-18 The United States Of America As Represented By The United States Department Of Energy Neutral beam monitoring

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
FR2203509A5 (fr) * 1972-10-16 1974-05-10 Anvar
US4128765A (en) * 1976-10-29 1978-12-05 Joseph Franks Ion beam machining techniques and apparatus
GB2010577A (en) * 1977-11-07 1979-06-27 Ion Tech Ltd Preparing specimens using an ion beam

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
P.F. KANE et al. "Characterization of solid surfaces", 3ème édition, chapitre 4 : "Electron Microscopy", subchapitre 3 : "Techniques" et chapitre 23 :"Surface Composition by Analysis of Neutral and Ion Impact Radiation", subchapitre 2 : "Experimentalapparatus and technique" *

Also Published As

Publication number Publication date
US4510386A (en) 1985-04-09
JPS57178127A (en) 1982-11-02
FR2503367B1 (fr) 1986-03-21
DE3211022A1 (de) 1982-11-11

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US20050236587A1 (en) Ion beam device and ion beam processing method, and holder member
Bullivant Freeze-etching and freeze-fracturing
FR2849696A1 (fr) Dispositif de fabrication de specimen et procede de fabrication de specimen
JP2004245841A (ja) Temfib試料およびその製造のための方法
US8247731B2 (en) Laser scribing and machining of materials
FR2801137A1 (fr) Colonne a faisceau ionique focalise, filtre dans un filtre a energie
FR2503367A1 (fr) Procede et dispositif de preparation d'echantillons pour l'examen au microscope electronique
Fakhri et al. Nano silver oxide based on insulator for optoelectronic device
WO2003060182A1 (fr) Procédé de traitement d'une pièce en vue de modifier au moins une de ses propriétés.
US4340815A (en) Preparation of material for examination by transmission electron microscopy techniques
Scott et al. Sample preparation for nanoanalytical electron microscopy using the FIB lift-out method and low energy ion milling
FR2472194A1 (fr) Procede pour la production de traces nucleaires ou de microtrous d'un ion unique, obtenus a partir de traces nucleaires, et dispositif pour la mise en oeuvre du procede
FR2849955A1 (fr) Dispositif de micro-fabrication et procede de micro-fabrication
FR2555798A1 (fr) Cible en lithium destinee a un bombardement par des protons
FR2600422A1 (fr) Appareil et procede d'analyses chimiques locales a la surface de materiaux solides par spectroscopie de photo-electrons x
GB2095857A (en) Thinning of specimens for examination under the electron microscope
Bicknell A simple rotating jet-thinning apparatus for producing taper sections and electron microscope specimens from silicon and compound semiconductors
Tarasenko et al. Laser-assisted fabrication of nanoparticles in liquids and their application for improving analytical performance of LIBS
Kuchmizhak et al. Plasmon-mediated enhancement of rhodamine 6g spontaneous emission on laser-spalled nanotextures
EP0308304A1 (fr) Procédé d'analyse d'un échantillon par érosion au moyen d'un faisceau de particules, et dispositif pour la mise en oeuvre de ce procédé
EP2877273B1 (fr) Procede et installation de formation de membrane nano-poreuse
Geretovszky et al. Pulsed laser deposition of carbon nitride films by a sub-ps laser
LU84136A1 (fr) Procede et dispositif de production de photons dans la gamme des longueurs d'ondes ultraviolettes
Pollock et al. Secondary ion images of impurities at grain boundaries in polycrystalline silicon
Mori et al. Electron-irradiation-induced gold atom implantation into a silicon substrate and AES analysis of the gold-implanted silicon

Legal Events

Date Code Title Description
ST Notification of lapse