FR2583894A1 - Procede de depot d'une couche d'aplanissement de relief d'un substrat semi-conducteur en vue de la realisation de structures multicouches pour microlithographie - Google Patents
Procede de depot d'une couche d'aplanissement de relief d'un substrat semi-conducteur en vue de la realisation de structures multicouches pour microlithographie Download PDFInfo
- Publication number
- FR2583894A1 FR2583894A1 FR8509560A FR8509560A FR2583894A1 FR 2583894 A1 FR2583894 A1 FR 2583894A1 FR 8509560 A FR8509560 A FR 8509560A FR 8509560 A FR8509560 A FR 8509560A FR 2583894 A1 FR2583894 A1 FR 2583894A1
- Authority
- FR
- France
- Prior art keywords
- layer
- substrate
- depositing
- annealing
- microlithography
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims abstract description 18
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 16
- 238000000151 deposition Methods 0.000 title claims abstract description 12
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 10
- 238000001393 microlithography Methods 0.000 title claims abstract description 5
- 238000009499 grossing Methods 0.000 title abstract 2
- VKYKSIONXSXAKP-UHFFFAOYSA-N hexamethylenetetramine Chemical compound C1N(C2)CN3CN1CN2C3 VKYKSIONXSXAKP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 22
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims abstract description 13
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims abstract description 13
- 235000010299 hexamethylene tetramine Nutrition 0.000 claims abstract description 11
- 239000004312 hexamethylene tetramine Substances 0.000 claims abstract description 11
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims abstract description 11
- 238000003756 stirring Methods 0.000 claims abstract description 5
- 238000000137 annealing Methods 0.000 claims description 13
- 229960004011 methenamine Drugs 0.000 claims description 9
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 claims description 9
- 229920003986 novolac Polymers 0.000 claims description 6
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 claims description 3
- 102100031680 Beta-catenin-interacting protein 1 Human genes 0.000 claims 1
- 101000993469 Homo sapiens Beta-catenin-interacting protein 1 Proteins 0.000 claims 1
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 claims 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 6
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 5
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 4
- CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N Acetone Chemical compound CC(C)=O CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- UHOVQNZJYSORNB-UHFFFAOYSA-N Benzene Chemical compound C1=CC=CC=C1 UHOVQNZJYSORNB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N Toluene Chemical compound CC1=CC=CC=C1 YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 3
- WYURNTSHIVDZCO-UHFFFAOYSA-N Tetrahydrofuran Chemical compound C1CCOC1 WYURNTSHIVDZCO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000004132 cross linking Methods 0.000 description 2
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 2
- 238000004090 dissolution Methods 0.000 description 2
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- -1 polysiloxane Polymers 0.000 description 2
- 229920001296 polysiloxane Polymers 0.000 description 2
- 238000009987 spinning Methods 0.000 description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 2
- QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-M Acetate Chemical compound CC([O-])=O QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- DKPFZGUDAPQIHT-UHFFFAOYSA-N Butyl acetate Natural products CCCCOC(C)=O DKPFZGUDAPQIHT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XSTXAVWGXDQKEL-UHFFFAOYSA-N Trichloroethylene Chemical group ClC=C(Cl)Cl XSTXAVWGXDQKEL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000032683 aging Effects 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 1
- FUZZWVXGSFPDMH-UHFFFAOYSA-N hexanoic acid Chemical compound CCCCCC(O)=O FUZZWVXGSFPDMH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 238000001465 metallisation Methods 0.000 description 1
- 238000004377 microelectronic Methods 0.000 description 1
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 description 1
- 239000002861 polymer material Substances 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 238000000992 sputter etching Methods 0.000 description 1
- 230000008961 swelling Effects 0.000 description 1
- YLQBMQCUIZJEEH-UHFFFAOYSA-N tetrahydrofuran Natural products C=1C=COC=1 YLQBMQCUIZJEEH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/16—Coating processes; Apparatus therefor
- G03F7/168—Finishing the coated layer, e.g. drying, baking, soaking
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/004—Photosensitive materials
- G03F7/022—Quinonediazides
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/004—Photosensitive materials
- G03F7/09—Photosensitive materials characterised by structural details, e.g. supports, auxiliary layers
- G03F7/094—Multilayer resist systems, e.g. planarising layers
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Architecture (AREA)
- Structural Engineering (AREA)
- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
Abstract
LA PRESENTE INVENTION CONCERNE UN NOUVEAU PROCEDE DE DEPOT D'UNE COUCHE D'APLANISSEMENT DE RELIEF D'UN SUBSTRAT SEMI-CONDUCTEUR EN VUE DE LA REALISATION DE STRUCTURES MULTICOUCHES POUR MICROLITHOGRAPHIE. SELON L'INVENTION LE PROCEDE SE CARACTERISE EN CE QUE: -ON AJOUTE A UNE SOLUTION DE RESINE DE PHOTORESIST DE 1 A 10 EN POIDS D'HEXAMETHYLENE TETRAMINE (HMTA); ON HOMOGENEISE PAR AGITATION LE MELANGE OBTENU; -ON DEPOSE EN UNE COUCHE MINCE CONTINUE LEDIT MELANGE AINSI HOMOGENEISE SUR LE SUBSTRAT SEMI-CONDUCTEUR; -ON SOUMET LEDIT SUBSTRAT AINSI REVETU A UN PREMIER RECUIT A UNE TEMPERATURE INFERIEURE A ENVIRON 140C, PUIS -ON SOUMET LEDIT SUBSTRAT A UN SECOND RECUIT A UNE TEMPERATURE SUPERIEURE A ENVIRON 150C.
Description
La présente invention est relative au domaine de
la microlithographie, c'est-à-dire un procédé de reproduction d'images utilisé pour la fabrication de circuits intégrés. Elle stinteresse aux matériaux que l'on dépose sur le substrat semiconducteur et dont le rôle est de transformer l'image d'un masque en un dessin matérial dans le but de protéger certaines parties du substrat d'un traitement ultérieur (dépôt métallique, traitement thermique, diffusion gazeuse, gravure, etc.).
la microlithographie, c'est-à-dire un procédé de reproduction d'images utilisé pour la fabrication de circuits intégrés. Elle stinteresse aux matériaux que l'on dépose sur le substrat semiconducteur et dont le rôle est de transformer l'image d'un masque en un dessin matérial dans le but de protéger certaines parties du substrat d'un traitement ultérieur (dépôt métallique, traitement thermique, diffusion gazeuse, gravure, etc.).
L'invention concerne plus particulièrement la technique dite "structure multicouches organiques" qui consiste à projeter l'image du masque sur une structure formée de deux ou trois couches de matériaux polymères différents et à transférer, par gravure ionique dans les couches inférieures, l'image enregistrée dans la couche supérieure.
L'invention porte sur les structures multicouches dont la couche inférieure en contact avec le substrat est constituée de matériaux à base de résine de photorésists, en particulier de résines novolaques.
Dans l'état de la technique antérieure (par exemple illustré par "Introduction to Microlithography" L.F .Thompson,
C.G.Willson, M.J. Bowden- A.C.S. Symposium Sertes 219- Washington
D.C. 1983), il est connu que la tranche semi-conductrice initialement plane, se modifie au cours de la fabrication du circuit et présente alors un certain relief de surface. Une des limites pratiques la plus importante à la résolution de l'image projetée est la variation de la largeur de trait qui a lieu lors du recouvrement d'une marche séparant deux zones du substrat situées à deux côtes différentes.
C.G.Willson, M.J. Bowden- A.C.S. Symposium Sertes 219- Washington
D.C. 1983), il est connu que la tranche semi-conductrice initialement plane, se modifie au cours de la fabrication du circuit et présente alors un certain relief de surface. Une des limites pratiques la plus importante à la résolution de l'image projetée est la variation de la largeur de trait qui a lieu lors du recouvrement d'une marche séparant deux zones du substrat situées à deux côtes différentes.
Les structures multicouches ont montré leur capacité à améliorer cette résolution, particulièrement dans le cas d'images submicrométriques.
Les couches sont déposées les unes sur les autres à partir d'une solution de polymère et selon le procédé classique de dépôt à la tournette.
Au cours du dépôt d'une couche polymère sur une autre, Il peut se former une couche interfaciale, alliage de composition intermédiaire entre les deux matériaux. Cela est particulièrement vrai lorsque le solvant de dépôt utilisé se révèle être également un bon solvant de la couche support.
La littérature indique que les photorésists à base de novolaque, ou des solutions de résines novolaques sont toujours utilisées comme couche inférieure lors de la mise en oeuvre de procédés dans lesquels le transfert d'image s'effectue en gravure ionique réactive d'oxygène.
Or, les résines novolaques sont solubles dans la plupart des solvants organiques : trichloréthylène, acétone, benzène, toluène, acétate de cellusolve, acétate de butyle, etc.
En déposant à la tournette une couche polymère (par exemple du polysiloxane) sur la couche inférieure, on observe la présence d'un interface très marquée et néfaste pour la suite du procédé, notamment pour les étapes de gravure il en résulte en effet une difficulté de détection de fin d'attaque, une perte de définition lors du transfert d'image et par conséquent une diminution sensible de l'intérêt fondamental du système tri couche.
Pour diminuer cette couche interfaciale, la littérature indique que la couche de photorésists base novolaque doit subir un recuit de durcissement supérieur à 200a pendant une demi-heure.
Pendant le recuit, la couche subit un vieillissement thermo-oxydatif et il en résulte une réticulation partielle du matériau. L'interdiffusion du solvant porteur et donc des matériaux de chacune des couches est ralentie et l'épaisseur de la couche interfaciale est diminuée.
Néanmoins, une couche interfaciale subsiste.
La présente invention a pour but de supprimer totalement la couche interfaciale en augmentant considérablement le taux de réticulation de la couche d'aplanissement sans augmenter ni la durée ni la température de mise en oeuvre du procédé.
Ce but se trouve atteint, conformément à la présente invention, par la mise en oeuvre d'un procédé de dépôt de couche d'aplanissement de relief d'un substrat semi-conducteur, qui est caractérisé en ce que l'on effectue les opérations successives suivantes
. on ajoute à une solution de résine de photorésist de
1 à 10% en poids d'hexaméthylène tétramine (HMTA1 ;
. on homogénéise par agitation le mélange obtenu
on dépose en une couche mince continue ledit mélange
ainsi homogénéisé sur le substrat semi-conducteur ;;
on soumet ledit substrat ainsi revêtu à un premier
recuit à une température inférieure à environ 1400C,
puis
. on soumet ledit substrat à un second recuit à une température supérieure à environ 1500C.
. on ajoute à une solution de résine de photorésist de
1 à 10% en poids d'hexaméthylène tétramine (HMTA1 ;
. on homogénéise par agitation le mélange obtenu
on dépose en une couche mince continue ledit mélange
ainsi homogénéisé sur le substrat semi-conducteur ;;
on soumet ledit substrat ainsi revêtu à un premier
recuit à une température inférieure à environ 1400C,
puis
. on soumet ledit substrat à un second recuit à une température supérieure à environ 1500C.
Il convient d'observer que I a la dissolution de cristaux d'hexaméthylène tétramine (HMTA) dans une solution de résine de photorésist n'a jamais été proposée ou suggérée dans le cadre d'applications en microélectronique. Il est d'ailleurs tout à fait surprenant de constater que l'adjonction d'HMTA, molécule tridensionnelle volumineuse, puisse conduire à l'obtention dans des conditions simples et efficaces, d'une couche d'aplanissement de relief se présentant sous la forme d'un film parfaitement régulier et de très faible épaisseur de l'ordre du micron.
La concentration en HMTA de la solution de résine utilisée peut atteindre jusqu'à environ 10% en poids. Il est donc nécessaire d'agiter le mélange et d'attendre quelques heures pour que la dissolution des cristaux soit complète.
Après obtention d'un mélange homogène monophasique, on effectue le dépôt sur la plaquette semi-conductrice au moyen d'une tournette. Les conditions de dépôt sont avantageusement choisies pour obtenir un film mince et homogène correspondant à la couche d'aplanissement.
Puis, la plaquette est soumise à un premier recuit dans le but de réaliser le fluage de la résine d'aplanissement.
La température ne doit pas excéder, pour ce recuit, la valeur d'environ 1400C.
La plaquette est ensuite soumise à un deuxième recuit dans le but de durcir la couche d'aplanissement. Pour ce faire, elle est chauffée pendant quelques minutes à une température supérieure à environ 150 C.
EXEMPLE NON LIMITATIF DE MISE EN OEUVRE DU PROCEDE DE
L'INVENTION
On effectue le mélange de 1009 du photorésist produit par la Société HUNT Chemical sous la référence HPR 204 et de 59 d'HMTA produit par la Société MERK sous la référence 237 1548. Après agitation du mélange pendant quatre heures, celui-ci est déposé sur une plaquette de silicium présentant un relief de marche de 500 nm espacées de 7 um. Le dépôt se fait au moyen d'une tournette, à la vitesse de 4000 t/min. La plaquette est alors soumise à un recuit d'aplanissement de 20 minutes à 1300C, puis à un recuit de durcissement de 10 minutes à 1800C.
L'INVENTION
On effectue le mélange de 1009 du photorésist produit par la Société HUNT Chemical sous la référence HPR 204 et de 59 d'HMTA produit par la Société MERK sous la référence 237 1548. Après agitation du mélange pendant quatre heures, celui-ci est déposé sur une plaquette de silicium présentant un relief de marche de 500 nm espacées de 7 um. Le dépôt se fait au moyen d'une tournette, à la vitesse de 4000 t/min. La plaquette est alors soumise à un recuit d'aplanissement de 20 minutes à 1300C, puis à un recuit de durcissement de 10 minutes à 1800C.
Une telle plaquette se trouve être complètement insensible à l'action des solvants organiques. Par l'observation des variations de couleur, on peut affirmer que le gonflement de la couche dans le tétrahydrofurane est Inférieure à 10
D'où l'impossibilIté de création d'une couche interfaciale lors du dépôt par tournette d'une solution polymère.
D'où l'impossibilIté de création d'une couche interfaciale lors du dépôt par tournette d'une solution polymère.
On a déposé sur une telle plaquette une couche de polysiloxane Accupsin X.103# de la Société Allled Chemical.
La mesure des épaisseurs et la possibilité d'enlèvement de la couche montre l'absence totale d'interface.
Claims (6)
1/ Procédé de dépôt d'une couche d'aplanissement de relief d'un substrat semi-conducteur en vue de la réalisation de structures multicouches pour microlithographie, caractérisé en ce que l'on effectue les opérations successives suivantes
on ajoute à une solution de résine de photorésist de
10% en poids d'hexaméthylène tétramine (HMTA)
. on homogénéise par agitation le mélange obtenu
. on dépose en une couche mince continue ledit mélange
ainsi homogénéisé sur le substrat semi#onducteur
. on soumet ledit substrat ainsi revêtu à un premier
recuit à une température inférieure à environ 1400C,
puis
on soumet ledit substrat à un second recuit à une température supérieure à environ 1500C.
2/ Procédé selon la revendication 1, caractérisé en ce que ledit mélange de solution de résine de photorésist et de HMTA est déposé sur le substrat semi-conducteur au moyen d'une tournette.
3/ Procédé selon la revendication 2, caractérisé en ce que la vitesse de rotation de ladite tournette est de l'ordre de 4000 t/min.
4/ Procédé selon l'une des revendications 1 à 3, caractérisé en ce que la durée du premier recuit est d'environ 20 minutes.
5/ Procédé selon l'une des revendications 1 à 4, caractérisé en ce que la durée du second recuit est d'environ 10 minutes.
6/ Procédé selon l'une des revendications 1 à 5, caractérisé en ce que la solution de résine de photorésist est une solution de résine novolaque dans un solvant organique.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| FR8509560A FR2583894B1 (fr) | 1985-06-24 | 1985-06-24 | Procede de depot d'une couche d'aplanissement de relief d'un substrat semi-conducteur en vue de la realisation de structures multicouches pour microlithographie |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| FR8509560A FR2583894B1 (fr) | 1985-06-24 | 1985-06-24 | Procede de depot d'une couche d'aplanissement de relief d'un substrat semi-conducteur en vue de la realisation de structures multicouches pour microlithographie |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| FR2583894A1 true FR2583894A1 (fr) | 1986-12-26 |
| FR2583894B1 FR2583894B1 (fr) | 1990-09-21 |
Family
ID=9320585
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| FR8509560A Expired - Fee Related FR2583894B1 (fr) | 1985-06-24 | 1985-06-24 | Procede de depot d'une couche d'aplanissement de relief d'un substrat semi-conducteur en vue de la realisation de structures multicouches pour microlithographie |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| FR (1) | FR2583894B1 (fr) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0264845A3 (fr) * | 1986-10-20 | 1989-06-28 | Hoechst Celanese Corporation | Matériau multicouche positif pour l'enregistrement |
-
1985
- 1985-06-24 FR FR8509560A patent/FR2583894B1/fr not_active Expired - Fee Related
Non-Patent Citations (3)
| Title |
|---|
| IBM TECHNICAL DISCLOSURE BULLETIN, vol. 13, no. 3, août 1970, page 795, New York, US; C.A. CORTELLINO: "Stress-free resist films" * |
| RESEARCH DISCLOSURE, no. 242, juin 1984, page 240, no. 2420s, Hampshire, GB; "An image reversible positive photoresist with chemically induced high temperature rheological stability" * |
| RESEARCH DISCLOSURE, no. 254, juin 1985, page 311, no. 25441,Kenneth Mason Publications Ltd., Emsworth, Hampshire, GB; "Distortion-free imaging in high temperature baked photoresist" * |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0264845A3 (fr) * | 1986-10-20 | 1989-06-28 | Hoechst Celanese Corporation | Matériau multicouche positif pour l'enregistrement |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| FR2583894B1 (fr) | 1990-09-21 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| TWI872033B (zh) | 基板洗淨液、使用其之經洗淨之基板的製造方法及裝置之製造方法 | |
| EP0004555A2 (fr) | Résine sensible aux électrons comportant un sel métallique d'un méthacrylate et application à la lithographie à faisceau d'électrons | |
| KR102788910B1 (ko) | 기판 세정액 및 이를 사용하는 세정된 기판의 제조방법 및 디바이스의 제조방법 | |
| US4978594A (en) | Fluorine-containing base layer for multi-layer resist processes | |
| JP2004513515A (ja) | ホトレジストの改良形接着用アモルファス炭素層 | |
| TW202204539A (zh) | 包含碳材料、金屬有機化合物及溶劑之旋轉塗布組成物及在基材上製造金屬氧化物膜的方法 | |
| EP0031463B1 (fr) | Procédé pour déposer un matériel sous forme d'un patron sur un substrat et utilisation de ce procédé pour former une structure de masque sur un substrat semiconducteur | |
| FR2799554A1 (fr) | Composition d'elimination de photoresist et procede pour eliminer un photoresist au moyen de cette composition | |
| JPH0234454B2 (fr) | ||
| EP3529664B1 (fr) | Procédé de formation d'un guide d'assemblage fonctionnalisé et procédé de grapho-épitaxie | |
| CN119278498A (zh) | 具有SiO2钝化层的硅上石墨烯电子器件的制造和处理 | |
| TWI867360B (zh) | 抑制半導體基板圖案崩塌用之填充膜形成材料及半導體基板之處理方法 | |
| JPS608360A (ja) | 金属パターン形成法 | |
| EP1328012A1 (fr) | Procédé de fabrication d'un composant électronique incorporant un microcomposantinductif | |
| EP0212334B1 (fr) | Composition à base de polyimides pour obtenir une surface texturée sur un substrat | |
| CA2409241A1 (fr) | Procede de fabrication d'un composant electronique incorporant un micro-composant inductif | |
| US4828964A (en) | Polyimide formulation for forming a patterned film on a substrate | |
| CN120359287A (zh) | 基板洗净组合物、使用其的制造经洗净的基板的方法以及制造器件的方法 | |
| FR3102608A1 (fr) | Procédé de transfert d’une couche mince à l’aide d’un polymère précéramique chargé | |
| US11742197B2 (en) | Cleavable additives for use in a method of making a semiconductor substrate | |
| FR2471045A1 (fr) | Procede de preparation de surface d'un corps semi-conducteur pour le depot sur cette surface d'une couche metallique | |
| EP0207551A1 (fr) | Composition pour obtenir une résine photosensible de haute résolution développable par plasma et procédé photolithographique mettant en oeuvre cette résine | |
| EP0614126B1 (fr) | Procédé de formation d'un motif de photorésist sur la surface d'un substrat et solution de photorésist comprenant un composé oxydant | |
| US6277747B1 (en) | Method for removal of etch residue immediately after etching a SOG layer | |
| CA2409232A1 (fr) | Procede de fabrication d'un composant electronique incorporant un micro-composant inductif |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| ST | Notification of lapse |