FR2642902A1 - Composant semi-conducteur de puissance cellulaire - Google Patents
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Abstract
L'invention concerne un composant semi-conducteur de puissance cellulaire, du type comprenant un substrat qui comporte en surface des cellules N et P 11, 12 alternées selon un réseau régulier. Les diverses cellules sont reliées respectivement à deux aires de connexion 90e, 90b à l'aide de deux niveaux d'interconnexion 100, 200 comprenant chacun une paire de nappes conductrices 30, 50; 70, 90 reliées entre elles dans des zones frontières ZF; ZF'.
Description
1î 2642902
La présente invention concerne un nouveau composant
semi-conducteur de puissance cellulaire.
Elle concerne plus précisément un composant semi-
conducteur de puissance cellulaire, du type comprenant une pluralité de zones de type N ou P diffusées à la surface d'un substrat de type respectivement P ou N de manière à présenter, en surface du substrat, une pluralité de zones diffusées et de zones d'émergence du substrat ordonnées les unes par rapport aux autres pour former un réseau de cellules 1 alternativement de types N et P. Les cellules de chaque type sont toutes reliées entre elles et à une aire conductrice c(mmune définissant l'une des régions de connexion du composant. Un type particulier d'un tel composant est connu par - exemple par le brevet français No.2545654, et a pour avantages d'offrir par rapport à d'autres composants de même nature de bonnes performances en tension et en fréquence, ainsi qu'une amenée de courant parfaitement homogène à toutes
les cellules du réseau.
Cependant, si l'on veut augmenter le calibre en courant du composant, on multiplie le nombre de cellules, individuelles et donc la surface de la pastille et des nappes conductrices. Les trajets de courant entre une borne d'amenée de courant et les cellules les plus éloignées de cette borne úú sont excessivement allongés. Ils offrent ainsi une forte résistance électrique, qui provoque une ch te de tension
notable.
Concrètement, le brevet précité permet de réaliser des composants qui, avec des cellules réparties selon un pas de quelques dizaines de microns, ont une surface limitée à
quelques dizaines de millimètres carrés.
Ainsi une solution adoptée actuellement pour réaliser des composants ayant une puissance admissible plus élevée
consiste à fabriquer une pluralité de composants de taille.
ú$ réduite, à les juxtaposer et à relier entre elles par câblage les aires de connexion de même type de chacun de ces composants individuels. Cette solution connue est longue et
malcommode à mettre en oeuvre et s'avère peu fiable.
La présente invention vise à pallier cet inconvénient
de la technique antérieure et à proposer un composant semi-
conducteur cellulaire qui puisse véhiculer des courants plus élevés et comporter un nombre beaucoup plus grand de cellules sur une pastille semiconductrice de taille augmentée en proportion, sans que les trajets de couratv vers ou à partir des diverses cellules n'offrent une résistance électrique excessive. Un autre but de l'invention est de réduire dans 1-n fC composant semi-conducteur de puissance les contraintes de câblage. A cet effet, la présente invention concerr.e un composant semi-conducteur de puissance cellulaire mul.ticouche. du type comprenant une pluralité de zones de - type N ou P diffusées à la surface d'un substrat de type respectivement P ou N de manière à présenter, en surface du 3u5strat, une pluralité de zones diffusées et de zones d'émergence du substrat ordonnées les unes par rapport aux autres pour former un réseau de cellules alternativement de tpes N et P. et des moyens pour relier toutes les cellules de chaque type entre elles et à une aire de connexion du composant, caractérisé en ce que ces moyens comprennent: une première nappe conductrice s'étendant au-dessus de la surface du substrat en étant isolée de celui-ci et divisée 2ú dans des premières zones frontières, selon des premiers motifs déterminés, en des premières et des deuxièmes zones alternées disposées en réseau et isolées les unes des autres, cette première nappe conductrice étant reliée à chacune des cellules sousjacentes de type N dans ses premières zones et 3$ A chacune des cellules sous-jacentes de type P dans ses deuxièmes zones, au moyen de premiers plots conducteurs, une deuxième nappe conductrice s'étendant au-dessus de la première nappe en étant isolée de celle-ci et également divisée dans les premières zones frontières, selon des ú deuxièmes motifs déterminés, en des premières et deuxièmes zones alternées disposées en réseau, isolées les unes des autres et respectivement superposées aux premières et deuxièmes zones de la première nappe conductrice, cette
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deuxième nappe conductrice étant reliée à chacune des cellules sousjacentes de type P dans ses premières zones et à chacune des cellules sous-jacentes de type N dans ses deuxièmes zones, au moyen de deuxièmes plots conducteurs traversant, au droit de chacune des cellules, la première nappe en restant isolés de cette nappe et sans solution de continuité électrique de celle-ci, les première et deuxième nappes étant reliées entre elles dans lesdites premières zones frontières de telle sorte que chacune des premières et des deuxièmes zones de la première nappe soient reliées, à l'intérieur desdites zones frontières, respectivement aux deuxièmes Ut aux premières zones avoisinantes de la deuxième nappe, une troisième nappe conductrice s'étendant au-dessus t de la seconde nappe en étant isolée de celle-ci et divisée dans une deuxième zone frontière, selon un troisième motif déterminé, en une première zone et une deuxième zone isolées l'une de l'autre, cette troisième nappe conductrice étant reliée à chacune des deuxièmes zones sous-jacentes de la 22 deuxième nappe dans sa première zone et à chacune des premières zones sous-jacentes de la deuxième nappe dans sa deuxième zone, au moyen de troisièmes plots conducteurs, une quatrième nappe conductrice s'étendant au-dessus de la troisième nappe en étant isolée de celle-ci et ú également divisée dans la deuxième zone frontière, selon un quatrième motif déterminé, en une première zone et une deuxième zone isolées l'une de l'autre et respectivement superposées à la première zone et à la deuxième zone de la troisième nappe conductrice, cette quatrième nappe
conductrice étant reliée à chacune des premières zones sous-
jacentes de la deuxième nappe dans sa première zone et à chacune des deuxièmes zones sous-jacentes de la deuxième nappe sans sa deuxième zone, au moyen de quatrième plots conducteurs traversant, au droit de chacune des cellules, la troisième nappe en restant isolés de cette nappe et sans solution de continuité électrique de celle-ci, les troisième et quatrième nappes étant reliées entre elles dans ladite deuxième zone frontière de telle sorte que les première et deuxième zones de la troisième nappe soient reliées, à l'intérieur de ladite zone frontière, respectivement à la deuxième et à la première zone de la quatrième nappe, ces dernières définissant chacune une a:re de connexion du composant, et l'épaisseur des troisième et quatrième nappes est plus grande que celle des première et deuxième nappes et -les troisièmes et quatrièmes plots ont des dimensions plus
grandes que celles des premiers et deuxièmes plots.
Des aspects préférés du composant de l'invention sont es suivants: - les premiers et seconds motifs sont non superposés entre eux, de manière qu'une première zone de l'une des première et deuxième nappes et qu'une seconde zone de l'autre S:5 nappe, respectivement situées de part et d'autre d'une première zone frontière, soient en regard l'une de l'autre fins des régions saillantes respectives entre lesquelles est établie une liaison conductrice, et les troisième et quatrième motifs sont non superposés entre eux, de manière go que la première zone de l'une des troisième et quatrième nappes et que la seconde zone de l'autre nappe, respectivement situées de part et d'autre de la deuxième zone frontière soient en regard l'une de l'autre dans des régions saillantes respectives entre lesquelles est établie une
2ú liaison conductrice.
- le réseau de cellules et le réseau de zones conductrices des première et seconde nappes sont périodiques dans au moins une direction parallèle aux premières et seconde zones frontières, respectivement, les premiers et troisièmes motifs sont des motifs réguliers de pas égaux aux pas des réseaux respectifs et les deuxièmes et quatrièmes motifs sont respectivement identiques aux premiers et troisièmes motifs, mais symétriques de ceux-ci par rapport
aux directions des zones frontières respectives.
- le réseau de cellules est un réseau en damier.
- le réseau de zones conductrices des première et seconde nappes est un réseau en damier de directions
parallèles à celles du réseau de cellules en damier.
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- le réseau de zones conductrices des première et seconde nappes est un réseau de bandes parallèles alternées de direction parallèle à l'une des directions du réseau de
cellules en damier.
- les -aires de connexion sont séparées par une zone
frontière rectiligne ou circulaire.
- les motifs de la deuxième zone frontière ont une - amplitude et un pas beaucoup plus grands que ceux des premières zones frontières; l'amplitude et le pas de ces motifs sont déterminés pour s'adapter aux épaisseurs
irmportantes des troisième et quatrième nappes conductrices.
En pratique, la présente invention permet de réaliser des composants semiconducteurs de puissance ayant, avec un même pas d'espacement des cellules que dans la 2ú technique antérieure, une surface pouvant atteindre plusieurs
cm2 sans donner lieu aux problèmes précités.
D'autres aspects, buts et avantages de ta présente
invention apparaîtront mieux à la lecture de la description
détaillée suivante d'une forme de réalisation préférée de celle-ci, donnée à titre d'exemple et faite en référence aux dessins annexés, sur lesquels: les figures la à lc et 2a à 2c sont des vues en coupe horizontale schématique d'un composant semi-conducteur de puissance conforme à la présente invention, à trois niveaux ú différents dans l'épaisseur du composant, et dans deux réalisations différentes, la figure 3 est une vue en coupe transversale schématique selon les lignes III-III d'un composant réalisé selon les figures la, 2b et lc, et 3n0 les figures 4a et 4b sont des vues en perspective, avec arrachements, à deux échelles différentes, d'un exemple
de réalisation d'un composant selon l'invention.
Dans toute la mesure du posssible, on a utilisé les
mêmes numéros de référence que dans le brevet FR-A-2545654.
Ce dernier est incorporé à la présente description par
référence, et l'on s'y reportera pour davantage de détails sur la fabrication des composants selon la présente
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invention, qui peut faire appel aux principes exposés dans ce brevet. Le composant illustré est un transistor de puissance bipolaire NPN qui comprend un substrat semiconducteur 10, ici de type P. dans lequel sont diffusées une pluralité de zones 11 de type N, disposées selon un réseau régulier, comme dans le brevet précité. Les zones diffusées 11 alternent avec des zones d'émergence 12 du substrat selon un motif en damier. Le pas de ce motif peut être par exemple de quelques dizaines de
microns.
Un premier niveau d'interconnexion est prévu sur le FLbstrat semiconducteur. Il comprend une première couche isolante 20, une nappe conductrice inférieure 30, une deuxième couche isolante 40 et une nappe conductrice t5 supérieure 50, dont l'organisation générale suit les
principes du brevet FR-A-2 545 654.
Selon un premier aspect essentiel de l'invention, le premier d'interconnexion ne vise pas à réaliser les deux plages conductrices de connexion, mais à former un deuxième ú réseau, d'un pas beaucoup plus grand que celui des cellules individuelles du substrat 10, et constitué par des zones conductrices alternativement reliées aux cellules P et N sous-jacentes. Ces zones sont désignées-par les références b et 50e sur la figure lb et correspondant respectivement à úú la base et à l'émetteur du transistor. Le pas du deuxième réseau est de l'ordre de quelques fractions de millimètre à quelques millimètres. Le deuxième réseau est soit un réseau
de bandes (figure lb), soit un damier (figure 2b).
Selon un deuxième aspect essentiel de l'invention, il 3C est prévu dans le semi-conducteur un deuxième niveau d'interconnexion qui a pour objet de connecter toutes les zones conductrices d'un même type (zones 50b et 50e, respectivement), à deux plages conductrices extérieures, respectivement 90b et 90e, déterminant les aires de connexion. Dans un premier exemple de réalisation (figure !c), les aires 90b,90e occupent chacune environ la moitié de la surface de la pastille en étant isolées l'une de l'autre
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par une zone frontière diamétrale. La pastille peut avoir
une surface de l'ordre de plusieurs cm2.
Dans un deuxième exemple de réalisation (figure 2c) qui facilite le montage pressé du composant, les aires 90b, 90e sont disposées concentriquement. L'aire de base 90b a une surface bien inférieure à celle de l'aire d'émetteur 90e,
qui achemine un courant beaucoup plus important.
Les réalisations des figures lc et 2c peuvent chacune être obtenues à partir des réseaux illustrés par l'une ou
l'autre des figures lb et 2b.
Bien entendu, toute autre forme de réalisation peut Étre envisagée, comme décrit dans la demande de brevet précitée. Les géométries respectives des zones P et N du s-strat, des zones conductrices du premier niveau et des aires conductrices de connexion du deuxième niveau peuvent
être conçues relativement indépendamment les unes des autres.
On a illustré schématiquement sur la figure 3 le principe de la disposition et de l'interconnexion des diverses nappes conductrices 30,50, 70,90 ainsi que des f0 couches isolantes 20,40 du premier niveau et 60,80 du deuxième niveau. Les deux aires conductrices 90b,90e sont reliées d'une part à des bornes de connexion, d'autre part à toutes les zones conductrices respectives 50b,50e et donc à
toutes les cellules respectives P et N du substrat.
L'épaisseur des nappes 70,90 est beaucoup plus importante que celle des nappes 30,50, l'épaisseur des couches isolantes ,80 pouvant par contre être du même ordre de grandeur que celle des couches isolantes 20,40 comme on le verra plus loin. La figure 4a reprend en détail, en perspective arrachée, la structure décrite dans le brevet FR-A-2 545 654 et utilise les mêmes numéros de référence que ce brevet. On se reportera donc utilement à la partie descriptive de ce
brevet. Bien que l'on n'ait illustré sur cette figure, par.
souci de clarté, qu'une seule zone conductrice 50b et une seule zone conductrice 50e, séparées par une zone frontière rectiligne ZF, le semiconducteur comportera en réalité une pluralité de ces zones conductrices. Les première et deuxième nappes conductrices 30 et 50 sont subdivisées en zones par une pluralité de zones frontières ZF formant soit un réseau de bandes parallèles, soit un réseau en damier. Dans ce cas, il s'agit d'un damier. Les ondulations correspondant aux transitions 53 entre les zones conductrices 50b,50e sont visibles sur la figure 4a; elles ont une' .mplitude égale à la demi-largeur de la zone frontière ZF et un pas correspondant à la maille du réseau de cellules. Dans la pratique, la différence d'échelle entre les figures 4a,4b (typiquement 12 dans un rapport pouvant atteindre 100) fait que ces
ondulations devraient être imperceptibles sur la figure 4b.
Celle-ci montre le substrat diffusé 10, le premier niveau d'interconnexion 100 et le deuxième niveau d'interconnexion ZO0, qui comprend la couche isolante 60, la troisième nappe Zú conductrice 70, la couche isolante 80 et la quatrième nappe
conductrice 90.
Les éléments de la figure 4b équivalents à ceux de la figure 4a sont indiqués par les mêmes numéros de référence, auxquels on a ajouté 40. En outre, certaines références
2 1ittérales sont ici complétées par un "prime". La description
du brevet FR-A-2545654 est donc également d'intérêt, aux numéros de référence près, quant à la constitution et à la
manière de réaliser le niveau extérieur 200 du semi-
conducteur de puissance.
-ú La couche isolante 60 déposée par dessus les zones conductrices 50b, 50e comporte une série d'ouvertures 61 situées au droit de chacune des zones sous-jacentes 50b,50e, ainsi que des ouvertures (non illustrées) situées au droit de ces zones dans une zone frontière ZF', définie de part et d'autre d'un axe gg' qui divise le composant en deux régions
ZB' et ZE'.
La zone frontière ZF' est une bande rectiligne ayant
la largeur d'une zone conductrice 50b ou 50e.
La nappe conductrice inférieure ou troisième nappe 70 est déposée sur l'ensemble du composant et relie donc à cet instant l'ensemble des zones conductrices 50b,50e par
l'intermédiaire des ouvertures 61.
On isole ensuite des pions 71 au droit de chaque zone e dans la région ZE' et au droit de chaque zone 50b dans la région ZB'. Le détourage de chaque plot ou îlot 71 est obtenu par formation d'une gorge circulaire 72, creusée dans toute l'épaisseur de la nappe 70. De cette manière, dans la zone ZE', les zones conductrices 50b sont toutes interconnectées par la nappe 70, et toutes les zones conductrices 50e sont
isolées. Le phénomène inverse est obtenu dans la zone ZB'.
Au cours de cette même étape du procédé, on forme dans la nappe 70 une gorge continue. 73 qui la divise dans la zone frontière ZF' en deux deminappes isolées l'une de l'autre et
rcouvrant respectivement les zones ZE' et ZB'.
Cette gorge a de préférence la forme sinueuse
eriodique telle qu'illustrée, son amplitude étant la demi-
!5 largeur de la zone ZF' et sa période étant égale à la maille du réseau de zones 50b,50e. Comme pour la gorge 33 de la f:ure 4a, la gorge 73 peut présenter tout autre motif approprié, à la condition qu'elle définisse une alternance de - zones saillantes 74,74' appartenant respectivement à la demi-couche de la zone ZE' et à la demi-couche de la zone ZBI. Une couche isolante 80 est ensuite rapportée sur l'ensemble du composant, puis l'on dénude par attaque les sommets 81 de chacun des plots 71. Au cours de cette même étape, on dénude également des ouvertures additionnelles 82, 82' le long de la zone frontière ZF', de part et d'autre de la gorge précédemment réalisée. Les ouvertures 82 correspondent aux régions saillantes 74 de la zone ZE', tandis que les ouvertures 82'correspondent aux régions
saillantes 74' de la zone ZB'.
Une quatrième nappe conductrice 90 est ensuite déposée sur l'ensemble du composant, et assure ainsi la liaison électrique entre tous les plots 71 du composant et toutes les
ouvertures additionnelles 82,82' préalablement pratiquées.
La dernière étape de la réalisation du composant consiste à pratiquer dans toute l'épaisseur de la nappe 90, le long de la zone ZF', une deuxième gorge 93. Cette nappe est ainsi divisée en deux demi-nappes électriquement isolées
l'une de l'autre.
La gorge 93 est réalisée suivant un motif décalé par rapport à celui de la gorge 73, de telle sorte que les paires de demi-couches conductrices inférieure et supérieure situées respectivement de part et d'autre de la zone frontière présentent chacune au moins une zone en regard au droit des ouvertures additionnelles 82,82'. Plus précisément, les régions saillantes 74,94 sont en regard l'une de l'autre au droit des ouvertures 82, et les régions saillantes 74',94'
sont en regard l'une de l'autre au droit des ouvertures 82'.
De la sorte, la demi-couche 90e de la zone ZE' est en contact avec la demi-couche 70e côté ZB' de la nappe 70 à travers les ouvertures 82'. Or ces deux demi-couches sont :5 chacune en contact électrique avec toutes les zones conductrices 50e (de type N) sous-jacentes. On accède ainsi s5r l'aire conductrice 90e, formant une aire de connexion d'émetteur du composant, à l'ensemble de ces zones 50e, et par conséquent à l'ensemble des zones de type N 11 du
? substrat 10.
Par un raisonnement analogue, on peut démontrer que
l'aire conductrice 90b, en contact électrique avec la demi-
couche 70b à travers les ouvertures 82, est reliée à ensemble des zones conductrices 50b et par conséquent à ly l'ensemble des zones d'émergence 12, de type P, du substrat
10. Elle forme ici l'aire de connexion de base du composant.
Dans la pratique, les nappes conductrices 70,90 du deuxième niveau 200 peuvent être réalisées dans le même matériau que les nappes conductrices 30,50 du premier niveau par exemple en aluminium, avec cependant une épaisseur beaucoup plus grande que ces dernières, les densités de courant y étant beaucoup plus importantes. Les motifs de la zone frontière ZF' ont une amplitude et un pas beaucoup plus importants que ceux des motifs des zones frontières ZF. La Z5 définition (précision) de réalisation des zones ZF' peut donc être plus grossière que celle nécessaire pour réaliser les zones ZF; ceci est très avantageux en ce que l'on peut sans difficulté obtenir les fortes épaisseurs recherchées pour les
nappes 70,90 du deuxième niveau.
De plus, on peut noter que les couches isolantes 60, peuvent être constituées de manière similaire aux couches isolantes 20,40 et avec la même épaisseur puisque les différences *de potentiel auxquelles elles seront exposées sont les mêmes (tension base-émetteur dans le cas illustré
d'un transistor bipolaire NPN).
Il est possible dans certains cas, en modifiant de façon appropriée la structure du deuxième niveau d'interconnexion 200 du composant, de réaliser plusieurs aires 90e et plusieurs aires 90b, reliées entre elles soit pe? câblage, soit par des pistes conductrices appropriées
d'une plaquette portant le composant.
Enfin l'invention s'applique non seulement à des transistors bipolaires, mais également à d'autres composants de puissance, tels que des thyristors ordinaires rapides ou plus spécialement des thyristors ouvrables par la gâchette, ainsi qu'à des transistors bipolaires à grille isolée (IGBT)
Ou à des transistors MOS de puissance.
Claims (9)
1. Un composant semi-conducteur de puissance cellulaire, du type comprenant une pluralité de zones (11) de type N ou P diffusées à la surface d'un substrat (10) de type respectivement P ou N de manière à présenter, en surface du substrat, une pluralité de zones diffusées (11) et de zones d'émergence (12) du substrat ordonnées les unes par rapport a'x autres pour former un réseau de cellules alternativement de types N et P. et des moyens pour relier toutes les Cellules de chaque type entre elles et à une aire de connexion (90e,90b) du composant, caractérisé en ce que ces MOyens comprennent:
une première nappe conductrice (30) s'étendant au-
dessus de la surface du substrat en étant isolée de celui-ci ei divisée dans des premières zones frontières (ZF), selon des premiers motifs déterminés (33), en des premières et des deuxièmes zones alternées (30e, 30b) disposées en réseau et isolées les unes des autres, cette première nappe conductrice étant reliée à chacune des cellules sous-jacentes de type N
dans ses premières zones et à chacune des cellules sous-
^ jacentes de type P dans ses deuxièmes -zones, au moyen de premiers plots conducteurs,
une deuxième nappe conductrice (50) s'étendant au-
dessus de la première nappe en étant isolée de celle-ci et également divisée dans les premières zones frontières (ZF), ú selon des deuxièmes motifs déterminés (53), en des premières et deuxièmes zones alternées (50b,50e) disposées en réseau, isolées les unes des autres et respectivement superposées aux premières et deuxièmes zones (30e,30b) de la première nappe conductrice, cette deuxième nappe conductrice étant reliée à chacune des cellules sous-jacentes de type P dans ses premières zones et à chacune des cellules sous-jacentes de type N dans ses deuxièmes zones, au moyen de seconds plots conducteurs (31) traversant, au droit de chacune des cellules, la première nappe (30) en restant isolés de cette nappe et sans solution de continuité électrique de celle- ci,
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les première et deuxième nappes étant reliées entre elles dans lesdites premières zones frontières (ZF) de telle sorte que chacune des premières et des deuxièmes zones (30e, b) de la première nappe (30) soient reliées, à l'intérieur desdites zones frontières, respectivement aux deuxièmes et aux premières zones avoisinantes (50e,50b) de la- deuxième nappe (50),
une troisième nappe conductrice (70) s'étendant au-
dessus de la seconde nappe en étant isolée de celle-ci et divisée dans une deuxième zone frontière (ZF'), selon un troisième motif déterminé (73) , en une première zone et une deUxième zone (70e,70b) isolées l'une de l'autre, cette troisième nappe conductrice étant reliée à chacune des deuxièmes zones sous-jacentes (50e) de la deuxième nappe (50) 1 dans sa première zone (70e) et à chacune des premières zones sous-jacentes (50b) de la deuxième nappe (50) dans sa deuxième zone (70b), au moyen de troisièmes plots conducteurs,
une quatrième nappe conductrice (90) s'étendant au-
dessus de la troisième nappe (70) en étant isolée de celle-ci et également divisée dans la deuxième zone frontière (ZF'), selon un quatrième motif déterminé (93), en une première zone et une deuxième zone (90b,90e} isolées l'une de l'autre et respectivement superposées à la première zone et à la deuxième zone (70e,70b) de la troisième nappe conductrice (70), cette quatrième nappe conductrice étant reliée à chacune des premières zones sous-jacentes (50b) de la deuxième nappe (50) dans sa première zone (90b) et à chacune des deuxièmes zones sous- jacentes (50e) de la deuxième nappe S30 (50) sans sa deuxième zone (90e), au moyen de quatrièmes plots conducteurs (71) traversant, au droit de chacune des cellules, la troisième nappe (70) en restant isolés de cette nappe et sans solution de continuité électrique de celle-ci, les troisième et quatrième nappes (70,90). étant reliées entre elles dans ladite deuxième zone frontière (ZF') de telle sorte que les première et deuxième zones (70e,70b) de la troisième nappe (70) soient reliées, à l'intérieur de ladite zone frontière, respectivement à la deuxième et à la première zone (90e,90b) de la quatrième nappe, ces dernières définissant chacune une aire de connexion du composant, et en ce que l'épaisseur des troisième et quatrième nappes (70,90) ú es- plus grande que celle des première et deuxième nappes (30,50) et les troisièmes et quatri- --s plots ont des dimensions plus grandes que celles des premiers et deuxièmes plots.
2. Un composant selon la revendication 1, caractérisé 0 en ce que les premiers et seconds motifs (33,53) sont non superposés entre eux, de manière qu'une première zone (30e, 0b) de l'une des première et deuxième nappes et qu'une econde zone (50e,30b) de l'autre nappe, respectivement Si-tuées de part et d'autre d'une première zone frontière (ZF), soient en regard l'une de l'autre dans des régions saillantes respectives (34',54';34,54) entre lesquelles est établie une liaison conductrice, et en ce que les troisième et quatrième motifs (73, 93) sont non superposés entre eux, de manière que la première zone (70e, 90b) de l'une des troisième et quatrième nappes et que la seconde zone (90e,70b) de l'autre nappe, respectivement situées de part et d'autre de la deuxième zone frontière (ZF') soient en regard l'une de l'autre dans des régions saillantes respectives (74,94;74',
94') entre lesquelles est établie une liaison conductrice.
>
3. Un composant selon la revendication 2, caractérisé en ce que le réseau de cellules (11,12) et le réseau de zones conductrices des première et seconde nappe (30,50) sont périodiques dans au moins une direction parallèle aux premières et seconde zones frontières (ZF,ZF'), $ respectivement, en ce que les premiers et troisièmes motifs (33,73) sont des motifs réguliers de pas égaux aux pas des réseaux respectifs et en ce que les deuxièmes et quatrièmes motifs (53,93) sont respectivement identiques aux premiers et trGisièmes motifs, mais symétriques de ceux-ci par rapport aux directions (f'f, g'g) des zones frontières respectives
(ZF,ZF').
4. Un composant selon la revendication 3, caractérisé en ce que le réseau de cellules (11,12) est un réseau en damier.
5. Un composant selon la revendication 4, caractérisé en ce que le réseau de zones conductrices (30e,30b;50b,50e) des première et seconde nappes est un réseau en damier de directions parallèles à celles du réseau de cellules en damier.
6. Un composant selon la revendication 4, caractérisé 1e en ce que le réseau de zones -conductrices (30e,30b;50b,50e) des première et seconde nappes est un réseau de bandes parallèles alternées de direction parallèle à l'une des
directions du réseau de cellules en damier.
7. Un composant selon l'une des revendications 5 et
6, caractérisé en ce que les aires de connexion (90e,90b)
sont séparées par une zone frontière (ZF') rectiligne.
8. Un composant selon l'une des revendications 5 et
6, caractérisé en ce que les aires de connexion (90e,90b) sont séparées par une zone frontière (ZF') de forme générale
circulaire.
9. Un composant selon l'une des revendications 1 à 8,
caractérisé en ce que les motifs de la deuxième zone frontière (ZF') ont une amplitude et un pas plus grands que ceux des premières zones frontières (ZF) et déterminés pour autoriser les grandes épaisseurs des troisième et quatrième
nappes conductrices (70,90).
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