FR2664896A1 - Procede de preparation de polysilanes a partir de polysilanes halogenes. - Google Patents
Procede de preparation de polysilanes a partir de polysilanes halogenes. Download PDFInfo
- Publication number
- FR2664896A1 FR2664896A1 FR9009546A FR9009546A FR2664896A1 FR 2664896 A1 FR2664896 A1 FR 2664896A1 FR 9009546 A FR9009546 A FR 9009546A FR 9009546 A FR9009546 A FR 9009546A FR 2664896 A1 FR2664896 A1 FR 2664896A1
- Authority
- FR
- France
- Prior art keywords
- polysilanes
- polysilane
- general formula
- radical
- halogenated
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Withdrawn
Links
- 229920000548 poly(silane) polymer Polymers 0.000 title claims abstract description 57
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 31
- 230000008569 process Effects 0.000 title claims abstract description 21
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 title claims abstract description 6
- 150000008040 ionic compounds Chemical class 0.000 claims abstract description 13
- 125000004435 hydrogen atom Chemical group [H]* 0.000 claims abstract description 7
- 239000004215 Carbon black (E152) Substances 0.000 claims abstract description 6
- 229930195733 hydrocarbon Natural products 0.000 claims abstract description 6
- WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N Lithium Chemical compound [Li] WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 5
- 229910052744 lithium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 5
- DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M Ilexoside XXIX Chemical compound C[C@@H]1CC[C@@]2(CC[C@@]3(C(=CC[C@H]4[C@]3(CC[C@@H]5[C@@]4(CC[C@@H](C5(C)C)OS(=O)(=O)[O-])C)C)[C@@H]2[C@]1(C)O)C)C(=O)O[C@H]6[C@@H]([C@H]([C@@H]([C@H](O6)CO)O)O)O.[Na+] DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M 0.000 claims abstract description 4
- 229910052783 alkali metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 4
- 150000001340 alkali metals Chemical class 0.000 claims abstract description 4
- 150000001768 cations Chemical class 0.000 claims abstract description 4
- 229910052708 sodium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 4
- 239000011734 sodium Substances 0.000 claims abstract description 4
- ZLMJMSJWJFRBEC-UHFFFAOYSA-N Potassium Chemical compound [K] ZLMJMSJWJFRBEC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 3
- 229910010293 ceramic material Inorganic materials 0.000 claims abstract description 3
- 229910052700 potassium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 3
- 239000011591 potassium Substances 0.000 claims abstract description 3
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 24
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 claims description 12
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical group [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims description 7
- 239000002904 solvent Substances 0.000 claims description 7
- 125000005843 halogen group Chemical group 0.000 claims description 6
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 5
- ORGHESHFQPYLAO-UHFFFAOYSA-N vinyl radical Chemical compound C=[CH] ORGHESHFQPYLAO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 4
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 claims description 4
- 238000010992 reflux Methods 0.000 claims description 4
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000011541 reaction mixture Substances 0.000 claims description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 2
- 229910052736 halogen Inorganic materials 0.000 claims 1
- 150000002367 halogens Chemical class 0.000 claims 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 abstract description 3
- YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N Toluene Chemical compound CC1=CC=CC=C1 YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 21
- VLKZOEOYAKHREP-UHFFFAOYSA-N n-Hexane Chemical compound CCCCCC VLKZOEOYAKHREP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 18
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 18
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N Ammonia Chemical compound N QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 13
- 238000000197 pyrolysis Methods 0.000 description 12
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 9
- 229920002554 vinyl polymer Polymers 0.000 description 9
- ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N Chlorine atom Chemical compound [Cl] ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 239000000460 chlorine Substances 0.000 description 8
- 229910052801 chlorine Inorganic materials 0.000 description 8
- 238000005695 dehalogenation reaction Methods 0.000 description 8
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 description 8
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 7
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 7
- 229910021529 ammonia Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000000047 product Substances 0.000 description 5
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 5
- RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N Diethyl ether Chemical compound CCOCC RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- -1 amino compound Chemical class 0.000 description 4
- 238000007098 aminolysis reaction Methods 0.000 description 4
- 150000001450 anions Chemical class 0.000 description 4
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 4
- 239000000835 fiber Substances 0.000 description 4
- 125000002496 methyl group Chemical group [H]C([H])([H])* 0.000 description 4
- UHOVQNZJYSORNB-UHFFFAOYSA-N Benzene Chemical compound C1=CC=CC=C1 UHOVQNZJYSORNB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- MZRVEZGGRBJDDB-UHFFFAOYSA-N N-Butyllithium Chemical compound [Li]CCCC MZRVEZGGRBJDDB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 150000001412 amines Chemical class 0.000 description 3
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 3
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 3
- 238000001914 filtration Methods 0.000 description 3
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- QUSNBJAOOMFDIB-UHFFFAOYSA-N Ethylamine Chemical compound CCN QUSNBJAOOMFDIB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- OAKJQQAXSVQMHS-UHFFFAOYSA-N Hydrazine Chemical compound NN OAKJQQAXSVQMHS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- OFBQJSOFQDEBGM-UHFFFAOYSA-N Pentane Chemical compound CCCCC OFBQJSOFQDEBGM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 2
- WYURNTSHIVDZCO-UHFFFAOYSA-N Tetrahydrofuran Chemical compound C1CCOC1 WYURNTSHIVDZCO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- CIUQDSCDWFSTQR-UHFFFAOYSA-N [C]1=CC=CC=C1 Chemical compound [C]1=CC=CC=C1 CIUQDSCDWFSTQR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 2
- HQABUPZFAYXKJW-UHFFFAOYSA-N butan-1-amine Chemical compound CCCCN HQABUPZFAYXKJW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000003153 chemical reaction reagent Substances 0.000 description 2
- 229910052681 coesite Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052906 cristobalite Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000004132 cross linking Methods 0.000 description 2
- 230000008570 general process Effects 0.000 description 2
- 239000001307 helium Substances 0.000 description 2
- 229910052734 helium Inorganic materials 0.000 description 2
- SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N helium atom Chemical compound [He] SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- FFUAGWLWBBFQJT-UHFFFAOYSA-N hexamethyldisilazane Chemical compound C[Si](C)(C)N[Si](C)(C)C FFUAGWLWBBFQJT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KWGKDLIKAYFUFQ-UHFFFAOYSA-M lithium chloride Chemical compound [Li+].[Cl-] KWGKDLIKAYFUFQ-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- DPBLXKKOBLCELK-UHFFFAOYSA-N pentan-1-amine Chemical compound CCCCCN DPBLXKKOBLCELK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- WGYKZJWCGVVSQN-UHFFFAOYSA-N propylamine Chemical compound CCCN WGYKZJWCGVVSQN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 2
- 239000012429 reaction media Substances 0.000 description 2
- 238000007493 shaping process Methods 0.000 description 2
- 238000009987 spinning Methods 0.000 description 2
- 239000007858 starting material Substances 0.000 description 2
- 229910052682 stishovite Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052905 tridymite Inorganic materials 0.000 description 2
- 125000004178 (C1-C4) alkyl group Chemical group 0.000 description 1
- BMVXCPBXGZKUPN-UHFFFAOYSA-N 1-hexanamine Chemical compound CCCCCCN BMVXCPBXGZKUPN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZFFBIQMNKOJDJE-UHFFFAOYSA-N 2-bromo-1,2-diphenylethanone Chemical compound C=1C=CC=CC=1C(Br)C(=O)C1=CC=CC=C1 ZFFBIQMNKOJDJE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PAYRUJLWNCNPSJ-UHFFFAOYSA-N Aniline Chemical compound NC1=CC=CC=C1 PAYRUJLWNCNPSJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JLPXXDPYBGWMBH-UHFFFAOYSA-N CCSNC(C)=S Chemical compound CCSNC(C)=S JLPXXDPYBGWMBH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 101100294102 Caenorhabditis elegans nhr-2 gene Proteins 0.000 description 1
- HTJDQJBWANPRPF-UHFFFAOYSA-N Cyclopropylamine Chemical compound NC1CC1 HTJDQJBWANPRPF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZAFNJMIOTHYJRJ-UHFFFAOYSA-N Diisopropyl ether Chemical compound CC(C)OC(C)C ZAFNJMIOTHYJRJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CTQNGGLPUBDAKN-UHFFFAOYSA-N O-Xylene Chemical compound CC1=CC=CC=C1C CTQNGGLPUBDAKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N Silane Chemical class [SiH4] BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000003973 alkyl amines Chemical class 0.000 description 1
- 125000002877 alkyl aryl group Chemical group 0.000 description 1
- 125000005263 alkylenediamine group Chemical group 0.000 description 1
- 150000001408 amides Chemical class 0.000 description 1
- MDFFNEOEWAXZRQ-UHFFFAOYSA-N aminyl Chemical compound [NH2] MDFFNEOEWAXZRQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005915 ammonolysis reaction Methods 0.000 description 1
- 125000000129 anionic group Chemical group 0.000 description 1
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000003710 aryl alkyl group Chemical group 0.000 description 1
- 125000003118 aryl group Chemical group 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 125000004432 carbon atom Chemical group C* 0.000 description 1
- 125000000753 cycloalkyl group Chemical group 0.000 description 1
- 150000004985 diamines Chemical class 0.000 description 1
- 238000004821 distillation Methods 0.000 description 1
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 1
- 150000002170 ethers Chemical class 0.000 description 1
- 125000001495 ethyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 1
- 239000003999 initiator Substances 0.000 description 1
- 125000000959 isobutyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])(C([H])([H])[H])C([H])([H])* 0.000 description 1
- 125000001449 isopropyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])(*)C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 1
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 1
- 238000000465 moulding Methods 0.000 description 1
- 125000004108 n-butyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 1
- 229910000069 nitrogen hydride Inorganic materials 0.000 description 1
- IOQPZZOEVPZRBK-UHFFFAOYSA-N octan-1-amine Chemical compound CCCCCCCCN IOQPZZOEVPZRBK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000003921 oil Substances 0.000 description 1
- 150000001451 organic peroxides Chemical class 0.000 description 1
- 125000001979 organolithium group Chemical group 0.000 description 1
- 125000002734 organomagnesium group Chemical group 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 229940100684 pentylamine Drugs 0.000 description 1
- 238000003918 potentiometric titration Methods 0.000 description 1
- 239000002244 precipitate Substances 0.000 description 1
- 239000002243 precursor Substances 0.000 description 1
- 150000003141 primary amines Chemical class 0.000 description 1
- 238000007348 radical reaction Methods 0.000 description 1
- 229920006395 saturated elastomer Polymers 0.000 description 1
- 125000002914 sec-butyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])C([H])(*)C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- FZHAPNGMFPVSLP-UHFFFAOYSA-N silanamine Chemical class [SiH3]N FZHAPNGMFPVSLP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000004756 silanes Chemical class 0.000 description 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 1
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 1
- 238000003786 synthesis reaction Methods 0.000 description 1
- YLQBMQCUIZJEEH-UHFFFAOYSA-N tetrahydrofuran Natural products C=1C=COC=1 YLQBMQCUIZJEEH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000002411 thermogravimetry Methods 0.000 description 1
- 239000008096 xylene Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08G—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED OTHERWISE THAN BY REACTIONS ONLY INVOLVING UNSATURATED CARBON-TO-CARBON BONDS
- C08G77/00—Macromolecular compounds obtained by reactions forming a linkage containing silicon with or without sulfur, nitrogen, oxygen or carbon in the main chain of the macromolecule
- C08G77/60—Macromolecular compounds obtained by reactions forming a linkage containing silicon with or without sulfur, nitrogen, oxygen or carbon in the main chain of the macromolecule in which all the silicon atoms are connected by linkages other than oxygen atoms
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B35/00—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
- C04B35/515—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on non-oxide ceramics
- C04B35/56—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on non-oxide ceramics based on carbides or oxycarbides
- C04B35/565—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on non-oxide ceramics based on carbides or oxycarbides based on silicon carbide
- C04B35/571—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on non-oxide ceramics based on carbides or oxycarbides based on silicon carbide obtained from Si-containing polymer precursors or organosilicon monomers
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Ceramic Engineering (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Structural Engineering (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Medicinal Chemistry (AREA)
- Polymers & Plastics (AREA)
- Silicon Polymers (AREA)
Abstract
L'invention concerne un procédé de préparation de polysilanes à partir de polysilanes halogénés, caractérisé en ce que les polysilanes halogénés sont mis en contact avec une quantité efficace d'au moins un composé ionique de formule générale: (CF DESSIN DANS BOPI) dans laquelle R, identique ou différent, représente l'atome d'hydrogène ou un radical hydrocarboné monovalent et M+ représente un cation d'un métal alcalin choisi parmi le lithium, le sodium et le potassium. Elle concerne également, les polysilanes susceptibles d'être obtenus par ce procédé. Elle concerne enfin, à titre d'application, l'utilisation de ces polysilanes pour la préparation de matériaux céramiques notamment sous formes de fibres, de films, de matrices et de revêtements.
Description
PROCEDE DE PREPARATION DE POLYSILANES A PARTIR
DE POLYSILANES HALOGENES
La présente invention a trait à un procédé de préparation de nouveaux polysilanes à partir de polysilanes halogénés.
DE POLYSILANES HALOGENES
La présente invention a trait à un procédé de préparation de nouveaux polysilanes à partir de polysilanes halogénés.
Elle concerne également, les polysilanes susceptibles d'être obtenus par ce procédé.
Elle concerne enfin, à titre d'application, l'utilisation de ces polysilanes pour la préparation de matériaux céramiques notamment sous formes de fibres, de films, de matrices et de revêtements.
Il est déjà connu de préparer des polysilanes à partir de polysilanes halogénés par des procédés particuliers.
On connait ainsi par le brevet US 4 314 956, un procédé de déshalogénation de polysilanes porteurs de radicaux méthyl par une amine de formule : NHR2, dans laquelle R représente l'atome d'hydrogène ou un radical alkyl en C1-C4 ou phényl. Cependant, le radical aminé apporté et lié à des atomes de silicium du polymère se retrouve majoritairement lors de la pyrolyse sous forme de composés volatiles ce qui diminue le rendement en pyrolyse. Ce procédé ne donne pas la possibilité d'obtenir des polymères contenant des radicaux vinyle, la présence de ces radicaux vinyle liés directement à un atome de silicium permettant de réticuler le polymère mis en forme, notamment mis sous forme de fibres.
Le brevet US 4 595 472 décrit un procédé de déshalogénation de polysilanes porteurs de radicaux vinyle par différents réactifs et notamment par un composé aminé. Mais, le brevet US 4 824 918 au nom de la même société stipule que les polysilanes halogénés et les polysilanes obtenus après déshalogénation ne contiennent pas en réalité de radicaux vinyle, les conditions des réactions détruisant les radicaux vinyle présents. Le brevet US 4 824 918 décrit par ailleurs un autre procédé de déshalogénation de polysilanes en introduisant des radicaux vinyle sur des atomes de silicium par l'intermédiaire de réactifs particuliers de déshalogénation qui sont des organomagnésiens mixtes ou des organolithiens. Mais ce dernier procédé est compliqué car il nécessite de mettre en oeuvre trois étapes successives.
Un but de l'invention est donc de proposer un procédé simple et économique de déshalogénation de polysilanes halogénés.
Un autre but de l'invention est d'avoir la possibilité d'obtenir des polysilanes contenant des radicaux vinyle qui, lors de la mise en forme de ces polysilanes en vue de leur pyrolyse ultérieure, permettent éventuellement de réticuler ces polysilanes et d'améliorer les propriétés mécaniques et thermiques du produit formé, ainsi que le rendement de pyrolyse.
Ces buts et d'autres sont atteints par la présente invention qui concerne en effet un procédé de préparation de polysilanes à partir de polysilanes halogénés, caractérisé en ce que les polysilanes halogénés sont mis en contact avec une quantité efficace d'au moins un composé ionique de formule générale
dans laquelle R, identique ou différent, représente l'atome d'hydrogène ou un radical hydrocarboné monovalent et M+ représente un cation d'un métal alcalin choisi parmi le lithium, le sodium et le potassium.
dans laquelle R, identique ou différent, représente l'atome d'hydrogène ou un radical hydrocarboné monovalent et M+ représente un cation d'un métal alcalin choisi parmi le lithium, le sodium et le potassium.
Les polysilanes halogénés de départsusceptibles d'être utilisés selon ce procédé sont des produits bien connus en soi ; on peut notamment utiliser les organopolysilanes obtenus par le procédé décrit dans le brevet EP-B-O 166 638, cité comme référence, au nom de la Demanderesse ou bien encore utiliser les polysilanes décrits dans le brevet US 4 310 651 cité comme référence.
Les polysilanes halogénés sont de préférence des polysilanes chlorés.
Les composés ioniques de formule générale (I) sont également connus en soi et aisés à préparer. Le brevet DE 1.158.973 cité comme référence décrit une méthode pour obtenir le composé de formule
par réaction d'un organolithien avec un disilazane de formule
formules dans lesquelles R a la signification donnée ci-dessus pour la formule (I).
par réaction d'un organolithien avec un disilazane de formule
formules dans lesquelles R a la signification donnée ci-dessus pour la formule (I).
R peut être un radical hydrocarboné monovalent saturé ou insaturé, en particulier un radical alkyle linéaire ou ramifié ayant de 1 à 8 atomes de carbone tel que le radical méthyle, éthyle, isopropyle, n-butyle, isobutyle, sec butyle, éthyl-2 hexyle, un radical phényle et un radical vinyle.
La publication de V. WANNAGAT et coll. : Chem. Ber., 94 (1961), 1540 décrit un procédé d'obtention de composés de formules
par réaction d'un amidure de sodium et de potassium, respectivement, avec un disilazane de formule (III).
par réaction d'un amidure de sodium et de potassium, respectivement, avec un disilazane de formule (III).
Dans la présente invention, le métal alcalin préféré est le lithium.
De préférence, on utilise des composés ioniques de formule générale (I) dans laquelle au moins un des radicaux R représente le radical vinyle.
De façon encore plus préférée, on utilise des composés ioniques de formule générale (I), dans laquelle chaque atome de silicium est porteur d'au moins un radical R représentant le radical vinyle, tel que le composé ionique de formule
Par quantité efficace d'au moins un composé ionique de formule générale (I), on entend une quantité correspondant au moins à la stoechiométrie de la réaction de déshalogénation. Ainsi la quantité efficace du composé ionique dépend de la quantité d'atomes d'halogène présents par molécule de polysilane halogéné de départ. De façon générale, un léger excès stoechiométrique anionique par rapport au nombre d'atomes d'halogène présents par molécule de polysilane halogéné de départ est utilisé afin que la plus grande quantité de ceux-ci réagissent.
De préférence, on utiise une quantité de composé ionique de formule (I) comprise entre 1 et 6 fois la stoechiométrie de la réaction de déshalogénation.
Afin d'obtenir des résultats satisfaisants, on opère dans des conditions anhydres. Le procédé selon l'invention est mis en oeuvre sous une atmosphère inerte telle que l'azote et l'argon.
Le procédé selon l'invention est mis en oeuvre de préférence en solution dans un solvant organique compatible avec les composés de départ, tel que notamment le toluène, le xylène, le benzène, le tétrahydrofurane et les éthers.
On opère généralement à pression atmosphérique, bien que des pressions inférieures ou supérieures ne soient bien évidemment pas exclues.
La température du mélange réactionnel est comprise entre oec et la température de reflux du solvant utilisé. Il peut être avantageux, afin de terminer la réaction, de chauffer le milieu réactionnel, par exemple en le portant à la température de reflux de solvant, et ceci sur une durée pouvant aller de quelques minutes à plusieurs heures.
A l'issue de cette étape réactionnelle, on sépare le polysilane du milieu de réaction, et ceci par tout moyen connu en soi, par exemple par filtration sous atmosphère inerte.
Le polymère ainsi récupéré, après élimination du solvant (distillation ou autre), puis séchage constitue alors le précurseur polymère qui peut être pyrolysé.
Eventuellement, on peut, dans une étape ultérieure, traiter le polymère ainsi obtenu dans le but de réduire encore sa teneur en chlore résiduel. Le traitement consiste alors à mettre en contact ledit polymère, en masse ou de préférence en milieu solvant organique anhydre (hexane, pentane, toluène,...), avec un composé présentant au moins un groupement NH2 et ci-après dénommé agent d'aminolyse.
On utilise de préférence de 1 à 6 fois la stoechiométrie d'agent d'aminolyse par rapport aux atomes d'halogène résiduels présents par molécule de polymère.
Parmi les agents d'aminolyse pouvant être utilisés, on peut citer l'ammoniac, les amines primaires, les diamines (hydrazine, alkylhydrazine, hydrazide, alkylenediamine...), les amides, les silylamines, etc...
On utilisera de préférence des composés qui répondent à la formule (IV) suivante
dans laquelle le radical R1 est choisi parmi atome d'hydrogène, les radicaux hydrocarbonés et les radicaux silylés. Conviennent ainsi plus particulièrement
- l'ammoniac (R1 = atome d'hydrogène)
- les organoamines primaires (R1 = radical alkyle,
cycloalkyle, aryle, alkylaryle ou arylalkyle), telles que
par exemple la méthylanine, l'éthylamine, la propylamine,
la butylamine, la pentyl ami ne, l'hexylamine, ltheptylamine
et l'octylamine, la cyclopropylamine, la phénylamine...
dans laquelle le radical R1 est choisi parmi atome d'hydrogène, les radicaux hydrocarbonés et les radicaux silylés. Conviennent ainsi plus particulièrement
- l'ammoniac (R1 = atome d'hydrogène)
- les organoamines primaires (R1 = radical alkyle,
cycloalkyle, aryle, alkylaryle ou arylalkyle), telles que
par exemple la méthylanine, l'éthylamine, la propylamine,
la butylamine, la pentyl ami ne, l'hexylamine, ltheptylamine
et l'octylamine, la cyclopropylamine, la phénylamine...
- les silylamines, et plus particulièrement les
triorganosilylamines comme la (triéthylsilyl)amine, ou
bien encore les hydrogénoorganosilylamines comme 1' (hydrogénodiméthylsilsyl )amine.
triorganosilylamines comme la (triéthylsilyl)amine, ou
bien encore les hydrogénoorganosilylamines comme 1' (hydrogénodiméthylsilsyl )amine.
Les agents d'aminolyse préférés sont les alkylamines primaires et l'ammoniac.
Selon un mode de mise en oeuvre encore plus préféré, on opèrera avec l'ammoniac.
Outre le procédé général précédemment décrit, l'invention concerne également, à titre de produits nouveaux, les polysilanes susceptibles d'être obtenus notamment par ledit procédé. La
Demanderesse a en effet constaté que ces polysilanes sont caractérisés en ce qu'ils contiennent dans leurs chaînes des motifs de formule générale
dans laquelle R a une signification identique à celle définie ci-dessus à la formule (I).
Demanderesse a en effet constaté que ces polysilanes sont caractérisés en ce qu'ils contiennent dans leurs chaînes des motifs de formule générale
dans laquelle R a une signification identique à celle définie ci-dessus à la formule (I).
En effet, sans vouloir lier l'invention à une quelconque théorie scientifique, le procédé met en jeu des réactions du type
<tb> <SEP> Si <SEP> (R)3
<tb> - <SEP> Si <SEP> + <SEP> M+ <SEP> -N <SEP> - <SEP> Si <SEP> - <SEP> + <SEP> M+ <SEP> X
<tb> <SEP> Si <SEP> (R)3
<tb> <SEP> X <SEP> N
<tb> polysilanes <SEP> xx
<tb> <SEP> halogénés <SEP> (I) <SEP> Si <SEP> Si
<tb> <SEP> (R)3 <SEP> (R)3
<tb>
X étant un atome d'halogène.
<tb> - <SEP> Si <SEP> + <SEP> M+ <SEP> -N <SEP> - <SEP> Si <SEP> - <SEP> + <SEP> M+ <SEP> X
<tb> <SEP> Si <SEP> (R)3
<tb> <SEP> X <SEP> N
<tb> polysilanes <SEP> xx
<tb> <SEP> halogénés <SEP> (I) <SEP> Si <SEP> Si
<tb> <SEP> (R)3 <SEP> (R)3
<tb>
X étant un atome d'halogène.
La quantité des motifs de formule (V) par molécule de polysilane est donc directement liée au nombre d'atomes d'halogènes présents par molécule de polysilane halogéné de départ.
Il est important de noter que, contrairement à l'enseignement du brevet US 4 595 472 cité ci-dessus, les conditions opératoires du procédé de la présente invention sont telles que les radicaux vinyle ne sont pas détruits.
Suivant les conditions de mise en oeuvre de l'invention, les polysilanes obtenus peuvent se présenter, à température ambiante, sous une forme allant d'une huile très visqueuse jusqu'à l'état solide.
Les polymères selon l'invention sont de plus fusibles et solubles dans la plupart des solvants organiques usuels (hexane, toluène ...), ce qui peut être très avantageux sur le plan de leur possibilité de mise en forme.
Dans le cas le plus général, on pyrolyse le polymère obtenu dans une atmosphère inerte ou réductrice (par exemple sous ammoniac) ou sous vide à une température allant de 1000C à 2000"C jusqu'à ce que le polymère soit converti en céramique à base de silicium, de carbone et d'azote.
Le polysilane, avant pyrolyse, peut également être mis en forme, par moulage ou par filage par exemple, pour aboutir finalement aux configurations les plus diverses telles que fibres, articles moulés, revêtements de support et autres.
Dans le cas où l'on désire obtenir des fibres, le polysilane est filé de préférence en masse au moyen d'une filière classique, après fusion éventuelle si le polysilane est initialement à l'état solide. On peut mettre en oeuvre le procédé de filage décrit dans US 4 100 233.
Après sa mise en forme, le polymère-peut être réticulé afin d'avoir une meilleure tenue thermique et mécanique de produit formé.
Lorsque les polysilanes obtenus selon l'invention contiennent des radicaux vinyle, cette réticulation est rendue possible par des réactions radicalaires soit par rayonnement UV, soit par des initiateurs radicalaires tels que les peroxydes organiques.
La réticulation par rayonnement UV peut être notamment mise en oeuvre par le procédé décrit dans US 4 224 918 cité ci-dessus.
Sauf mention contraire, dans ce qui suit les % sont donnés en poids.
Des exemples illustrant l'invention, sans en limiter sa portée, vont maintenant être donnés.
Le pourcentage de chlore est déterminé par titration potentiométrique.
TGA est l'analyse par thermogravimétrie.
EXEMPLE 1
Synthèse de polysilanes chlorés
Le procédé général mis en oeuvre est celui décrit dans le brevet EP-B-O 166 638 au nom de la Demanderesse.
Synthèse de polysilanes chlorés
Le procédé général mis en oeuvre est celui décrit dans le brevet EP-B-O 166 638 au nom de la Demanderesse.
Dans un tricol de trois litres sous azote, on introduit 600 g d'un mélange des disilanes suivants
dont les % sont respectivement - (a) = 21,3 %, - (b) = 59,0 %, - (c) = 11,6 49, - (d) = 0,2 % et - d'autres silanes = 7,9 %
On ajoute 2,9 g (0,068 mole) de LiCl et 11,03 g (0,034 mole) de TDA, de formule N(CH2-CH2-0-CH2-CH2-0-CH3)3, on porte progressivement le mélange à 1500C, durée 9 heures. Au cours de cette étape, on distille les légers qui sont essentiellement des monosilanes.
dont les % sont respectivement - (a) = 21,3 %, - (b) = 59,0 %, - (c) = 11,6 49, - (d) = 0,2 % et - d'autres silanes = 7,9 %
On ajoute 2,9 g (0,068 mole) de LiCl et 11,03 g (0,034 mole) de TDA, de formule N(CH2-CH2-0-CH2-CH2-0-CH3)3, on porte progressivement le mélange à 1500C, durée 9 heures. Au cours de cette étape, on distille les légers qui sont essentiellement des monosilanes.
On élimine sous vide à 1500C les disilanes restants et on récupère 128 g de polysilane chloré qui est un solide jaune contenant 25,65 % de chlore.
PréDaration de l'anion de l'hexaméthvldisilazane
Dans un réacteur de 200 ml sous azote, on introduit 24,1 g (0,15 mole) d'hexaméthyldisilazane sec, 50 ml d'hexane sec et on coule lentement à 0 C, 937 ml (0,15 mole) d'une solution de n-butyllithium dans l'hexane (1,6 M). En fin d'addition, on rajoute 50 ml de toluène sec et on laisse réagir une heure à la température ambiante. La réaction est quantitative.
Dans un réacteur de 200 ml sous azote, on introduit 24,1 g (0,15 mole) d'hexaméthyldisilazane sec, 50 ml d'hexane sec et on coule lentement à 0 C, 937 ml (0,15 mole) d'une solution de n-butyllithium dans l'hexane (1,6 M). En fin d'addition, on rajoute 50 ml de toluène sec et on laisse réagir une heure à la température ambiante. La réaction est quantitative.
Action de cet anion sur le oolvsilane chloré
Dans un second réacteur de 500 ml sous azote, on introduit 20 g de polysilane chloré décrit ci-dessus et 100 ml de toluène sec et 100 ml d'éther sec. On coule lentement la solution contenant l'anion préparé précédemment et on porte à reflux pendant 15 heures.
Dans un second réacteur de 500 ml sous azote, on introduit 20 g de polysilane chloré décrit ci-dessus et 100 ml de toluène sec et 100 ml d'éther sec. On coule lentement la solution contenant l'anion préparé précédemment et on porte à reflux pendant 15 heures.
Après filtration et évaporation, on récupère 35 g d'un solide qui possède 5,4 % de chlore résiduel.
Ammonolvse et Dvrolvse
Dans un réacteur de deux litres sous azote, on introduit 35 g du polymère obtenu, 400 ml de toluène sec et 400 ml d'éther sec, on introduit ensuite à 00C un excès d'ammoniac vis-à-vis des chlore résiduels (4 équivalents), après filtration et évaporation du solvant on récupère 19 g d'un polymère jaune qui possède 1,6 % de chlore et 2,4 % d'oxygène.
Dans un réacteur de deux litres sous azote, on introduit 35 g du polymère obtenu, 400 ml de toluène sec et 400 ml d'éther sec, on introduit ensuite à 00C un excès d'ammoniac vis-à-vis des chlore résiduels (4 équivalents), après filtration et évaporation du solvant on récupère 19 g d'un polymère jaune qui possède 1,6 % de chlore et 2,4 % d'oxygène.
TGA = 72,94 % à 850C sous hélium.
La pyrolyse sous azote de ce polymère conduit à une céramique de couleur noire et constituée principalement de SiC
- conditions de la pyrolyse : de 25sC à 1000il sous azote.
- conditions de la pyrolyse : de 25sC à 1000il sous azote.
- rendement de pyrolyse : 49 %.
L'analyse IR de ce polymère pyrolysé à 10000C montre que la céramique obtenue est essentiellement formée de carbure de silicium
SiC.
SiC.
Les analyses élémentaires donnent pour ladite céramique la composition suivante
SiC = 74 %
Si3N4 = 14 %
Si02 = 9 %
C libre = 3 %
EXEMPLE 2
PréDaration de l'anion du tétraméthvldivinvldisilazane
Dans un réacteur de 200 ml sous azote, on introduit 10 g de
HN[Si(CH3)2Vi]2, 20 ml d'hexane et on coule lentement à O"C 0,054 mole de nBuLi dans l'hexane (1,6 M). En fin d'addition, on rajoute 50 ml de toluène sec et on laisse réagir une heure à la température ambiante. La réaction est quantitative.
SiC = 74 %
Si3N4 = 14 %
Si02 = 9 %
C libre = 3 %
EXEMPLE 2
PréDaration de l'anion du tétraméthvldivinvldisilazane
Dans un réacteur de 200 ml sous azote, on introduit 10 g de
HN[Si(CH3)2Vi]2, 20 ml d'hexane et on coule lentement à O"C 0,054 mole de nBuLi dans l'hexane (1,6 M). En fin d'addition, on rajoute 50 ml de toluène sec et on laisse réagir une heure à la température ambiante. La réaction est quantitative.
Action de cet anion sur le polysilane chloré
Dans un réacteur d'un litre sous azote, on introduit 6,5 g du polysilane chloré identique à celui de l'exemple 1 et 300 ml de diisopropyléther, on porte la température à 0 C et on ajoute goutte à goutte une solution du composé Li±N[Si(CH3)2Vi]2 (0,054 mole).
Dans un réacteur d'un litre sous azote, on introduit 6,5 g du polysilane chloré identique à celui de l'exemple 1 et 300 ml de diisopropyléther, on porte la température à 0 C et on ajoute goutte à goutte une solution du composé Li±N[Si(CH3)2Vi]2 (0,054 mole).
Une fois l'addition terminée, on porte la température à reflux du solvant pendant 16 heures.
Sur un échantillon du produit formé, on détermine le % de chlore résiduel : 6 %.
Ammonolvse et pyrolyse
La solution précédente est portée à O'C, on introduit alors lentement du NH3 gaz en excès, la réaction est~exothermique. Il y a formation d'un peu de précipité, on laisse la température revenir à la température ambiante. On filtre et après évaporation du solvant, on récupère 6,3 g d'un solide brun clair possédant 0,81 % de chlore résiduel.
La solution précédente est portée à O'C, on introduit alors lentement du NH3 gaz en excès, la réaction est~exothermique. Il y a formation d'un peu de précipité, on laisse la température revenir à la température ambiante. On filtre et après évaporation du solvant, on récupère 6,3 g d'un solide brun clair possédant 0,81 % de chlore résiduel.
TGA = 78 % à 8500C sous hélium.
La pyrolyse sous azote de ce polymère conduit à une céramique de couleur noire et constituée principalement de SiC
- conditions de la pyrolyse : de 250C à 1000il sous azote.
- conditions de la pyrolyse : de 250C à 1000il sous azote.
- rendement de pyrolyse : 55 %.
L'analyse IR de ce polymère pyrolysé à 1000C montre que la céramique obtenue est essentiellement formée de carbure de silicium
SiC.
SiC.
Les analyses élémentaires donnent pour ladite céramique la composition suivante
SiC = 75 %
Si3N4 = 13 %
SiO2 = 8 %
C libre = 4 %
SiC = 75 %
Si3N4 = 13 %
SiO2 = 8 %
C libre = 4 %
Claims (12)
1. Procédé de préparation de polysilanes à partir de polysilanes halogénés, caractérisé en ce que les polysilanes halogénés sont mis en contact avec une quantité efficace d'au moins un composé ionique de formule générale
dans laquelle R, identique ou différent, représente l'atome d'hydrogène ou un radical hydrocarboné monovalent et M+ représente un cation d'un métal alcalin choisi parmi le lithium, le sodium et le potassium.
2. Procédé selon la revendication 1, caractérisé en ce que les polysilanes halogénés sont des polysilanes chlorés.
3. Procédé selon l'une des revendications précédentes, caractérisé en ce que M+ est le cation du lithium.
4. Procédé selon l'une quelconque des revendications précédentes, caractérisé en ce que l'on utilisé des composés ioniques de formule générale (I) dans laquelle au moins un des radicaux R représente le radical vinyle.
5. Procédé selon l'une quelconque des revendications précédentes, caractérisé en ce que l'on on utilise des composés ioniques de formule générale (I), dans laquelle chaque atome de silicium est porteur d'au moins un radical R représentant le radical vinyle.
6. Procédé selon l'une quelconque des revendications précédentes, caractérisé en ce que l'on utilise de 1 à 6 fois la stoechiométrique du composé ionique de formule (I) par rapport au nombre d'atomes d'halogènes présents par molécule de polysilane halogéné.
7. Procédé selon l'une quelconque des revendications précédentes, caractérisé en ce que le procédé est réalisé en milieu solvant organique.
8. Procédé selon l'une quelconque des revendicatios précédentes, caractérisé en ce que la température du mélange réactionnel est comprise entre 0 C et la température de reflux du solvant utiisé.
9. Procédé selon l'une quelconque des revendications précédentes, caractérisé en ce que le polysilane est ultérieurement traité par un composé présentant au moins un groupement NH2.
10. Polysilane susceptible d'être obtenu par la mise en oeuvre d'un procédé tel que défini dans l'une quelconque des revendications précédentes.
12. Utilisation du polysilane tel que défini à l'une quelconque des revendications 10 et 11 pour la préparation de matériaux céramiques à base de silicium, de carbone et d'azote.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| FR9009546A FR2664896A1 (fr) | 1990-07-20 | 1990-07-20 | Procede de preparation de polysilanes a partir de polysilanes halogenes. |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| FR9009546A FR2664896A1 (fr) | 1990-07-20 | 1990-07-20 | Procede de preparation de polysilanes a partir de polysilanes halogenes. |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| FR2664896A1 true FR2664896A1 (fr) | 1992-01-24 |
Family
ID=9399116
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| FR9009546A Withdrawn FR2664896A1 (fr) | 1990-07-20 | 1990-07-20 | Procede de preparation de polysilanes a partir de polysilanes halogenes. |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| FR (1) | FR2664896A1 (fr) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5532288A (en) * | 1992-07-10 | 1996-07-02 | Aerospatiale Societe Nationale Industrille | Process for the preparation of a polysilane crosslinked by ionizing radiation and process for the production of a composite material having a polysilane matrix |
Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0209360A2 (fr) * | 1985-07-18 | 1987-01-21 | Massachusetts Institute Of Technology | Procédé de transformation de polymères de silicium ayant des groupes Si-H en polymères pré-céramiques et en matières céramiques |
| EP0251031A2 (fr) * | 1986-06-20 | 1988-01-07 | Wacker-Chemie GmbH | Procédé de réduction de la teneur en halogène de polycarbosilanes ou polysilanes halogénés |
| EP0303900A2 (fr) * | 1987-08-17 | 1989-02-22 | Dow Corning Corporation | Dérivés de polycarbosilane comme précurseurs pour matière céramique |
| EP0304697A2 (fr) * | 1987-08-10 | 1989-03-01 | Dow Corning Corporation | Procédé de préparation de métallopolysiloxanes comme précurseurs de matière céramique et polymères obtenus par ce procédé |
| DE3809614A1 (de) * | 1988-03-22 | 1989-10-05 | Wacker Chemie Gmbh | Verfahren zur herstellung von keramikmaterial |
-
1990
- 1990-07-20 FR FR9009546A patent/FR2664896A1/fr not_active Withdrawn
Patent Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0209360A2 (fr) * | 1985-07-18 | 1987-01-21 | Massachusetts Institute Of Technology | Procédé de transformation de polymères de silicium ayant des groupes Si-H en polymères pré-céramiques et en matières céramiques |
| EP0251031A2 (fr) * | 1986-06-20 | 1988-01-07 | Wacker-Chemie GmbH | Procédé de réduction de la teneur en halogène de polycarbosilanes ou polysilanes halogénés |
| EP0304697A2 (fr) * | 1987-08-10 | 1989-03-01 | Dow Corning Corporation | Procédé de préparation de métallopolysiloxanes comme précurseurs de matière céramique et polymères obtenus par ce procédé |
| EP0303900A2 (fr) * | 1987-08-17 | 1989-02-22 | Dow Corning Corporation | Dérivés de polycarbosilane comme précurseurs pour matière céramique |
| DE3809614A1 (de) * | 1988-03-22 | 1989-10-05 | Wacker Chemie Gmbh | Verfahren zur herstellung von keramikmaterial |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5532288A (en) * | 1992-07-10 | 1996-07-02 | Aerospatiale Societe Nationale Industrille | Process for the preparation of a polysilane crosslinked by ionizing radiation and process for the production of a composite material having a polysilane matrix |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| EP0364323A2 (fr) | Procédé de synthèse de polymères à base de bore et d'azote précurseurs de nitrure de bore et produits susceptibles d'être ainsi obtenus | |
| EP0209472A1 (fr) | Procédé de traitement thermique d'un polysilazane contenant des groupes Si-N-H, Si-H et insaturés | |
| EP0307260B1 (fr) | Nouveaux composés à base de nitrure de bore | |
| EP0208630A1 (fr) | Procédé de traitement par catalyse cationique d'un polysilazane comportant en moyenne au moins deux groupes =/- SiH par molécule | |
| EP0310462A1 (fr) | Polymères à base de bore et d'azote utilisables notamment pour la fabrication de produits et articles céramiques à base de nitrure de bore, ainsi que leur procédé de préparation | |
| FR2590580A1 (fr) | Procede de traitement catalytique d'un polysilazane comportant en moyenne au moins deux groupes hydrocarbone a insaturation aliphatique par molecule | |
| FR2617854A1 (fr) | Composition a base d'un nouveau polycarbosilane, sa preparation et son application a la fabrication de produits et articles ceramiques a base de carbure de silicium | |
| FR2620455A1 (fr) | Polymeres a base de bore et d'azote, leur procede de preparation et leur utilisation dans la fabrication de produits et articles ceramiques a base de nitrure de bore | |
| FR2664896A1 (fr) | Procede de preparation de polysilanes a partir de polysilanes halogenes. | |
| EP0337843A2 (fr) | Procédé de préparation de polymères à base de bore et d'azote précurseurs de nitrure de bore | |
| EP0384857B1 (fr) | Procédé de préparation de nitrure de bore | |
| CA2057944A1 (fr) | Polysilazanes reticules et leur procede d'obtention | |
| EP0373059B1 (fr) | Compositions de précurseurs de céramiques à base de polysilazanes et céramiques obtenues par pyrolyse desdites compositions | |
| EP0368688A1 (fr) | Polymères à base de bore et d'azote, leur procédé de préparation et leur utilisation comme précurseurs de nitrure de bore | |
| EP0415855A1 (fr) | Précurseur céramique organométallique à base de bore d'azote et de silicium | |
| EP0453350A1 (fr) | Procédé de réticulation de polymères à base de bore et d'azote, notamment pour l'obtention de fibres céramiques | |
| FR2659321A1 (fr) | Procede de revetements en ceramique de pieces a base de carbone. | |
| CA2072782A1 (fr) | Procede de preparation de ceramiques en nitrure de bore et de leurs precurseurs a partir de derives de l'hydrazine et les precurseurs ainsi mis en oeuvre | |
| FR2645869A1 (fr) | Utilisation de polymeres a base de bore et d'azote comme precurseurs de ceramiques a base de nitrure de bore et produits ceramiques ainsi obtenus | |
| EP0351262A1 (fr) | Polysilazanes, leur procédé de préparation, leur utilisation comme précurseurs de céramiques et lesdites céramiques | |
| FR2565234A1 (fr) | Nouveaux polysilanes non ramifies, leur preparation et leur application | |
| FR2611960A1 (fr) | Procede de preparation de diamines aromatiques a groupement diorganopolysiloxane | |
| EP0524858A1 (fr) | Procédé de préparation de céramiques en nitrure de bore à partir de précurseurs dérivés de l'hydrazine | |
| EP0570247A1 (fr) | Triethynylborazines, leur préparation et leur utilisation notamment pour la préparation de céramique essentiellement à base de nitrure de bore | |
| FR2635528A1 (fr) | Procede de preparation de polyhydrosilazanes derives d'hydrazine et l'utilisation desdits silazanes comme precurseurs de ceramique |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| ST | Notification of lapse |










