FR2922071A1 - Dispositif microelectronique matriciel dote de pixels avec precharge des colonnes de la matrice - Google Patents

Abstract

L'invention concerne un dispositif microélectronique matriciel comprenant :- une pluralité de cellules élémentaires (10011,..., 100mn) agencées selon une matrice,- au moins une ligne (1051, 1052) de données, connectée à une pluralité de cellules d'au moins une rangée donnée de cellules, et apte à acheminer au moins un signal de sortie d'au moins une cellule donnée sélectionnée dans ladite rangée donnée de la matrice,- des moyens de précharge (150), situés à une extrémité de ladite ligne de données, pour appliquer, en fonction d'un signal de commande de précharge (phi_précharge), un potentiel de précharge (V_précharge) à ladite ligne de données, préalablement à une sélection à l'aide d'au moins un signal de sélection (phi_ligne) de ladite cellule donnée ou lors d'une sélection de ladite cellule donnée à l'aide d'au moins un signal de sélection (phi_ligne) de ladite cellule donnée.

Description

DISPOSITIF MICROELECTRONIQUE MATRICIEL DOTES DE PIXELS AVEC PRECHARGE DES COLONNES DE LA MATRICE DESCRIPTION DOMAINE TECHNIQUE L'invention est relative au domaine des dispositifs microélectroniques formés de cellules élémentaires agencées en matrice et s'applique en particulier aux matrices de grande tailles, telles que par exemple, les matrices de détecteurs de rayons X, en particulier réalisées en technologie CMOS. L'invention prévoit la mise en oeuvre d'un dispositif microélectronique matriciel formé de cellules élémentaires, comprenant à l'extrémité de lignes de données destinées à acheminer le signal de sortie des cellules, des moyens de précharge, prévus pour favoriser un établissement rapide de ces lignes de données au potentiel de sortie des cellules sélectionnées de la matrice. ÉTAT DE LA TECHNIQUE ANTÉRIEURE Un exemple de dispositif microélectronique matriciel de détection de rayons X, suivant l'art antérieur, formé d'une matrice 2*2, de 2 rangées horizontales et de 2 rangées verticales de cellules élémentaires également appelés pixels 1011, 1012, 1021, 1022, est illustré sur la figure 1. Le signal délivré par une cellule est transmis à une ligne de donnée 111, 112 de la matrice. Lors de la lecture de ce signal, le temps d'établissement de la tension en sortie S dépend de l'impédance de sortie d'un étage suiveur et de la capacité de charge de la ligne de données à laquelle cette sortie S est connectée. L'étage suiveur peut être formé par exemple d'un transistor de la cellule et d'un transistor situé à l'extrémité de la ligne de données.

La capacité de charge de la ligne de données, est quant à elle formée de la somme des capacités parasites de la ligne de données et peut devenir élevée, par exemple de l'ordre de plusieurs dizaines de pF pour des matrices de tailles beaucoup plus importantes que celle illustrée sur la figure 1. Pour la réalisation de matrices de grandes tailles, afin d'augmenter la vitesse de lecture, une solution consiste à augmenter la valeur du courant délivré par le transistor jouant le rôle de suiveur.

Cependant, cela a pour effet d'augmenter la consommation de la matrice. Par ailleurs, la ligne de données ne présente pas uniquement une capacité parasite, mais également une résistance linéique, Rpix pour chaque pixel de la matrice. La tension de sortie d'une cellule donnée lue à l'extrémité d'une ligne de données dépend de la résistance d'un transistor interrupteur situé en sortie de la matrice, ainsi que du rang ou de l'emplacement de ladite cellule dans la matrice.

Suivant l'emplacement de la cellule dont on lit la valeur, un décalage plus ou moins important peut être introduit. Ce décalage peut être d'autant plus important que la taille de la matrice est grande. Il se pose le problème de trouver un nouveau dispositif microélectronique matriciel, en particulier de détection de rayonnement électromagnétique, par exemple de rayonnement X, qui ne présente pas les inconvénients mentionnés ci-dessus. EXPOSÉ DE L'INVENTION L'invention concerne tout d'abord un dispositif microélectronique matriciel comprenant : - une pluralité de cellules élémentaires agencées selon une matrice, - au moins une ligne de données, connectée à une pluralité de cellules d'au moins une rangée donnée de cellules de la matrice, et apte à acheminer au moins un signal de sortie d'au moins une cellule donnée sélectionnée dans ladite rangée donnée, - des moyens de précharge, situés à une extrémité de ladite ligne de données, pour appliquer, en fonction d'un signal de commande de précharge, un potentiel de précharge à ladite ligne de données, préalablement à une sélection à l'aide d'au moins un signal de sélection de ladite cellule donnée, ou lors d'une sélection de ladite cellule donnée à l'aide d'au moins un signal de sélection de ladite cellule donnée. De tels moyens de précharge permettent de favoriser un établissement rapide d'une ligne de données au potentiel de sortie des cellules sélectionnées de la matrice.

Un tel dispositif permet de réduire de manière importante voire de supprimer les effets de trainage, dans la mesure où l'on peut effacer le contenu d'une ligne de données avant de passer à la ligne suivante, et ce, quelque soit le potentiel de précharge.

Le potentiel de précharge est de préférence prévu de manière à, lorsqu'il est appliqué, augmenter le courant de sortie de la cellule. Le potentiel de précharge peut être par exemple prévu inférieur au potentiel de sortie de la cellule, dans le cas par exemple où la cellule donnée comporte en sortie un amplificateur formé de transistors de type N. Le potentiel de précharge est prévu à une valeur prédéterminée, par exemple de l'ordre de 0 V, de manière à favoriser, suite à une sélection de ladite cellule donnée, l'établissement audit potentiel de sortie de ladite extrémité de ladite ligne de données. La matrice peut être agencée de sorte que le signal de sélection de la cellule donnée est un signal de sélection d'une lème rangée de cellules à laquelle appartient ladite cellule donnée et qui est en particulier orthogonale à ladite rangée donnée, le signal de commande de précharge étant activé après une activation d'une iùleme rangée de cellules en particulier othogonale à ladite rangée donnée, et avant une activation du signal de sélection de ladite lème rangée de cellules de la matrice en particulier orthogonale à ladite rangée donnée.

Selon une autre possibilité, le signal de sélection peut être un signal de sélection d'une lème rangée de cellules de la matrice à laquelle appartient ladite cellule donnée et qui est en particulier orthogonale à ladite rangée donnée, le signal de commande de précharge étant activé pendant une activation du signal de sélection de ladite lème rangée de cellules de la matrice en particulier orthogonale à ladite rangée donnée. A l'extrémité de la ligne de données des moyens formant un amplificateur suiveur peuvent être prévus. Un tel amplificateur peut avoir une résistance d'entrée très élevée ou au moins supérieure à 1 W. Les moyens de précharge peuvent être situés à l'entrée dudit amplificateur suiveur. Selon une possibilité de mise en oeuvre des moyens de précharge, ces derniers peuvent comprendre au moins un transistor dont la grille est commandée par ledit signal de commande de précharge, et dont une électrode est mise au potentiel de précharge. L'invention peut s'appliquer aux dispositifs détecteurs de rayonnements électromagnétiques, en particulier aux détecteurs de rayons X. Les cellules élémentaires peuvent être, dans ce cas, des pixels comportant respectivement : au moins un élément détecteur de rayonnement électromagnétique, tel qu'un photodétecteur, apte à délivrer un signal analogique de sortie susceptible de varier au moins en fonction de quantités de photons reçues par le photo-détecteur.

La présente invention s'applique à des matrices de pixels dont on veut extraire une information et peut s'appliquer à d'autres types de dispositifs matriciels, par exemple aux dispositifs détecteurs de rayons gammas, ou à des dispositifs d'affichage.

Selon une possibilité de mise en oeuvre, les cellules élémentaires peuvent comporter respectivement : des moyens de réinitialisation, pour réinitialiser, en fonction d'un signal de commande de réinitialisation, le signal de sortie dudit élément détecteur. Les moyens de réinitialisation peuvent être sous forme d'au moins un transistor interrupteur dont la grille est commandée par ledit signal de commande de réinitialisation, et dont une électrode est mise à un potentiel de réinitialisation. Selon une possibilité de mise en oeuvre, les cellules élémentaires peuvent comporter respectivement : des moyens d'amplification du signal analogique de sortie dudit élément détecteur. Selon une possibilité de mise en oeuvre, lesdits moyens d'amplification peuvent comprendre au moins un transistor amplificateur dont la grille reçoit le signal de sortie dudit élément détecteur, et dont une électrode est mise à un potentiel d'alimentation. Les cellules élémentaires peuvent comporter en outre respectivement : des moyens interrupteurs, aptes à appliquer, en fonction du signal de commande de sélection, la sortie de ladite cellule sélectionnée à une ligne de données. Les moyens interrupteurs peuvent comprendre au moins un transistor dont la grille reçoit le signal de sélection, et dont une électrode est connectée à au moins un transistor amplificateur dont la grille reçoit le signal de sortie dudit élément détecteur, et dont une électrode est mise à un potentiel de polarisation Vdd. Selon une possibilité de mise en oeuvre, les cellules élémentaires peuvent comporter respectivement : des moyens générateurs de courant associés à des moyens interrupteurs commandés par ledit signal de sélection. Les moyens générateurs de courant peuvent comprendre au moins un transistor générateur de courant dont la grille et la source sont mises à des potentiels d'alimentation et au moins un transistor interrupteur dont la grille est commandée par ledit signal de sélection. BRÈVE DESCRIPTION DES DESSINS La présente invention sera mieux comprise à la lecture de la description d'exemples de réalisation donnés, à titre purement indicatif et nullement limitatif, en faisant référence aux dessins annexés sur lesquels : - la figure 1 illustre un dispositif microélectronique matriciel suivant l'art antérieur, - la figure 2 illustre un premier exemple de dispositif microélectronique matriciel suivant l'invention et formé d'une pluralité de cellules élémentaires, - la figure 3 illustre une courbe d'établissement à l'extrémité d'une ligne de données du potentiel de sortie d'une cellule élémentaire du premier exemple de dispositif microélectronique matriciel suivant l'invention, lu en bout d'une ligne de données de ce dispositif, la figure 4 illustre un deuxième exemple de dispositif microélectronique matriciel suivant l'invention formé d'une pluralité de cellules élémentaires, - la figure 5 illustre une courbe d'établissement à l'extrémité d'une ligne de données du potentiel de sortie d'une cellule élémentaire d'un deuxième exemple de dispositif microélectronique matriciel suivant l'invention. Des parties identiques, similaires ou équivalentes des différentes figures portent les mêmes références numériques de façon à faciliter le passage d'une figure à l'autre. Les différentes parties représentées sur les figures ne le sont pas nécessairement selon une échelle uniforme, pour rendre les figures plus lisibles.

EXPOSÉ DÉTAILLÉ DE MODES DE RÉALISATION PARTICULIERS Un exemple de dispositif microélectronique matriciel suivant l'invention, va à présent être donné. Ce dispositif comprend une matrice de n rangées horizontales et m rangées verticales de cellules élémentaires 10011, 10012, ..., 10021, 10022, 1001, 100m,, avec n qui peut être égal à m, et par exemple compris entre 1 et 10000, par exemple égal à 2000. Les cellules élémentaires peuvent être par exemple des pixels de capteur de rayonnement électromagnétique et peuvent comprendre respectivement au moins un élément détecteur de rayonnement électromagnétique, par exemple un détecteur de rayons X, ainsi qu'au moins un circuit électronique associé au détecteur.

Selon une variante, les cellules élémentaires peuvent être par exemple des cellules d'une matrice de lecture, les cellules étant associées respectivement à un élément photoconducteur, par exemple de type CdTe, CdZnTe, PbI2r HgI2, PbO, Se, hybridé ou assemblé ou déposé sur la matrice. L'invention peut s'appliquer à d'autres types de dispositifs microélectroniques matriciels de grande taille. La matrice de cellules élémentaires peut avoir une taille, importante, par exemple de l'ordre d'une dizaine de centimètres carré ou de plusieurs centaines de centimètres carrés, par exemple une dimension de l'ordre de 10 cm x 10 cm ou de 20 cm x 20 cm.

Dans le cas d'une matrice de détecteurs de rayons X, les cellules élémentaires peuvent comprendre respectivement un photodétecteur sensible à la lumière visible par exemple sous forme d'une photodiode, ou d'un phototransistor, couplé(e) à une ou plusieurs couches scintillatrices à base de CsI, ou de Gd2O2S par exemple, qui permettent la détection des photons X et les transforment en photons visibles. Des composants, par exemple réalisés en technologie CMOS, assurent la détection en transformant les photons visibles en charges électriques.

Sur la figure 2, un exemple de réalisation, est donné avec n = 2 et m = 2 cellules élémentaires 10011, 10012, 10021, 10022. Chaque cellule élémentaire ou pixel du dispositif matriciel comporte des transistors T2, T3. Dans cet exemple, chaque cellule comporte également une photodiode 110 et un transistor T1. Un premier transistor T1 permet d'initialiser ou de réinitialiser la tension de la photodiode, à un potentiel V ran dit de réinitialisation, lorsque qu'une phase de commande ou un signal de commande Phi ran est actif et appliqué sur le premier transistor T1. Le premier transistor T1 peut être agencé de manière à avoir une électrode de grille connectée à une ligne conductrice 101, par exemple d'une rangée horizontale de la matrice, acheminant le signal de commande Phi ran, et une électrode de drain connectée à une ligne conductrice 102, par exemple d'une rangée horizontale, mise au potentiel de réinitialisation V ran. Lorsque le signal de commande Phi ran est actif, par exemple lorsqu'il est mis a un état haut, la source du premier transistor interrupteur T1est mise au potentiel de réinitialisation. En fonction de l'éclairement reçu, le potentiel de cathode de la photodiode 110 décroît. Pour lire le potentiel de cathode de la photodiode, à la fin d'un temps d'intégration, on rend passant un transistor T3, qui a un rôle d'un deuxième interrupteur, commandé à l'aide d'un signal de sélection Phi ligne acheminé par une ligne conductrice 104, par exemple d'une rangée horizontale de la matrice. Selon une possibilité de réalisation, le signal de sélection Phi ligne peut être un signal de sélection commun à toutes les cellules d'une même rangée horizontale. La matrice peut opérer en intégration de charges, de sorte que les photodiodes 110 intègrent et stockent les charges pendant un temps d'intégration déterminé. Le temps d'intégration d'une image ou cycle de lecture peut être le temps entre deux commandes émises sur la grille du transistor T1 d'un pixel.

Le transistor T2 forme un suiveur et comporte une grille connectée à la photodiode 110 et un drain connecté à une ligne conductrice 103, par exemple d'une rangée horizontale, acheminant un potentiel de polarisation Vdd, par exemple de l'ordre de 3.3 V. Les potentiels V ran et Vdd peuvent être identiques. La matrice comporte également une pluralité de m (dans cet exemple m = 2) lignes 1051, 1052, de données, prévues respectivement pour acheminer le potentiel de sortie d'au moins une cellule à laquelle elles sont connectées et qui a été sélectionné à l'aide du signal de sélection phi ligne. Les pixels suivant chaque colonne sont connectés à une ligne de données commune, à laquelle le transistor T3 interrupteur respectif des pixels d'une même colonne est connecté. Le deuxième transistor T2 est prévu pour recopier le potentiel de la photodiode 110, et le reproduire à un décalage de tension près. Le potentiel de sortie d'une cellule est ensuite lu sur une sortie S située en bout de colonne, à l'extrémité d'une ligne 1051r 1052 de données.

Selon une possibilité de mise en oeuvre du dispositif, et en particulier de la manière de lire les grandeurs détectées par les pixels, le signal de sélection Phi ligne d'une rangée i (avec 1 <- i <- n) de la matrice peut être le même que la phase Phi ran d'une rangée i-1, voisine de la rangée i.

Le dispositif comporte également un ou plusieurs circuits d'adressage (non représentés), par exemple sous forme de registres à décalage, et prévus pour générer les signaux Phi ligne et Phi ran. Des signaux aux différentes sorties S situées à l'extrémité des lignes de données 1051r 1052, sont ensuite multiplexés dans un registre (non représenté), de façon à obtenir le signal représentatif d'une rangée horizontale de pixels. Les différentes sorties S situées à l'extrémité des lignes de données 1051r 1052, peuvent être reliées à des amplificateurs suiveurs 120 de résistance d'entrée élevée. En bout, ou à l'extrémité de chaque ligne de données 1051r 1052 de la matrice, des moyens 150 de précharge pour appliquer un potentiel de précharge, par exemple préalablement à une lecture de données de cette ligne de données sont prévus. Les moyens 150 de précharge peuvent être sous forme d'un transistor interrupteur T6 dont l'état passant et l'état bloqué sont commandées par un signal de commande de précharge phi précharge, appliqué sur la grille du transistor T6r et qui est prévu pour appliquer, lorsqu'il est passant, un potentiel V précharge au bout ou à l'extrémité de la colonne, et en particulier à l'entrée d'un suiveur 120. Le potentiel V précharge peut être appliqué sur le drain du transistor T6. Le potentiel de précharge est un potentiel de valeur prédéterminée, prévue de manière à augmenter le courant de sortie d'une cellule sélectionnée de la matrice, lorsque le potentiel de précharge est appliqué. Le signal phi précharge peut être prévu pour être activé, par exemple pendant un temps situé entre une commande de lecture d'une rangée horizontale i de la matrice et une commande de lecture d'une rangée i+1 suivante de la matrice. Dans le cas où les transistors T2 et T3 sont de type N, le potentiel appliqué V précharge en bout de colonne est choisi inférieur au plus faible potentiel auquel la source du deuxième transistor T2 peut être placé. Le potentiel appliqué V précharge peut être par exemple de l'ordre de 0 volt.

Pour effectuer une lecture, le transistor T6 de précharge est mis dans un état bloqué. On peut sélectionner ensuite une ligne par l'intermédiaire du signal de sélection phi ligne, de sorte que les deuxièmes transistors T3 de cette ligne deviennent passants. Le potentiel de précharge étant choisi faible, les transistors T2 suiveurs de la ligne i sélectionnée ont alors une tension grille-source Vgs importante, un courant de conduction élevé, qui fait remonter le potentiel en bout de colonne, ce qui a ensuite pour effet d'entrainer une diminution du courant dans les transistors T2. Dans un tel dispositif, l'impédance de sortie formée par le transistor T2 et la ligne de données peut être très faible lorsqu'on applique le potentiel de précharge, ce qui permet d'atteindre rapidement une valeur de tension en sortie S proche de la valeur finale souhaitée. Un tel dispositif permet également, d'obtenir une consommation totale plus faible qu'avec un dispositif tel que décrit en liaison avec la figure 1 car la consommation n'étant que transitoire. Un tel dispositif permet ainsi une lecture rapide de données, à faible consommation. Les effets de trainage peuvent être également supprimés avec un tel dispositif, dans la mesure où, avec les moyens de précharge, un effacement du contenu d'une ligne de données peut être mis en oeuvre, avant de passer à la ligne de données suivante. Une ou plusieurs capacités additionnelles (non représentées) peuvent être mises en oeuvre, soit à l'extrémité de la rangée verticale dans le cas d'une capacité unique additionnelle, soit intégrée au pixel. Une courbe C10 représentative de l'établissement du potentiel de sortie Vs à l'extrémité S d'une ligne de donnée de la matrice, avec un modèle de transistor en forte inversion, est donnée sur la figure 3. Sur cette figure, une autre courbe C20r est quant à elle représentative de l'établissement du potentiel de sortie à l'extrémité d'une rangée verticale de la matrice, avec un modèle en faible inversion en fin de transitoire. Sur des chronogrammes C o et C40r des exemples de signaux de précharge phi précharge et de commande de ligne phi ligne sont quant à eux donnés. Dans cet exemple, le signal de commande de précharge phi précharge est activé (chronogramme Cao à l'état haut) puis la lecture de la sortie de la cellule est effectuée (chronogramme C43 à l'état haut). Il est également possible de réaliser une précharge d'une colonne ou rangée verticale de la matrice sur laquelle se trouve un pixel donné, pendant le début de l'adressage de la ligne de données sur laquelle se trouve ce pixel donné. Une variante de l'exemple du dispositif microélectronique qui vient d'être décrit, est illustrée sur la figure 4, et prévue pour améliorer l'établissement de la tension en bout de colonne. Dans cette variante, une source de courant 160 supplémentaire est mise en oeuvre dans chacun des pixels. Cette source de courant 160 peut être formée d'un transistor T4 dont la grille est mise à un potentiel de polarisation Vpol, intégré à chaque cellule ou pixel, et polarisé en régime de saturation et d'un transistor interrupteur T5. La source de courant 160, et en particulier le transistor interrupteur T5 peut être commandé(e) par le signal de sélection phi ligne qui permet également de commander le transistor interrupteur T3. Un exemple de fonctionnement d'un tel dispositif peut être le suivant : lorsqu'une rangée horizontale de la matrice est adressée, deux courants s'additionnent dans le transistor T2 : un premier courant correspondant à la charge de la capacité équivalente de la ligne de données qui a été préchargée au potentiel V précharge par le transistor T6r et un deuxième courant délivré par la source de courant 160 formée par le transistor T4 et le transistor T5.

Au départ, lorsque le potentiel V précharge est appliqué, le premier courant est prépondérant, puis c'est le courant généré par le courant T4 qui devient prépondérant, de sorte que le transistor T2 n'est jamais très résistif, ce qui permet l'établissement du potentiel de sortie Vs avec une rapidité accrue de. Un exemple de courbe C50 d'établissement du potentiel de sortie Vs à l'extrémité d'une ligne de données du dispositif microélectronique qui vient d'être décrit, est illustré sur la figure 5. La valeur finale du potentiel Vs est égale, à un décalage K prêt, au potentiel Vphotodiode, i.e. celui à la cathode de la photodiode, moins la tension de seuil VT. A titre de comparaison, la courbe C20 d'établissement du potentiel de sortie Vs à l'extrémité d'une ligne de données du dispositif microélectronique qui a été décrit en liaison avec la figure 3, est donnée.

Claims (16)

REVENDICATIONS

1. Dispositif microélectronique matriciel comprenant : - une pluralité de cellules élémentaires (10011r..., 100mn) agencées selon une matrice, au moins une ligne (1051r 1052) de données, connectée à une pluralité de cellules d'au moins une rangée donnée de cellules de la matrice, et apte à acheminer au moins un signal de sortie d'au moins une cellule donnée sélectionnée dans ladite rangée donnée, - des moyens de précharge (150), situés à une extrémité de ladite ligne de données, pour appliquer, en fonction d'un signal de commande de précharge (phi précharge), un potentiel de précharge (V précharge) à ladite ligne de données, préalablement à une sélection, à l'aide d'au moins un signal de sélection (phi ligne) de ladite cellule donnée ou lors d'une sélection de ladite cellule donnée à l'aide d'au moins un signal de sélection (phi ligne) de ladite cellule donnée.

2. Dispositif microélectronique matriciel selon la revendication 1, dans lequel le signal de sortie de ladite cellule donnée est sous forme d'un potentiel de sortie, le potentiel de précharge (V précharge) étant prévu de manière à, lorsqu'il est appliqué, augmenter le courant de sortie de la cellule donnée.

3. Dispositif microélectronique matriciel selon la revendication 1 ou 2, dans lequel la matrice est agencée de sorte que le signal de sélection de la cellule donnée (phi ligne) est un signal de sélection d'une ième rangée de cellules à laquelle appartient ladite cellule donnée et qui est orthogonale à ladite rangée donnée, le signal de commande de précharge (phi précharge) étant activé après une activation d'une (i-1) ème rangée de cellules orthogonale à ladite rangée donnée, et avant une activation du signal de sélection (phi ligne) de ladite ieme rangée de cellules de la matrice orthogonale à ladite rangée donnée.

4. Dispositif microélectronique matriciel selon la revendication 1 ou 2, dans lequel le signal de sélection (phi ligne) est un signal de sélection d'une ième rangée de cellules de la matrice à laquelle appartient ladite cellule donnée et qui est orthogonale à ladite rangée donnée, le signal de commande de précharge (phi précharge) étant activé pendant une activation du signal de sélection (phi ligne) de ladite ième rangée de cellules de la matrice orthogonale à ladite rangée donnée.

5. Dispositif microélectronique matriciel selon l'une des revendications 1 à 4, les moyens de précharge comprenant au moins un transistor (T6), dont la grille est commandée par ledit signal de commande de précharge (phi précharge), et dont une électrode est mise au potentiel de précharge (V précharge).

6. Dispositif microélectronique matriciel selon la revendication 1 à 5, dans lequel ladite extrémité de ladite ligne de données comporte des moyens formant un amplificateur suiveur (1201r 1202), les moyens de précharge étant situés en entrée dudit amplificateur suiveur.

7. Dispositif microélectronique selon l'une des revendications 1 à 6, les cellules élémentaires comportant respectivement : au moins un élément détecteur (110) de rayonnement électromagnétique, tel qu'un photodétecteur, apte à délivrer un signal analogique de sortie susceptible de varier au moins en fonction de quantités de photons reçues par le photo-détecteur.

8. Dispositif microélectronique selon la revendication 7, le détecteur étant un détecteur de rayons X.

9. Dispositif microélectronique selon l'une des revendications 7 ou 8, les cellules élémentaires comportant respectivement : des moyens de réinitialisation, pour réinitialiser, en fonction d'un signal de commande de réinitialisation (phi ran), le signal de sortie dudit élément détecteur (110).

10. Dispositif microélectronique matriciel selon la revendication 9, lesdits moyens de réinitialisation comprenant au moins un transistor interrupteur (T1) dont la grille est commandée parledit signal de commande de réinitialisation (phi ran), et dont une électrode est mise à un potentiel de réinitialisation (V ran).

11. Dispositif microélectronique selon l'une des revendications 7 à 10, les cellules élémentaires (10011r..., 100mn) comportant respectivement ou étant respectivement associés à : des moyens d'amplification du signal analogique de sortie dudit élément détecteur (110).

12. Dispositif microélectronique matriciel selon la revendication 11, lesdits moyens d'amplification comprenant au moins un transistor amplificateur (T2) dont la grille reçoit le signal de sortie dudit élément détecteur (110), et dont une électrode est mise à un potentiel d'alimentation (Vdd).

13. Dispositif microélectronique selon l'une des revendications 1 à 12, les cellules élémentaires comportant respectivement : des moyens interrupteurs (T3), aptes à appliquer, en fonction du signal de commande (phi ligne) de sélection, la sortie de ladite cellule (1001) sélectionnée à une ligne de données (1051).

14. Dispositif microélectronique matriciel selon la revendication 13, lesdits moyens interrupteurs comprenant au moins un transistor (T3) dont la grille reçoit le signal de commande (phi ligne) de sélection, et dont une électrode est connectée à au moins untransistor amplificateur (T2) dont la grille reçoit le signal de sortie dudit élément détecteur (150), et dont une électrode est mise à un potentiel de polarisation (Vdd).

15. Dispositif microélectronique matriciel selon l'une des revendications 1 à 14, les cellules élémentaires comportant respectivement : des moyens générateurs (160) de courant commandés par ledit signal de sélection (phi ligne).

16. Dispositif microélectronique matriciel selon la revendication 15, les moyens générateurs de courant comprenant au moins un transistor générateur (T4) de courant dont la grille est mise à un potentiel d'alimentation (Vpol) et au moins un transistor interrupteur (T5) dont la grille est commandée par ledit signal de sélection (phi ligne).