FR2932012B1 - Transistor supraconducteur a effet de champ et procede de fabrication d'un tel transistor. - Google Patents
Transistor supraconducteur a effet de champ et procede de fabrication d'un tel transistor.Info
- Publication number
- FR2932012B1 FR2932012B1 FR0853620A FR0853620A FR2932012B1 FR 2932012 B1 FR2932012 B1 FR 2932012B1 FR 0853620 A FR0853620 A FR 0853620A FR 0853620 A FR0853620 A FR 0853620A FR 2932012 B1 FR2932012 B1 FR 2932012B1
- Authority
- FR
- France
- Prior art keywords
- transistor
- manufacturing
- field effect
- effect superconducting
- superconducting
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
- 230000005669 field effect Effects 0.000 title 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title 1
- 238000000034 method Methods 0.000 title 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N60/00—Superconducting devices
- H10N60/20—Permanent superconducting devices
- H10N60/205—Permanent superconducting devices having three or more electrodes, e.g. transistor-like structures
- H10N60/207—Field effect devices
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| FR0853620A FR2932012B1 (fr) | 2008-06-02 | 2008-06-02 | Transistor supraconducteur a effet de champ et procede de fabrication d'un tel transistor. |
| US12/995,781 US20110254053A1 (en) | 2008-06-02 | 2009-05-29 | Superconductor transistor and method for manufacturing such transistor |
| PCT/FR2009/051010 WO2009156657A1 (fr) | 2008-06-02 | 2009-05-29 | Transistor supraconducteur a effet de champ et procede de fabrication d'un tel transistor |
| EP09769498A EP2294637A1 (fr) | 2008-06-02 | 2009-05-29 | Transistor supraconducteur a effet de champ et procede de fabrication d'un tel transistor |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| FR0853620A FR2932012B1 (fr) | 2008-06-02 | 2008-06-02 | Transistor supraconducteur a effet de champ et procede de fabrication d'un tel transistor. |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| FR2932012A1 FR2932012A1 (fr) | 2009-12-04 |
| FR2932012B1 true FR2932012B1 (fr) | 2011-04-22 |
Family
ID=39791742
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| FR0853620A Expired - Fee Related FR2932012B1 (fr) | 2008-06-02 | 2008-06-02 | Transistor supraconducteur a effet de champ et procede de fabrication d'un tel transistor. |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US20110254053A1 (fr) |
| EP (1) | EP2294637A1 (fr) |
| FR (1) | FR2932012B1 (fr) |
| WO (1) | WO2009156657A1 (fr) |
Families Citing this family (21)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2019160572A2 (fr) | 2017-05-16 | 2019-08-22 | PsiQuantum Corp. | Détecteur de photons supraconducteur à grille |
| WO2019160573A2 (fr) | 2017-05-16 | 2019-08-22 | PsiQuantum Corp. | Amplificateur de signal supraconducteur |
| US10586910B2 (en) | 2017-07-28 | 2020-03-10 | PsiQuantum Corp. | Superconductor-based transistor |
| US10361703B2 (en) | 2017-10-05 | 2019-07-23 | PsiQuantum Corp. | Superconducting logic circuits |
| US10461445B2 (en) | 2017-11-13 | 2019-10-29 | PsiQuantum Corp. | Methods and devices for impedance multiplication |
| WO2019157077A1 (fr) | 2018-02-06 | 2019-08-15 | PsiQuantum Corp. | Détecteur de photons supraconducteur |
| US10879905B2 (en) | 2018-02-14 | 2020-12-29 | PsiQuantum Corp. | Superconducting field-programmable gate array |
| WO2019213147A1 (fr) | 2018-05-01 | 2019-11-07 | PsiQuantum Corp. | Détecteur supraconducteur à résolution du nombre de photons |
| US10984857B2 (en) | 2018-08-16 | 2021-04-20 | PsiQuantum Corp. | Superconductive memory cells and devices |
| US10573800B1 (en) | 2018-08-21 | 2020-02-25 | PsiQuantum Corp. | Superconductor-to-insulator devices |
| US11101215B2 (en) | 2018-09-19 | 2021-08-24 | PsiQuantum Corp. | Tapered connectors for superconductor circuits |
| US11719653B1 (en) | 2018-09-21 | 2023-08-08 | PsiQuantum Corp. | Methods and systems for manufacturing superconductor devices |
| US10944403B2 (en) | 2018-10-27 | 2021-03-09 | PsiQuantum Corp. | Superconducting field-programmable gate array |
| WO2020162993A1 (fr) | 2018-10-27 | 2020-08-13 | PsiQuantum Corp. | Commutateur supraconducteur |
| US11289590B1 (en) | 2019-01-30 | 2022-03-29 | PsiQuantum Corp. | Thermal diode switch |
| US11569816B1 (en) | 2019-04-10 | 2023-01-31 | PsiQuantum Corp. | Superconducting switch |
| US11009387B2 (en) | 2019-04-16 | 2021-05-18 | PsiQuantum Corp. | Superconducting nanowire single photon detector and method of fabrication thereof |
| US11380731B1 (en) | 2019-09-26 | 2022-07-05 | PsiQuantum Corp. | Superconducting device with asymmetric impedance |
| US11585695B1 (en) | 2019-10-21 | 2023-02-21 | PsiQuantum Corp. | Self-triaging photon detector |
| US11994426B1 (en) | 2019-11-13 | 2024-05-28 | PsiQuantum Corp. | Scalable photon number resolving photon detector |
| IT202100027515A1 (it) | 2021-10-27 | 2023-04-27 | Consiglio Nazionale Ricerche | Superconducting variable inductance transistor |
Family Cites Families (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63283177A (ja) * | 1987-05-15 | 1988-11-21 | Toshiba Corp | 超伝導トランジスタ |
| FR2674067B1 (fr) * | 1991-03-15 | 1993-05-28 | Thomson Csf | Dispositif semiconducteur a effet josephson. |
| US5686745A (en) * | 1995-06-19 | 1997-11-11 | University Of Houston | Three-terminal non-volatile ferroelectric/superconductor thin film field effect transistor |
| US7867791B2 (en) * | 2005-07-29 | 2011-01-11 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Manufacturing method of semiconductor device using multiple mask layers formed through use of an exposure mask that transmits light at a plurality of intensities |
-
2008
- 2008-06-02 FR FR0853620A patent/FR2932012B1/fr not_active Expired - Fee Related
-
2009
- 2009-05-29 EP EP09769498A patent/EP2294637A1/fr not_active Withdrawn
- 2009-05-29 US US12/995,781 patent/US20110254053A1/en not_active Abandoned
- 2009-05-29 WO PCT/FR2009/051010 patent/WO2009156657A1/fr not_active Ceased
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| FR2932012A1 (fr) | 2009-12-04 |
| US20110254053A1 (en) | 2011-10-20 |
| WO2009156657A1 (fr) | 2009-12-30 |
| EP2294637A1 (fr) | 2011-03-16 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| FR2932012B1 (fr) | Transistor supraconducteur a effet de champ et procede de fabrication d'un tel transistor. | |
| EP2306530A4 (fr) | Dispositif electroluminescent a semiconducteur et procede de fabrication | |
| EP2080235A4 (fr) | Dispositif electroluminescent et son procede de fabrication | |
| EP2276066A4 (fr) | Dispositif a semi-conducteur et son procede de fabrication | |
| EP2246895A4 (fr) | Dispositif a semi-conducteurs et son procede de fabrication | |
| EP2248174A4 (fr) | Dispositif d'imagerie a semiconducteurs et son procede de fabrication | |
| EP2133909A4 (fr) | Dispositif a semi-conducteur et son procede de fabrication | |
| EP2067173A4 (fr) | Dispositif semi-conducteur et son procede de fabrication | |
| EP2259293A4 (fr) | Procede de fabrication d'un dispositif a semi-conducteur | |
| EP2346071A4 (fr) | Dispositif a semi-conducteurs composes et son procede de fabrication | |
| EP2249408A4 (fr) | Diode electroluminescente et procede de fabrication, et dispositif electroluminescent et procede de fabrication | |
| GB0816666D0 (en) | Semiconductor field effect transistor and method for fabricating the same | |
| EP1935027A4 (fr) | Dispositif a semi-conducteurs et son procede de fabrication | |
| EP2135295A4 (fr) | Dispositif photovoltaique et son procede de fabrication | |
| EP2112685A4 (fr) | Dispositif semi-conducteur et son procede de fabrication | |
| EP2232594A4 (fr) | Dispositif electroluminescent a semiconducteur et son procede de fabrication | |
| EP2311107A4 (fr) | Dispositif electroluminescent semi-conducteur et son procede de fabrication | |
| EP2388804A4 (fr) | Procédé de fabrication d'un élément semi-conducteur, élément semi-conducteur et dispositif à semi-conducteurs | |
| FR2902566B1 (fr) | Dispositif d'affichage et son procede de fabrication. | |
| EP2242095A4 (fr) | Dispositif a semi-conducteur et son procede de fabrication | |
| EP2338181A4 (fr) | Dispositif electroluminescent a semiconducteurs et son procede de fabrication | |
| EP1966740A4 (fr) | Dispositif a semi-conducteurs et son procede de fabrication | |
| EP2089907A4 (fr) | Dispositif a semi-conducteur et procede de fabrication associe | |
| EP2207195A4 (fr) | Dispositif et procede de fabrication du dispositif | |
| EP2278632A4 (fr) | Dispositif photovoltaique et son procede de fabrication |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| ST | Notification of lapse |
Effective date: 20140228 |