FR2933690A1 - Nanonitrure de bore cubique - Google Patents
Nanonitrure de bore cubique Download PDFInfo
- Publication number
- FR2933690A1 FR2933690A1 FR0803976A FR0803976A FR2933690A1 FR 2933690 A1 FR2933690 A1 FR 2933690A1 FR 0803976 A FR0803976 A FR 0803976A FR 0803976 A FR0803976 A FR 0803976A FR 2933690 A1 FR2933690 A1 FR 2933690A1
- Authority
- FR
- France
- Prior art keywords
- nanonitride
- boron
- cubic boron
- gpa
- cubic
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 44
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 claims abstract description 44
- 238000001237 Raman spectrum Methods 0.000 claims abstract description 11
- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims abstract description 11
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 9
- PZNSFCLAULLKQX-UHFFFAOYSA-N Boron nitride Chemical compound N#B PZNSFCLAULLKQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 22
- 239000000843 powder Substances 0.000 claims description 8
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 5
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical group [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 230000006835 compression Effects 0.000 claims description 2
- 238000007906 compression Methods 0.000 claims description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 2
- 239000003082 abrasive agent Substances 0.000 abstract 1
- 235000019589 hardness Nutrition 0.000 description 20
- 239000000463 material Substances 0.000 description 17
- 229910003460 diamond Inorganic materials 0.000 description 16
- 239000010432 diamond Substances 0.000 description 16
- 229910052582 BN Inorganic materials 0.000 description 12
- 238000002441 X-ray diffraction Methods 0.000 description 9
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 description 9
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 7
- 230000001427 coherent effect Effects 0.000 description 6
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 6
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 6
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 6
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 6
- 238000004098 selected area electron diffraction Methods 0.000 description 5
- 238000003786 synthesis reaction Methods 0.000 description 4
- 238000001069 Raman spectroscopy Methods 0.000 description 3
- 229910000831 Steel Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 3
- 239000002113 nanodiamond Substances 0.000 description 3
- 239000010959 steel Substances 0.000 description 3
- 238000004627 transmission electron microscopy Methods 0.000 description 3
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- LHLMOSXCXGLMMN-CLTUNHJMSA-M [(1s,5r)-8-methyl-8-propan-2-yl-8-azoniabicyclo[3.2.1]octan-3-yl] 3-hydroxy-2-phenylpropanoate;bromide Chemical compound [Br-].C([C@H]1CC[C@@H](C2)[N+]1(C)C(C)C)C2OC(=O)C(CO)C1=CC=CC=C1 LHLMOSXCXGLMMN-CLTUNHJMSA-M 0.000 description 2
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 2
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- QDOXWKRWXJOMAK-UHFFFAOYSA-N dichromium trioxide Chemical compound O=[Cr]O[Cr]=O QDOXWKRWXJOMAK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000005553 drilling Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000002173 high-resolution transmission electron microscopy Methods 0.000 description 2
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 2
- 238000000634 powder X-ray diffraction Methods 0.000 description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 2
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 2
- 238000002411 thermogravimetry Methods 0.000 description 2
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910002483 Cu Ka Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910025794 LaB6 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910002262 LaCrO3 Inorganic materials 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KPSZQYZCNSCYGG-UHFFFAOYSA-N [B].[B] Chemical compound [B].[B] KPSZQYZCNSCYGG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000012937 correction Methods 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- KSCFJBIXMNOVSH-UHFFFAOYSA-N dyphylline Chemical compound O=C1N(C)C(=O)N(C)C2=C1N(CC(O)CO)C=N2 KSCFJBIXMNOVSH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000002524 electron diffraction data Methods 0.000 description 1
- 238000001493 electron microscopy Methods 0.000 description 1
- 229910052634 enstatite Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052839 forsterite Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910002804 graphite Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010439 graphite Substances 0.000 description 1
- 238000007542 hardness measurement Methods 0.000 description 1
- 239000010720 hydraulic oil Substances 0.000 description 1
- 238000007373 indentation Methods 0.000 description 1
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 238000011068 loading method Methods 0.000 description 1
- 238000003754 machining Methods 0.000 description 1
- 229910000734 martensite Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 239000002114 nanocomposite Substances 0.000 description 1
- 239000002707 nanocrystalline material Substances 0.000 description 1
- 239000002106 nanomesh Substances 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 229910052903 pyrophyllite Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 230000006641 stabilisation Effects 0.000 description 1
- 238000011105 stabilization Methods 0.000 description 1
- 239000007858 starting material Substances 0.000 description 1
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 1
- 238000001106 transmission high energy electron diffraction data Methods 0.000 description 1
- UONOETXJSWQNOL-UHFFFAOYSA-N tungsten carbide Chemical compound [W+]#[C-] UONOETXJSWQNOL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C01—INORGANIC CHEMISTRY
- C01B—NON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
- C01B21/00—Nitrogen; Compounds thereof
- C01B21/06—Binary compounds of nitrogen with metals, with silicon, or with boron, or with carbon, i.e. nitrides; Compounds of nitrogen with more than one metal, silicon or boron
- C01B21/064—Binary compounds of nitrogen with metals, with silicon, or with boron, or with carbon, i.e. nitrides; Compounds of nitrogen with more than one metal, silicon or boron with boron
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B82—NANOTECHNOLOGY
- B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
- B82Y30/00—Nanotechnology for materials or surface science, e.g. nanocomposites
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B35/00—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
- C04B35/515—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on non-oxide ceramics
- C04B35/58—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on non-oxide ceramics based on borides, nitrides, i.e. nitrides, oxynitrides, carbonitrides or oxycarbonitrides or silicides
- C04B35/583—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on non-oxide ceramics based on borides, nitrides, i.e. nitrides, oxynitrides, carbonitrides or oxycarbonitrides or silicides based on boron nitride
- C04B35/5831—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on non-oxide ceramics based on borides, nitrides, i.e. nitrides, oxynitrides, carbonitrides or oxycarbonitrides or silicides based on boron nitride based on cubic boron nitrides or Wurtzitic boron nitrides, including crystal structure transformation of powder
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B35/00—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
- C04B35/622—Forming processes; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
- C04B35/64—Burning or sintering processes
- C04B35/645—Pressure sintering
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
- C09K3/00—Materials not provided for elsewhere
- C09K3/14—Anti-slip materials; Abrasives
- C09K3/1409—Abrasive particles per se
- C09K3/1418—Abrasive particles per se obtained by division of a mass agglomerated by sintering
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C01—INORGANIC CHEMISTRY
- C01P—INDEXING SCHEME RELATING TO STRUCTURAL AND PHYSICAL ASPECTS OF SOLID INORGANIC COMPOUNDS
- C01P2002/00—Crystal-structural characteristics
- C01P2002/70—Crystal-structural characteristics defined by measured X-ray, neutron or electron diffraction data
- C01P2002/72—Crystal-structural characteristics defined by measured X-ray, neutron or electron diffraction data by d-values or two theta-values, e.g. as X-ray diagram
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C01—INORGANIC CHEMISTRY
- C01P—INDEXING SCHEME RELATING TO STRUCTURAL AND PHYSICAL ASPECTS OF SOLID INORGANIC COMPOUNDS
- C01P2002/00—Crystal-structural characteristics
- C01P2002/70—Crystal-structural characteristics defined by measured X-ray, neutron or electron diffraction data
- C01P2002/76—Crystal-structural characteristics defined by measured X-ray, neutron or electron diffraction data by a space-group or by other symmetry indications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C01—INORGANIC CHEMISTRY
- C01P—INDEXING SCHEME RELATING TO STRUCTURAL AND PHYSICAL ASPECTS OF SOLID INORGANIC COMPOUNDS
- C01P2002/00—Crystal-structural characteristics
- C01P2002/80—Crystal-structural characteristics defined by measured data other than those specified in group C01P2002/70
- C01P2002/82—Crystal-structural characteristics defined by measured data other than those specified in group C01P2002/70 by IR- or Raman-data
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C01—INORGANIC CHEMISTRY
- C01P—INDEXING SCHEME RELATING TO STRUCTURAL AND PHYSICAL ASPECTS OF SOLID INORGANIC COMPOUNDS
- C01P2004/00—Particle morphology
- C01P2004/01—Particle morphology depicted by an image
- C01P2004/04—Particle morphology depicted by an image obtained by TEM, STEM, STM or AFM
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C01—INORGANIC CHEMISTRY
- C01P—INDEXING SCHEME RELATING TO STRUCTURAL AND PHYSICAL ASPECTS OF SOLID INORGANIC COMPOUNDS
- C01P2004/00—Particle morphology
- C01P2004/60—Particles characterised by their size
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C01—INORGANIC CHEMISTRY
- C01P—INDEXING SCHEME RELATING TO STRUCTURAL AND PHYSICAL ASPECTS OF SOLID INORGANIC COMPOUNDS
- C01P2004/00—Particle morphology
- C01P2004/60—Particles characterised by their size
- C01P2004/64—Nanometer sized, i.e. from 1-100 nanometer
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
- C04B2235/02—Composition of constituents of the starting material or of secondary phases of the final product
- C04B2235/30—Constituents and secondary phases not being of a fibrous nature
- C04B2235/38—Non-oxide ceramic constituents or additives
- C04B2235/3852—Nitrides, e.g. oxynitrides, carbonitrides, oxycarbonitrides, lithium nitride, magnesium nitride
- C04B2235/386—Boron nitrides
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
- C04B2235/65—Aspects relating to heat treatments of ceramic bodies such as green ceramics or pre-sintered ceramics, e.g. burning, sintering or melting processes
- C04B2235/656—Aspects relating to heat treatments of ceramic bodies such as green ceramics or pre-sintered ceramics, e.g. burning, sintering or melting processes characterised by specific heating conditions during heat treatment
- C04B2235/6567—Treatment time
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
- C04B2235/70—Aspects relating to sintered or melt-casted ceramic products
- C04B2235/74—Physical characteristics
- C04B2235/78—Grain sizes and shapes, product microstructures, e.g. acicular grains, equiaxed grains, platelet-structures
- C04B2235/781—Nanograined materials, i.e. having grain sizes below 100 nm
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
- C04B2235/70—Aspects relating to sintered or melt-casted ceramic products
- C04B2235/95—Products characterised by their size, e.g. microceramics
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
- C04B2235/70—Aspects relating to sintered or melt-casted ceramic products
- C04B2235/96—Properties of ceramic products, e.g. mechanical properties such as strength, toughness, wear resistance
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
- Y10T428/29—Coated or structually defined flake, particle, cell, strand, strand portion, rod, filament, macroscopic fiber or mass thereof
- Y10T428/2982—Particulate matter [e.g., sphere, flake, etc.]
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Ceramic Engineering (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Structural Engineering (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Nanotechnology (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Composite Materials (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Ceramic Products (AREA)
- Polishing Bodies And Polishing Tools (AREA)
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
Abstract
L'invention concerne un nanonitrure de bore cubique ainsi qu'un procédé de fabrication de ce nanonitrure de bore cubique. Le nanonitrure de bore de structure cubique de l'invention est caractérisé en ce qu'il a une taille de cristaux comprise entre 1 nm et 50 nm inclus et en ce qu'il a un spectre Raman tel que noté 1 en figure 1, montrant uniquement cinq bandes larges centrées à 400, 820, 1050, 1250 et 1300 cm-1. L'invention trouve application en particulier dans le domaine des matériaux abrasifs.
Description
L'invention concerne un nanonitrure de bore cubique ainsi qu'un procédé de fabrication de ce nanonitrure de bore cubique. Le nitrure de bore cubique (cBN) est le super abrasif de choix pour usiner les aciers durs en raison de ses stabilités chimiques et thermiques plus élevées que celles du diamant. Cependant, le nitrure de bore cubique a une dureté Vickers Hv de 62 GPa pour la face (111) du monocristal. Cette dureté est deux fois inférieure à celle du diamant qui a une dureté Vickers Hv de 115 GPa pour la face (111) du monocristal.
Ainsi, cBN ne peut pas complètement remplacer le diamant. Depuis la première synthèse de cBN, un grand nombre de phases ultra-dures de type diamant ont été synthétisées, à la fois sous la forme de couches minces et sous la forme de matériaux massifs. Des nanophases et des phases microcristallines de carbonitrure de bore, c-BC2N et c-BCN, ayant des duretés Knoop HK de 52 GPa et 56 GPa, respectivement, ont été revendiquées comme les matériaux les plus durs après le diamant, qui a une dureté Knoop HKde 63 GPa pour la face (111) du monocristal. Cependant, toutes ces phases sont thermodynamiquement métastables.
Ainsi, il existe un besoin crucial dans l'industrie utilisant des matériaux super-durs de matériaux qui, sous forme de poudre, sont durs, tenaces et en même temps thermiquement stables pour la découpe et le forage, en particulier. Dans ce contexte, l'invention fournit un matériau ultra-dur, dont la dureté excède même celle du diamant polycristallin et s'approchant de celle d'un monocristal de diamant, et ayant une ténacité à la fracture et une résistance à l'usure exceptionnelles. De plus, le matériau de l'invention a des stabilités thermiques et chimiques, en particulier une stabilité à l'oxydation thermique, supérieures à celles du diamant.
A cet effet, l'invention propose un nanonitrure de bore de structure cubique caractérisé en ce qu'il a une taille de cristaux comprise entre 1 nm et 50 nm inclus et un spectre Raman tel que noté 1 en figure 1 montrant uniquement cinq bandes larges centrées à 400, 820, 1050, 1250 et 1300 cm-1. L'invention propose également un procédé de fabrication de nanonitrure de bore de structure cubique caractérisé en ce qu'il comprend les étapes suivantes : a) compression d'une poudre de nitrure de bore pyrolytique de structure de type graphite monomodal à une pression comprise entre 19 et 21 GPa inclus et à température ambiante, et b) chauffage, sous une pression comprise entre 19 et 21 10 GPa inclus de la poudre à une température comprise entre 1447°C et 1547°C inclus pendant moins de 2 minutes. De préférence, la pression à l'étape a) est de 20 GPa et la température à l'étape b) est de 1497°C. L'invention propose aussi l'utilisation du nanonitrure de bore 15 de structure cubique de l'invention, ou obtenu par le procédé selon l'invention, en tant que super abrasif. L'invention sera mieux comprise et d'autres avantages et caractéristiques de celle-ci apparaitront plus clairement à la lecture de la description explicative qui suit et qui est faite en références aux figures dans 20 lesquelles : - la figure 1 représente le spectre Raman du nanonitrure de bore cubique selon l'invention en comparaison aux spectres Raman de nanonitrures de bore ne faisant pas partie de l'invention, - la figure 2 représente le diagramme de diffraction X du 25 nanonitrure de bore cubique de l'invention en comparaison à ceux de nanonitrures de bore qui ne font pas partie de l'invention, - la figure 3 représente l'image obtenue par microscopie électronique de transmission analytique, ATEM, des particules dans l'échantillon de nanonitrure de bore cubique selon l'invention, 30 - la figure 4 représente le motif obtenu par diffraction d'électrons à zone sélectionnée (SAED) du nanonitrure de bore cubique de l'invention, - la figure 5 représente l'évolution de la dureté Vickers du nanonitrure de bore cubique selon l'invention en fonction de la force appliquée de l'indenteur, et - la figure 6 représente l'évolution de la dureté Vickers en 5 fonction de la taille des cristallites (domaines de diffraction cohérente) en nanomètres du nanonitrure de bore cubique de l'invention et du nanoniture de bore cubique polycristallin, mesurée par microscopie électronique à transmission et par diffraction des rayons X. On entend ici par les termes : 10 - "nanonitrure de bore" : un nitrure de bore dont la taille des cristaux est comprise entre 1 nm et 50 nm inclus, - "température ambiante" : une température comprise entre 15 et 30°C inclus. Le nanonitrure de bore cubique de l'invention a été synthétisé 15 à partir de nitrure de bore pyrolytique, noté ci-après pBN, ayant une structure turbostratique idéale, (c'est-à-dire un jeu d'espacement inter-couches et une orientation mutuelle aléatoire des couches) de façon à éviter la formation de nitrures de bore polymorphes denses à des températures modérées. En effet, les premiers essais des inventeurs pour synthétiser 20 du nanonitrure de bore cubique en partant de nitrure de bore pyrolytique commercial, à 18 GPa et 1900 K, ont mené à un nanocomposite de nitrure de bore aggrégé super-dur. Mais ce matériau contenait à la fois les phases nanoniture de bore cubique et nitrure de bore wurzitique (wBN). Bien que présentant une dureté extrêmement élevée, le matériau dans son ensemble 25 avait hérité de la faible stabilité thermique de wBN, ne présentant donc aucun intérêt industriel. A 18 GPa et 1627°C (1900 K), la phase nano-wBN se forme dans les domaines ordonnés du type nitrure de bore hexagonal (hBN) selon un mécanisme martensitique tandis que le nanonitrure de bore cubique se forme dans les domaines complètement désordonnés (turbostratiques) selon 30 un mécanisme structural plus compliqué. La formation de wBN est inévitable lorsqu'on utilise les échantillons commerciaux standards de nitrure de bore pyrolytique qui sont caractérisés par un degré non nul de l'ordre tridimensionnel (p3 0,2 à 0,4). La valeur p3 représente le nombre de couches mutuellement orientées (domaine hBN) en fonction du nombre total de couches.
Mais, en employant le nitrure de bore pyrolytique monomodal avec une structure turbostratique idéale, différents essais de synthèse de nitrure de bore cubique ont été effectués à des températures de 1497°C (1770 K), 1997°C (2270 K) et 2297°C (2500K), sous une pression de 20 GPa. Aucune formation de wBN n'était observée dans cet intervalle de températures. Les spectres de diffraction X des échantillons de cBN ainsi synthétisés sont montrés en figure 2. En figure 2, le spectre de diffraction X noté 4 est le spectre de diffraction des rayons X de l'échantillon de nanonitrure de bore cubique synthétisé à 1497°C (1770 K), le spectre de diffraction X noté 5 est le spectre de diffraction de l'échantillon synthétisé à 1997°C (2270 K), et le spectre noté 6 correspond au spectre de diffraction X de l'échantillon synthétisé à 2297°C (2570 K). On voit que pour l'échantillon synthétisé à 2297°C (2570 K), 20 des raies très étroites indiquent la formation de la phase polycristalline cBN (domaine de diffusion cohérent de 350 nanomètres). En diminuant la température à 1997°C (2270 K), les raies de diffraction de l'échantillon synthétisé montrent un élargissement considérable qui correspond à des changements à la fois dans la taille des blocks des deux 25 diffusions cohérentes (105 nm) et à des imperfections de structure. L'échantillon obtenu à la température de 1497°C (1770 K) a un diagramme de diffraction de poudre avec les raies observées les plus larges. Ce diagramme est caractéristique de l'échantillon de nanonitrure de bore cubique de l'invention. 30 La taille des zones de diffusion cohérente est égale à 20 nm, ce qui est en bon accord avec l'observation par microscopie électronique à transmission (MET) d'une taille de grains de 10 à 30 nm, comme on le voit en figure 3. Ainsi, le nanonitrure de bore cubique selon l'invention a été synthétisé à 1497°C (1770 K) et 20 GPa.
Dans un intervalle de température de 1497°C (1770 K) de plus ou moins 50°C, c'est-à-dire entre 1447°C (1720 K) et 1547°C (1820 K) inclus, le nanonitrure de bore cubique de l'invention est également synthétisé. Ainsi, le nanonitrure de bore cubique de l'invention a été synthétisé à une température comprise entre 1447°C (1720 K) et 1547°C (1820 K) et 20 GPa. A des températures plus faibles, le nitrure de bore pyrolytique non transformé devient visible sur les diagrammes de diffraction de poudre. Les spectres Raman des échantillons synthétisés à ces températures sont représentés en figure 1.
Le spectre Raman de l'échantillon de nanonitrure de bore cubique selon l'invention est noté 1 en figure 1 et le spectre Raman de l'échantillon synthétisé à 1997°C (2270 K) est noté 2 alors que le spectre Raman de l'échantillon synthétisé à 2297°C (2570 K) est noté 3. Les spectres des deux échantillons obtenus à 1997°C (2270 K) et 2997°C (2570 K) sont dominés par deux pics Raman étroits à environ 1057 et 1309 cm-1 Ces pics peuvent être attribués à la diffusion par leur mode du phonon E2g optiques transversale (TO) et longitudinale (LO) du nitrure de bore cubique. Quant au spectre de nanoniture de bore cubique selon l'invention, il diffère significativement des autres : il est dominé par des bandes larges centrées à environ 400, environ 800, environ 1050, environ 1250 et 1300 cm-1 qui appartiennent à la diffusion par les nombreux joints de grain dans le matériau nanocristallin très fin, comme cela a déjà été observé pour le diamant nanocristallin. Un tel spectre Raman, qui n'a jamais été reporté jusqu'à présent pour une phase nitrure de bore est considéré comme caractéristique du matériau nouvellement synthétisé. Les résultats de microscopie électronique à transmission (MET) montrent que la taille des particules est de 10 à 30 nm pour le nanonitrure de bore selon l'invention synthétisé à 1497°C (1770 K), de 125 à 175 nm pour l'échantillon synthétisé à 1997°C (2270 K), et de 250 à 450 nm pour l'échantillon synthétisé à 2297°C (2570 K). Ces valeurs sont en bon accord avec la taille des domaines de diffusion cohérente dérivés des données de diffraction X. Les anneaux SAED observés correspondent à la phase nanonitrure de bore cubique monocristallin pour tous les échantillons. La figure 3 montre l'image MET à champ brillant et la figure 4 montre le motif SAED de l'échantillon synthétisé à 20 GPa et à 1497°C (1770 10 K), c'est-à-dire du nanonitrure de bore selon l'invention. La dureté Vickers, en fonction de la charge appliquée sur cet échantillon selon l'invention, a été mesurée. La figure 5 représente les résultats obtenus. Comme recommandé pour les matériaux durs et cassants, la 15 dureté du nanonitrure de bore cubique selon l'invention est reportée dans la région de dureté asymptotique. L'augmentation d'un facteur 2 de la dureté du nanonitrure de bore cubique de l'invention avec une dureté Vickers Hv de 85 GPa par rapport à la dureté Vickers du nitrure de bore cubique polycristallin conventionnel de 40 à 50 GPa, que l'on voit en figure 5, est le résultat d'un 20 effet de nanotaille qui restreint la propagation des dislocations à travers le matériau. La figure 6, qui représente la courbe de dureté Vickers du nanonitrure de bore cubique selon l'invention, en fonction de la taille des cristallites, montre clairement que la diminution de la taille des grains est 25 accompagnée d'une augmentation de la dureté d'environ 40 GPa pour le matériau polycristallin avec une taille de grains supérieure à 500 nm jusqu'à 85 GPa pour une taille de cristallite d'environ 15 nm. Cette dépendance suit bien la relation de Hall-Petch : H= Ho+ K L> Dans laquelle Ho = 44 GPa et K = 214 GPa nm'/2. 30 La valeur de résistance à la fracture du nanonitrure de bore cubique de l'invention, K,, de 10,5 MPa mu' est notablement plus élevée que la valeur correspondante de toutes les phases connues du système B-C-N (5,3 MPa m''2 pour des phases diamant monocristalline et polycristalline, 2,8 et 6,8 MPa m''2 pour cBN monocristallin et polycristallin, respectivement, et 4,5 MPa m1/2 pour c-BC2N polycristallin). Pour comparer la résistance à l'usure, notée WH, du nanonitrure de bore cubique de l'invention à celle de cBN et du diamant, la relation qui relie WH au module de Young (û 770 GPa, HK(û60-65 GPa) , et Klc (10,5MPa m''2) a été utilisée (WH = Klc 0'5 HK'''3/E°'8 où E est le module de Young). La valeur WH pour le nanonitrure de bore cubique de l'invention est de 5,9, ce qui est extrêmement élevé en comparaison à celle du diamant naturel monocristallin (û 2 à 5), du diamant polycristallin (- 3 à 4) et du monocristal de cBN (û3). Les mesures dynamiques de thermogravimétrie et de thermogravimétrie différentielle (TG/DTG) montrent une stabilité à l'oxydation thermique élevée du nanonitrure de bore cubique de l'invention : la température initiale d'oxydation dans l'air est de 1187°C (1460 K), ce qui est légèrement plus faible que celle du niture de bore polycristallin pour lequel l'oxydation commence à 1247°C (1520 K) mais notablement plus élevée que la stabilité à l'oxydation du nanodiamant, du diamant polycristallin et du nanodiamant avec la même taille moyenne de grains de 10 à 15 nm (stabilité à l'oxydation seulement jusqu'à 677°C (950 K), 825°C (1100 K) pour le 2.5 diamant polycristallin et 597°C (870 K) pour le nanodiamant). Ainsi, le matériau massif de nanonitrure de bore cubique de l'invention a été synthétisé. Il a une résistance à l'usure, une ténacité à la fracture et une dureté extrêmement élevées. Cette combinaison de propriétés ouvre des opportunités uniques pour des applications industrielles pour ce 30 matériau. En particulier, le nanonitrure de bore de structure cubique de l'invention peut être utilisé en tant que super abrasif, que ce soit pour le forage ou la découpe d'aciers durs.
Afin de mieux faire comprendre l'invention, on va en donner ci-après des exemples purement illustratifs et non limitatifs de mise en oeuvre. Exemple 1 : Synthèse du nanonitrure de bore cubique de l'invention Du nitrure de bore pyrolytique (pBN) massif obtenu par la technique de dépôt chimique en phase vapeur a été utilisé en tant que matériau de départ. Le spectre de diffraction des rayons X sur poudre du pBN utilisé montre que le degré d'ordre de la structure tridimensionnelle p3 était égal à 0, ce qui signifie qu'il y avait une absence complète des réflexions hkl, avec une raie 001 symétrique. Ainsi, la structure est purement turbostratique. La valeur p3 représente le nombre de couches mutuellement orientées (domaines hBN) en fonction du nombre total de couches et peut être calculée en utilisant soit la largeur de raie soit la forme du profil de la raie 112.
Les synthèses à haute pression ont été effectuées en utilisant un système à multiples enclumes de grands volumes à deux étages du type 6-8 avec une presse de 5000 tonnes Zwick/Voggenreiter. L'assemblage pour l'échantillon consistait en 1 octahèdre de MgO contenant 5% en poids de Cr2O3 d'une longueur de côté de 18 mm contenant un appareil de chauffage en LaCrO3. L'octahèdre a été comprimé en utilisant huit enclumes de 54 mm en carbure de tungstène avec une longueur de côté de troncation de 17 mm et des joints en pyrophyllite. La température de l'échantillon a été contrôlée par un thermocouple W3%Re-W25%Re situé axialement par rapport au dispositif de chauffage et avec une jonction proche de l'échantillon sans corrections pour l'effet de pression sur le thermocouple. La pression de l'échantillon à température élevée en tant que fonction d'une pression hydraulique d'huile a été calibrée en utilisant les diagrammes P-T de MgSiO3 et de Mg2SiO4. Les incertitudes sur la pression et la température ont été estimées être de 1 GPa et 50°C (50 K), respectivement. Les échantillons ont été comprimés graduellement à la pression désirée à température ambiante, et ensuite la température a été augmentée par incréments avec une vitesse de chauffage de 100°C (100 K/min) jusqu'à la valeur souhaitée. La durée de chauffage était de 2 minutes au maximum dans les différents essais. Les échantillons ont été trempés en coupant la puissance électrique et ensuite décomprimés lentement. Ils sortaient de la presse sous la forme de cylindres translucides d'un matériau noir brillant.
Les échantillons récupérés ont été analysés par diffraction des rayons X sur poudre. Un diffractomètre de diffraction X de poudre INEL, utilisant la raie Cu Ka et dans une géométrie Bragg-Brentano a été utilisé. Le goniomètre a été aligné en utilisant du silicium de haute pureté (a=5,431066 À), et l'échantillon étalon de LaB6 (a = 4,15695 À). Les paramètres de maille unitaire, la taille des blocs de diffraction cohérente et les contraintes ont été dérivées de l'analyse du profil de LeBail obtenu en utilisant le programme GSAS (General Structure Analysis System). Les spectres Raman ont été collectés en utilisant un spectromètre Raman XY Dilor, fonctionnant avec le laser He-Ne à 514 nm. La lumière diffractée a été collectée dans la géométrie de diffraction arrière en utilisant un détecteur CCD (Dispositif à Transfert de Charges) refroidi par de l'azote liquide. La puissance du laser incident était de 50 à 250 mW. Le spectromètre a été calibré en utilisant le phonon T, du Si diamant (Fd-3m). Dans les conditions ambiantes, une résolution de 2,4 cm pour la position des 20 pics Raman a été estimée. Les études ATEM des échantillons ont été effectuées en utilisant un microscope électronique à transmission JEM 2010HR (JEOL) fonctionnant à 200kV. Les échantillons sous forme de poudre ont été dispersés dans une goutte d'éthanol et ensuite placés sur des grilles de cuivre 25 revêtues avec un film de carbone. La microstructure des échantillons a été caractérisée par champs brillants et microscopie électronique à transmission à haute résolution (HRTEM), ainsi que par diffraction d'électrons à zone sélectionnée (SAED). Pour obtenir les espacements interplanaires de l'échantillon, les motifs des noyaux SAED ont été quantitativement évalués en 30 utilisant le programme "Process Diffraction". Les mesures de dureté Vickers de l'échantillon ont été effectuées avec un testeur de microdureté (Duramin-20, Struers) sous une charge de 1 à 20 N. Un étalon d'acier dur (421 HV0,1, MPANRW 725001.1105) et un monocristal de nitrure de bore cubique ont été utilisés en tant que références. Au moins quatre indentations ont été effectuées pour chaque point pour donner de bonnes statistiques. Comme recommandé pour les matériaux cassants et durs, la dureté est reportée dans la région de dureté asymptotique. Les fissures radiales observées aux charges de 10 et 20 N ont permis de calculer la valeur indépendante de la charge fiable, de la ténacité à la fracture par la méthode décrite dans V.L. Solozhenko et al, dans Diamond and Related Mater/a/ 10, 2228(2001) qui avait été antérieurement utilisée pour d'autres matériaux super-durs. Les mesures dynamiques de TG/DTG sous air ont été effectuées en utilisant l'instrument NETZSCH STA 449 C fonctionnant à une vitesse de chauffage de 18°C/min dans l'intervalle de température de 27°C (300K) à 1367°C (1640 K).
Les résultats obtenus de toutes ces analyses sont ceux reportés dans la description qui précède.
Claims (4)
- REVENDICATIONS1. Nanonitrure de bore de structure cubique caractérisé en ce qu'il a une taille de cristaux comprise entre 1 nm et 50 nm inclus et en ce qu'il a un spectre Raman tel que noté 1 en figure 1, montrant uniquement cinq bandes larges centrées à 400, 820, 1050, 1250 et 1300 cm-1.
- 2. Procédé de fabrication de nanonitrure de bore de structure cubique selon la revendication 1 caractérisé en ce qu'il comprend les étapes suivantes : a) compression d'une poudre de nitrure de bore pyrolytique de structure de type graphite monomodal à une pression comprise entre 19 et 21 GPa et à température ambiante et, b) chauffage sous une pression comprise entre 19 et 21 GPa de la poudre à une température comprise entre 1447°C (1720 K) et 1547°C (1820 K) pendant moins de 2 minutes.
- 3. Procédé selon la revendication 2 caractérisé en ce que la pression à l'étape a) est de 20 GPa et la température à l'étape b) est de 1497°C.
- 4. Utilisation du nanonitrure de bore de structure cubique selon la revendication 1 ou obtenu par le procédé selon la revendication 2 ou 3 en tant que super abrasif.
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| FR0803976A FR2933690B1 (fr) | 2008-07-11 | 2008-07-11 | Nanonitrure de bore cubique |
| EP09784260A EP2318310A2 (fr) | 2008-07-11 | 2009-07-09 | Nanonitrure de bore cubique |
| US13/003,651 US20110230122A1 (en) | 2008-07-11 | 2009-07-09 | Nanoscale cubic boron nitride |
| PCT/FR2009/000852 WO2010004142A2 (fr) | 2008-07-11 | 2009-07-09 | Nanonitrure de bore cubique |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| FR0803976A FR2933690B1 (fr) | 2008-07-11 | 2008-07-11 | Nanonitrure de bore cubique |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| FR2933690A1 true FR2933690A1 (fr) | 2010-01-15 |
| FR2933690B1 FR2933690B1 (fr) | 2010-09-10 |
Family
ID=40291318
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| FR0803976A Expired - Fee Related FR2933690B1 (fr) | 2008-07-11 | 2008-07-11 | Nanonitrure de bore cubique |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US20110230122A1 (fr) |
| EP (1) | EP2318310A2 (fr) |
| FR (1) | FR2933690B1 (fr) |
| WO (1) | WO2010004142A2 (fr) |
Families Citing this family (13)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8734748B1 (en) * | 2010-09-28 | 2014-05-27 | The United States Of America As Represented By The Administrator Of National Aeronautics And Space Administration | Purifying nanomaterials |
| CN103569976B (zh) * | 2012-08-03 | 2016-09-14 | 燕山大学 | 超高硬度纳米孪晶氮化硼块体材料及其合成方法 |
| US9150458B2 (en) | 2013-01-28 | 2015-10-06 | King Abdulaziz University | Method of increasing the hardness of wurtzite crystalline materials |
| EP3333141B1 (fr) * | 2016-10-06 | 2021-12-15 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Procédé de production de polycristal de nitrure de bore, polycristal de nitrure de bore, outil de coupe, outil résistant à l'usure et outil de meulage |
| JP6720816B2 (ja) * | 2016-10-06 | 2020-07-08 | 住友電気工業株式会社 | 窒化ホウ素多結晶体の製造方法、窒化ホウ素多結晶体、切削工具、耐摩工具および研削工具 |
| JP7076531B2 (ja) * | 2018-09-27 | 2022-05-27 | 住友電工ハードメタル株式会社 | 立方晶窒化硼素多結晶体 |
| WO2020174923A1 (fr) * | 2019-02-28 | 2020-09-03 | 住友電工ハードメタル株式会社 | Nitrure de bore cubique polycristallin et son procédé de fabrication |
| WO2020175647A1 (fr) * | 2019-02-28 | 2020-09-03 | 住友電工ハードメタル株式会社 | Nitrure de bore cubique polycristallin et son procédé de production |
| WO2020174922A1 (fr) * | 2019-02-28 | 2020-09-03 | 住友電工ハードメタル株式会社 | Nitrure de bore cubique polycristallin et son procédé de production |
| WO2020175642A1 (fr) * | 2019-02-28 | 2020-09-03 | 住友電工ハードメタル株式会社 | Nitrure de bore cubique polycristallin et procédé de production associé |
| CN110152558A (zh) * | 2019-05-28 | 2019-08-23 | 河南四方达超硬材料股份有限公司 | 一种超硬材料的烧结装置及其使用方法 |
| KR102931060B1 (ko) | 2020-11-30 | 2026-02-24 | 삼성전자주식회사 | 비정질 질화 붕소막 및 이를 포함하는 반사 방지 코팅 구조체 |
| KR102906613B1 (ko) * | 2020-12-03 | 2025-12-30 | 삼성전자주식회사 | 비정질 질화 붕소막을 포함하는 하드 마스크 및 그 제조방법과, 하드마스크를 이용한 패터닝 방법 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0384857A1 (fr) * | 1989-02-20 | 1990-08-29 | Rhone-Poulenc Chimie | Procédé de préparation de nitrure de bore |
| US6383465B1 (en) * | 1999-12-27 | 2002-05-07 | National Institute For Research In Inorganic Materials | Cubic boron nitride and its gas phase synthesis method |
-
2008
- 2008-07-11 FR FR0803976A patent/FR2933690B1/fr not_active Expired - Fee Related
-
2009
- 2009-07-09 US US13/003,651 patent/US20110230122A1/en not_active Abandoned
- 2009-07-09 WO PCT/FR2009/000852 patent/WO2010004142A2/fr not_active Ceased
- 2009-07-09 EP EP09784260A patent/EP2318310A2/fr not_active Withdrawn
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0384857A1 (fr) * | 1989-02-20 | 1990-08-29 | Rhone-Poulenc Chimie | Procédé de préparation de nitrure de bore |
| US6383465B1 (en) * | 1999-12-27 | 2002-05-07 | National Institute For Research In Inorganic Materials | Cubic boron nitride and its gas phase synthesis method |
Non-Patent Citations (6)
| Title |
|---|
| BOLLO I ET AL: "Diamond and cubic boron nitride: synthesis and electronic applications", ADVANCED SEMICONDUCTOR DEVICES AND MICROSYSTEMS, 2002. THE FOURTH INTE RNATIONAL CONFERENCE ON 14-16 OCT 2002, PISCATAWAY, NJ, USA,IEEE, 14 October 2002 (2002-10-14), pages 1 - 11, XP010619349, ISBN: 978-0-7803-7276-4 * |
| SACHDEV H: "Influence of impurities on the morphology and Raman spectra of cubic boron nitride", 1 August 2003, DIAMOND AND RELATED MATERIALS, ELSEVIER SCIENCE PUBLISHERS, AMSTERDAM, NL, PAGE(S) 1275 - 1286, ISSN: 0925-9635, XP004438859 * |
| SAITOH H ET AL: "NUCLEATION OF BORON NITRIDE ON CUBIC BORON NITRIDE MICROCRYSTALLITEUSING CHEMICAL VAPOR DEPOSITION", APPLIED PHYSICS LETTERS, AIP, AMERICAN INSTITUTE OF PHYSICS, MELVILLE, NY, vol. 64, no. 13, 28 March 1994 (1994-03-28), pages 1638 - 1640, XP000441240, ISSN: 0003-6951 * |
| THEVENIN P; SOLTANI A; BATH A: "Synthesis of cubic boron nitride thin films by microwave PECVD", CONFERENCE PAPER, 3RD INTERNATIONAL CONFERENCE, NOVEL APPLICATIONS OF WIDE BANDGAP LAYERS, ABSTRACT BOOK (CAT. NO.01EX500), 2001, Piscataway, NJ, USA, pages 118 - 119, XP002513415 * |
| WERNINGHAUS T ET AL: "RAMAN SPECTROSCOPY INVESTIGATION OF SIZE EFFECTS IN CUBIC BORON NITRIDE", APPLIED PHYSICS LETTERS, AIP, AMERICAN INSTITUTE OF PHYSICS, MELVILLE, NY, vol. 70, no. 8, 24 February 1997 (1997-02-24), pages 958 - 960, XP001007781, ISSN: 0003-6951 * |
| XU ZHANG: "Surface enhanced Raman study of cubic boron nitride", JOURNAL PAPER CHEMICAL PHYSICS LETTERS, vol. 373, no. 5-6, 28 May 2003 (2003-05-28), Netherlands, pages 506 - 512, XP002513414 * |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| FR2933690B1 (fr) | 2010-09-10 |
| WO2010004142A2 (fr) | 2010-01-14 |
| US20110230122A1 (en) | 2011-09-22 |
| WO2010004142A3 (fr) | 2010-03-04 |
| EP2318310A2 (fr) | 2011-05-11 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| FR2933690A1 (fr) | Nanonitrure de bore cubique | |
| JP5175933B2 (ja) | 超硬質ダイヤモンド複合物 | |
| EP2752398B1 (fr) | Substance polycristalline complexe de nitrure de bore cubique, procédé pour sa fabrication, outil de coupe, filière d'étirage et outil de meulage | |
| US9061336B2 (en) | Wire drawing die | |
| CN110219042B (zh) | 多晶金刚石体、切削工具、耐磨工具、磨削工具以及用于制造多晶金刚石体的方法 | |
| EP1921049B1 (fr) | Diamant polycristallin de dureté élevée | |
| FR2963792A1 (fr) | Compositions de carbure cemente a liant a base d'alliage cobalt-silicium | |
| CN112340727B (zh) | 金刚石多晶体、切削工具、耐磨工具、以及磨削工具 | |
| CN104755420A (zh) | 多晶金刚石、其制造方法和工具 | |
| JP3877677B2 (ja) | 耐熱性ダイヤモンド複合焼結体とその製造法 | |
| CN107207358B (zh) | 复合多晶体及其制造方法 | |
| CN104136108B (zh) | 使用石墨烯改进pcd的烧结的方法 | |
| JP2004131336A (ja) | ダイヤモンド多結晶体およびその製造方法 | |
| KR20200140372A (ko) | 입방정 질화붕소 다결정체 및 그 제조 방법 | |
| CN109701447A (zh) | 一种无触媒的低压制备纳米聚晶金刚石的方法 | |
| Kovalenko et al. | Properties of diamonds seed-grown in the magnesium-carbon system | |
| JP6192253B1 (ja) | 立方晶窒化ホウ素粒子含有単結晶質ダイヤモンド粒子、およびその製造方法 | |
| AU2012361053A1 (en) | Diamond composite and a method of making a diamond composite | |
| US20200179888A1 (en) | Polycrystalline diamond construction and method of making same | |
| Jia et al. | Research on polycrystalline diamond compact (PDC) with low residual stress prepared using nickel-based additive | |
| US20150052823A1 (en) | Boron nitride composites | |
| CN106552555A (zh) | 带刻面的金刚石晶粒 | |
| RU2335556C2 (ru) | Способ получения алмазосодержащего материала | |
| JP2015531317A (ja) | 研削中の微小破砕を特徴とする単結晶ダイヤモンド又はcbn | |
| Komanduri et al. | Surface morphology of synthetic diamonds and cubic boron nitride |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| ST | Notification of lapse |
Effective date: 20140331 |