FR3159041A1 - Étape de nettoyage d’un procede de fabrication d’un substrat, le procede comprenant le report d’une couche mince monocristalline sur un support - Google Patents
Étape de nettoyage d’un procede de fabrication d’un substrat, le procede comprenant le report d’une couche mince monocristalline sur un supportInfo
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Abstract
L’invention concerne une étape de nettoyage de type RCA pour un procédé de fabrication d’un substrat par report d’une couche mince monocristalline sur un support. La solution de SC1 et la solution de SC2 qui composent ce nettoyage RCA sont agitées par l’intermédiaire d’un champ acoustique. La solution de rinçage, dans laquelle le substrat est immergé directement avant son immersion dans la solution de SC2, n’est quant à elle pas agitée par l’intermédiaire d’un champ acoustique.
Figure 1
Description
La présente invention concerne le domaine des substrats composites, c’est-à-dire des substrats formés par report d’une couche mince monocristalline sur un support. Il peut notamment s’agir de substrats de silicium sur isolant (SOI). Ces substrats trouvent des applications particulières dans les domaines de la microélectronique, de l’optoélectronique, des microsystèmes électromécaniques. Plus particulièrement, la présente invention concerne une étape de nettoyage d’un procédé de fabrication de tels substrats.
La technologie Smart Cut™, bien connue de la personne du métier, propose très généralement de fabriquer un substrat composite par report d’une couche mince, usuellement monocristalline, sur un support.
Dans les procédés s’appuyant sur cette technologie, la couche mince est prélevée d’un substrat donneur, qui peut par exemple être constitué d’un substrat massif de silicium monocristallin. La couche mince est définie dans le substrat donneur lors d’une étape de fragilisation par introduction d’espèces légères, usuellement par implantation d’ions d’hydrogène et/ou d’hélium, ces espèces tendant à former une couche fragile dans la profondeur du substrat donneur, délimitant la couche mince. Le substrat donneur est ensuite assemblé au support. Une couche diélectrique, typiquement un oxyde de silicium, est préalablement formée sur le substrat donneur et/ou sur le support. Elle se trouve intercalée, après l’assemblage, entre la couche mince reportée et le support.
Le détachement de la couche mince du reste du substrat donneur, et son report sur le support, est obtenu en sollicitant mécaniquement ou thermiquement l’assemblage formé du substrat donneur et du support, ce qui provoque la fracture du substrat donneur au niveau de la couche fragile.
Cette étape de détachement est suivie d’une séquence d’étapes de finition visant à améliorer la qualité cristalline de la couche mince reportée, son état de surface, son adhésion au support, et à lui donner, par amincissement, une épaisseur déterminée et très uniforme. Cette séquence est conventionnellement composée d’une pluralité d’étapes comprenant des recuits sous atmosphère réductrice ou neutre, des oxydations sacrificielles, une stabilisation, un polissage…
Quel que soit le procédé de fabrication utilisé, le substrat composite doit respecter des spécifications très précises. Celles-ci concernent notamment l’épaisseur et l’uniformité d’épaisseur de la couche mince et de la couche diélectrique.
La face exposée de la couche mince doit également présenter un état de surface irréprochable. A cet effet, il est usuel d’inspecter le substrat par microscopie en champ sombre à l’aide d’un faisceau lumineux incident se projetant en un point d’inspection balayant la surface exposée du substrat. Un dispositif collecteur de lumière et un détecteur permettent de mesurer la lumière diffusée au niveau du point d’inspection. Une telle inspection peut notamment être réalisée à l’aide de l’équipement d’inspection Surfscan™ SP1 de la société KLA.
Lorsque la surface inspectée est parfaitement plane et dépourvue de toute particule, le faisceau lumineux s’y réfléchit, sans subir aucune déviation, et aucun rayonnement lumineux n’est collecté et détecté par l’équipement. A contrario, toute irrégularité de surface ou particule présente au niveau du point d’inspection conduit à diffuser spatialement la lumière du faisceau selon des angles azimutaux et/ou d’élévations privilégiés qui sont collectés et dirigés vers le détecteur. La mesure de ce rayonnement constitue une signature porteuse d’informations de la présence, de la position et/ou de la nature d’un défaut de surface ou d’une particule au niveau du point d’inspection.
On désigne usuellement par l’expression « Light Point Defect » ou LPD (qui pourrait être traduit en français par l’expression « défaut ponctuel lumineux ») tout défaut de surface conduisant à produire un rayonnement diffus au niveau du point d’inspection, mesuré par le détecteur. On peut de la sorte former une carte des défauts présents sur la surface exposée de la couche mince, regrouper ces défauts par classes en fonction de la signature du rayonnement collecté, ou encore décompter ces défauts pour obtenir un indicateur de qualité ou de défectuosité de la surface de la couche mince.
Les particules présentent sur les surfaces exposées du substrat donneur, du support et de la couche mince, préalablement et à l’issue de chacune des étapes du procédé de fabrication, sont à l’origine de nombreux défaut de type LPD sur le substrat final. C’est pourquoi ces surfaces sont très méticuleusement et régulièrement nettoyées au cours de la fabrication d’un substrat composite.
Pour mettre en œuvre certaines de ces étapes de nettoyage, il est notamment connu d’appliquer un nettoyage RCA (« RCA clean » selon la terminologie du domaine, acronyme de Radio Corporation of America.) Un tel nettoyage comprend l’immersion successive du substrat dans une solution de SC1 (« Standard Clean 1 » pour « nettoyage standard 1 ») contenant de l'hydroxyde d'ammonium (NH4OH), du peroxyde d'hydrogène (H2O2) et de l'eau désionisée, puis dans une solution de SC2 (« Standard Clean 2 » pour « nettoyage standard 2 ») contenant de l'acide chlorhydrique (HCl), du peroxyde d'hydrogène (H2O2) et de l'eau désionisée.
Le nettoyage RCA comprend également l’immersion du substrat dans des solutions de rinçage, typiquement de l’eau désionisée, insérées avant et/ou après chacune des immersions dans les solutions de SC1, SC2.
La solution de SC1 est destinée principalement à retirer les particules isolées en surface du substrat et les particules enterrées au voisinage de cette surface, et à les empêcher de se redéposer. La solution de SC2 est quant à elle principalement destinée retirer les contaminants métalliques qui ont pu se déposer en surface de la couche mince en formant notamment des chlorures.
On trouvera dans la brochure « RCA Critical Cleaning Process » datée du 6/08/2007 et éditée par la société Microtech System, inc une description détaillée de ce nettoyage RCA et de son évolution
Il est par ailleurs usuel, lors d’un nettoyage RCA, d’agiter la solution de SC1 par l’intermédiaire d’un champ acoustique, par exemple en produisant un champ mégasonique ou ultrasonique. On pourra à ce propos se référer au document « Megasonic Particle Removal from Solid-State Wafers » de Shwartzman, S., Mayer, A., and Kern., RCA Review, 46:81 (1985).
Au regard de leurs effets sur la défectivité du substrat final et de leurs répétitions dans le procédé de fabrication de ce substrat, les étapes de nettoyages forment donc des étapes importantes de ce procédé. Elles ont des conséquences notables tant sur la qualité du substrat que sur la cadence du procédé, sur son coût et son impact environnemental, du fait de la consommation des ressources employées, notamment en solutions chimiques et en eau.
Un but de l’invention est de proposer une étape de nettoyage d’un procédé de fabrication d’un substrat, ce procédé comprenant le report d’une couche mince monocristalline sur un support. Cette étape de nettoyage se distingue des procédés de nettoyage de l’état de la technique. Lorsqu’elle est employée dans le procédé de fabrication du substrat, cette étape de nettoyage permet de réduire la défectuosité de surface de la couche mince en comparaison avec les performances d’autres étapes de nettoyages et/ou de maintenir cette défectuosité à un niveau comparable, mais en réduisant le temps d’immersion et, en conséquence, la quantité de ressources chimiques nécessaire.
En vue de la réalisation de l’un de ces buts, l’objet de l’invention propose une étape de nettoyage d’un substrat au cours d’un procédé de fabrication d’un substrat composite. Le procédé de fabrication comprend le report d’une couche mince monocristalline prélevée d’un substrat donneur sur un substrat support, l’étape de nettoyage comportant :
- l’immersion du substrat dans un premier récipient comprenant une solution de SC1, puis ;
- l’immersion du substrat dans un récipient de rinçage comprenant une solution de rinçage ;
- puis, directement après l’immersion du substrat dans le récipient de rinçage, l’immersion du substrat dans un deuxième récipient comprenant une solution de SC2.
La solution de SC1 est agitée par l’intermédiaire d’un champ acoustique lors de l’immersion du substrat dans le premier. Selon l’invention, la solution de rinçage n’est pas agitée par l’intermédiaire d’un champ acoustique lors de l’immersion du substrat dans le récipient de rinçage et dans le deuxième récipient.
De manière surprenante, en évitant l’agitation de cette solution de rinçage, on peut simplifier l’étape de nettoyage sans compromettre la qualité du substrat.
Selon d’autres caractéristiques avantageuses et non limitatives de l’invention, prises seules ou selon toute combinaison techniquement réalisable :
- l’étape de nettoyage comprend, entre l’immersion du substrat dans le premier et le deuxième récipient , son immersion dans au moins un autre récipient de rinçage comprenant la solution de rinçage, la solution de rinçage présente dans le au moins un autre récipient de rinçage étant agitée par l’intermédiaire d’un champ acoustique ;
- l’étape de nettoyage comprend, entre l’immersion du substrat dans le premier et le deuxième récipient, son immersion successive dans deux récipients de rinçage comprenant la solution de rinçage ;
- la solution de rinçage comprend de l’eau désionisée ;
- l’étape de nettoyage comprend, préalablement à l’immersion du substrat dans le premier récipient, l’immersion du substrat dans un récipient de rinçage empli d’eau désionisée ozonée.
Selon un autre aspect, l’invention propose un procédé de fabrication d’un substrat composite, ce procédé de fabrication comprenant le report d’une couche mince monocristalline prélevé d’un substrat donneur sur un substrat support par l’intermédiaire :
- d’une étape de fragilisation du substrat donneur ;
- d’une étape d’assemblage du substrat donneur au substrat support ;
- d’une étape de détachement de la couche mince du substrat donneur ;
- de l’application d’une séquence d’étapes de finition de la couche mince reportée sur le substrat support ;
Ce procédé est remarquable en ce qu’il comprend, avant ou après l’une de ces étapes, l’application d’une étape de nettoyage telle que définie précédemment.
Selon d’autres caractéristiques avantageuses et non limitatives de cet aspect de l’invention, prises seules ou selon toute combinaison techniquement réalisable :
- l’étape de nettoyage est appliquée directement après l’étape de détachement ;
- l’étape de nettoyage est appliquée après une étape de la séquence de finition ;
- l’étape de nettoyage est appliquée directement après l’étape de fragilisation ;
- la couche mince monocristalline est en silicium.
D’autres caractéristiques et avantages de l’invention ressortiront de la description détaillée de l’invention qui va suivre en référence à l’unique figure annexée sur laquelle :
LaFIG. 1 représente une mesure de la défectuosité d’une couche mince reportée sur un support, le procédé mettant en œuvre une variété d’étapes de nettoyage.
On présente dans cette description détaillée de l’invention les expérimentations qui ont été menées par la Demanderesse et qui ont conduit à établir une étape de nettoyage conforme à l’invention.
En préambule on précise que ces expérimentations ont été menées en intégrant les étapes de nettoyage évaluées au sein d’un procédé de fabrication d’un substrat de silicium sur isolant conforme à la technologie Smart Cut™ dont on a rappelé en introduction les principales étapes. Ce substrat est constitué d’un empilement formé d’une couche mince en silicium monocristallin, cette couche mince formant une couche superficielle du substrat dont l’épaisseur, à l’issue de sa fabrication, est de l’ordre de 100 nm, d’une couche diélectrique en oxyde de silicium et d’un support formé d’une plaquette massive de silicium monocristallin.
Plus spécifiquement, les étapes de nettoyage évaluées ont été appliquées à ce substrat directement après l’étape de détachement de la couche mince du substrat donneur. On note que cette étape de détachement conduit à générer une grande densité de particules en surface de la couche mince, ces particules étant issues de l’« arrachement » de cette couche du substrat donneur et/ou de la rupture de portions fragiles de cette couche, notamment en sa périphérie qui, à ce stade du procédé, n’est pas en adhésion totale avec le support. Le substrat obtenu à l’issue de cette étape de détachement forme donc, du fait de la densité importante de particules présentes en surface, un véhicule de test particulièrement intéressant à exploiter pour évaluer l’efficacité d’une étape de nettoyage.
Les substrats nettoyés selon les différentes étapes de nettoyage évaluées ont ensuite fait l’objet d’une même séquence de finition, consistant ici en un recuit long de lissage (« batch anneal » selon la terminologie anglo-saxonne employée dans le domaine) sous atmosphère neutre à une température comprise entre 1000°C et 1200°C.
Les substrats finaux obtenus à l’issue de cette séquence de finition ont été ensuite inspectés à l’aide d’un équipement d’inspection par microscopie en champ sombre tel que celui-ci a été présenté en introduction de cette demande.
Une telle inspection d’un substrat permet de mesurer la défectuosité de la surface exposée de la couche mince en décomptant les défauts LPD détectés. Ceux-ci peuvent être préalablement regroupés par classes, par exemple sur la base de leur taille. Le décompte peut être réalisé sur chacune des classes de défaut. La mesure de défectuosité peut combiner, de toute manière qui convient, les décomptes effectués. Dans tous les cas, et quelle que soit la manière avec laquelle on exploite les données fournies par l’équipement d’inspection, on dispose d’une mesure de la défectuosité de la surface exposée de la couche mince et, par comparaison, il est possible de déterminer l’efficacité relative de deux étapes de nettoyage distinctes.
Pour revenir aux étapes de nettoyage évaluées, celles-ci ont été menées dans un équipement de nettoyage composé de récipients emplis de solutions dans lesquels un substrat est successivement immergé. Dans un tel équipement, les récipients sont configurés pour maintenir à une température cible la température des solutions qu’ils contiennent. Ils sont également équipés de transducteur permettant de développer un champ d’ondes acoustiques dont la puissance est contrôlable, afin d’agiter la solution. Dans les expérimentations rapportées ci-dessous, et lorsque le transducteur associé à un récipient était effectivement activé, le champ d’onde présentait une fréquence de 750 kHz et une puissance de 600 W.
Un mécanisme robotisé de l’équipement de nettoyage permet d’immerger un substrat successivement dans les récipients, selon un ordre déterminé et pendant une durée déterminée, pour lui appliquer une séquence de nettoyage parfaitement maitrisée. Généralement, le mécanisme robotisé manipule une nacelle dans laquelle est positionnée une pluralité de substrats pour leur appliquer collectivement l’étape de nettoyage.
L’équipement de nettoyage est également pourvu de moyens permettant, à l’issue de l’immersion dans les récipients successifs, de soumettre le substrat à son rinçage rapide (« Quick Dump Rinse » selon l’expression généralement employée dans le domaine) et à son séchage. Ces deux étapes sont bien connues de la personne du métier et ne seront donc pas détaillées dans la présente description, par souci de concision.
Dans le cadre de la présente description et des expérimentations menées par la Demanderesse, l’équipement était composé d’un premier récipient comprenant une solution de SC1, d’un deuxième récipient comprenant une solution de SC2 et d’une pluralité de récipients de rinçage emplis d’une solution de rinçage.
La solution de SC1 est maintenue dans le premier récipient à une température comprise dans la gamme conventionnelle de 70°C à 75°C. La solution de SC2 était maintenue dans le deuxième récipient à une température comprise entre 28°C et 32°C.
La solution de rinçage qui emplit les récipients de rinçage est constituée d’eau désionisée maintenue à la température ambiante, de 21°C.
Dans certains cas qui seront détaillés ci-dessous, pour favoriser l’élimination des polluants organiques, et notamment les hydrocarbures, la solution de rinçage qui emplit le récipient de rinçage dans lequel est immergé le substrat avant son immersion dans la solution SC1 est constituée d’eau désionisée comprenant de l’ozone gazeux, la solution étant maintenue à la température ambiante, de 21°C.
Les tableaux suivants définissent sept étapes de nettoyage différentes (Nettoyage 1 à Nettoyage 7) qui ont été évaluées dans la perspective de trouver celles conduisant un compromis acceptable entre la défectuosité du substrat final, la durée du traitement et la consommation des ressources chimiques.
Chaque étape de nettoyage est définie par les conditions d’immersion du substrat dans chacun des récipients (numéroté 1 à 7 dans les lignes du tableau) de l’équipement de nettoyage utilisé. Plus précisément, on a précisé pour chaque immersion (chaque ligne du tableau), la durée de cette immersion, l’agitation ou l’absence d’agitation provoquée par l’intermédiaire du champ acoustique.
On note tout d’abord que les toutes les étapes de nettoyage évaluées présentaient les mêmes immersions finales (lignes 6 et 7 du tableau) dans le deuxième récipient contenant la solution de SC2 (pendant 180s) et dans la solution de rinçage constituée d’eau désionisée (pendant 180s). Les expérimentations menées cherchant à améliorer la défectuosité d’origine particulaire, on a principalement cherché à optimiser les conditions d’immersion dans la solution de SC1 et dans les solutions de rinçage qui succède cette immersion.
LaFIG. 1 représente la défectuosité D de chacune de ces étapes de nettoyage (numérotées 1 à 7 sur cette figure), mesurée par microscopie en champs sombre, pour y détecter des défauts LPD (exprimée en unité arbitraire sur la figure, une mesure relativement plus élevée dénotant une défectuosité relativement plus importante).
Le nettoyage numéroté 3 forme en quelque sorte un nettoyage de référence : le substrat est immergé dans les solutions contenues dans l’ensemble des récipients de l’équipement de nettoyage. Les solutions de rinçage et de SC1 sont toutes agitées par application d’un champ acoustique.
Le nettoyage numéroté 7 forme un second nettoyage de référence, qui diffère du nettoyage 3 par la durée plus longue (600s vs 346s) de l’immersion dans la solution de SC1. Cette durée d’immersion et de traitement du substrat dans cette solution étant plus longue, il est naturel d’observer que la défectuosité mesurée (d’origine particulaire, on le rappelle) est inférieure à celle mesurée dans le cas du nettoyage 3. Toutefois, cela engendre une durée plus longue de l’étape de nettoyage dans son ensemble, ce qui impacte la cadence de la ligne de production. De plus, une durée plus longue d’immersion dans la solution de SC1 nécessite de renouveler cette solution plus régulièrement, et la quantité de solutions utilisée ramenée au nombre de substrats traité est donc supérieure ce qui, dans un contexte industriel, est défavorable.
| Ordre Récipient | Nettoyage 1 | Nettoyage 2 | Nettoyage 3 | Nettoyage 4 |
| 1 - Rinçage | Sans O3 346s Agitation | Avec O3 346s Agitation | Avec O3 346s Agitation | Avec O3 346s Agitation |
| 2 - SC1 | 180s Agitation | 346s Agitation | 346s Agitation | 180s Agitation |
| 3 - Rinçage | 180s Agitation | 180s Agitation | 180s Agitation | 180s Agitation |
| 4 - Rinçage | 180s Sans agitation | 180s Agitation | 180s Agitation | 180s Sans agitation |
| 5 - Rinçage | - | - | 180s Agitation | - |
| 6 - SC2 | 180s Sans agitation | 180s Sans agitation | 180s Sans agitation | 180s Sans agitation |
| 7 - Rinçage | 180s Agitation | 180s Agitation | 180s Agitation | 180s Agitation |
| Ordre Récipient | Nettoyage 5 | Nettoyage 6 | Nettoyage 7 |
| 1 - Rinçage | Avec O3 346s Agitation | Avec O3 346s Agitation | Avec O3 346s Agitation |
| 2 - SC1 | 346s Agitation | 346s Agitation | 600s Agitation |
| 3 - Rinçage | 180s Agitation | 180s Agitation | 180s Agitation |
| 4 - Rinçage | 180s sans agitation | 180s Agitation | 180s Agitation |
| 5 - Rinçage | - | 180s Sans agitation | 180s Agitation |
| 6 - SC2 | 180s Sans agitation | 180s Sans agitation | 180s Sans agitation |
| 7 - Rinçage | 180s Agitation | 180s Agitation | 180s Agitation |
Comme cela est visible sur laFIG. 1 , les nettoyages 4,5 et 6 présentent une mesure de défectuosité D intermédiaire entre celles du nettoyage 3 et du nettoyage 7, prise en référence.
En interprétant ces résultats, les inventeurs de la présente demande ont observé que dans ces nettoyages 4,5,6 l’immersion dans la solution de rinçage qui précède directement l’immersion dans la solution de SC2 était réalisée sans agitation. Les performances sont similaires que l’immersion dans une solution de rinçage soit répétée trois fois (comme dans le nettoyage numéroté 6) ou deux fois uniquement (nettoyages 4 et 5) en omettant l’immersion de la ligne 5 du tableau. Dans le nettoyage 4, la durée de l’immersion dans la solution de SC1 est même réduite à 180s.
Les étapes de nettoyage 4 et 5 sont donc particulièrement avantageuses, pour les raisons de cadence et d’économie de ressources déjà évoquées. C’est également le cas de l’étape de nettoyage 6 qui atteint une défectuosité proche de celle du nettoyage 7, mais avec une durée d’immersion dans la solution de SC1 moindre.
En comparant les nettoyages 4 et 5, on observe qu’il est notamment possible d’omettre une immersion dans une solution de rinçage, dans la mesure où l’immersion dans la solution de rinçage qui précède directement l’immersion dans la solution de SC2 est réalisée sans agitation, sans affecter notablement la mesure de défectuosité.
On note que cette configuration avantageuse est également présente dans le nettoyage 1 du tableau, sans conduire au même niveau de performance que celui des nettoyages 4,5 et 7. Dans ce nettoyage 1 toutefois, la durée de l’immersion dans le premier récipient contenant la solution de SC1 est relativement réduite (180s) et l’ozone de la solution de rinçage qui précède l’immersion dans la solution de SC1 a été omis. Ce résultat tend à montrer le bénéfice de ce rinçage particulier.
Dans le nettoyage 2, on a simplement omis une immersion dans une solution de rinçage, et l’on observe que cette omission tend à dégrader la qualité du nettoyage.
Selon une interprétation possible de ces résultats, l’agitation des solutions dans lesquels sont immergés les substrats tend à briser des portions fragiles de la couche mince transférée. Ces portions fragiles sont notamment celles disposées en périphérie de la couche mince, qui ne sont pas en adhésion forte avec le support. Les particules qui résultent de ces brisures peuvent être évacuées lors d’une immersion suivante de rinçage. Toutefois, la solution de SC2 qui tend à rendre la surface traitée hydrophile tend également à retenir sur cette surface ces particules qui ne peuvent être efficacement évacuées. Pour éviter ce phénomène, on comprend qu'il soit préférable de ne pas agiter la solution de rinçage par l’intermédiaire d’un champ acoustique lorsque celle-ci précède directement l’immersion dans la solution de SC2, afin de ne pas provoquer la génération de particules qui ne pourraient être évacuées.
Bien entendu l'invention n'est pas limitée aux modes de mise en œuvre décrits et on peut y apporter des variantes de réalisation sans sortir du cadre de l'invention tel que défini par les revendications.
Bien que les expérimentations présentées aient été menées sur la surface de la couche mince directement après l’étape de fracture, cela ne limite nullement l’usage possible d’une étape de nettoyage conforme à l’invention. Cette étape de nettoyage peut être appliquée à l’issue de toute étape d’un procédé de fabrication d’un substrat par report de couche sur un support.
Une étape de nettoyage conforme à l’invention trouve un intérêt tout particulier à l’issue des étapes de fabrication susceptibles de générer des particules. C’est par exemple le cas lors des étapes d’amincissement de la couche mince reportée, par exemple par oxydation sacrificielle. Au cours d’un tel traitement, la solution de gravure de l’oxyde superficiel est susceptible de pénétrer périphériquement sous la couche mince, ce qui tend à la suspendre et à la rendre fragile. C’est également le cas pour le nettoyage du substrat donneur directement après que celui-ci ait subi l’étape de fragilisation, par implantation.
Par ailleurs, l’efficacité d’une étape de nettoyage conforme à l’invention, notamment lorsqu’elle est appliquée après l’étape de détachement de la couche mince, n’est nullement liée à une séquence de finition particulière du substrat. Des tests complémentaires menées par la demanderesse ont montré que les mêmes bénéfices pouvaient être obtenus pour une grande variété de séquences de finition, par exemple des séquences mettant en œuvre des recuits rapides plutôt qu’un unique recuit long utilisé dans les expérimentations présentées dans le corps de cette description, ou mettant en œuvre une pluralité de recuits longs.
Dans certains cas, il peut être bénéfique de répéter, en boucle, une pluralité de fois l’étape de nettoyage sur le même substrat. Il peut par exemple s’agir d’appliquer répétitivement cette étape deux ou trois fois.
Claims (10)
- Procédé de fabrication d’un substrat composite comprenant le report d’une couche mince monocristalline prélevée d’un substrat donneur sur un substrat support, le procédé de fabrication comprenant une étape de nettoyage d’un substrat comportant :
- l’immersion du substrat dans un premier récipient comprenant une solution de SC1, puis ;
- l’immersion du substrat dans un récipient de rinçage comprenant une solution de rinçage ;
- puis, directement après l’immersion du substrat dans le récipient de rinçage, l’immersion du substrat dans un deuxième récipient comprenant une solution de SC2 ;
- Procédé de fabrication d’un substrat composite selon la revendication précédente comprenant, entre l’immersion du substrat dans le premier et le deuxième récipient, son immersion dans au moins un autre récipient de rinçage comprenant la solution de rinçage, la solution de rinçage présente dans le au moins un autre récipient de rinçage étant agitée par l’intermédiaire d’un champ acoustique.
- Procédé de fabrication d’un substrat composite selon la revendication précédente comprenant entre l’immersion du substrat dans le premier et le deuxième récipient, son immersion successive dans deux récipients de rinçage comprenant la solution de rinçage.
- Procédé de fabrication d’un substrat composite selon l’une des revendications précédentes dans laquelle la solution de rinçage comprend de l’eau désionisée.
- Procédé de fabrication d’un substrat composite selon l’une des revendications précédentes comprenant, préalablement à l’immersion du substrat dans le premier récipient, l’immersion du substrat dans un récipient de rinçage empli d’eau désionisée ozonée.
- Procédé de fabrication d’un substrat composite selon l’une des revendications précédentes comprenant en outre :
- une étape de fragilisation du substrat donneur ;
- une étape d’assemblage du substrat donneur au substrat support ;
- une étape de détachement de la couche mince du substrat donneur ;
- l’application d’une séquence d’étapes de finition de la couche mince reportée sur le substrat support ;
- Procédé de fabrication selon la revendication précédente dans lequel l’étape de nettoyage est appliquée directement après l’étape de détachement.
- Procédé de fabrication selon la revendication précédente dans lequel l’étape de nettoyage est appliquée après une étape de la séquence de finition.
- Procédé de fabrication selon l’une des revendications 6 à 8 dans lequel l’étape de nettoyage est appliquée directement après l’étape de fragilisation.
- Procédé de fabrication selon l’une des revendications 6 à 8 dans lequel la couche mince monocristalline est en silicium.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| FR2401091A FR3159041A1 (fr) | 2024-02-05 | 2024-02-05 | Étape de nettoyage d’un procede de fabrication d’un substrat, le procede comprenant le report d’une couche mince monocristalline sur un support |
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| FR2401091 | 2024-02-05 | ||
| FR2401091A FR3159041A1 (fr) | 2024-02-05 | 2024-02-05 | Étape de nettoyage d’un procede de fabrication d’un substrat, le procede comprenant le report d’une couche mince monocristalline sur un support |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| FR3159041A1 true FR3159041A1 (fr) | 2025-08-08 |
Family
ID=91828976
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| FR2401091A Pending FR3159041A1 (fr) | 2024-02-05 | 2024-02-05 | Étape de nettoyage d’un procede de fabrication d’un substrat, le procede comprenant le report d’une couche mince monocristalline sur un support |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| FR (1) | FR3159041A1 (fr) |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE10150163A1 (de) * | 2001-10-11 | 2002-05-16 | Wacker Siltronic Halbleitermat | Verfahren zur Reinigung von Halbleiterscheiben |
| US20020189640A1 (en) * | 1998-04-21 | 2002-12-19 | Jack H. Linn | Sc-2 based pre-thermal treatment wafer cleaning process |
| US20050045202A1 (en) * | 2003-09-01 | 2005-03-03 | Chih-Yuan Huang | Method for wafer surface cleaning using hydroxyl radicals in deionized water |
| US20190363005A1 (en) * | 2018-05-28 | 2019-11-28 | Shenyang Silicon Technology Co., Ltd. | Method for changing edge stir of soi by film coating |
-
2024
- 2024-02-05 FR FR2401091A patent/FR3159041A1/fr active Pending
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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Non-Patent Citations (2)
| Title |
|---|
| "RCA Critical Cleaning Process", 8 June 2007 |
| SHWARTZMAN, S.MAYER, A.KERN.: "Megasonic Particle Removal from Solid-State Wafers", RCA REVIEW, vol. 46, 1985, pages 81, XP000821702 |
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