FR73531E - Réalisation d'un transistron au germanium obtenu par la méthode de double diffusion - Google Patents

Réalisation d'un transistron au germanium obtenu par la méthode de double diffusion

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FR73531E
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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DE1212215C2 (de) * 1961-07-12 1974-03-28 Halbleiterbauelement mit einem plattenfoermigen halbleiterkoerper mit pn-uebergangsflaechen

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE1212215C2 (de) * 1961-07-12 1974-03-28 Halbleiterbauelement mit einem plattenfoermigen halbleiterkoerper mit pn-uebergangsflaechen
DE1212215B (de) * 1961-07-12 1974-03-28 Halbleiterbauelement mit einem plattenfoermigen halbleiterkoerper mit pn-uebergangsflaechen

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