GR1003420B - Υλικα και διεργασιες μικρολιθογραφιας με βαση πολυακρυλικους υδροξυαλκυλεστερες - Google Patents

Υλικα και διεργασιες μικρολιθογραφιας με βαση πολυακρυλικους υδροξυαλκυλεστερες

Info

Publication number
GR1003420B
GR1003420B GR990100172A GR990100172A GR1003420B GR 1003420 B GR1003420 B GR 1003420B GR 990100172 A GR990100172 A GR 990100172A GR 990100172 A GR990100172 A GR 990100172A GR 1003420 B GR1003420 B GR 1003420B
Authority
GR
Greece
Prior art keywords
poly
hydroxyalkyl acrylates
tone image
materials
resists
Prior art date
Application number
GR990100172A
Other languages
English (en)
Inventor
Original Assignee
-
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by , - filed Critical
Publication of GR1003420B publication Critical patent/GR1003420B/el

Links

Landscapes

  • Addition Polymer Or Copolymer, Post-Treatments, Or Chemical Modifications (AREA)

Abstract

Στην παρούσα εφεύρεση περιγράφονται νέα ακτινοευαίσθητα υλικά μικρολιθογραφίας που περιέχουν πολυμερές από την κατηγορία των πολυακρυλικών υδροξυαλκυλεστέρων ως απαραίτητο συστατικό για την δημιουργία εικόνας και σχετικές λιθογραφικές διεργασίες. Τα υλικά αυτά δίνουν εικόνα θετικού τύπου όταν εκτίθενται σε ακτινοβολία που απορροφάται από το πολυμερές πολυακρυλικού υδροξυαλκυλεστέρα και εμφανίζονται με υδατικό βασικό διάλυμα. Οταν όμως στη σύσταση του υλικού περιέχεται φωτοευαίσθητη χημική ουσία που παράγει οξύ κατά την έκθεση δημιουργείται αδιάλυτο πλέγμα μέσω μηχανισμού χημικής ενίσχυσης και λαμβάνεται εικόνα αρνητικού τόνου κατά την υγρή εμφάνιση με κατάλληλο διαλύτη. Εναλλακτικά, μπορεί να ληφθεί θετική εικόνα αν αντί της υγρής εμφάνισης γίνει εκλεκτική πυριτίωση των περιοχών που δεν εκτέθηκαν στην ακτινοβολία και ακολουθήσει ξηρή εμφάνιση με κατάλληλης σύστασης πλάσμα αερίων.ΰ
GR990100172A 1999-05-26 1999-05-26 Υλικα και διεργασιες μικρολιθογραφιας με βαση πολυακρυλικους υδροξυαλκυλεστερες GR1003420B (el)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
GR99100172 1999-05-26

Publications (1)

Publication Number Publication Date
GR1003420B true GR1003420B (el) 2000-09-01

Family

ID=10943827

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
GR990100172A GR1003420B (el) 1999-05-26 1999-05-26 Υλικα και διεργασιες μικρολιθογραφιας με βαση πολυακρυλικους υδροξυαλκυλεστερες

Country Status (1)

Country Link
GR (1) GR1003420B (el)

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH01244447A (ja) * 1988-03-25 1989-09-28 Toshiba Corp パターン形成方法及びこれに用いるレジスト材料
EP0469584A1 (en) * 1990-07-31 1992-02-05 Nippon Paint Co., Ltd. Resist composition
EP0783136A2 (en) * 1995-12-05 1997-07-09 Shipley Company LLC Chemically amplified positive photoresists

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH01244447A (ja) * 1988-03-25 1989-09-28 Toshiba Corp パターン形成方法及びこれに用いるレジスト材料
EP0469584A1 (en) * 1990-07-31 1992-02-05 Nippon Paint Co., Ltd. Resist composition
EP0783136A2 (en) * 1995-12-05 1997-07-09 Shipley Company LLC Chemically amplified positive photoresists

Non-Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
AVIRAM A ET AL: "A New Family of Non-Chemically Amplified Resists", PROCEEDINGS OF SPIE, vol. 3331, 1998, pages 349 - 358, XP000870211 *
KI-HO BAIK ET AL: "SURFACE IMAGING AND DRY DEVELOPMENT FOR E-BEAM LITHOGRAPHY", MICROELECTRONIC ENGINEERING,NL,ELSEVIER PUBLISHERS BV., AMSTERDAM, vol. 17, no. 1 / 04, pages 269-273, XP000291764, ISSN: 0167-9317 *
PATENT ABSTRACTS OF JAPAN vol. 13, no. 580 (P - 980) 21 December 1989 (1989-12-21) *

Similar Documents

Publication Publication Date Title
EP0076028B1 (en) Aqueous processible, alcohol resistant flexographic printing plates
US4459349A (en) Photosensitive resin composition
CA1054840A (en) Photosensitive composition using maleic anhydride adduct of a 1,2,polybutadiene
US4196003A (en) Light-sensitive o-quinone diazide copying composition
JP2001183836A5 (el)
WO2003050613A3 (en) Method and apparatus for modification of chemically amplified photoresist by electron beam exposure
JPS6242259B2 (el)
Wu et al. Preparation of a photoacid generating monomer and its application in lithography
ATE17792T1 (de) Durch strahlung polymerisierbares gemisch und damit hergestelltes kopiermaterial.
KR20020090489A (ko) 화학증폭형 레지스트용 중합체 및 이를 함유한 화학증폭형레지스트 조성물
CA1151460A (en) Positive-working resist composition including a 1,2 quinone diazide and a n-heterocyclic compound with halogen substituents
JP2583364B2 (ja) 感光性樹脂組成物
Ito Deep-UV resists: Evolution and status
JP2003262952A5 (el)
EP1035437A3 (en) A radiation-sensitive resist material and a process for device fabrication using the same
GR1003420B (el) Υλικα και διεργασιες μικρολιθογραφιας με βαση πολυακρυλικους υδροξυαλκυλεστερες
US4340686A (en) Carbamated poly(vinyl alcohol) useful as a binder in elastomeric photopolymer compositions
JPH02161444A (ja) 光不安定性ブロックトイミドを有する画像反転ネガ型フォトレジストの製法
Mejiritski et al. Novel method of thermal epoxy curing based on photogeneration of polymeric amines and negative-tone image formation
JP2003186195A5 (el)
JPS6454441A (en) Manufacture of negative type photographic element and composition for photographic element and photography
WO2004044652A3 (en) Positive tone lithography with carbon dioxide development systems
JPS5855926A (ja) ポリアミド系線状高分子を用いる画像形成方法
JPS5518673A (en) Ionized radiation sensitive negative type resist
JPS561934A (en) Manufacture of resist image

Legal Events

Date Code Title Description
ML Lapse due to non-payment of fees

Effective date: 20141203