GR1008582B - Διαμορφωσεις αποδομησης υποστρωματος sic και κατασκευη συσκευων διοδων εκπομπης φωτος - Google Patents
Διαμορφωσεις αποδομησης υποστρωματος sic και κατασκευη συσκευων διοδων εκπομπης φωτοςInfo
- Publication number
- GR1008582B GR1008582B GR20140100424A GR20140100424A GR1008582B GR 1008582 B GR1008582 B GR 1008582B GR 20140100424 A GR20140100424 A GR 20140100424A GR 20140100424 A GR20140100424 A GR 20140100424A GR 1008582 B GR1008582 B GR 1008582B
- Authority
- GR
- Greece
- Prior art keywords
- led
- sic
- tablet
- formation
- segment
- Prior art date
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10H—INORGANIC LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING POTENTIAL BARRIERS
- H10H20/00—Individual inorganic light-emitting semiconductor devices having potential barriers, e.g. light-emitting diodes [LED]
- H10H20/80—Constructional details
- H10H20/81—Bodies
- H10H20/819—Bodies characterised by their shape, e.g. curved or truncated substrates
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10H—INORGANIC LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING POTENTIAL BARRIERS
- H10H20/00—Individual inorganic light-emitting semiconductor devices having potential barriers, e.g. light-emitting diodes [LED]
- H10H20/01—Manufacture or treatment
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10H—INORGANIC LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING POTENTIAL BARRIERS
- H10H20/00—Individual inorganic light-emitting semiconductor devices having potential barriers, e.g. light-emitting diodes [LED]
- H10H20/80—Constructional details
- H10H20/81—Bodies
- H10H20/819—Bodies characterised by their shape, e.g. curved or truncated substrates
- H10H20/82—Roughened surfaces, e.g. at the interface between epitaxial layers
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10H—INORGANIC LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING POTENTIAL BARRIERS
- H10H20/00—Individual inorganic light-emitting semiconductor devices having potential barriers, e.g. light-emitting diodes [LED]
- H10H20/80—Constructional details
- H10H20/882—Scattering means
Landscapes
- Led Devices (AREA)
Abstract
Η εφεύρεση προτείνει μια μέθοδο κατασκευής για την ενίσχυση της φωτεινότητας διατάξεων LED με βάση το SiC, χρησιμοποιώντας διπλή έκθεση της επιφάνειας εκπομπής του φωτός μιας διάταξης LED ή τμήματος LED ή δισκίου SiC, σε κατάλληλης ενέργειας γραμμικά πολωμένης ακτινοβολίας ενός femtosecond λέιζερ. Η πρώτη έκθεση έχει ως αποτέλεσμα το σχηματισμό ενός μοτίβου παράλληλων περιοδικών αυλακώσεων επί της επιφάνειας SiC. Στη συνέχεια, η διάταξη LED, ή το τμήμα LED, ή το δισκίο SiC περιστρέφεται κατά 90 μοίρες και στη συνέχεια ακτινοβολείται για δεύτερη φορά. Η διπλή έκθεση καταλήγει στο σχηματισμό μιας συστοιχίας περιοδικών νανοαυλακώσεων και κοιλάδων πάνω στην επιφάνεια SiC. Αυτές οι νανοαυλακώσεις ενεργούν ως αντι-ανακλαστική επίστρωση λόγω ομαλής μεταβολής του δείκτη διάθλασης από την τιμή του στον κρύσταλλο σε αυτή του αέρα και έχει ως αποτέλεσμα την αύξηση της εσωτερικής κβαντικής απόδοσης του LED. Η μέθοδος κατασκευής μπορεί να πραγματοποιηθεί κατά τη διάρκεια LED ή πριν ή μετά την παρασκευή της διάταξης LED. Η διαδικασία κατασκευής μπορεί να πραγματοποιηθεί στον αέρα ή μετά τη βύθιση διάταξης LED, ή τμήματος LED, ή δισκίου SiC σε υγρό.
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| GR20140100424A GR1008582B (el) | 2014-07-31 | 2014-07-31 | Διαμορφωσεις αποδομησης υποστρωματος sic και κατασκευη συσκευων διοδων εκπομπης φωτος |
| PCT/GR2015/000040 WO2016016670A1 (en) | 2014-07-31 | 2015-07-31 | Ablating sic wafer configurations and manufacturing light emitting diode (led) devices |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| GR20140100424A GR1008582B (el) | 2014-07-31 | 2014-07-31 | Διαμορφωσεις αποδομησης υποστρωματος sic και κατασκευη συσκευων διοδων εκπομπης φωτος |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| GR1008582B true GR1008582B (el) | 2015-10-06 |
Family
ID=52815024
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| GR20140100424A GR1008582B (el) | 2014-07-31 | 2014-07-31 | Διαμορφωσεις αποδομησης υποστρωματος sic και κατασκευη συσκευων διοδων εκπομπης φωτος |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| GR (1) | GR1008582B (el) |
| WO (1) | WO2016016670A1 (el) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP3759529B8 (en) * | 2018-02-28 | 2023-10-11 | Biomimetic Private Company | Using lasers to reduce reflection of transparent solids, coatings and devices employing transparent solids |
| CN111157671B (zh) * | 2020-01-17 | 2021-02-19 | 南京航空航天大学 | 模拟陶瓷基复合材料在高温燃气环境下烧蚀形貌的方法 |
| US20240266462A1 (en) * | 2023-02-02 | 2024-08-08 | Creeled, Inc. | Laser etching for light-emitting diode devices and related methods |
Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002368289A (ja) * | 2001-06-12 | 2002-12-20 | Sony Corp | 樹脂形成素子、画像表示装置及び照明装置とその製造方法 |
| JP2005150261A (ja) * | 2003-11-12 | 2005-06-09 | Matsushita Electric Works Ltd | 多重反射防止構造を備えた発光素子とその製造方法 |
| US20080179611A1 (en) * | 2007-01-22 | 2008-07-31 | Cree, Inc. | Wafer level phosphor coating method and devices fabricated utilizing method |
| EP2120272A1 (en) * | 2007-03-05 | 2009-11-18 | Fujifilm Corporation | Light emitting element, method for manufacturing the light emitting element, optical element and method for manufacturing the optical element |
| EP2466651A1 (en) * | 2010-10-08 | 2012-06-20 | Enraytek Optoelectronics Co., Ltd. | Light emitting device and manufacturing method thereof |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN100379043C (zh) | 2005-04-30 | 2008-04-02 | 中国科学院半导体研究所 | 全角度反射镜结构GaN基发光二极管及制作方法 |
-
2014
- 2014-07-31 GR GR20140100424A patent/GR1008582B/el active IP Right Grant
-
2015
- 2015-07-31 WO PCT/GR2015/000040 patent/WO2016016670A1/en not_active Ceased
Patent Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002368289A (ja) * | 2001-06-12 | 2002-12-20 | Sony Corp | 樹脂形成素子、画像表示装置及び照明装置とその製造方法 |
| JP2005150261A (ja) * | 2003-11-12 | 2005-06-09 | Matsushita Electric Works Ltd | 多重反射防止構造を備えた発光素子とその製造方法 |
| US20080179611A1 (en) * | 2007-01-22 | 2008-07-31 | Cree, Inc. | Wafer level phosphor coating method and devices fabricated utilizing method |
| EP2120272A1 (en) * | 2007-03-05 | 2009-11-18 | Fujifilm Corporation | Light emitting element, method for manufacturing the light emitting element, optical element and method for manufacturing the optical element |
| EP2466651A1 (en) * | 2010-10-08 | 2012-06-20 | Enraytek Optoelectronics Co., Ltd. | Light emitting device and manufacturing method thereof |
Non-Patent Citations (1)
| Title |
|---|
| E.V. BARMINA ET. AL: "Nanostructuring of single crystal silicon carbide by oicosecond UV laser radiation", QUANTUM ELECTRONICS, vol. 43, no. 12, 1 January 2013 (2013-01-01), pages 1091 - 1093, XP002739765 * |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| WO2016016670A1 (en) | 2016-02-04 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CY1123182T1 (el) | Συστημα κατα της βιοαποθεσης | |
| EP3780130A4 (en) | QUANTUMINESCENT LIGHT DIODE AND ITS MANUFACTURING PROCESS, AND DISPLAY DEVICE | |
| EP3875850A3 (en) | Light-emitting device | |
| EA201391292A1 (ru) | Способ получения подложки, обеспеченной покрытием | |
| JP2015232993A5 (el) | ||
| EP3165876A3 (de) | Opto-elektronisches vermessungsgerät | |
| MY182760A (en) | Diffractive lens and optical device using the same | |
| CY1121080T1 (el) | Συσκευη ψυξης για την ψυξη ενος ρευστου μεσω επιφανειακων υδατων | |
| EP3998645A4 (en) | ELECTROLUMINESCENT ELEMENT, METHOD FOR MANUFACTURING IT AND DISPLAY DEVICE COMPRISING IT | |
| EP3677934A4 (en) | WAVELENGTH CONVERSION ELEMENT, LIGHT SOURCE, LIGHTING DEVICE, AND METHOD OF MANUFACTURING A WAVELENGTH CONVERSION ELEMENT | |
| IL271086A (en) | Light energy fluorescence excitation | |
| EP4315436A4 (en) | LIGHT-EMITTING DEVICE WITH NANOSTRUCTURED LIGHT EXTRACTION LAYER | |
| GR1008582B (el) | Διαμορφωσεις αποδομησης υποστρωματος sic και κατασκευη συσκευων διοδων εκπομπης φωτος | |
| CY1125166T1 (el) | Μεθοδος για την παραγωγη ενος οδοστρωματος φωταυγειας, οδοστρωμα φωταυγειας που λαμβανεται με την εν λογω μεθοδο, συνδυασμος και χρηση του συνδυασμου | |
| RU2017112983A (ru) | Гибкое светоизлучающее устройство | |
| JP2016121926A5 (el) | ||
| AR108704A1 (es) | Filtro óptico y método para la manufactura de un filtro óptico | |
| JP2016111131A5 (el) | ||
| CY1121068T1 (el) | Συσκευη ψυξης για την ψυξη ενος ρευστου μεσω επιφανειακων υδατων | |
| EA201990029A1 (ru) | Прибор на органических светодиодах и устройство отображения | |
| JP2018046314A5 (el) | ||
| JP2015130319A5 (ja) | 発光装置、電子機器、および照明装置 | |
| JP2016062657A5 (el) | ||
| JP2015144106A5 (el) | ||
| KR102260480B9 (ko) | 유기 발광 소자 및 그 제조 방법 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PG | Patent granted |
Effective date: 20151209 |