GR20150100472A - Δισκια πολυκρυσταλλικου πυριτιου με διαμορφωμενες μικροδομες στις επιφανειες τους για την βελτιωση της ηλιακης απορροφησης - Google Patents

Δισκια πολυκρυσταλλικου πυριτιου με διαμορφωμενες μικροδομες στις επιφανειες τους για την βελτιωση της ηλιακης απορροφησης Download PDF

Info

Publication number
GR20150100472A
GR20150100472A GR20150100472A GR20150100472A GR20150100472A GR 20150100472 A GR20150100472 A GR 20150100472A GR 20150100472 A GR20150100472 A GR 20150100472A GR 20150100472 A GR20150100472 A GR 20150100472A GR 20150100472 A GR20150100472 A GR 20150100472A
Authority
GR
Greece
Prior art keywords
silicon
microstructures
contact
thick
wafers
Prior art date
Application number
GR20150100472A
Other languages
English (en)
Inventor
Μιχαηλ Μαρινου Σιγαλας
Ελενη Αποστολου Καρανταγλη
Αριστοτελης Παναγιωτη Σγουρος
Κωνσταντινος Γεωργιου Μισιακος
Ελευθεριος Ευσταθιου Λοιδωρικης
Σοφοκλης Ιωαννης Πιταροκοιλης
Δημητριος Ιωαννη Βαρβιτσιωτης
Original Assignee
Πανεπιστημιο Πατρων
Εθνικο Κεντρο Ερευνας Φυσικων Επιστημων Δημοκριτος (Εκεφε Δ)
Πανεπιστημιο Ιωαννινων
Solar Cells Hellas Εναλλακτικα Συστηματα Παραγωγης Ενεργειας Ανωνυμη Εταιρεια
Μιχαηλ Μαρινου Σιγαλας
Ελενη Αποστολου Καρανταγλη
Αριστοτελης Παναγιωτη Σγουρος
Κωνσταντινος Γεωργιου Μισιακος
Ελευθεριος Ευσταθιου Λοιδωρικης
Σοφοκλης Ιωαννης Πιταροκοιλης
Δημητριος Ιωαννη Βαρβιτσιωτης
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Πανεπιστημιο Πατρων, Εθνικο Κεντρο Ερευνας Φυσικων Επιστημων Δημοκριτος (Εκεφε Δ), Πανεπιστημιο Ιωαννινων, Solar Cells Hellas Εναλλακτικα Συστηματα Παραγωγης Ενεργειας Ανωνυμη Εταιρεια, Μιχαηλ Μαρινου Σιγαλας, Ελενη Αποστολου Καρανταγλη, Αριστοτελης Παναγιωτη Σγουρος, Κωνσταντινος Γεωργιου Μισιακος, Ελευθεριος Ευσταθιου Λοιδωρικης, Σοφοκλης Ιωαννης Πιταροκοιλης, Δημητριος Ιωαννη Βαρβιτσιωτης filed Critical Πανεπιστημιο Πατρων
Priority to GR20150100472A priority Critical patent/GR20150100472A/el
Publication of GR20150100472A publication Critical patent/GR20150100472A/el

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
    • H10F77/00—Constructional details of devices covered by this subclass
    • H10F77/30—Coatings
    • H10F77/306—Coatings for devices having potential barriers
    • H10F77/311—Coatings for devices having potential barriers for photovoltaic cells
    • H10F77/315—Coatings for devices having potential barriers for photovoltaic cells the coatings being antireflective or having enhancing optical properties
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
    • H10F77/00—Constructional details of devices covered by this subclass
    • H10F77/30—Coatings
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
    • H10F10/00—Individual photovoltaic cells, e.g. solar cells
    • H10F10/10—Individual photovoltaic cells, e.g. solar cells having potential barriers
    • H10F10/14—Photovoltaic cells having only PN homojunction potential barriers
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
    • H10F77/00—Constructional details of devices covered by this subclass
    • H10F77/10—Semiconductor bodies
    • H10F77/16—Material structures, e.g. crystalline structures, film structures or crystal plane orientations
    • H10F77/162—Non-monocrystalline materials, e.g. semiconductor particles embedded in insulating materials
    • H10F77/164—Polycrystalline semiconductors
    • H10F77/1642—Polycrystalline semiconductors including only Group IV materials
    • H10F77/1645—Polycrystalline semiconductors including only Group IV materials including microcrystalline silicon
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
    • H10F77/00—Constructional details of devices covered by this subclass
    • H10F77/40—Optical elements or arrangements
    • H10F77/42—Optical elements or arrangements directly associated or integrated with photovoltaic cells, e.g. light-reflecting means or light-concentrating means
    • H10F77/48—Back surface reflectors [BSR]
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
    • H10F77/00—Constructional details of devices covered by this subclass
    • H10F77/70—Surface textures, e.g. pyramid structures
    • H10F77/703—Surface textures, e.g. pyramid structures of the semiconductor bodies, e.g. textured active layers
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
    • H10F77/00—Constructional details of devices covered by this subclass
    • H10F77/70—Surface textures, e.g. pyramid structures
    • H10F77/707—Surface textures, e.g. pyramid structures of the substrates or of layers on substrates, e.g. textured ITO layer on a glass substrate
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
    • Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
    • Y02E10/52—PV systems with concentrators
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
    • Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
    • Y02E10/545—Microcrystalline silicon PV cells
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
    • Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
    • Y02E10/546—Polycrystalline silicon PV cells
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
    • Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
    • Y02E10/548—Amorphous silicon PV cells

Landscapes

  • Photovoltaic Devices (AREA)

Abstract

Η προτεινόμενη εφεύρεση αναφέρεται στη δημιουργία μικροδομών (εξοχών ή εσοχών) στην επιφάνεια δισκίων πολυκρυσταλλικού πυριτίου (pc-Si) πάχους 100-200μm με επαφή p-n και με μεταλλικές οπισθοεπαφές πάχους περίπου ίσου με 1μm. Με τη δημιουργία μικροδομών κατάλληλων διαστάσεων (τύπου κολωνακίων ή οπών κυλινδρικής ή τετραγωνικής διατομής, κωνικού τύπου κολωνάκια) μπορούμε να μειώσουμε την ανακλαστικότητα του φωτός από την επιφάνεια και έτσι να αυξήσουμε την απορρόφησή του εντός του πυριτίου. Η δημιουργία μικροδομών στην επιφάνεια του πυριτίου μπορεί να αυξήσει σημαντικά την απορρόφηση της ηλεκτρομαγνητικής ακτινοβολίας ενώ η δημιουργία δομών της τάξεως του 1μm στην μεταλλική οπισθοεπαφή παρουσιάζει σημαντική βελτίωση στην απορροφητικότητα του φωτός.

Description

   Δισκία Πολυκρυσταλλικού Πυριτίου με Διαμορφωμένες Μικροδομές στις Επιφάνειές τους για την Βελτίωση της Ηλιακής Απορρόφησης
Η εφεύρεση αναφέρεται σε δισκία πολυκρυσταλλικού πυριτίου (pc-Si) με διαμορφωμένες μικροδομές (εξοχές ή εσοχές) στις επιφάνειές τους για την βελτίωση της ηλιακής απορρόφησης.
Φωτοαγωγιμότητα ονομάζεται η αυξημένη αγωγιμότητα που παρατηρείται σε ημιαγωγούς όταν προσπίπτει φως σε αυτά. Το φωτοβολτακό (ΦΒ) φαινόμενο προκύπτει όταν δύο φωτοαγώγιμα ημιαγώγιμα υλικά βρίσκονται σε επαφή και εκτίθενται στο φως.
Οι περισσότερες κατηγορίες φωτοβολτακών όπως και τα παρόντα πολυκρυσταλικού πυριτίου αποτελούνται από ένα ημιαγώγιμο στρώμα τύπου ρ στην οποία έχουμε περίσσια οπών και ένα ημιαγώγιμο στρώμα τύπου η στο οποίο έχουμε περίσσια ηλεκτρονίων. Το φωτοβολτακό φαινόμενο είναι αποτέλεσμα της δημιουργίας ελεύθερων ηλεκτρονικών φορέων (ηλεκτρονίων ή οπών) στο εσωτερικό των ημιαγώγιμων στρωμάτων και τη δημιουργία στην περιοχή της επαφής των δύο ημιαγώγιμων στρωμάτων ενός εσωτερικού ηλεκτρικού πεδίου που εξαναγκάζει τους φορείς να κινηθούν σε αντίθετες κατευθύνσεις.
Κατά καιρούς έχουν παρουσιαστεί διάφορες τεχνικές προτάσεις για την βελτίωση της φωτοαγωγιμότητας και την βελτίωση της απόδοσης των φωτοβολτακών.
Στις εφευρέσεις US8895847 και US8686284 παρουσιάζονται δομές για βελτίωση της απορροφητικότητας του φωτός ενώ στην CN 104393118 παρουσιάζεται τεχνική επεξεργασίας της επιφάνειας κρυσταλλικού πυριτίου.
Η προτεινόμενη εφεύρεση αναφέρεται στη δημιουργία μικροδομών (εξοχών ή εσοχών) στην επιφάνεια δισκίων πολυκρυσταλλικού πυριτίου (pc-Si) πάχους 100-200μιπ με επαφή p-n και με μεταλλικές οπισθοεπαφές πάχους περίπου ίσου με 1 μm.
Με τη δημιουργία μικροδομών κατάλληλων διαστάσεων (τύπου κολονακίων ή οπών κυλινδρικής ή τετραγωνικής διατομής, κωνικού τύπου κολονάκια) μπορούμε να μειώσουμε την ανακλαστικότητα του φωτός από την επιφάνεια και έτσι να αυξήσουμε την απορρόφησή του εντός του πυριτίου. Τα κολονάκια ή και οι οπές κυκλικής διατομής παρουσιάζουν παρόμοια συμπεριφορά / απόδοση με τα κολονάκια τετραγωνικής διατομής.
Η δημιουργία μικροδομών στην επιφάνεια του πυριτίου μπορεί να αυξήσει σημαντικά την απορρόφηση της ηλεκτρομαγνητικής ακτινοβολίας ενώ η δημιουργία δομών της τάξεως του 1 μm στην μεταλλική (πχ ασήμι, κλπ) οπισθοεπαφή παρουσιάζει σημαντική βελτίωση στην απορροφητικότητα του φωτός.
Η ελαχιστοποίηση της ανακλαστικότητας και ταυτόχρονη αύξηση της απορρόφησης αυξάνουν τον συντελεστή απόδοσης (ποσοστό μετατροπής ενέργειας ηλιακής ακτινοβολίας σε ηλεκτρική ενέργεια). Ακόμη και 1 % αύξηση του συντελεστή απόδοσης είναι σημαντικός γιατί διαφοροποιεί το φωτοβολτακό από τα υπάρχοντα με την προϋπόθεση ότι δεν αυξάνει σημαντικά το κόστος παραγωγής του.
Χρησιμοποιώντας τεχνικές χαμηλού κόστους (όπως λιθογραφία αποτύπωσης -imprint lithography) οι μικροδομές της παρούσας εφεύρεσης μπορούν να ενσωματωθούν στην επικρατούσα μέθοδο παρασκευής φωτοβολτακού πολυκρυσταλλικού πυριτίου. Έτσι δεν αναμένεται να αυξηθεί το κόστος τους ενώ ο συντελεστής απόδοσής τους θα αυξηθεί.
Η εφεύρεση περιγράφεται παρακάτω με την βοήθεια παραδειγμάτων και με αναφορά στα συνημμένα σχέδια, στα οποία σχήματα τα δύο ημιαγώγιμα στρώματα (πυρίτιο τύπου p και n) δείχνονται σαν ένα (πχ 101 , 201 , 301 , κλπ) αφού οι οπτικές τους ιδιότητες (δείκτης διάθλασης) για τις οποίες ενδιαφερό μαστέ σε αυτή την εφεύρεση έχουν ελάχιστες διαφορές.
Τα σχέδια 6 & 7 απεικονίζουν δισκία πολυκρυσταλλικού πυριτίου (pc-Si) με μεταλλικές οπισθοεπαφές τα οποία αποτελούνται από αντιανακλαστικό στρώμα νιτριδίου του πυριτίου - Si3N4(603, 605, 703, 705) και μικροδομές τύπου κολονακίων (604) ή οπών (708) κυλινδρικής ή τετραγωνικής διατομής πάνω στο στρώμα του πυριτίου (601 , 701).
Τα σχέδια 2 & 3 απεικονίζουν δισκία πολυκρυσταλλικού πυριτίου (pc-Si) με μεταλλικές οπισθοεπαφές τα οποία αποτελούνται από αντιανακλαστικό στρώμα νιτριδίου του πυριτίου - Si3N4(203, 303) με μικροδομές τύπου κολονακίων (204) ή οπών (304) κυλινδρικής ή τετραγωνικής διατομής στο αντιανακλαστικό στρώμα.
Το σχέδιο 5 απεικονίζει δισκίο πολυκρυσταλλικού πυριτίου (pc-Si) με μεταλλική οπισθοεπαφή το οποίο αποτελείται από αντιανακλαστικό στρώμα νιτριδίου του πυριτίου - Si3N4(503) με μικροδομές κωνικού τύπου κολονάκια (504) πάνω στο αντιανακλαστικό στρώμα.
Τα σχέδια 1 , 4 & 4a απεικονίζουν δισκία πολυκρυσταλλικού πυριτίου (pc-Si) με μεταλλικές οπισθοεπαφές τα οποία αποτελούνται από αντιανακλαστικό στρώματα νιτριδίου του πυριτίου - Si3N4(103, 403, 403a) και διοξειδίου του πυριτίου - SiO2(104, 106, 404, 404a, 406) με μικροδομές τύπου κολονακίων (105, 405, 405a) κυλινδρικής ή τετραγωνικής διατομής πάνω στο στρώμα του νιτριδίου του πυριτίου (103, 403, 403a).
Το σχέδιο 8 απεικονίζει δισκίο πολυκρυσταλλικού πυριτίου (pc-Si) με μεταλλική οπισθοεπαφή το οποίο αποτελείται από αντιανακλαστικό στρώμα νιτριδίου του πυριτίου - Si3N4(803) και μικροδομές τύπου κολονακίων (804) κυλινδρικής ή τετραγωνικής διατομής μεταξύ του πυριτίου (801) και της οπισθοεπαφής (802).
Το σχέδιο 9 απεικονίζει δισκίο πολυκρυσταλλικού πυριτίου (pc-Si) με μεταλλική οπισθοεπαφή το οποίο αποτελείται από αντιανακλαστικό στρώμα νιτριδίου του πυριτίου - Si3N4(903) και μικροδομές τύπου οπών (904) κυλινδρικής ή τετραγωνικής δ ιατομής μεταξύ του πυριτίου (901) και της οπισθοεπαφής (902).
Το σχέδιο 6a απεικονίζει δισκίο πολυκρυσταλλικού πυριτίου (pc-Si) με μεταλλική οπισθοεπαφή το οποίο αποτελείται από αντιανακλαστικό στρώματα νιτριδίου του πυριτίου (603a) και διοξειδίου του πυριτίου - SiO2(604a, 607a) με μικροδομές τύπου κολονακίων (605a) κυλινδρικής ή τετραγωνικής διατομής πάνω στο στρώμα του πυριτίου (601a).
Το σχέδιο 10 απεικονίζει την κάτοψη δισκίου πολυκρυσταλλικού πυριτίου (pc-Si) το οποίο αποτελείται από αντιανακλαστικό στρώμα νιτριδίου του πυριτίου - Si3N4με μικροδομές τύπου κολονακίων ή οπών κυλινδρικής διατομής ή μικροδομές κωνικού τύπου κολονάκια στο αντιανακλαστικό στρώμα.

Claims (8)

ΑΞΙΩΣΕΙΣ
1.  Δισκία πολυκρυσταλλικού πυριτίου (pc-Si) πάχους 100-200μm με επαφή ρ-η και με μεταλλικές οπισθοεπαφές πάχους περίπου ίσου με 1 μm, χαρακτηριζόμενα από διαμορφωμένες στις επιφάνειές τους μικροδομές (εξοχές ή εσοχές).
2.  Δισκία πολυκρυσταλλικού πυριτίου (pc-Si) πάχους 100-200μm με επαφή p-n και με μεταλλικές οπισθοεπαφές πάχους περίπου ίσου με 1 μιπ σύμφωνα με την αξίωση 1 , τα οποία χαρακτηρίζονται από αντιανακλαστικό στρώμα νιτριδίου του πυριτίου - Si3N4(603, 605, 703, 705) και μικροδομές τύπου κολονακίων (604) ή οπών (708) κυλινδρικής ή τετραγωνικής διατομής πάνω στο στρώμα του πυριτίου (601 , 701).
3.  Δισκία πολυκρυσταλλικού πυριτίου (pc-Si) πάχους 100-200μm με επαφή p-n και με μεταλλικές οπισθοεπαφές πάχους περίπου ίσου με 1 μηι σύμφωνα με την αξίωση 1 , τα οποία χαρακτηρίζονται από αντιανακλαστικό στρώμα νιτριδίου του πυριτίου - Si3N4(203, 303) με μικροδομές τύπου κολονακίων (204) ή οπών (304) κυλινδρικής ή τετραγωνικής διατομής στο αντιανακλαστικό στρώμα.
4.  Δισκία πολυκρυσταλλικού πυριτίου (pc-Si) πάχους 100-200μm με επαφή ρ-η και με μεταλλικές οπισθοεπαφές πάχους περίπου ίσου με 1 μm σύμφωνα με την αξίωση 1 , τα οποία χαρακτηρίζονται από αντιανακλαστικό στρώμα νιτριδίου του πυριτίου - Si3N4(503) με μικροδομές κωνικού τύπου κολονάκια (504) πάνω στο αντιανακλαστικό στρώμα.
5.  Δισκία πολυκρυσταλλικού πυριτίου (pc-Si) πάχους 100-200μm με επαφή p-η και με μεταλλικές οπισθοεπαφές πάχους περίπου ίσου με 1 μm σύμφωνα με την αξίωση 1 , τα οποία χαρακτηρίζονται από αντιανακλαστικό στρώματα νιτριδίου του πυριτίου - Si3N4(103, 403, 403a) και διοξειδίου του πυριτίου - SiO2(104, 106, 404, 404a, 406) με μικροδομές τύπου κολονακίων (105, 405, 405a) κυλινδρικής ή τετραγωνικής διατομής πάνω στο στρώμα του νιτριδίου του πυριτίου (103, 403, 403a).
6.  Δισκία πολυκρυσταλλικού πυριτίου (pc-Si) πάχους 100-200μm με επαφή p-n και με μεταλλικές οπισθοεπαφές πάχους περίπου ίσου με 1 μηι σύμφωνα με την αξίωση 1 , τα οποία χαρακτηρίζονται από αντιανακλαστικό στρώμα νιτριδίου του πυριτίου - Si3N4(803) και μικροδομές τύπου κολονακίων (804) κυλινδρικής ή τετραγωνικής διατομής μεταξύ του πυριτίου (801) και της οπισθοεπαφής (802).
7.  Δισκία πολυκρυσταλλικού πυριτίου (pc-Si) πάχους 100-200μm με επαφή p-n και με μεταλλικές οπισθοεπαφές πάχους περίπου ίσου με 1 μm σύμφωνα με την αξίωση 1 , τα οποία χαρακτηρίζονται από αντιανακλαστικό στρώμα νιτριδίου του πυριτίου - Si3N4(903) και μικροδομές τύπου οπών (904) κυλινδρικής ή τετραγωνικής διατομής μεταξύ του πυριτίου (901) και της οπισθοεπαφής (902).
8.  Δισκία ττολυκρυσταλλικού πυριτίου (p και με μεταλλικές οπισθοεπαφές πάχους αξίωση 1 , τα οποία χαρακτηρίζονται απ του πυριτίου (603a) και διοξειδίου το μικροδομές τύπου κολονακίων (605a) πάνω στο στρώμα του πυριτίου (601a).
c-Si) πάχους 100-200μm με επαφή p-n περίπου ίσου με 1 μm σύμφωνα με την ό αντανακλαστικά στρώματα νιτριδίου υ πυριτίου - SiO2(604a, 607a) με κυλινδρικής ή τετραγωνικής διατομής
GR20150100472A 2015-10-30 2015-10-30 Δισκια πολυκρυσταλλικου πυριτιου με διαμορφωμενες μικροδομες στις επιφανειες τους για την βελτιωση της ηλιακης απορροφησης GR20150100472A (el)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
GR20150100472A GR20150100472A (el) 2015-10-30 2015-10-30 Δισκια πολυκρυσταλλικου πυριτιου με διαμορφωμενες μικροδομες στις επιφανειες τους για την βελτιωση της ηλιακης απορροφησης

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
GR20150100472A GR20150100472A (el) 2015-10-30 2015-10-30 Δισκια πολυκρυσταλλικου πυριτιου με διαμορφωμενες μικροδομες στις επιφανειες τους για την βελτιωση της ηλιακης απορροφησης

Publications (1)

Publication Number Publication Date
GR20150100472A true GR20150100472A (el) 2017-07-03

Family

ID=55967327

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
GR20150100472A GR20150100472A (el) 2015-10-30 2015-10-30 Δισκια πολυκρυσταλλικου πυριτιου με διαμορφωμενες μικροδομες στις επιφανειες τους για την βελτιωση της ηλιακης απορροφησης

Country Status (1)

Country Link
GR (1) GR20150100472A (el)

Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6403877B2 (en) * 1998-09-28 2002-06-11 Sharp Kabushiki Kaisha Space solar cell
JP2011119740A (ja) * 2009-12-04 2011-06-16 Sharp Corp 反射防止膜、太陽電池セル、反射防止膜の製造方法、および太陽電池セルの製造方法
US20120048362A1 (en) * 2010-08-25 2012-03-01 Hyunho Lee Solar cell
CN103400898A (zh) * 2008-03-27 2013-11-20 三菱电机株式会社 光电动势装置的制造方法
US8686284B2 (en) * 2008-10-23 2014-04-01 Alta Devices, Inc. Photovoltaic device with increased light trapping
EP2720280A1 (en) * 2011-06-10 2014-04-16 JX Nippon Oil & Energy Corporation Photoelectric conversion element
CN104393118A (zh) * 2014-12-02 2015-03-04 常州天合光能有限公司 将制绒与清洗分步进行的晶硅太阳能电池湿化学处理方法
WO2015027269A1 (en) * 2013-09-02 2015-03-05 The Australian National University Photovoltaic device with selective emitter structure and method of producing same

Patent Citations (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6403877B2 (en) * 1998-09-28 2002-06-11 Sharp Kabushiki Kaisha Space solar cell
CN103400898A (zh) * 2008-03-27 2013-11-20 三菱电机株式会社 光电动势装置的制造方法
US8686284B2 (en) * 2008-10-23 2014-04-01 Alta Devices, Inc. Photovoltaic device with increased light trapping
US8895847B2 (en) * 2008-10-23 2014-11-25 Alta Devices, Inc. Photovoltaic device with increased light trapping
JP2011119740A (ja) * 2009-12-04 2011-06-16 Sharp Corp 反射防止膜、太陽電池セル、反射防止膜の製造方法、および太陽電池セルの製造方法
US20120048362A1 (en) * 2010-08-25 2012-03-01 Hyunho Lee Solar cell
EP2720280A1 (en) * 2011-06-10 2014-04-16 JX Nippon Oil & Energy Corporation Photoelectric conversion element
WO2015027269A1 (en) * 2013-09-02 2015-03-05 The Australian National University Photovoltaic device with selective emitter structure and method of producing same
CN104393118A (zh) * 2014-12-02 2015-03-04 常州天合光能有限公司 将制绒与清洗分步进行的晶硅太阳能电池湿化学处理方法

Non-Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
CHANDRA SAHOO K ET AL: "Shape Effect of Silicon Nitride Subwavelength Structure on Reflectance for Silicon Solar Cells", IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES, IEEE SERVICE CENTER, PISACATAWAY, NJ, US, vol. 57, no. 10, 1 October 2010 (2010-10-01), pages 2427 - 2433, XP011316021, ISSN: 0018-9383 *
KARTIKA SAHOO ET AL: "Fabrication of Antireflective Sub-Wavelength Structures on Silicon Nitride Using Nano Cluster Mask for Solar Cell Application", NANOSCALE RESEARCH LETTERS, vol. 4, no. 7, 22 April 2009 (2009-04-22), pages 680 - 683, XP055141904, ISSN: 1931-7573, DOI: 10.1007/s11671-009-9297-7 *
OLIVER SCHULTZ: "High-Efficiency Multicrystalline Silicon Solar Cells, Dissertation", 1 January 2005 (2005-01-01), XP055301232, Retrieved from the Internet <URL:http://kops.uni-konstanz.de/bitstream/handle/123456789/5069/Diss_Schultz.pdf?sequence=1&isAllowed=y> [retrieved on 20160909] *

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US7915522B2 (en) Asymmetric surface texturing for use in a photovoltaic cell and method of making
US20160233361A1 (en) Nanowires formed by employing solder nanodots
US20100229928A1 (en) Back-contact photovoltaic cell comprising a thin lamina having a superstrate receiver element
US20140261648A1 (en) Methods for manufacturing three-dimensional metamaterial devices with photovoltaic bristles
US8563352B2 (en) Creation and translation of low-relief texture for a photovoltaic cell
CN105144406A (zh) 具有光伏直立物的三维超颖材料装置
JP5784129B2 (ja) 太陽電池及びその製造方法
US20150075608A1 (en) Photovoltaic device using nano-spheres for textured electrodes
KR20100066928A (ko) 태양전지 및 이의 제조방법
KR101103894B1 (ko) 태양전지 및 이의 제조방법
KR20110087378A (ko) 불규칙적인 또는 규칙적인 배열의 금속 나노 입자 층을 이용한 실리콘 박막 태양 전지 및 그 제조 방법
KR100953448B1 (ko) 반도체 나노소재를 이용한 광전 변환 장치 및 그 제조 방법
US20100037943A1 (en) Vertical multijunction cell with textured surface
KR101622088B1 (ko) 태양전지
GR20150100472A (el) Δισκια πολυκρυσταλλικου πυριτιου με διαμορφωμενες μικροδομες στις επιφανειες τους για την βελτιωση της ηλιακης απορροφησης
KR101186242B1 (ko) 입체 패턴을 갖는 광전 소자 및 이의 제조 방법
KR101116977B1 (ko) 태양전지 및 그 제조방법
WO2016143698A1 (ja) 光電変換素子
KR101628957B1 (ko) 패터닝된 그리드전극과 이를 적용한 박막 태양전지 및 이들의 제조방법
KR101650442B1 (ko) 하이브리드 태양광 소자
RU2568421C1 (ru) СОЛНЕЧНЫЙ ЭЛЕМЕНТ НА ОСНОВЕ ГЕТЕРОСТРУКТУРЫ СМЕШАННЫЙ АМОРФНЫЙ И НАНОКРИСТАЛЛИЧЕСКИЙ НИТРИД КРЕМНИЯ - КРЕМНИЙ p-ТИПА
KR101739198B1 (ko) 태양 전지 및 이의 제조 방법
TW201349521A (zh) 太陽能電池元件
KR20150073623A (ko) 고효율 태양전지 및 그 제조방법
KR20110077393A (ko) 태양 전지 및 그 제조 방법