HK128596A - Electro-optic devices - Google Patents

Electro-optic devices

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HK128596A
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HK
Hong Kong
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optical
layers
waveguide
electrical field
region
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HK128596A
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English (en)
French (fr)
Inventor
John Adams Michael
James Robertson Michael
Michael Rodgers Paul
Ritchie Simon
Original Assignee
British Telecommunications Public Limited Company
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    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
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    • G02F1/025—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on semiconductor elements having potential barriers, e.g. having a PN or PIN junction in an optical waveguide structure
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
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    • G02F1/0154—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on semiconductor elements having potential barriers, e.g. having a PN or PIN junction modulating the refractive index using electro-optic effects, e.g. linear electro optic [LEO], Pockels, quadratic electro optical [QEO] or Kerr effect

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Claims (10)

  1. Elektrooptische Vorrichtung mit einem optischen Wellenleiter (6) zum Übertragen eines optischen Strahls, und einer Einrichtung (2) zum Anlegen eines elektrischen Feldes in einer Richtung quer durch den Wellenleiter, transversal zu dem Strahl, wobei die räumliche Ausbreitung des elektrischen Feldes h in jener Richtung geringer ist als die Strahlfleckgröße Wo in jener Richtung, und wobei das elektrische Feld über dem optischen Strahl in dem Bereich seiner Amplitudenspitze liegt, dadurch gekennzeichnet, daß h/W₀ ≦ 0,35 ist.
  2. Vorrichtung nach Anspruch 1, wobei h/Wo ≦ 1/3 ist.
  3. Vorrichtung nach Anspruch 2, wobei h/Wo ≦ 1/5 ist.
  4. Vorrichtung nach Anspruch 3, wobei h in der Größenordnung von Wo/10 oder geringer ist.
  5. Vorrichtung nach einem der vorangehenden Ansprüche, wobei der optische Wellenleiter in der Richtung einen Materialbereich (6) aufweist, der an beiden Seiten durch Bereiche (5 und 7, 8) eines geringeren Brechungsindexes in Schranken gehalten ist, wobei die Bereiche des geringeren Brechungsindex im wesentlichen gleich dick sind und die Gesamtdicke alle drei Bereiche mindestens Wo ist.
  6. Elektrooptische Vorrichtung mit einem optischen Wellenleiter zum Übertragen eines optischen Strahls in einer vorbestimmten Ausbreitungsrichtung, wobei der Wellenleiter durch eine Vielzahl von Schichten (5, 6, 7, 8) aufgebaut ist, die sich in der Ausbreitungsrichtung erstrecken; und einer Einrichtung (2) zum Anlegen eines elektrischen Feldes, das rechtwinklig zu den Schichten und transversal zu der Ausbreitungsrichtung ist, wobei der Strahl eine Strahlfleckgröße aufweist, die transversal zu der Ausbreitungsrichtung und rechtwinklig zu den Schichten von Wo und der Vielzahl von Schichten ist, die Grenzschichten (5, 8) an jeder Seite eines Bereichs (6, 7) umfassen, der eine Amplitudenspitze des optischen Strahls enthält, die im wesentlichen höhere elektrische Dotierungspegel aufweist als der Bereich (6, 7), der die optische Amplitudenspitze enthält dadurch gekennzeichnet, daß der Abstand zwischen den Grenzschichten geringer als ein Drittel der Strahlfleckgröße W₀ ist.
  7. Vorrichtung nach Anspruch 6, wobei die Vielzahl von Schichten, wenn die Vorrichtung umgekehrt vorgespannt ist, einen umgekehrt vorgespannten p-n Übergang enthält, der eine Verarmungszone (21) aufweist, die in einem Bereich liegt, der die optische Amplitudenspitze enthält und der sich rechtwinklig zu den Schichten erstreckt.
  8. Elektroopische Vorrichtung mit einem Phasenmodulator nach einem der vorangehenden Ansprüche, und einem Halbleiterlaser, wobei der optische Wellenleiter (6) des Phasenmodulators eine einhüllende Schicht des Lasers schafft.
  9. Vorrichtung nach Anspruch 8, wobei ein elektrisches Isoliermaterial zwischen p-dotierten Schichten des Lasers und n-dotierten Schichten des Modulators vorgesehen ist.
  10. Vorrichtung nach Anspruch 9, wobei die Isolierschicht ein mit Protonen beschossenes Material ist.
HK128596A 1985-10-17 1996-07-18 Electro-optic devices HK128596A (en)

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US (1) US4793677A (de)
EP (1) EP0225015B1 (de)
JP (1) JPS62156617A (de)
AT (1) ATE71743T1 (de)
CA (1) CA1281802C (de)
DE (1) DE3683465D1 (de)
GB (1) GB8525593D0 (de)
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JPS62156617A (ja) 1987-07-11
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Date Code Title Description
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