HK44992A - Positive photoresist systems - Google Patents

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Claims (24)

  1. Photoresist positif comprenant un polymère polyglutarimide préformé, non réticulé, formé à partir d'un ester d'acide (méth)acrylique et comportant au moins 5 % en poids de motifs glutarimide de formule dans laquelle R₁, R₂ et R₃ représentent indépendamment des atomes d'hydrogène ou des radicaux hydrocarbonés alkyle, aryle, aralkyle ou alkaryle non substitués ou substitues, ayant de 1 à 20 atomes de carbone, et dans laquelle au moins 20 % en moles des substituants R₃ sont des atomes d'hydrogène, dissous dans un solvant de filage non aqueux, consistant en un ou plusieurs solvant(s) pour le polyglutarimide, non aqueux, non réactif(s), ledit solvant étant choisi parmi des solvants polaires aprotiques de type amide, des solvants polaires protiques hydroxylés, des solvants polaires aprotiques cétoniques, des acides carboxyliques polaires à courtes chaînes et des éthers basiques polaires, ledit solvant pour le polyglyutarimide étant éventuellement utilisé en association avec un ou plusieurs composés parmi l'acétylacétone, le 1-méthoxy-2-propanol, la cyclohexanone, le chlorobenzène, le xylène, le toluène, l'acétate de butyle, le 1,2-diméthoxyéthane, l'éther monométhylique d'éthylèneglycol, la 2,4-pentanedione et un mélange d'acétate d'éther monoéthylique d'éthylèneglycol, de xylène et d'acétate de butyle, et dans lequel le photoresist, après exposition à de l'énergie, est développable avec une solution aqueuse.
  2. Photoresist selon la revendication 1, comprenant de 5 à 30 % en poids de polyglutarimide non réticulé et de 95 à 70 % en poids de solvant de filage non aqueux.
  3. Photoresist selon la revendication 2, comprenant de 10 à 20 % en poids de polyglutarimide non réticulé et de 90 à 80 % en poids de solvant de filage non aqueux.
  4. Photoresist selon l'une quelconque des revendications 1 à 3, comprenant en outre un photosensibilisateur travaillant en positif, dissous dans ledit solvant de filage non aqueux.
  5. Photoresist selon la revendication 4, dans lequel la concentration dudit photosensibilisateur va de 5 à 30 % en poids, par rapport au poids dudit polyglutarimide préformé, non réticulé.
  6. Photoresist selon la revendication 4 ou 5, dans lequel ledit photosensibilisateur comprend un ou plusieurs composés de type diazo-oxyde et/ou bis(o-nitrobenzyl)-1,7-heptane-dioate.
  7. Photoresist selon l'une quelconque des revendications 4 à 6, dans lequel le photosensibilisateur peut absorber un rayonnement UV proche, moyen ou lointain.
  8. Photoresist selon l'une quelconque des revendications 1 à 7, dans lequel le polyglutarimide a un rapport atomique du carbone à l'azote d'au moins 8 et une température de transition vitreuse d'au moins 140°C.
  9. Photoresist selon l'une quelconque des revendications 1 à 8, dans lequel ledit polyglutarimide préformé est formé par imidation d'un polymère poly(méthacrylate de méthyle) par l'ammoniac, ou est formé par imidation d'un polymère poly(méthacrylate de méthyle) par un système réactif mixte comprenant au moins 20 % en poids d'ammoniac et au moins une alkylamine.
  10. Pellicule uniforme, adhérente, à base aqueuse, développable, formée à partir d'un photoresist selon l'une quelconque des revendications 1 à 9.
  11. Pellicule selon la revendication 10, ayant une épaisseur d'environ 0,5 à environ 3,0 µm, de préférence d'environ 1 µm.
  12. Système de photoresist multicouche comprenant une couche rendant planaire formée à partir d'un photoresist selon l'une quelconque des revendications 1 à 9, et au moins une autre couche capable de recevoir une image, sur ladite couche rendant planaire.
  13. Système de photoresist multicouche selon la revendication 12, dans lequel la couche rendant planaire et la couche adjacente déposée sur ladite couche rendant planaire ne forment pas de voile interfacial.
  14. Procédé pour la formation d'un système de photoresist mono- ou multicouche développable avec une solution aqueuse, dans lequel on utilise, dans la formation d'au moins une couche, un photoresist positif selon l'une quelconque des revendications 1 à 9.
  15. Procédé pour la formation d'une image sur une surface, comprenant le dépôt sur ladite surface d'une pellicule adhérente, travaillant en positif, formée à partir d'un photoresist selon l'une quelconque des revendications 1 à 9, l'exposition d'une partie de ladite pellicule à une source d'énergie qui augmente la vitesse de dissolution du polyglutarimide dans un révélateur, et le développement de la partie exposée de ladite pellicule à l'aide dudit révélateur, pour former ladite image.
  16. Procédé selon la revendication 15, dans lequel ladite source d'énergie est un rayonnement ultraviolet, un faisceau d'électrons, un faisceau ionique ou un rayonnement X.
  17. Procédé selon la revendication 15 ou 16, comprenant en outre la cuisson douce de ladite pellicule avant l'exposition de ladite pellicule à ladite source d'énergie.
  18. Procédé pour la formation d'une image sur une surface, comprenant le dépôt sur ladite surface d'une pellicule adhérente rendant planaire, formant une seconde surface, ladite pellicule rendant planaire comprenant un polymère polyglutarimide préformé non réticulé, selon l'une quelconque des revendications 1 à 9, le dépôt d'une seconde pellicule capable de recevoir une image sur ladite seconde surface, l'exposition d'une partie de ladite seconde pellicule à une source de rayonnement, le développement de la partie exposée de ladite seconde pellicule pour la création d'un masque sur la pellicule rendant planaire, et le transfert de ladite image, de ladite seconde pellicule, à travers ledit masque et ladite pellicule rendant planaire, et sur ladite surface.
  19. Procédé selon la revendication 18, dans lequel ladite seconde pellicule comprend un photoresist travaillant en positif.
  20. Procédé selon la revendication 18 ou 19, dans lequel ladite image formée sur ladite seconde pellicule est transférée, à travers ladite pellicule rendant planaire, sur ladite surface, au moyen d'attaque par ions réactifs.
  21. Procédé selon la revendication 18, dans lequel ladite seconde pellicule comprend un photoresist travaillant en négatif.
  22. Procédé selon la revendication 19, dans lequel ladite pellicule rendant planaire est exposée à un rayonnement UV lointain et développée au moyen d'un révélateur à base aqueuse, pour le transfert sur ladite surface de ladite image formée sur ladite seconde pellicule.
  23. Procédé selon la revendication 18 ou 19, comprenant en outre l'addition sur ladite pellicule rendant planaire d'au moins une couche, intermédiaire entre ladite pellicule rendant planaire et ladite seconde pellicule, ladite couche intermédiaire étant résistante audit moyen de développement utilisé pour créer une image sur ladite seconde pellicule, et dans lequel ladite couche intermédiaire est développée, à travers ledit masque formé sur ladite seconde pellicule, pour la formation d'une seconde image au moyen d'attaque par plasma ou par une solution, pour la formation d'un masque pour le transfert de ladite seconde image sur ladite surface, à travers ladite couche rendant planaire.
  24. Procédé selon la revendication 23, dans lequel ladite seconde image sur ladite couche intermédiaire est transférée sur ladite surface par attaque à sec de ladite couche rendant planaire, à travers ledit masque formé sur ladite couche intermédiaire.
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