IT1046735B - Transistore bipolare combinato con un transistore ad effetto di campo a semiconduttori a base di ossidi metallici - Google Patents

Transistore bipolare combinato con un transistore ad effetto di campo a semiconduttori a base di ossidi metallici

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IT1046735B
IT1046735B IT30529/74A IT3052974A IT1046735B IT 1046735 B IT1046735 B IT 1046735B IT 30529/74 A IT30529/74 A IT 30529/74A IT 3052974 A IT3052974 A IT 3052974A IT 1046735 B IT1046735 B IT 1046735B
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    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10DINORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
    • H10D86/00Integrated devices formed in or on insulating or conducting substrates, e.g. formed in silicon-on-insulator [SOI] substrates or on stainless steel or glass substrates
IT30529/74A 1973-12-20 1974-12-13 Transistore bipolare combinato con un transistore ad effetto di campo a semiconduttori a base di ossidi metallici IT1046735B (it)

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