IT1207543B - Procedimento per la fabbricazione di tiristori del tipo gate turn off - Google Patents

Procedimento per la fabbricazione di tiristori del tipo gate turn off

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IT1207543B
IT1207543B IT8767212A IT6721287A IT1207543B IT 1207543 B IT1207543 B IT 1207543B IT 8767212 A IT8767212 A IT 8767212A IT 6721287 A IT6721287 A IT 6721287A IT 1207543 B IT1207543 B IT 1207543B
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thyristors
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gate turn
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IT8767212A
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Suzuki Masanori
Nakagawa Tsutomi
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Mitsubishi Electric Corp
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    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
    • H10D18/00—Thyristors
    • H10D18/60—Gate-turn-off devices 
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
    • H10D62/00—Semiconductor bodies, or regions thereof, of devices having potential barriers
    • H10D62/10—Shapes, relative sizes or dispositions of the regions of the semiconductor bodies; Shapes of the semiconductor bodies
    • H10D62/17—Semiconductor regions connected to electrodes not carrying current to be rectified, amplified or switched, e.g. channel regions
    • H10D62/192—Base regions of thyristors
    • H10D62/206—Cathode base regions of thyristors
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