IT1236627B - Circuito di limitazione della tensione di uscita di un dispositivo monolitico di potenza a semiconduttore che pilota un carico risonante collegato ad un'alimentazione - Google Patents

Circuito di limitazione della tensione di uscita di un dispositivo monolitico di potenza a semiconduttore che pilota un carico risonante collegato ad un'alimentazione

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DE69032552T DE69032552T2 (de) 1989-10-24 1990-10-18 Schaltung zum Begrenzen der Ausgangsspannung einer eine mit der Versorgungsspannung verbundene resonante Last treibenden monolithischen Halbleiterleistungsvorrichtung
EP90202775A EP0425024B1 (en) 1989-10-24 1990-10-18 Circuit for limiting the output voltage of a monolithic semiconductor power device which drives a resonant load connected to a power supply
US07/600,870 US5189317A (en) 1989-10-24 1990-10-22 Circuit for limiting the output voltage of a monolithic semiconductor power device which drives a resonant load connected to a power supply
KR1019900017125A KR100213582B1 (ko) 1989-10-24 1990-10-24 전원공급장치에 연결되는 공진부하를 구동하는 모놀리식반도체 전원장치의 출력전압을 제한하기 위한 회로
JP2284550A JP2745433B2 (ja) 1989-10-24 1990-10-24 電源に接続された共振負荷を駆動するモノリシック半導体電力装置の出力電圧を制限するための回路

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Families Citing this family (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5424663A (en) * 1993-04-22 1995-06-13 North American Philips Corporation Integrated high voltage differential sensor using the inverse gain of high voltage transistors
EP0715409B1 (en) * 1994-11-30 1999-02-17 STMicroelectronics S.r.l. Circuit for limiting the output voltage of a power transistor
DE69629278D1 (de) * 1996-04-30 2003-09-04 St Microelectronics Srl Schaltung zum gesteuerten schwingungsfreien Rückleiten des Entladungsstromes einer induktiven Last
CN101770844B (zh) * 2009-01-06 2012-01-11 安泰汽车电气系统（昆山）有限公司 电磁线圈驱动电路
KR101307788B1 (ko) * 2011-12-06 2013-09-12 주식회사 티엘아이 씨모스 출력 전압 제한 회로

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4241309A (en) * 1978-10-05 1980-12-23 Andros Incorporated Synchronizing method and apparatus
FR2467407A1 (fr) * 1979-10-15 1981-04-17 Jaeger Dispositif de mesure des valeurs cretes d'un phenomene non periodique a recurrence faible
US4471237A (en) * 1982-08-13 1984-09-11 Rca Corporation Output protection circuit for preventing a reverse current
DE3403327A1 (de) * 1984-01-31 1985-08-01 Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München Schaltungsanordnung zur minimierung der wirkung parasitaerer transistorfunktionselemente in integrierten bipolaren halbleiterschaltkreisen
US4679112A (en) * 1986-07-31 1987-07-07 General Motors Corporation Transistor protection circuit for automotive motor control applications
JP3032406U (ja) * 1996-06-13 1996-12-24 有限会社日医商事 マット・セット

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Publication number Publication date
IT8922104A0 (it) 1989-10-24
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