IT939723B - Procedimento per la fabbricazione di rivelatori di particelle a semi conduttore a struttura nip priva di zona morta e rivelatore ottenuto con il procedimento - Google Patents
Procedimento per la fabbricazione di rivelatori di particelle a semi conduttore a struttura nip priva di zona morta e rivelatore ottenuto con il procedimentoInfo
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- H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
- H10F30/00—Individual radiation-sensitive semiconductor devices in which radiation controls the flow of current through the devices, e.g. photodetectors
- H10F30/20—Individual radiation-sensitive semiconductor devices in which radiation controls the flow of current through the devices, e.g. photodetectors the devices having potential barriers, e.g. phototransistors
- H10F30/29—Individual radiation-sensitive semiconductor devices in which radiation controls the flow of current through the devices, e.g. photodetectors the devices having potential barriers, e.g. phototransistors the devices being sensitive to radiation having very short wavelengths, e.g. X-rays, gamma-rays or corpuscular radiation
- H10F30/292—Bulk-effect radiation detectors, e.g. Ge-Li compensated PIN gamma-ray detectors
- H10F30/2925—Li-compensated PIN gamma-ray detectors
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- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10P95/00—Generic processes or apparatus for manufacture or treatments not covered by the other groups of this subclass
Applications Claiming Priority (1)
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|---|---|---|---|
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Publications (1)
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|---|---|
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ID=9057886
Family Applications (1)
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|---|---|---|---|
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Family Cites Families (3)
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Also Published As
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