ITMI20041802A1 - "nuovo metodo compensato per attuare una fase di scarica ad alta tensione dopo un impulso di cancellazione in un dispositivo di memoria flash" - Google Patents

"nuovo metodo compensato per attuare una fase di scarica ad alta tensione dopo un impulso di cancellazione in un dispositivo di memoria flash"

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ITMI20041802A1
ITMI20041802A1 IT001802A ITMI20041802A ITMI20041802A1 IT MI20041802 A1 ITMI20041802 A1 IT MI20041802A1 IT 001802 A IT001802 A IT 001802A IT MI20041802 A ITMI20041802 A IT MI20041802A IT MI20041802 A1 ITMI20041802 A1 IT MI20041802A1
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IT
Italy
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implementing
memory device
high voltage
flash memory
voltage discharge
Prior art date
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IT001802A
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Simone Bartoli
Lorenzo Bedarida
Davide Manfre
Giorgio Oddone
Original Assignee
Atmel Corp
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Publication date
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    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11C—STATIC STORES
    • G11C16/00—Erasable programmable read-only memories
    • G11C16/02—Erasable programmable read-only memories electrically programmable
    • G11C16/06—Auxiliary circuits, e.g. for writing into memory
    • G11C16/10—Programming or data input circuits
    • G11C16/14—Circuits for erasing electrically, e.g. erase voltage switching circuits
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