ITMI20131182A1 - Procedimento di coltivazione idroponica di indivia scarola, indivia riccia o cicoria pan di zucchero - Google Patents

Description

PROCEDIMENTO DI COLTIVAZIONE IDROPONICA DI INDIVIA SCAROLA, INDIVIA RICCIA O CICORIA PAN DI ZUCCHERO

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Campo dell’invenzione

La presente invenzione riguarda un procedimento di coltivazione idroponica di indivia scarola, indivia riccia o cicoria pan di zucchero a migliorata produttività e qualità. In particolare, la presente invenzione riguarda un procedimento di coltivazione idroponica dei suddetti ortaggi mediante pannelli galleggianti su un bagno nutritivo.

Stato della tecnica

Indivia scarola, indivia riccia e cicoria pan di zucchero sono ortaggi molto apprezzati per le proprietà nutritive e organolettiche che li contraddistinguono, ma rispetto ad altri ortaggi in foglia, come ad esempio la lattuga, richiedono una coltivazione con cicli più lunghi, in condizioni meno flessibili, con una produttività per unità di superficie più bassa e di conseguenza costi di produzione mediamente più elevati.

Indivia e cicoria vengono comunemente coltivati in terra, in campi aperti o in serra, in ampi periodi dell’anno, che variano in base al luogo e al clima. La coltivazione in terra si esegue una volta l'anno e, non potendo essere ripetuta sullo stesso campo, per poter mantenere una buona produttività è necessario adottare la rotazione dei terreni.

Gli ortaggi indivia e cicoria piantati in terra a gennaio vengono raccolti in primavera (tipicamente a maggio) e hanno aspetto ottimale per lucentezza delle foglie, sviluppo della pianta e sapore. Le piante di indivia e cicoria raccolte in primavera sono denominate "novelle" e sono caratterizzate da un aspetto che esprime freschezza, colore chiaro, lucentezza delle foglie e gradevolezza del sapore.

Le coltivazioni estive ed autunnali richiedono tempi di maturazione, rispettivamente, troppo brevi o eccessivamente lunghi e alla raccolta gli ortaggi si presentano meno lucidi nelle foglie e mostrano un aspetto meno fresco.

La coltivazione in terra, inoltre, presenta il problema della degradazione dei vegetali raccolti a causa della formazione di cavità nel colletto (la porzione del vegetale che unisce le foglie alle radici); lo stato di degradazione è accompagnato dallo scurirsi del colletto. La degradazione comporta una rilevante perdita di produzione con declassamento a seconda scelta o scarto del 30-40% delle piante coltivate in terra.

Sono noti diversi metodi di coltivazione di vegetali di tipo idroponico, ossia fuori terra, come il metodo aeroponico, il metodo a flusso e riflusso, a film di soluzione nutritiva e a pannelli galleggianti. Con i suddetti metodi e con i procedimenti noti nell’arte si possono coltivare anche indivia e cicoria, ma gli ortaggi ottenuti risultano di qualità scadente, inferiore a quelle ottenibili con la tradizionale coltivazione in terra.

Tra i vari metodi di coltivazione fuori terra, il metodo idroponico su pannelli galleggianti è particolarmente idoneo per vegetali in foglia come la lattuga. Esempi di coltivazioni idroponiche su pannelli galleggianti sono descritti in US5435098, WO2010093248 e WO2012050449. I metodi descritti in questi documenti si basano sull’uso di pannelli posti a galleggiare su bagni nutritivi. I pannelli sono provvisti di sedi di contenimento in grado di alloggiare i germogli o le piante da coltivare ed aperture che pongono tali sedi in comunicazione fluida con il bagno nutritivo sottostante. Tali pannelli forati supportano i germogli o le piante sopra il bagno nutritivo, impedendo che il substrato di crescita venga a contatto con il bagno nutritivo e garantendo la presenza di uno strato d’aria, avente un’altezza di alcuni centimetri, situato tra la base del supporto di crescita e il bagno nutritivo. In questo modo le radici della pianta possono crescere sino a pescare nel bagno attraverso i fori del pannello.

In accordo ai metodi che utilizzano pannelli forati galleggianti noti nell’arte, lo sviluppo del germoglio è assicurato dall’umidità presente nel suddetto strato di aria in equilibrio con il bagno nutritivo sottostante. Per aumentare l’umidità iniziale nel substrato di crescita e indurre nel germoglio la formazione di radici che arrivino a pescare nel bagno nutritivo è possibile alimentare il substrato di crescita con una soluzione nutritiva (avente la medesima composizione del bagno o simile) o sovrapporre a questo uno strato di materiale igroscopico impregnato d’acqua o di una soluzione nutritiva, che aumenti l’umidità relativa dell’aria a contatto con i semi o germogli senza che questi rimangano immersi nel liquido.

In accordo ai metodi noti, quando le radici del germoglio giungono a pescare nella soluzione nutritiva, i germogli sono lasciati crescere autonomamente (ossia, sospendendo l’alimentazione del substrato) fino alla maturazione e raccolta, lasciando che essi assorbano le sostanze nutrienti soltanto tramite le radici pescanti nel bagno.

È obiettivo della presente invenzione migliorare la produttività per unità di superficie e la qualità di indivia e cicoria ottenibili in una coltura idroponica a pannelli galleggianti su bagno nutritivo.

La Richiedente ha sorprendentemente trovato che, nel caso dell’indivia scarola, indivia riccia e cicoria pan di zucchero, è possibile realizzare colture idroponiche che garantiscono un’elevata resa produttiva e raccolti di elevata qualità se, anche quando le piante hanno radici pescanti nel bagno nutritivo, si continua ad alimentare il substrato di crescita con una soluzione nutritiva e, nel medesimo periodo, si bagna anche la superficie delle foglie con acqua o detta soluzione nutritiva. Inoltre, in accordo al procedimento secondo la presente invenzione, durante il suddetto periodo di crescita, il grado di saturazione dei substrati di crescita è fatto variare ciclicamente fra un valore superiore (ad esempio 80%) ed un valore inferiore (ad esempio 40%). Si è osservato, infatti, che l’effetto combinato della bagnatura delle foglie (che regola la traspirazione dalle foglie e ne evita l’eccessiva disidratazione) e della variazione ciclica del grado di saturazione dei substrati stimola significativamente la crescita delle piante e rende possibile la coltivazione idroponica su scala industriale.

Descrizione dettagliata dell’invenzione

La presente invenzione concerne un procedimento di coltivazione idroponica di almeno un ortaggio scelto fra indivia scarola, indivia riccia o cicoria pan di zucchero comprendente le fasi di:

(a) predisporre un apparato comprendente

- almeno una vasca contenente un bagno nutritivo, - almeno un pannello galleggiante su detto bagno nutritivo provvisto di almeno una sede di contenimento di un substrato di crescita, la quale sede è atta a trattenere detto substrato di crescita ad almeno una prima distanza D1 dalla superficie di detto bagno nutritivo, e di almeno un’apertura per porre in comunicazione fluida detta sede con detto bagno nutritivo,

- almeno un germoglio di detto ortaggio supportato su almeno un substrato di crescita, detto substrato essendo inserito in detta sede di contenimento;

(b) far crescere detto almeno un germoglio per un primo periodo di crescita, nel quale periodo almeno si alimenta detto substrato di crescita con almeno una soluzione nutritiva sino alla formazione di almeno una piantina avente radici pescanti in detto bagno nutritivo attraverso detta apertura;

(c) far crescere detta almeno una piantina per un secondo periodo di crescita, nel quale periodo :

- si alimenta detto substrato con almeno detta soluzione nutritiva così che il grado di saturazione di detto substrato vari ciclicamente fra un valore compreso nell’intervallo 70% - 100% e un valore compreso nell’intervallo 20% - 50%;

- si bagnano almeno le foglie di detta piantina con acqua o una soluzione nutritiva;

(d) interrompere almeno l’alimentazione di detto substrato con almeno detta soluzione nutritiva così da far crescere detta almeno una piantina sostanzialmente soltanto attraverso l’alimentazione derivante da detto bagno nutritivo, sino ad ottenere una pianta di detto ortaggio avente un grado di maturazione desiderato.

Il procedimento secondo l’invenzione consente di produrre indivia e cicoria nello stesso luogo per tempi sostanzialmente indefiniti con fino a 7 coltivazioni e raccolte all'anno, con fino a 8 piante per m<2>per indivia scarola e indivia riccia (invece delle 5 per m<2>di pari dimensioni comunemente coltivate in terra), con fino a 17 piante per m<2>per cicoria pan di zucchero (invece delle 10 per m<2>di pari dimensioni della coltivazione in terra). Indivia e cicoria, inoltre, si raccolgono come "novelle" tutte le stagioni dell'anno, con densità apparente superiore e con quantità di vegetali classificabili come seconda scelta e scarto complessivamente inferiore a 1%, in quanto il colletto non presenta segni di decomposizione, risulta di diametro inferiore, più compatto e senza cavità.

Con la presente invenzione, anche la conservazione della pianta dopo la recisione della radice e il confezionamento risultano migliorati, essendo possibile una conservazione della durata fino a 9 giorni contro i 2 o 3 giorni della durata dei medesimi vegetali ottenuti mediante coltivazione in terra.

Il procedimento secondo la presente invenzione prevede una prima fase di predisposizione di un apparato per la coltivazione idroponica delle piante di indivia scarola, indivia riccia o cicoria pan di zucchero (fase (a)). L’apparato utilizzato nella fase (a) è di tipo convenzionale e quindi noto all’esperto del ramo. Tale apparato, in particolare, comprende pannelli forati in grado di galleggiare su un bagno nutritivo. I pannelli sono provvisti di almeno una sede di alloggiamento di un substrato di crescita degli ortaggi e di almeno un’apertura per porre in comunicazione fluida detta sede con il bagno nutritivo. La sede è atta a mantenere il substrato di crescita ad almeno una prima distanza dalla superficie del bagno nutritivo, preferibilmente ad una distanza variabile e predeterminabile dall’utilizzatore. L’apertura consente alle radici del germoglio, che con il relativo substrato di crescita è alloggiato nella sede di contenimento, di svilupparsi in lunghezza sino ad entrare nel bagno nutritivo. Esempi di pannelli forati utilizzabili ai fin della presente invenzione sono descritti in US5435098, WO2010093248 e WO2012050449.

Il procedimento secondo la presente invenzione comprende una seconda fase in cui si fanno crescere i germogli degli ortaggi per almeno un primo periodo di crescita, nel quale periodo si effettua l’alimentazione dei relativi substrati di crescita con una soluzione nutritiva (fase (b)). Nella fase (b), l’alimentazione del substrato di crescita è protratta sino a quando il germoglio sviluppa radici di lunghezza tale da entrare nel bagno nutritivo.

I germogli di indivia scarola (Cichorium Endivia L. var. Latifolium Hegi), Indivia riccia (Cichorium Endivia L. var. Crispum Hegi) e Cicoria pan di zucchero (Cichorium Intybus L. var. Foliosum Bischoff) possono essere ottenuti dalla semina in substrati di crescita del tipo noto.

I substrati di crescita possono comprendere varie tipologie di materiale, come ad esempio torba, lana di roccia, frammenti di noce di cocco, perlite e loro miscele. Preferibilmente, il substrato di crescita comprende torba, per via della sua buona permeabilità all'aria e all'umidità. Il substrato di crescita può avere, ad esempio, la forma di un cubetto, tipicamente di circa 4 cm di spigolo.

I substrati di crescita consentono la formazione del germoglio, ossia lo sviluppo del seme sino alla comparsa di alcune foglie, per semplice irrorazione con acqua del seme.

La crescita del germoglio a partire dal seme può essere effettuata direttamente in un substrato di crescita alloggiato nel pannello galleggiante utilizzato per attuare il procedimento. Più preferibilmente, il germoglio è cresciuto inizialmente in serra in condizioni controllate di temperatura e umidità e quindi trasferito sul pannello galleggiante per essere coltivato in accordo al procedimento secondo la presente invenzione. In serra, il tempo medio di crescita dei germogli è compreso tra 12 e 30 giorni.

Il procedimento di semina e formazione dei germogli di indivia e cicoria è noto e largamente praticato per lo sviluppo di piantine da inserire in un terreno assieme al relativo substrato di crescita per la coltivazione tradizionale.

La soluzione nutritiva utilizzabile ai fini della presente invenzione è del tipo convenzionalmente usato per la crescita degli ortaggi in colture idroponiche. La soluzione nutritiva comprende almeno acqua e sali minerali in quantità variabili. Preferibilmente, la soluzione nutritiva utilizzata per alimentare i substrati di crescita ha la medesima composizione, o composizione simile, del bagno nutritivo.

L’alimentazione della soluzione nutritiva al substrato può essere eseguita con le tecniche ed i dispositivi noti all’esperto del ramo: ad esempio, versando la soluzione direttamente sulla superficie del substrato oppure irrorando il germoglio dall’alto, così da bagnarne anche il fusto e le foglie .

Come detto, i substrati di crescita contenenti i germogli sono alloggiati sui pannelli galleggianti in modo tale da non entrare in contatto con la superficie del bagno nutritivo sottostante. Preferibilmente, la distanza fra la base del substrato di crescita e la superficie del bagno nutritivo è compresa tra 1 cm e 2 cm.

Nella fase (b), il substrato di crescita è preferibilmente alimentato con la soluzione nutritiva in modo tale da mantenere un grado di saturazione del substrato ad un valore compreso nell’intervallo 50% -100%.

Il grado di saturazione di un substrato di crescita è il rapporto percentuale tra il volume d’acqua presente al suo interno ed il volume massimo di acqua che questo può contenere senza dare luogo a gocciolamento. Quando il volume d’acqua presente corrisponde al volume massimo, il grado di saturazione del substrato di crescita è pari a 100%.

Il grado di saturazione può essere determinato confrontando il peso di un campione di un substrato impregnato con il peso del medesimo campione dopo essiccazione. Ad esempio, si è osservato che un substrato di crescita di torba di 4 cm di spigolo pesa a secco circa 17 g e circa 59 g quando il grado di saturazione è pari al 100%.

La tipologia di radici che si formano sul germoglio nella fase (b) influisce sulla rapidità di sviluppo delle piante. La Richiedente ha osservato che i risultati migliori in termini di resa produttiva e qualità del raccolto si ottengono quando le radici sono filiformi e il più possibile prive di ramificazioni; le radici ramificate, infatti, non assorbono efficacemente le sostanze nutritive presenti nel bagno nutritivo.

Sorprendentemente, la Richiedente ha trovato che radici filiformi con poche ramificazioni possono essere ottenute facendo variare ciclicamente il grado di saturazione di soluzione nutritiva del substrato da un valore superiore a un valore inferiore. Tale variazione ciclica può essere realizzata alimentando il substrato con la soluzione nutritiva sino a che si raggiunge il grado di saturazione superiore e interrompendo poi l’alimentazione sino a che il grado di saturazione scende al valore inferiore. Al raggiungimento del grado di saturazione inferiore si riprende l’alimentazione sino a raggiungere di nuovo il grado di saturazione superiore.

La crescita di radici filiformi è inoltre favorita se i substrati di crescita sono posizionati ad una certa distanza uno dall’altro sui pannelli galleggianti. Preferibilmente, la distanza fra i substrati di crescita è di almeno 13 cm circa per la cicoria pan di zucchero e di almeno 18 cm circa per l'indivia scarola e l’indivia riccia.

In una forma di realizzazione particolarmente preferita, nella fase (b) l’alimentazione ciclica del substrato di crescita con la soluzione nutritiva è realizzata in modo tale che il grado di saturazione del substrato è fatto variare da un valore prossimo al 100% (fase (b1)) ad un valore prossimo a 50%. Quando la saturazione scende ad un valore prossimo al 50%, preferibilmente nell’intervallo 50%-60%, si ripete l’alimentazione del substrato con la soluzione nutritiva (fase (b2)), riportando il grado di saturazione ad un valore prossimo a 100%.

La ripetizione in sequenza delle fasi (b1) e (b2) dell’operazione di alimentazione del substrato stimola lo sviluppo verso la superficie del bagno nutritivo di radici filiformi con poche ramificazioni.

Tipicamente, la variazione ciclica del grado di saturazione tra il 100% circa e il 50% circa comporta la ripetizione dell’operazione di alimentazione da due volte al giorno nella stagione estiva a una volta ogni due giorni nella stagione invernale.

La fase (b) di crescita termina quando i germogli sono divenuti piantine aventi radici pescanti nel bagno nutritivo. Generalmente, la lunghezza delle radici delle piantine al termine delle fase (b) è compresa nell’intervallo 7-10 cm.

Tipicamente, la fase (b) dura da 7 giorni in estate a 22 giorni in inverno. In condizioni ottimali di clima, temperatura e composizione della soluzione nutritiva e irraggiamento di luce la fase (b) dura 10 giorni e la saturazione dei substrati di crescita è effettuata con frequenza giornaliera.

La fase (c) del procedimento secondo la presente invenzione prevede un secondo periodo di crescita delle piantine ottenute nella fase (b). In tale periodo, oltre ad alimentare il substrato con la soluzione nutriente così da far variare ciclicamente il grado di saturazione fra un valore compreso nell’intervallo 70% - 100% e un valore compreso nell’intervallo 20% - 50%, si effettua anche la bagnatura delle foglie con acqua o una soluzione nutritiva. Preferibilmente, le foglie sono bagnate con la soluzione nutritiva usata per il substrato di crescita. Come detto, si è sorprendentemente trovato che impedendo l’eccessiva disidratazione delle foglie e, nel medesimo perdiodo di crescita, variando ciclicamente il grado di saturazione del substrato si stimola significativamente la crescita delle piante, rendendone così possibile la coltivazione idroponica su scala industriale.

L’operazione di bagnatura può essere effettuata separatamente dall’operazione di alimentazione del substrato. Preferibilmente, l’alimentazione del substrato di crescita e la bagnatura delle foglie sono eseguite contemporaneamente tramite irrorazione dall’alto della soluzione nutritiva. L’idratazione delle piante, infatti, è favorita se l’alimentazione del supporto viene eseguita per irrorazione dall’alto in modo da bagnare le foglie e limitarne la traspirazione che tende a disidratarle.

Nella fase (c), l’alimentazione dei substrati di crescita può essere eseguita con le tecniche ed i dispositivi noti all’esperto del ramo. Ad esempio, l’alimentazione può essere effettuata sia versando la soluzione nutritiva direttamente sul substrato, sia per irrorazione dall’alto dell’intero germoglio o piantina. In quest’ultimo caso, è preferibile impiegare pannelli galleggianti provvisti di canali di scolo atti a consentire il deflusso della soluzione nutritiva nel bagno nutritivo sottostante, evitando che il substrato possa rimanere localmente immerso nella soluzione nutritiva.

Per non lasciare residui di sali minerali sulle foglie, al termine dell’irrorazione dall’alto è preferibile eseguire un’ulteriore irrorazione con acqua senza nutrienti.

Nella fase (c), le piantine assorbono il nutrimento necessario sia dal bagno nutritivo, attraverso le radici pescanti, sia dal substrato di crescita, che a tal fine viene alimentato ciclicamente con la soluzione nutritiva.

In accordo ad una forma di realizzazione preferita della presente invenzione, all’inizio della fase (c) le piantine con i rispettivi substrati di crescita sono allontanati dalla superficie del bagno nutritivo e posizionati ad una seconda distanza D2 da questo, dove tale distanza D2 è maggiore della distanza D1 della fase (b), ma comunque tale da garantire che le radici continuino a pescare nel bagno nutritivo. La distanza D2 è superiore a 2,0 cm e preferibilmente inferiore a 4,0 cm; più preferibilmente D2 è compresa nell’intervallo 2,1 cm – 3 cm.

La fase (c) può essere realizzata lasciando le piantine e i relativi supporti nelle sedi del pannello in cui sono cresciute durante la fase (b), innalzandole rispetto al bagno nutritivo. In alternativa, le piantine possono essere collocate in un secondo pannello forato, avente una struttura analoga a quella del pannello usato nella fase (b), ma atto a mantenerle alla distanza D2 rispetto alla superficie del bagno nutritivo.

Preferibilmente, nella fase (c) le piantine vengono anche allontanate fra loro, posizionandole sul pannello in modo tale che i relativi substrati siano ad una distanza reciproca superiore a quella della fase (b). Preferibilmente, nella fase (c), per piante di dimensioni ottimali, confrontabili con la coltivazione in terra, tale distanza è di 26 cm circa per la cicoria pan di zucchero e di 38 cm circa per l'indivia scarola e l’indivia riccia.

Nella fase (c), il supporto di crescita è alimentato con la soluzione nutritiva in modo che il grado di saturazione del substrato vari ciclicamente da un valore superiore, compreso nell’intervallo 70% -100%, e un valore inferiore, compreso nell’intervallo 20% - 50%. Tale variazione ciclica può essere realizzata alimentando il substrato con la soluzione nutritiva sino a che questo raggiunge il grado di saturazione superiore, interrompendo poi l’alimentazione sino a che la saturazione scende sino al valore inferiore. Al raggiungimento del grado di saturazione inferiore si ripete il ciclo di alimentazione.

In una forma di realizzazione particolarmente preferita, la fase (c) di crescita delle piante è effettuata alimentando ciclicamente il supporto di crescita con la soluzione nutritiva, così che il grado di saturazione sia portato ad un valore prossimo a 80% (fase (c1)) e successivamente lasciato scendere ad un valore prossimo a 40%. Quando la saturazione è prossima al 40%, preferibilmente nell’intervallo 40%-50%, si ripete l’alimentazione del substrato (fase (c2)), riportando il grado di saturazione ad un valore prossimo a 80%.

Tipicamente, la variazione ciclica del grado di saturazione tra l’80% circa e il 40% circa comporta la ripetizione dell’operazione di alimentazione da una volta al giorno nella stagione estiva a una volta ogni due giorni nella stagione invernale.

Tipicamente, la fase (c) dura 9 - 20 giorni. Se l’alimentazione è effettuata per irrorazione dall’alto si è osservato che è ottimale irrorare per 30 minuti con soluzione nutritiva e quindi per 5 minuti con acqua, così da lavare le foglie ed evitare il ristagno dei sali contenuti nella soluzione nutritiva.

In condizioni ottimali di clima, temperatura e composizione della soluzione nutritiva e irraggiamento di luce, la fase (c) dura circa 10 giorni con frequenza giornaliera di alimentazione dei substrati delle piantine.

La fase (c) finisce quando, al termine di un ciclo di alimentazione (vale a dire quando il grado di saturazione del substrato è al valore inferiore), le foglie delle piantine hanno una consistenza turgida. Tale turgidità indica che le piantine sono in grado di assumere in modo efficace, attraverso le radici, il nutrimento necessario per l’ulteriore crescita (maturazione).

Al termine della fase (c) le piantine di indivia scarola e indivia riccia hanno, generalmente, foglie di lunghezza da 15 cm a 25 cm e radici con lunghezza da 25 cm a 35 cm; le foglie di cicoria pan di zucchero, in genere, sono lunghe da 20 cm a 30 cm, così come le radici.

Poiché al termine della fase (c) le piantine sono in grado di nutrirsi in modo efficace tramite le radici pescanti nel bagno nutritivo, nella fase (d) del procedimento si può interrompere almeno l’alimentazione dei substrati di crescita con la soluzione nutritiva e lasciare che le piante crescano autonomamente fino al raggiungimento del grado di maturazione desiderato. Nella fase (d), indifferentemente, la bagnatura delle foglie può essere interrotta oppure continuata regolarmente come nella fase (c) sino al termine del processo di maturazione.

Le radici pescanti, a questo punto, possono svilupparsi anche in forma ramificata senza che ciò influisca sulla qualità del prodotto finale o sulla resa produttiva della coltivazione.

Generalmente, la raccolta degli ortaggi è effettuata quando le piante di indivia scarola e riccia hanno foglie con lunghezza da 25 cm a 35 cm e radici ramificate di lunghezza di circa 60 cm; la cicoria pan di zucchero è invece raccolta quando le sue foglie sono lunghe da 40 cm a 55 cm e le radici sono lunghe circa 50 cm.

In condizioni ottimali di clima, temperatura e composizione della soluzione nutritiva e irraggiamento di luce la fase (d) dura da 35 a 40 giorni. Per aumentare la produzione annua per unità di superficie la fase (d) può essere eseguita per tempi inferiori in modo da ottenere più cicli di coltivazione per anno e con distanza inferiore tra le piante e quindi con un maggior numero di piante per unità di superficie. In questo caso le piante alla raccolta sono di dimensioni inferiori, ma sono comunque ottime per aspetto e gusto.

Nella fase terminale, da 2 a 4 giorni prima della raccolta, può essere diminuita la concentrazione di nitrati nel bagno nutritivo così da ridurre il contenuto di nitrati negli ortaggi raccolti, come descritto ad esempio in Gonnella M. et al., Riduzione del contenuto di nitrato in floating systems, Supplemento Colture Protette, n.12, pag 38 – 41, 2002.

L’ultima settimana prima della raccolta, con prassi analoga alla coltivazione in terra, è possibile eseguire la sbiancatura delle foglie di indivia scarola e riccia che si ottiene notoriamente legando le foglie in modo che risultino raccolte. La sbiancatura conferisce alle foglie di indivia un aspetto più chiaro, particolarmente gradito all’utilizzatore quando l’indivia è consumata cruda.

Il procedimento secondo l’invenzione può essere attuato all’aperto oppure, più preferibilmente, in condizioni climatiche controllate (in serra).

È preferibile infatti che nelle diverse fasi del procedimento di coltivazione su pannelli galleggianti le condizioni climatiche (umidità e temperatura dell’aria), così come le caratteristiche chimicofisiche del bagno nutritivo e della soluzione nutritiva, siano mantenute all’interno di determinati intervalli.

Generalmente, il procedimento è attuato alle seguenti condizioni: umidità relativa dell'aria da 50% a 90%, temperatura dell'aria da 10°C a 35°C, temperatura della soluzione nutritiva da 13°C a 25°C.

Preferibilmente, le condizioni adottate nelle tre fasi del procedimento sono: umidità relativa dell'aria da 60 a 70%, temperatura dell'aria da 11°C a 29°C e temperatura della soluzione nutritiva da 14°C a 18°C. Per quanto riguarda il bagno nutritivo e la soluzione nutritiva, caratteristiche preferite sono le seguenti: conducibilità elettrica da 1,8 mS a 3,3 mS, concentrazioni di azoto nitrico da 10 a 16 mM (con un massimo di azoto ammoniacale di 0,5 mM), ioni potassio da 4 a 8 mM, ioni magnesio da 1 a 4 mM, ioni calcio da 3 a 6, silice da 0 a 1 mM, ioni cloruro da 0,4 a 1,0 mM, ioni solfato da 1 a 3 mM, fosforo totale da 1 a 2 mM, ossigeno disciolto da 4 a 8 mg/litro e pH da 5,6 a 6,0.

Generalmente, l’energia luminosa ricevuta giornalmente dai germogli o piante è nell’intervallo 800 J/cm<2>- 2000 J/cm<2>.

Si riportano di seguito alcuni esempi dimostrativi per una migliore comprensione dell’invenzione e dell’ambito di applicazione pur non costituendo in alcun modo una limitazione della portata della presente invenzione.

ESEMPI

I germogli di indivia scarola, indivia riccia e cicoria pan di zucchero usati nel procedimento di coltivazione idroponica secondo la presente invenzione sono ottenuti in serra per semina tradizionale in cubetti di torba di 4 cm di spigolo, inserendo il seme nel substrato bagnato e coprendo i cubetti con un pannello di polistirene espanso. Quando il seme si spacca, si toglie il pannello di polistirene e si attende la formazione del germoglio (per circa 12 giorni in estate e fino a 30 giorni in inverno). In estate, il substrato è irrorato ciclicamente con acqua per evitare che secchi.

I pannelli galleggianti utilizzati per la coltivazione idroponica sono pannelli di polistirene espanso della società Cultivation Systems B.V., Olanda. I pannelli hanno dimensioni 109 cm x 78 cm x 3 cm, e un numero variabile di sedi di contenimento per i substrati di crescita. Le sedi dei pannelli sono munite di sostegni che consentono di mantenere i substrati di crescita con i germogli sopraelevati rispetto alla superficie superiore del pannello. I substrati di crescita distano almeno 4 mm dalle pareti delle sedi di contenimento in modo che la soluzione liquida irrorata dall’alto non ristagni sul pannello, rimanendo a contatto con i substrati.

I pannelli usati per il primo periodo di crescita (fase (b)), pannelli di tipo I, sono provvisti ciascuno di 48 sedi di contenimento e mantengono i substrati di crescita ad una distanza dalla superficie del bagno nutritivo pari a 1,8 cm.

I pannelli usati per il secondo e terzo periodo di crescita (fasi (c) e (d)), pannelli di tipo II, sono provvisti ciascuno di 12 sedi di contenimento e mantengono i substrati di crescita ad una distanza dalla superficie del bagno nutritivo pari a 2,2 cm.

Le vasche contenenti il bagno nutritivo sono di cemento impermeabile ed aventi lunghezza 13,0 m, larghezza 7,7 m e profondità 27 cm. La profondità del bagno nutritivo è mantenuta a 24 cm.

La serra in cui sono allocate le vasche di coltivazione è costituita da pareti e tetto in doppio film di materiale plastico su impalcatura metallica. L'altezza del tetto dalla superficie delle vasche è di 5 m alle pareti e di 6,5 metri al centro. L’acqua piovana che cade nell’area della serra è raccolta in una vasca con telo impermeabile sul fondo e viene utilizzata per la preparazione della soluzione nutritiva. Su ogni vasca sono posizionati 18 irroratori per l’irrigazione dall’alto ad un’altezza di 2 m dalla superficie. L'irrorazione con la soluzione nutritiva è eseguita in modo da simulare una pioggia fine che non danneggia le piante, con portata di un litro al minuto per ogni irroratore e pressione di mandata della pompa di 2 bar. La soluzione nutritiva viene alimentata alle vasche di coltivazione con pompa di circolazione con portata 150 litri/min e sistema a tubo di Venturi per garantire un’adeguata ossigenazione della soluzione. Per l’irrorazione, come soluzione nutritiva è utilizzata la medesima soluzione che costituisce il bagno nutritivo.

Sul tetto, all’interno della serra, sono posti dei fari con lampade al sodio ad alta pressione da 600 W e 88000 lumen, che vengono impiegate durante i mesi invernali e in caso di giornate nuvolose per integrare la luce naturale e aumentare la durata di esposizione delle piante alla luce. Per un migliore controllo della temperatura e dell'irraggiamento della luce nel periodo estivo, sul tetto viene spruzzata una tintura bianca opacizzante, rimuovibile per lavaggio con acqua, che consente di diminuire l'intensità della luce. La copertura a doppio film è apribile sul tetto e lateralmente in modo da permettere la circolazione dell'aria. Sul tetto sono posti anche degli ugelli che spruzzano acqua fine come una nebbia per mitigare la temperatura nelle ore più calde. Per regolare la temperatura del bagno nutritivo nelle vasche, sotto le stesse, vi è una rete di tubi con circolazione di acqua calda in inverno e acqua pozzo a 15°C in estate. In inverno si usano dei termoconvettori con circolazione di acqua calda per il riscaldamento dell’aria. Per uniformare la temperatura dell’aria alle diverse altezze della serra si impiegano dispositivi destratificatori.

Negli esempi seguenti sono riportate le condizioni di coltivazione su pannelli galleggianti adottate in una serra situata in Italia, in Pianura Padana, ad altitudine di 0 m sul livello del mare. L’efficacia del procedimento è espressa in termini di qualità del raccolto secondo una scala di giudizio che prevede i gradi: “insufficiente”, “sufficiente”, “buono” e “ottimo”. Il giudizio è assegnato prendendo in considerazione il peso medio delle piante, lucentezza e colore delle foglie e gradevolezza del sapore.

ESEMPIO 1

Il 1 novembre vengono inseriti i substrati di crescita con i germogli di indivia scarola, indivia riccia e cicoria pan di zucchero in 24 delle 48 sedi dei pannelli galleggianti di tipo I (distanza minima fra due substrati adiacenti pari a 19 cm). La temperatura dell’aria esterna varia da -3°C a 8°C nell’intero periodo di coltivazione fino al 25 febbraio; nello stesso periodo, la temperatura dell’aria interna alla serra varia da 10°C a 18°C con umidità massima di 86%, la temperatura del bagno e della soluzione nutritiva è regolata a 15°C, la sua conducibilità è di 2,0 mS e le concentrazioni di nutrienti sono: azoto nitrico 10,5 mM, azoto ammoniacale inferiore a 0,5 mM, potassio 4,6 mM, magnesio 1,9 mM, calcio 3,3 mM, silice 0,4 mM, ioni cloruro 0,54 mM, ioni solfato 1,8 mM, fosforo totale 1,0 mM, ossigeno disciolto 6 mg/litro. Nel bagno/soluzione nutritiva sono presenti inoltre i seguenti elementi(espressi in micromoli per litro di soluzione (µM) ): Fe = 10,4 µM, Mn = 4,9 µM, Zn = 12,2 µM, B = 23,2 µM, Cu = 3,4 µM e Mo < 0,1 µM; il pH è 5,8. L’acqua impiegata per la preparazione del bagno/soluzione nutritiva è acqua piovana, l’energia<2>luminosa giornaliera esterna è in media di 429 J/cm e viene integrata a 1000 J/cm<2>con illuminazione artificiale.

Nei primi quattro giorni viene irrorata dall’alto la soluzione nutritiva per 30 min una volta al giorno fino a che si osserva la formazione delle prime radichette del germoglio che fuoriescono dal substrato di crescita. Dal quinto giorno si esegue un ciclo di irrorazione di soluzione nutritiva per 30 min a giorni alterni. Il 10 novembre le radici filiformi cominciano a pescare nella soluzione nutritiva e il 20 novembre, al termine della fase (b), hanno lunghezza di circa 8 cm. Nella fase (b), l’irrorazione condotta alle suddette condizioni garantisce che la saturazione dei substrati di crescita vari ciclicamente da 100% circa a 50% circa. Il 21 novembre le piantine vengono trasferite in pannelli di tipo II, occupando 6 sedi delle 12 presenti su ciascuno pannello (distanza minima fra due substrati adiacenti pari a 38 cm), e vengono eseguiti cicli di irrorazione dall’alto di soluzione nutritiva a giorni alterni per 30 min seguiti da 5 min di irrorazione con acqua piovana per lavare le foglie, fino al 10 dicembre (termine della fase (c)). Nella fase (c), l’irrorazione condotta alle suddette condizioni garantisce che la saturazione dei substrati di crescita vari ciclicamente da 80% circa a 40% circa.

Successivamente si interrompono i cicli di irrorazione e le piante crescono assorbendo il nutrimento soltanto tramite le radici pescanti nel bagno nutritivo fino al 25 febbraio (termine fase (d)). Alla raccolta, indivia scarola e indivia riccia hanno foglie di lunghezza da 25 cm a 30 cm, mentre la cicoria pan di zucchero ha foglie di lunghezza da 35 cm a 43 cm. La qualità degli ortaggi raccolti è buona, con 100% di prima scelta.

ESEMPIO 2

Il 5 marzo vengono inseriti i substrati di crescita con i germogli di indivia scarola, indivia riccia e cicoria pan di zucchero in 24 delle 48 sedi dei pannelli galleggianti di tipo I (distanza minima fra due substrati adiacenti pari a 19 cm). La temperatura dell’aria esterna varia da 9°C a 23°C nell’intero periodo di coltivazione fino al 1 maggio; nello stesso periodo, la temperatura dell’aria interna alla serra varia da 12°C a 29°C con umidità media del 68%, la temperatura del bagno e della soluzione nutritiva è regolata a 17°C, la sua conducibilità è di 2,5 mS e le concentrazioni di nutrienti sono: azoto nitrico 13,9 mM, azoto ammoniacale inferiore a 0,5 mM, potassio 6,2 mM, magnesio 2,2 mM, calcio 4,5 mM, silice 0,5 mM, ioni cloruro 0,68 mM, ioni solfato 2,0 mM, fosforo totale 1,5 mM, ossigeno disciolto 5 mg/litro. Nel bagno/soluzione nutritiva sono presenti inoltre i seguenti elementi (espressi in micromoli per litro di soluzione (µM)): Fe = 13,0 µM, Mn = 6,1 µM, Zn = 15,2 µM, B = 29,0 µM, Cu = 4,3 µM e Mo < 0,1 µM; il pH è 5,8. L’acqua impiegata per la preparazione del bagno/soluzione nutritiva è acqua piovana, l’energia luminosa giornaliera esterna è in media di 1540 J/cm<2>e all’interno risulta di 1200 J/cm<2>.

Nei primi tre giorni viene irrorata dall’alto soluzione nutritiva per 30 min due volte al giorno fino a che si osserva la formazione delle prime radichette del germoglio che fuoriescono dal substrato di crescita. Dal quarto giorno si esegue un ciclo di irrorazione di soluzione nutritiva per 30 min una volta al giorno. L’11 marzo le radici filiformi cominciano a pescare nella soluzione nutritiva e il 14 marzo, al termine cioè della fase (b), hanno lunghezza di circa 8 cm. Nella fase (b), l’irrorazione condotta alle suddette condizioni garantisce che la saturazione dei substrati di crescita vari ciclicamente da 100% circa a 50% circa.

Il 15 marzo le piantine vengono trasferite in pannelli di tipo II, occupando 6 sedi delle 12 presenti su ciascuno pannello (distanza minima fra due substrati adiacenti pari a 38 cm), e vengono eseguiti cicli di irrorazione dall’alto di soluzione nutritiva una volta al giorno per 30 min seguiti da 5 min di irrorazione con acqua piovana per lavare le foglie, fino al 25 marzo (termine della fase (c)). Nella fase (c), l’irrorazione condotta alle suddette condizioni garantisce che la saturazione dei substrati di crescita vari ciclicamente da 80% circa a 40% circa.

Successivamente si interrompono i cicli di irrorazione e le piante crescono assorbendo il nutrimento soltanto tramite le radici pescanti nel bagno nutritivo fino al 1 maggio (termine fase (d)). Alla raccolta, indivia scarola e indivia riccia hanno foglie di lunghezza da 27 cm a 33 cm, mentre la cicoria pan di zucchero ha foglie di lunghezza da 42 cm a 46 cm. La qualità degli ortaggi raccolti è ottima, con 100% di prima scelta.

ESEMPIO 3

Il 30 giugno vengono inseriti i substrati di crescita con i germogli di indivia scarola, indivia riccia e cicoria pan di zucchero in 24 delle 48 sedi dei pannelli galleggianti di tipo I (distanza minima fra due substrati adiacenti pari a 19 cm).

La temperatura dell’aria esterna varia da 21°C a 35°C nell’intero periodo di coltivazione fino al 10 agosto; nello stesso periodo la temperatura dell’aria interna alla serra varia da 22°C a 35°C con umidità media del 58%, la temperatura del bagno e della soluzione nutritiva è regolata a 24°C, la sua conducibilità è di 2,8 mS e le concentrazioni di nutrienti sono: azoto nitrico 15,2 mM, azoto ammoniacale inferiore a 0,5 mM, potassio 6,7 mM, magnesio 2,7 mM, calcio 4,9 mM, silice 0,5 mM, ioni cloruro 0,72 mM, ioni solfato 2,2 mM, fosforo totale 1,6 mM, ossigeno disciolto 4 mg/litro. Nel bagno/soluzione nutritiva sono presenti inoltre i seguenti elementi (espressi in micromoli per litro di soluzione (µM)): Fe = 14,6 µM, Mn = 6,8 µM, Zn = 17,0 µM, B = 32,5 µM, Cu = 4,8 µM e Mo < 0,1 µM; il pH è 5,8. L’acqua impiegata per la preparazione del bagno/soluzione nutritiva è acqua piovana, l’energia luminosa giornaliera esterna è in media di 2280 J/cm<2>e all’interno risulta di 1938 J/cm<2>.

Nei primi sette giorni viene irrorata dall’alto soluzione nutritiva per 30 min due volte al giorno e, dopo 2 giorni, si osserva la formazione delle prime radichette del germoglio che fuoriescono dal substrato di crescita. Il quarto giorno, le radici filiformi cominciano a pescare nella soluzione nutritiva e il 6 luglio, al termine della fase (b), hanno lunghezza di circa 8 cm. Nella fase (b), l’irrorazione condotta alle suddette condizioni garantisce che la saturazione dei substrati di crescita vari ciclicamente da 100% circa a 50% circa.

Il 7 luglio le piantine vengono trasferite in pannelli di tipo II, occupando 6 sedi delle 12 presenti su ciascuno pannello (distanza minima fra due substrati adiacenti pari a 38 cm), e vengono eseguiti cicli di irrorazione dall’alto di soluzione nutritiva una volta al giorno per 30 min seguiti da 5 min di irrorazione con acqua piovana per lavare le foglie, fino al 16 luglio (termine della fase (c)). Nella fase (c), l’irrorazione condotta alle suddette condizioni garantisce che la saturazione dei substrati di crescita vari ciclicamente da 80% circa a 40% circa.

Successivamente si interrompono i cicli di irrorazione e le piante crescono assorbendo il nutrimento soltanto tramite le radici pescanti nel bagno nutritivo fino al 10 agosto (termine fase (d)). Alla raccolta, indivia scarola e indivia riccia hanno foglie di lunghezza da 28 cm a 35 cm e la cicoria pan di zucchero ha le foglie di lunghezza da 35 cm a 52 cm. La qualità degli ortaggi raccolti è buona, con 100% di prima scelta.

ESEMPIO 4

Il 27 agosto vengono inseriti i substrati di crescita con i germogli di indivia scarola, indivia riccia e cicoria pan di zucchero in 24 delle 48 sedi dei pannelli galleggianti di tipo I (distanza minima fra due substrati adiacenti pari a 19 cm).

La temperatura dell’aria esterna varia da 12°C a 26°C nell’intero periodo di coltivazione fino al 12 ottobre; nello stesso periodo la temperatura dell’aria interna alla serra varia da 14°C a 28°C con umidità media del 55%, la temperatura del bagno e della soluzione nutritiva è regolata a 20°C, la sua conducibilità è di 2,5 mS e le concentrazioni di nutrienti sono: azoto nitrico 13,2 mM, azoto ammoniacale inferiore a 0,5 mM, potassio 5,5 mM, magnesio 2,2 mM, calcio 4,6 mM, silice 0,5 mM, ioni cloruro 0,66 mM, ioni solfato 1,9 mM, fosforo totale 1,5 mM, ossigeno disciolto 4,5 mg/litro. Nel bagno/soluzione nutritiva sono presenti inoltre i seguenti elementi (espressi in micromoli per litro di soluzione (µM)): Fe = 13,1 µM, Mn = 6,0 µM, Zn = 15,1 µM, B = 29,1 µM, Cu = 4,2 µM e Mo < 0,1 µM; il pH è 5,8. L’acqua impiegata per la preparazione del bagno/soluzione nutritiva è acqua piovana, l’energia luminosa giornaliera esterna è in media (Ok!) di 1500

<2>J/cm<2>e all’interno risulta di 1000 J/cm .

Nei primi dieci giorni viene irrorata dall’alto soluzione nutritiva per 30 min due volte al giorno e, dopo 2 giorni, si osserva la formazione delle prime radichette del germoglio che fuoriescono dal substrato di crescita. Il quarto giorno le radici filiformi cominciano a pescare nella soluzione nutritiva e il 5 settembre, al termine della fase (b), hanno lunghezza di circa 8 cm. Nella fase (b), l’irrorazione condotta alle suddette condizioni garantisce che la saturazione dei substrati di crescita vari ciclicamente da 100% circa a 50% circa.

Il 6 settembre le piantine vengono trasferite in pannelli di tipo II, occupando 6 sedi delle 12 presenti su ciascuno pannello (distanza minima fra due substrati adiacenti pari a 38 cm), e vengono eseguiti cicli di irrorazione dall’alto di soluzione nutritiva una volta al giorno per 30 min seguiti da 5 min di irrorazione con acqua piovana per lavare le foglie, fino al 15 settembre (termine della fase (c)). Nella fase (c), l’irrorazione condotta alle suddette condizioni garantisce che la saturazione dei substrati di crescita vari ciclicamente da 80% circa a 40% circa.

Successivamente si interrompono i cicli di irrorazione e le piante crescono assorbendo il nutrimento soltanto tramite le radici pescanti nel bagno nutritivo fino al 12 ottobre (termine fase (d)). Alla raccolta, indivia scarola e indivia riccia hanno foglie di lunghezza da 26 cm a 32 cm, mentre la cicoria pan di zucchero ha foglie di lunghezza da 38 cm a 46 cm. La qualità degli ortaggi raccolti è buona, con 100% di prima scelta.

I precedenti Esempi 1-4 dimostrano che con il procedimento secondo la presente invenzione è possibile coltivare idroponicamente indivia scarola, indivia riccia e cicoria pan di zucchero con elevate rese produttive e raccolti di elevata qualità durante tutto l’anno.

Claims (11)

1. RIVENDICAZIONI 1. Procedimento di coltivazione idroponica di almeno un ortaggio scelto fra indivia scarola, indivia riccia o cicoria pan di zucchero comprendente le fasi di: (a) predisporre un apparato comprendente - almeno una vasca contenente un bagno nutritivo, - almeno un pannello galleggiante su detto bagno nutritivo provvisto di almeno una sede di contenimento di un substrato di crescita, la quale sede è atta a trattenere detto substrato di crescita ad almeno una prima distanza D1 dalla superficie di detto bagno nutritivo, e di almeno un’apertura per porre in comunicazione fluida detta sede con detto bagno nutritivo, - almeno un germoglio di detto ortaggio supportato su almeno un substrato di crescita, detto substrato essendo inserito in detta sede di contenimento; (b) far crescere detto almeno un germoglio per un primo periodo di crescita, nel quale periodo si alimenta detto substrato di crescita con almeno una soluzione nutritiva sino alla formazione di almeno una piantina avente radici pescanti in detto bagno nutritivo attraverso detta apertura; (c) far crescere detta almeno una piantina per un secondo periodo di crescita, nel quale periodo: - si alimenta detto substrato con almeno detta soluzione nutritiva così che il grado di saturazione di detto substrato vari ciclicamente fra un valore compreso nell’intervallo 70% - 100% e un valore compreso nell’intervallo 20% - 50%; - si bagnano almeno le foglie di detta piantina con acqua o una soluzione nutritiva; (d) interrompere almeno l’alimentazione di detto substrato con almeno detta soluzione nutritiva così da far crescere detta almeno una piantina sostanzialmente soltanto attraverso l’alimentazione derivante dal bagno nutritivo, sino ad ottenere una pianta di detto ortaggio avente un grado di maturazione desiderato.
2. 2. Procedimento secondo la precedente rivendicazione, in cui detta fase (b) comprende le fasi di: (b1) alimentare detta soluzione nutritiva a detto supporto di crescita sino a raggiungere un grado di saturazione del 100% circa e quindi interrompere detta alimentazione; (b2) ripetere detta fase (b1) quando il grado di saturazione di detto substrato di crescita è ad un valore uguale o inferiore a 60%, preferibilmente ad un valore compreso nell’intervallo 50%-60%.
3. 3. Procedimento secondo una o più delle precedenti rivendicazioni, in cui detta fase (c) comprende le fasi di: (c1) alimentare detto supporto di crescita con detta soluzione nutritiva sino a raggiungere un grado di saturazione pari a circa 80% e quindi interrompere detta alimentazione; (c2) ripetere detta fase (c1) quando il grado di saturazione di detto substrato di crescita è ad un valore uguale o inferiore a 50%, preferibilmente ad un valore compreso nell’intervallo 40%-50%.
4. 4. Procedimento secondo una o più delle rivendicazioni precedenti, in cui detta alimentazione nella fase (c) e/o detta bagnatura delle foglie è effettuata tramite irrorazione dall’alto.
5. 5. Procedimento secondo una o più delle precedenti rivendicazioni, in cui in detta fase (c) detto almeno un substrato di crescita è posizionato ad una seconda distanza D2 da detto bagno nutritivo mantenendo dette radici pescanti in detto bagno nutritivo, detta distanza D2 essendo maggiore di detta distanza D1.
6. 6. Procedimento secondo una o più delle precedenti rivendicazioni, in cui detta fase (c) è effettuata su un secondo pannello galleggiante su detto bagno nutritivo provvisto di almeno una sede di contenimento di un substrato di crescita, la quale sede è atta a trattenere detto substrato di crescita ad almeno detta seconda distanza D2 dalla superficie di detto bagno nutritivo, e di almeno un’apertura per porre in comunicazione fluida detta sede con detto bagno nutritivo.
7. 7. Procedimento secondo una o più delle precedenti rivendicazioni, in cui dette radici di detta piantina che si forma in detta fase (b) sono radici filiformi sostanzialmente non ramificate.
8. 8. Procedimento secondo una o più delle precedenti rivendicazioni, in cui detta distanza D1 è compresa nell’intervallo 1,0 – 2,0 cm.
9. 9. Procedimento secondo una o più delle rivendicazioni 5-8, in cui detta distanza D2 è superiore a 2,0 cm e inferiore a 4,0 cm, preferibilmente è compresa nell’intervallo 2,1 – 3,0 cm.
10. 10. Procedimento secondo una o più delle precedenti rivendicazioni, in cui dette fasi (b), (c) e (d) sono effettuate mantenendo le seguenti condizioni climatiche: umidità relativa dell'aria compresa nell’intervallo 50% - 90%, temperatura dell'aria compresa nell’intervallo 10°C - 35°C, temperatura della soluzione nutritiva compresa nell’intervallo 13°C -25°C.
11. 11. Procedimento secondo una o più delle precedenti rivendicazioni, in cui detto bagno nutritivo e/o detta soluzione nutritiva ha le seguente caratteristiche chimico-fisiche: conducibilità elettrica da 1,8 mS a 3,3 mS, concentrazione di azoto nitrico da 10 a 16 mM (con un massimo di azoto ammoniacale di 0,5 mM), ioni potassio da 4 a 8 mM, ioni magnesio da 1 a 4 mM, ioni calcio da 3 a 6 mM, silice da 0 a 1 mM, ioni cloruro da 0,4 a 1,0 mM, ioni solfato da 1 a 3 mM, fosforo totale da 1 a 2 mM, ossigeno disciolto da 4 a 8 mg/litro e pH da 5,6 a 6,0.