ITTO20070563A1 - Dispositivo di identificazione a radiofrequenza con antenna accoppiata in near field - Google Patents

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ITTO20070563A1
ITTO20070563A1 IT000563A ITTO20070563A ITTO20070563A1 IT TO20070563 A1 ITTO20070563 A1 IT TO20070563A1 IT 000563 A IT000563 A IT 000563A IT TO20070563 A ITTO20070563 A IT TO20070563A IT TO20070563 A1 ITTO20070563 A1 IT TO20070563A1
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Alessandro Finocchiaro
Giovanni Girlando
Giuseppe Palmisano
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Description

D E S C R I Z I O N E
La presente invenzione si riferisce a un dispositivo per identificazione a radiofrequenza con antenna accoppiata in near field. In particolare, il dispositivo è utilizzabile in un sistema di lettura/scrittura dati senza fili.
L'identificazione a radiofrequenza, nota con 1'acronimo RFID (Radio Frequency IDentification) è una tecnologia per la identificazione automatica di oggetti, animali o persone. I sistemi RFID si basano sulla lettura/scrittura a distanza di informazioni contenute in una piastrina (qui di seguito detta "tag") tramite lettori RFID.
Per una migliore comprensione di tali sistemi, si faccia riferimento alla figura 1 mostrante lo schema di principio di un sistema di lettura dati senza fili utilizzante un tag. Come mostrato, i tag RFID 1 sono costituiti da due componenti principali: una prima antenna 2 (sia ricevente che trasmittente) e un circuito di elaborazione 3. Le fasi di realizzazione di un tag RFID 1 attualmente commercializzato prevedono tipicamente due fasi di fabbricazione distinte per la realizzazione del circuito di elaborazione 3, incapsulato da un apposito package, e per la realizzazione della prima antenna 2. In seguito, la prima antenna 2 viene montata sul circuito di elaborazione 3 ed infine essi vengono inseriti in una struttura di contenimento atta a proteggere la prima antenna 2 e il circuito di elaborazione 3 dall'ambiente esterno. La lettura del segnale inviato dalla prima antenna 2 del tag RFID 1 viene effettuata tramite un lettore 4.
Tipicamente i tag RFID 1 possono operare in banda HF o UHF. I tag RFID 1 operanti in banda HF (tipicamente alla frequenza standardizzata di 13,56 MHz) comunicano con il rispettivo lettore 4 in condizioni di accoppiamento in campo vicino ("near field"), ovvero principalmente via accoppiamento magnetico su distanze molto piccole, dell'ordine di una decina di centimetri. L'antenna è in questo caso formata da una spira di materiale conduttore racchiudente un'area pari a una decina di cm2 (figura La figura 2 mostra con maggiore dettaglio i componenti del circuito di elaborazione 3 del tag RFID 1. Il circuito di elaborazione 3 comprende, in cascata fra loro, un condensatore di risonanza 5, un modulatore 6, uno stadio raddrizzatore 7, uno stadio di innalzamento 8 e un circuito di rivelazione 9. Il lettore 4 comprende invece una seconda antenna 10 e un circuito di controllo 11.
La figura 3 mostra un tag RFID 1 in cui la prima antenna 2 è accoppiata in banda UHF con la seconda antenna 10 del lettore 4. Solitamente tale tipo di accoppiamento viene effettuato in condizioni di campo lontano ("far field"), in modo da poter permettere al lettore 4 di rilevare la presenza del tag RFID 1 anche a grande distanza. Ciò impone l'utilizzo di antenne le cui dimensioni lineari devono perlomeno essere nell'ordine di grandezza dei centimetri.
Il tag RFID 1 mostrato in figura 3 presenta inoltre una rete di adattamento 12 disposta all'esterno del circuito di elaborazione 3.
Nei dispositivi di figura 2 e 3, lo stadio raddrizzatore 7 può essere di tipo qualsiasi. Ad esempio del tipo a PMOS-NMOS a porte incrociate mostrato in figura 4, che è stato implementato nella soluzione proposta.
In dettaglio, lo stadio raddrizzatore 7 è formato da una coppia di transistori PMOS M2, M4 e una coppia di transistori NMOS MI, M3, a porte incrociate, funzionanti come interruttori.
Un generatore di tensione Vsè collegato in corrispondenza di terminali di ingresso A, B allo stadio raddrizzatore 7 e fornisce un segnale di ingresso Vsad onda quadra avente ampiezza tale da portare i transistori MI, M2, M3, M4 in zona di saturazione durante il fronte alto dell'onda e interdirli quando la tensione è nulla. In dettaglio, durante il semiperiodo in cui il potenziale del terminale A è positivo rispetto a quello del terminale B, MI e M2 sono accesi, mentre M3 e M4 sono spenti. In questo caso, una corrente le fluisce da un nodo di massa GND attraverso MI verso il generatore di tensione Vse poi attraverso M2 verso un carico rappresentato in figura 4 da un resistore RO e da un condensatore CO. Durante il semiperiodo in cui il potenziale del terminale A è negativo rispetto a quello del terminale B, M3 e M4 sono accesi, mentre MI e M2 sono spenti. In questo caso, la corrente le fluisce dal potenziale di massa attraverso M3 verso il generatore di tensione Vse poi attraverso M4 verso il carico RO, CO, per richiudersi a massa. Pertanto, in ciascuno dei due semiperiodi, la corrente le che fluisce nel carico CO, RO ha sempre una stessa direzione. La corrente le va a caricare il condensatore CO che funge da batteria per i circuiti a valle. Lo stadio raddrizzatore 7 genera una tensione continua sul condensatore CO, pari a:
(1)
ove la Vsè l'ampiezza della tensione fornita in ingresso allo stadio raddrizzatore 7 e Vonè la tensione tra pozzo e sorgente dei transitori MOS M1-M4 dovuta alla resistenza dei loro rispettivi canali, in condizione di triodo. Quando la corrente le incrementa, Vonaumenta e Vmdiminuisce. Il comportamento dello stadio raddrizzatore 7 nel caso di una tensione di ingresso Vsdi tipo sinusoidale è simile a quello descritto qui sopra, ma la tensione continua sul carico RO, CO nonché l'efficienza elettrica del circuito di raddrizzamento 7 hanno un valore più basso, poiché i transistori interessati (M1-M2 o M3-M4) restano accesi in condizione di triodo per un tempo più breve rispetto a un semiperiodo di onda quadra in ingresso alla stessa frequenza.
Date le dimensioni delle antenne trasmittenti 2, queste non possono essere integrate sul circuito di elaborazione 3 in entrambi i dispositivi mostrati nelle figure 2 e 3, causando quindi un costo di produzione elevato, dato dalla necessità di operare con un numero maggiore di fasi di fabbricazione, e un elevato ingombro del dispositivo finale.
Scopo della presente invenzione è quindi realizzare un tag RFID ad accoppiamento in campo vicino, in cui il circuito di elaborazione e l'antenna trasmittente sono integrati in un’unica struttura completamente monolitica.
Secondo la presente invenzione, viene quindi realizzato un dispositivo di identificazione a radiofrequenza, come definito nella rivendicazione 1.
Per una migliore comprensione dell'invenzione, ne viene ora descritta una forma di realizzazione preferita, a puro titolo di esempio non limitativo e con riferimento ai disegni allegati, nei quali:
- la figura 1 mostra uno schema a blocchi di un tag RFID e del relativo lettore noto;
- la figura 2 mostra uno schema a blocchi dì un tag RFID di tipo noto;
- la figura 3 mostra uno schema a blocchi di un altro tag RFID di tipo noto;
- la figura 4 mostra uno schema circuitale di un componente degli schemi delle figure 2 e 3;
- la figura 5 mostra uno schema a blocchi di una forma di realizzazione delle presente invenzione;
- la figura 6 mostra uno schema circuitale di un componente del circuito di figura 5;
- le figure 7a e 7b mostrano rispettivamente una schematizzazione dell'accoppiamento tra le antenne e il relativo circuito eguivalente;
la figura 8 mostra la disposizione degli elementi del presente dispositivo;
- la figura 9 mostra una sezione del circuito di elaborazione del tag RFID;
la figura 10 mostra il modello circuitale dell'antenna di figura 8;
- la figura 11 mostra una tabella raffigurante l'andamento di alcuni parametri di progetto dell'antenna; e
la figura 12 mostra alcune curve di livello relative alla massima distanza di accoppiamento tra l'antenna trasmittente e l'antenna ricevente.
La figura 5 mostra un tag RFID 100 comprendente un circuito di elaborazione 103 ed una prima antenna 102 racchiusi in un incapsulamento ("package") 113. La prima antenna 102 è elettricamente connessa con un condensatore di risonanza 105 posto in parallelo ad essa; a sua volta, i terminali del condensatore di risonanza 105 sono connessi con i terminali di sorgente e di pozzo di un transistore MOS costituente un modulatore 106. Il terminale di porta del modulatore 106 è connesso con un circuito di rivelazione 109. Il circuito di rivelazione 109 è un blocco digitale che a seconda dei comandi ricevuti dal lettore 104 ("reader") produce in uscita la sequenza di bit opportuna per pilotare il terminale di porta del modulatorel06. I terminali di sorgente e pozzo del modulatore 106 sono connessi anche con uno stadio raddrizzatore 107. Uno stadio di innalzamento 108 è connesso tra le uscite dello stadio raddrizzatore 107 e l'ingresso del circuito di rivelazione 109
La prima antenna 102 è accoppiata ad una antenna ricevente 110 appartenente ad un lettore 104 analogo al lettore 4 di figura 1 e quindi non descritto in dettaglio in seguito.
Al fine di raddoppiare la tensione continua sul carico R0, CO, mantenendo inalterata la tensione di ingresso Vs, è stata utilizzata la configurazione illustrata nella figura 6, mostrante con maggiore dettaglio il collegamento tra lo stadio raddrizzatore 107 e lo stadio di innalzamento 108.
Come mostrato in figura 6, lo stadio di innalzamento 108 comprende un primo e secondo circuito di innalzamento 108a e 108b connessi alle uscite rispettivamente di un raddrizzatore positivo 107a e di un raddrizzatore negativo 107b, ognuno dei gualì opera nello stesso modo dello stadio raddrizzatore 107 di figura 4. Un primo e un secondo condensatore di filtro Cinti, Cint2 sono connessi tra i circuiti di innalzamento 108a e 108b e i raddrizzatori positivo e negativo 107a, 107b. I condensatori Cinti, Cint2 hanno un primo terminale collegato ad un nodo comune 120 ed un secondo terminale connesso con le uscite dei raddrizzatori positivo e negativo 107a, 107b. Il nodo comune 120 è connesso ad un riferimento di potenziale interno Vref.
Il primo e secondo circuito di innalzamento 108a e 108b sono anche essi dei circuiti PMOS e NMOS a porte incrociate. Questi, però, a differenza dei raddrizzatori positivo 107a e negativo 107b, prelevano la tensione continua presente ai capi dei condensatori Cinti, Cint2 e forniscono in uscita una tensione doppia rispetto a guella di ingresso. La resistenza R0, avente due terminali connessi rispettivamente con le uscite del primo e del secondo circuito di pompa di carica 8a, 8b, rappresenta la resistenza vista ai capi del circuito di rivelazione 109.
Sia lo stadio raddrizzatore 107 che lo stadio di innalzamento 108 includono transistori MOS simili ai transistori MOS M1-M4 mostrati in figura 4.
La struttura di figura 6 presenta il vantaggio di ridurre l'incremento della tensione di soglia complessiva necessaria per portare i transistori MOS in conduzione causata dalla presenza della cascata dello stadio raddrizzatore 107 e dello stadio di innalzamento 108.
In particolare, la tensione di soglia è proporzionale alla radice quadrata della tensione tra il terminale di sorgente e il terminale di bulk dei transistori MOS dello stadio di innalzamento 108.
La tensione tra il terminale di sorgente e il terminale di bulk dei transistori MOS dello stadio di innalzamento 108 è proporzionale al numero di stadi che precedono lo stadio di innalzamento 108.
Pertanto la struttura mostrata in figura 6 permette di avere la stessa tensione che si ha sui terminali di uscita del primo e secondo circuito a pompa di carica 108a, 108b, sui terminali di uscita dello stadio di innalzamento 108 ma impiegando un minore numero di stadi. In particolare, detto N il numero di stadi innalzatori 108 necessario a produrre in uscita una tensione Vo, il numero di circuiti a pompa di carica 108a, 108b disposti rispettivamente in cascata ai raddrizzatori positivo e negativo 107a, 107b e necessari a produrre in uscita la stessa tensione Vo è pari a (N—1)/2.
Per poter garantire il corretto funzionamento del primo e secondo circuito di pompa di carica 108a e 108b la prima antenna 102 deve fornire una tensione minima VMIN = VTH Vdiss, dove VTH è la tensione di soglia per i transistori M1-M4 e Vdiss è la tensione dovuta alla corrente che fluisce nella resistenza interna della prima antenna 102 durante il normale funzionamento del tag RFID 100. In generale, dalle simulazioni effettuate, l'ampiezza del segnale d'ingresso Vs, ovvero la tensione ai capi della prima antenna 102, deve essere maggiore di 400mV.
La distanza massima tra tag RFID 100 e rispettivo lettore 104 alla quale la prima antenna 102 riesce a fornire una tensione pari a VMIN è detta reading range e viene calcolata come spiegato in seguito, con riferimento alle figure 7a e 7b.
Nelle figure la e 7b sono mostrati rispettivamente l'accoppiamento tra una prima spira LI appartenente alla seconda antenna 110 del lettore 104 e una seconda spira L2 appartenente alla prima antenna 102 ed il relativo circuito equivalente.
In dettaglio, in figura 7b, il resistore di carico RLrappresenta la resistenza equivalente parallelo del circuito di elaborazione 103, come vista dalla prima antenna 102, qui di seguito utilizzata per il calcolo del reading range. Il resistore di carico RLdissipa una potenza legata alla tensione di carico u2esistente ai capi della resistenza di carico RLe data dalla somma di tre contributi: un primo contributo è dato dalla tensione generata dall'accoppiamento prodotto dalla corrente sulla spira LI del lettore 104; un secondo contributo è dato dalle perdite ohmiche della spira L2 del tag RFID 100 percorsa da una corrente i2(perdite che sono rappresentate in figura 7b da un resistore R2, posto in serie alla spira L2); infine un terzo contributo è dovuto alla corrente che attraversa la spira L2 del tag RFID 100 e che genera un campo magnetico opposto a quello generato dal lettore 104. In pratica, si ha:
(2
in cui Ψ è il flusso magnetico attraversante le spire LI ed L2 ed M è il fattore di accoppiamento magnetico fra le spire LI ed L2.
La tensione u2, ai capi di RL, è in genere incrementata aggiungendo un condensatore parallelo C2connesso in parallelo alla spira del tag RFID 100, tale da formare un circuito risonante parallelo 114 alla frequenza di lavoro del lettore 104. La frequenza di risonanza f del circuito risonante parallelo 114 è data dalla seguente relazione:
ove C2è dato dalla somma della capacità equivalente Q Bqu all'ingresso del circuito di elaborazione 103 e della capacità C2<2>del condensatore parallelo
4) Dalle (2), (3) e (4), si ottiene un campo magnetico minimo Hmin che produce una tensione u2pari a VMIN. Esso è dato da:
(5)
dove A ed N sono rispettivamente l'area e il numero di giri della spira L2 del tag RFID 100, ed μ0è la permeabilità magnetica nel vuoto.
La relazione che lega il campo Hmincon il reading range x, e data da:
(6)
dove è la corrente che attraversa la seconda antenna 110 del lettore 104, Njè il numero di giri della spira LI, ed R è il raggio dell'antenna ricevente 110 del lettore 104.
La figura 8 mostra il layout del tag RFID 100, dalla quale risulta evidente che tutti ì componenti del tag RFID 100 compresi dei contatti di test 115, sono disposti all'interno della prima antenna 102, garantendo quindi un notevole risparmio di area di semiconduttore. In questo caso l'area della prima antenna 102 è di circa 1 mmt
In figura 8 sono visibili inoltre il condensatore di risonanza 105, lo stadio raddrizzatore 107, lo stadio di innalzamento 108 e la pluralità di contatti di test 115.
La figura 9 mostra la sezione trasversale di una porzione di una piastrina ("chip") 119 che integra i componenti del circuito di elaborazione 103, rappresentati schematicamente all'interno di un substrato 20 di materiale semiconduttore.
Lo spessore DI del substrato 20 di materiale semiconduttore è compreso tipicamente tra 20 μιιι e 500 μτη.
Al di sopra del substrato 20, è depositato uno strato di scudo ("ground shield") 21, ad esempio di polisilicio, avente lo scopo di incrementare la resistenza elettrica tra il substrato 20 e gli strati sovrastanti, limitando quindi la presenza di correnti parassite (dette anche "eddy currents"), che potrebbero deteriorare le prestazioni del tag RFID 100.
Al di sopra dello strato di scudo 21 è presente una serie di coppie di strati 24, composte ciascuna da uno strato di metallizzazione 22 e da uno strato di ossido di silicio 23.
Gli strati di metallizzazione 22 sono tra di loro connessi attraverso vie ("vias") 25. Lo strato di metallizzazione 22 della coppia di strati 24 superiore forma la prima antenna 102 del tag RFID 100 ed è coperto da uno strato di passivazione 27.
L'uso di più strati di metallizzazione 22 ha lo scopo di ridurre la resistenza serie della prima antenna 102 del tag RFID 100, migliorando le prestazioni in termini di massima distanza di accoppiamento tra la prima antenna 102 e l'antenna ricevente 110.
A seguito di sperimentazioni si è trovato che le migliori prestazioni della prima antenna 102 si ottengono quando la distanza tra lo strato di metallizzazione 22 superiore e il substrato 20 di materiale semiconduttore è tipicamente compresa tra 2,5 e 5 volte lo spessore degli strati di metallizzazione 22.
La figura 10 mostra un modello a parametri concentrati della prima antenna 102, realizzata secondo la forma di realizzazione di figura 8. Qui, la prima antenna 102 è rappresentata da un induttore Ls (rappresentante l'induttanza di accoppiamento) e da un resistore Ra (rappresentante la resistenza serie della prima antenna 102) e ha terminali di antenna 16, 17 a cui è connesso un condensatore Cs, che rappresenta la capacità parassita di accoppiamento tra le spire della prima antenna 102.
Ad ognuno dei terminali di antenna 16, 17 è connesso un rispettivo circuito di modellizzazìone 18, 19, che tiene conto delle capacità e resistenze esistenti nelle regioni isolanti e nelle regioni di materiale semiconduttore del substrato 20. I circuiti di modellizzazìone 18, 19 sono composti da rispettivi condensatori di isolamento Coxl, Cox2, da rispettivi resistori di substrato Rsubl, Rsub2 e da rispettivi condensatori di substrato Csubl, Csub2. In dettaglio, ciascun condensatore di isolamento Coxl, Cox2 ha un terminale connesso con il rispettivo terminale d'antenna 17, 18 ed un secondo terminale connesso con un circuito parallelo formato dal rispettivo resistore di substrato Rsubl, Rsub2 e dal rispettivo condensatore di substrato Csubl, Csub2. I resistori di substrato Rsubl e Rsub2 e i condensatori di substrato Csubl, Csub2 sono direttamente connessi a massa.
Il fattore di qualità dell'antenna 102 della forma di realizzazione di figura 8 è dato da
(7)
mentre la frequenza di autorisonanza fSRdei giri formanti la prima antenna 102 della forma di realizzazione di figura 8 è data da
(8)
dove Cequ rappresenta una capacità equivalente funzione delle capacità di isolamento Coxl e Cox2, delle capacità di substrato Csubl e Csub2 e della capacità Cs.
Si può dimostrare che l'accoppiamento ottimo tra il tag RFID 100 ed il lettore 104 è dato dalle condizioni di progetto per le quali il prodotto oQLs è massimo. Ciò si ottiene utilizzando il massimo numero di giri formanti la prima antenna 102, separati tra loro dalla minima distanza possibile, e il massimo diametro dei giri compatibilmente con i limiti imposti dalla frequenza di autorisonanza e dalla occupazione di area della prima antenna 102. In figura 11 viene mostrato come variano le prestazioni in termini di Q, Ls, fSRfal variare della geometria dei giri formanti la prima antenna 102.
La figura 12 mostra invece le curve di reading range in cui il raggio R della seconda antenna 110 del lettore 104 è mostrato in ascissa, la corrente elettrica ii che scorre nella spira LI del lettore 104 è mostrata in ordinata e le curve sono identificate da un'etichetta riportante la massima distanza di lettura ("reading range"). La relazione tra la massima corrente Imaxche è possibile far scorrere nella spira LI del lettore 104 in funzione del raggio della stessa spira LI è data dalla seguente relazione:
( 9 )
ove K = ω/c ed , ove ω è la pulsazione del segnale in radianti al secondo, Ra rappresenta la resistenza serie della prima antenna 102, c rappresenta la velocità della luce nel vuoto e Wmaxrappresenta la potenza del segnale trasmesso, in questo caso pari ad 1 W.
In figura 12 l'area rappresentata in grigio rappresenta distanze di lettura tra le due antenne 102 e 110 che non sono raggiungibili a causa di limiti legislativi tipici sull'emissione di campi elettromagnetici da antenne nelle frequenze libere di uso scientifico-medico (ISM).
I vantaggi ottenìbili con il tag RFID 100 descritto sono chiari dalla descrizione precedente. In particolare si sottolinea il fatto che il tag RFID 100 può operare in banda UHF in condizioni di campo vicino garantendo una elevata densità di integrazione e includendo tutti i circuiti elettronici necessari al suo funzionamento all'interno dell'area racchiusa dalla prima antenna a spirale 102, anch'essa integrata direttamente nella piastrina di silicio 119.
Risulta infine evidente che al tag RFID 100 descritto possono essere apportate modifiche e varianti, senza uscire dall'ambito della presente invenzione, come definito dalle rivendicazioni allegate. In particolare, i componenti del circuito integrato di supporto 103 possono includere transistori di tipo diverso, ad esempio bipolari, le antenne possono essere di tipo a dipolo, a loop quadrato o circolare mono- o multispira, o ancora a dipolo ripiegato o di tipo "patch". Infine le frequenze di funzionamento del tag RFID 100 possono essere diverse, in particolare possono essere incrementate per fare fronte a una maggiore velocità di test in fase di produzione. L'antenna trasmittente 102 e il circuito di elaborazione 103 possono essere montati in configurazione planare o stacked.

Claims (10)

  1. R IV E N D I CA Z I O N I 1. Dispositivo di identificazione a radiofrequenza (1), comprendente un circuito di elaborazione (103) e una prima antenna (102); detto circuito di elaborazione (103) comprendendo un circuito di rivelazione (109), caratterizzato dal fatto che detta prima antenna (102) e detto circuito di elaborazione (103) sono integrati in un'unica piastrina (119) in forma completamente monolitica .
  2. 2. Dispositivo di identificazione a radiofrequenza secondo la rivendicazione 1, in cui detto circuito di elaborazione (103) comprende inoltre un modulatore (106) e uno stadio raddrizzatore (107), detto modulatore (106) essendo interposto fra detta prima antenna (102), detto stadio raddrizzatore (107) essendo collegato a detto circuito di rivelazione (109), in cui detto stadio raddrizzatore (107) comprende un raddrizzatore positivo (107a) e un raddrizzatore negativo (107b).
  3. 3. Dispositivo di identificazione a radiofrequenza secondo la rivendicazione 2, in cui detto circuito di elaborazione (103) comprende inoltre uno stadio di innalzamento (108) includente un primo circuito innalzamento (108a) e un secondo circuito di innalzamento (108b), in cui un ingresso di detto primo circuito di innalzamento ( 108a) è elettricamente connesso con un'uscita di detto raddrizzatore positivo (107a) e un ingresso di detto secondo circuito di innalzamento (108b) è elettricamente connesso con un'uscita di detto raddrizzatore negativo (107b).
  4. 4. Dispositivo di identificazione a radiofrequenza secondo la rivendicazione 3, in cui detto circuito di elaborazione (103) comprende inoltre un primo condensatore di filtro (Cinti) ed un secondo condensatore di filtro (Cint2); detto primo condensatore di filtro (Cinti) avendo un primo terminale connesso con l'uscita del raddrizzatore positivo (107a) e un secondo terminale connesso con un primo terminale di detto secondo condensatore di filtro (Cint2); detto secondo condensatore di filtro (Cint2) avendo un secondo terminale connesso con l'uscita del raddrizzatore negativo (107b).
  5. 5. Dispositivo di identificazione a radiofrequenza secondo una qualsiasi delle rivendicazione 1-4, in cui detta piastrina (119) comprende un substrato (20) di materiale semiconduttore sovrastato da uno strato dielettrico (21, 23, 27), detta antenna trasmittente (102) essendo formata in uno strato di metallizzazione (22) formato all'interno di detto strato dielettrico.
  6. 6. Dispositivo di identificazione a radiofrequenza secondo la rivendicazione 5, in cui detta prima antenna (102) presenta struttura scelta fra planare e impilata "stacked".
  7. 7. Dispositivo di identificazione a radiofrequenza secondo la rivendicazione 6, in cui detto strato dielettrico (21, 23, 27) comprende una pluralità di strati isolanti (23) separati da una pluralità di strati di metallizzazione reciprocamente alternati, detta prima antenna (102) essendo formata in uno strato di metallizzazione superiore (22) e detti strati di metallizzazione (22) essendo collegati reciprocamente e a detta antenna attraverso vias (25).
  8. 8. Dispositivo di identificazione a radiofrequenza secondo una qualsiasi delle rivendicazioni 5-7, in cui detto strato dielettrico (21, 23, 27), comprende uno strato di scudo (21) di materiale semiconduttore disposto a contatto con detto substrato (20).
  9. 9. Dispositivo di identificazione a radiofrequenza secondo una qualsiasi delle rivendicazioni 5-8, in cui detta prima antenna (102) presenta struttura planare ed è formata da una o più spire di materiale conduttivo disposte tipicamente a minima distanza tecnologica.
  10. 10. Sistema di identificazione a radiofrequenza, comprendente una piastrina ("tag") (100) e un lettore (104), caratterizzato dal fatto che detta piastrina (100) è formata da detto dispositivo di identificazione a radiofrequenza secondo una qualsiasi delle rivendicazioni precedenti e detto lettore (104) comprendente un circuito di controllo (111) e una seconda antenna (110); detta prima antenna (102) essendo accoppiata magnetìcamente, in uso, a detta seconda antenna (110) in condizioni di campo vicino.
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