ITTO930836A1 - Perfezionamenti nei dispositivi trasduttori con struttura del tipo laps. - Google Patents

Description

DESCRIZIONE dell'invenzione industriale dal titolo "Perfezionamenti nei dispositivi trasduttori con struttura del tipo LAP-S"?

TESTO DELLA DESCRIZIONE

Campo dell'invenzione

L'invenzione si riferisce ai trasduttori con struttura del tipo LAPS (Light Addressable Potentiometric Sensor, ossia sensore potenziometrico foto indirizzabi le)

Descrizione della tecnica nota

Nelle loro forme di reaiizzazione ed impiego pi? tipiche, i sensori del tipo sopra -specificato rientrano nella categoria dei dispositivi a semiconduttore chemisensibi1i (CSSD, ossia Chemical Sensitive Semiconductor Device): per una generale trattazione di questo tipo di sensori si pub far riferimento alla descrizione del documento EF-A-0 471 269 e alla letteratura citata nello stesso.

In generale i dispositivi CSSD si prestano a soddisfare in modo eccellente la crescente richiesta di sensori capaci di misurare concentrazioni di sostanze organiche, inorganiche, gassose ed elettroliti per applicazioni nel campo della medicina, della biologia, dei processi chimici e del controllo ambientale,

Notevole attenzione ? stata rivolta, in questo ambito, verso i sensori ChemFET '(Chemical Field Effect Transistor) dotati di opportune interfacce selettive agli ioni desiderati.

Al riguardo si possono utilmente consultare gli articoli di P. Bergveld, IEEE Trans. Biomed. Eng. BME-17, 70(1970)? R. Buck e D? Hackleman, Anal. Chsm, 49 (14),2315(1977)? R. Kelly, Electrochim. Acta 22, 1 <1977)j S.D. Moss., J. Janata e C.C. Johnson, Anal. Chsm. 47 (13), 2233(1975) e K Tsukada et al., Sensore and Actuators B, 2 (1990)

291.295.

Mei sensori a ChemFET viene utilizzato come dispositivo di base un FET la cui tecnologia costruttiva ? ormai perfettamente collaudata, mentre la produzione di sensori basati su questo trasduttore ? ancora nella fase di ricerca a causa delle particolari condizioni ambientali nella quali tali ? un multisensore, senza addizionale complessit? di processa (mediante l'utilizzo di diverse sorgenti di luce poste in diversi punti dello stesso substrato)?

- l'incapsulamento pi? semplice e meno critico, rispetto ad altri tipi di dispositivi? per l'assenza di piste metalliche di collegamento elettrico.

Un dispositivo LAPS ? essenzialmente costituito da una struttura del tipo MIS (Metallo Isolante Semiconduttore) in cui lo strato .isolante o metallico, sensibile chimicamente, viene posto in contatto con l'ambiente esterno, mentre :il semiconduttore ? sottoposto, attraverso Io strato sensibile, o dal lato opposto, ad un flusso modulato di fotoni infrarossi. Il principio di funzionamento del LAPS sfrutta .la tecnica di fotoeccitazione del semiconduttore (ILght-puise technique) come descritta, ad esempio negli articoli seguenti B.H. Yun, App. Phys ? Lett., Voi. 21, No. 5 (1972) 194-195? G. Engstrom e A. Car.lsson, J. Appi. Phys., 54 (9), (1983) 5245-3231; G. Fortunato et al., IEEE Trans, on El. Dev. 36 (12), (1989), 2825-2828; e G? Fortunato et al., Jou. of Non-Cyst. Solids, 114 (1989), 378.380. Tale tecnica ? in grado di evidenziare le variazioni del potenziale di superficie, all'inter

gate VB per un film sottile di silicio amorfo con diverso spessore dell'isolante,

- la figura 8 ? una curva illustrativa della determinazione della tensione di soglia e della mobilit? da effetto campo,

- la figura 9 illustra la caratteristica corrente di drain-source 1M in funzione della tensione di drain-source V. a varie tensioni di gate Va in un dispositivo secondo l'esempio,

- la figura 10 illustra la caratteristica corrente di drain ? in funzione della tensione di gate Vain un dispositivo secondo l'invenzione in diverse condizioni di funzionamento,

- la figura 11 illustra la caratteristica corrente di drain ? in funzione della tensione di gate V,dopo l'applicazione di una tensione di 5V al gate per un periodo di 1000s in un dispositivo secondo 1'invenzione,

- la figura 1? illustra la caratteristica corrente/tensione misurata in una struttura secondo l'invenzione con strato isolante di nitruro di silicio,

- la figura 13 illustra la configurazione sperimentale adottata per le prove nel dispositivo secondo l'invenzione

- la figura 14 illustra il tipico andamento dei segnali di fotoeccitaziane e di risposta di un dispositivo secondo l'invenzione,

- la figura 15 illustra l'andamento della quantit? di carica in funzione della tensione di gate in un dispositiva secando l'invenzione per diversi valori della frequenza di fotoeccitazicne,

- la figura 16 illustra l'andamento dell'ampiezza del segnale lcck-in secondo l'invenzione per tensione di gate pari a zero,

- la figura 17 illustra l'andamento delle curve di dispersione in funzione della tensione di gate del segnale lcck-in normalizzato per diversi valori della frequenza di fotoeccitazicne,

- le figure 1G a 22 illustrano i diversi andamenti, rilevati in un dispositivo seconda l'invenzione, della variazione del segnale lock-in nel caso dell'impiego del dispositivo quale sensore di idrogeno,

- la figura 23 illustra un circuito elettrico di un potenziostato e di un convertitore corrente/tensione utilizzabili in una configurazione sperimentale per la c?ratter izzazione di un dispositivo secondo l'invenzione,

- la figura 24 illustra una-curva caratteristica esempio! ormoni, steroidi, urea) attraverso la mediazione di uno strato attivo sensibile al parametro misurato, eco., con la quale il dispositivo 1 viene fatto interagire.

Di conseguenza, attraverso la misura dell'intensit? della corrente alternata che attraversa l'amperometro 11, ? possibile effettuare una misura del pi-i (o dell'altro o degli altri parametri che si vogliono rilegare).

La soluzione di utilizzare in combinazione un elettrodo di riferimento 6 ad un elettrodo di contrailo 7, collegati fra loro attraverso il potenziostato S, deriva (in base a criteri noti, che non verranno richiamati in modo specifico in questa sede) dall'esigenza di far s? che l'insieme degli elementi conduttori che formano l'armatura del condensatore opposta al silicio 4 non influenzi e/o non sia influenzato dal parametro che si intende misurare, perturbando la misura.

Questa soluzione corrisponde ad un convincimento ben radicato nella tecnica nota, secondo cui le interazioni rilevanti ai fini dell'effettuazione della misura devono intervenire esclusivamente con una specie sensibile disposta a ridosso del semiconduttore

vengono miscelati in un apposito serbatoio (manifold) 66. Da qui vengono trasferiti mediante un'unica linea 67 ad una camera di espansione 68 ricavata nella zona posteriore dell'elettrodo portasub? strati 52, da cui mediante un sistema di fori praticati sull'elettrodo 52 possono diffondere uniformemente nella camera di deposizione 50. La linea di pompaggio 69, posta nel centro del piattello dell'elettrodo 52, assicura un flusso radiale del gas dai fori verso il centro, Le linee di pompaggio 69 e 69a sono collegate, mediante le valvole 70 e 71, alla camera di deposizione 50 ed al piattello dell'elettrodo 52, La pressione totale del gas, misurata con il vacuometro capacitivo (Baratron) 63, ? mantenuta a valori inferiori ad un Torr per mezzo di una valvola throttle manuale.

Nel. glow-discharge la deposizione avviene a causa delle reazioni chimiche tra le specie gassose che compongono il plasma la cui ionizzazione ? mantenuta da un campo elettrico applicato esternamente, Nei plasmi di questo tipo le specie pi? energetiche sono gli elettroni che, avendo una mobilit? elevata, acquistano energia dal campo elettrico pi? rapidamene di quanto non avvenga per gli ioni presenti.

In condizioni di bassa pressione (minore di 1 Torri , ovvero per basse densit? del gas, il libero cammino medio degli elettroni ? tale da fargli acquistare energia sufficiente ad innescare i processi di ionizzazione e dissociazione dei gas presenti. Per la forte differenza esistente tra massa elettronica e massa molecolare (m/M_ ~ 10<-4>), si ha che nelle collisioni che avvengono tra elettroni e ioni il trasferimento di energia cinetica ? bassissimo, l'effetto principale ? un'interazione dell'elettrone con la nuvola elettronica dell'atomo o della molecola il che d? luogo ad un'abbondanza di specie reattive protagonista dei processi chimici di? deposizione. Cito spiega perch? nel FECVD ? possibile ottenere materiali a temperature sensibilmente inferiori rispetto ad altre tecniche in cui le specie reattive necessitano di essere attivate termicamente (CVD).

Dai punto di vista elettrico il plasma viene sostenuto da un campo elettrico alternato applicato ai 2 elettrodi piani affacciati 51 e 52. La sorgente di potenza ? costituita dal generatore di radiofrequenza hn a 13.56 MHz. Il generatore ? accappiato all'elettrodo 51 attraverso rete di matchinq 65 e una capacit? in serie. La rete di matching 65 ? utilizzate, ad esempio, nella PaJbbricazione dei circuiti integrati. Tuttavia, come meglio si vedr? nel seguito, l'impiego, ad esempio, del silicio amorfo nella realizzazione di sensori di tipo LAF5 consente di allentare le esigenze tradizionalmente imposte nella reaLizzazione delle operazioni sopra richiamate, soprattutto per quanto riguardai

- la possibilit? di utilizzare, quale substrato di deposizione del semiconduttore (substrato 2, nelle figure 1 e 2) un materiale quale vetro, quarzo o kspton, evitando di dover ricorrere, ad esempio, a silicio cristallino, ecc., e

-- la possibilit? ai sostituire alla masche'atura con resist (con successiva fotoesposizione e sviluppo del resisi, deposito della strato desiderato e rimozione del resisti semplici tecniche? di mascheratura meccanica (ad esempio per la realizzazione dello strato conduttivo?.

Tutto ci? riduce notevolmente la complessit? ed il costo di realizzazione del dispositivo, soprattutto quando nello stesso substrato si vogliano realizzare, in aree diverse, sensori destinati alla rilevazione di parametri differenti.

Tornando specificatamente alla valutazione delle caratteristiche dei film sottili di silicio amorfo Un limite alle condizioni di deposizione viene, in questo caso, dagli strati di a-Si:H che non possono superare la temperatura di 250 ? 300?C poich? a temperature superiori si ha evoluzione dell'idrogeno con peggioramento delle propriet? elettriche. Tutti gli strati depositati successivamente, quindi, devono essere ottenuti a temperature pi? basse, di qui l'impossibilit? di usare imetodi tradizionali impiegati nell'industria elettronica per produrre strati isolanti poich? questi sono tutti contraddistinti da temperature di deposizione malto superiori .

Ultima deposizione ? quella dello strato metallico per formare il contatto superiore. Anche in questo caso ? stato depositato cromo ma spesso ? stato usato anche alluminio per motivi di semplicit? di processo (possibilit? di. depositarlo a brevissima distanza di tempo dalla deposizione dei materiali amorfi riducendo cos? al minimo le possibilit? di contaminazione della superficie con conseguente peggioramento della qualit? dell'interfaccia).

Per l'allineamento dei vari strati di transistorsi ricorre a tecniche fotolitografiche, e gli etching necessari variano a seconda della struttura e dei metalli impiegati. Il primo etching da fare ? quello necessario a definire i contatti dello strato bottoni. Se per questi si impiega cromo, si pub usare sempre la stessa procedura che consiste in un wet etching in cerio ammonio nitrato <120 nm/min). L 'etching successivo ? quello del metallo dello strato top e quindi dipende dal metallo impiegato. Nel caso dell'alluminio ? stato usato un wet etching in una miscela costituita da A parti di H3P?, A parti di CH3C0GH, 1 parte di HN03 e 1 parte di acqua; tale etching ? molto lento <35 nrn/min), ma si ? rivelato il migliore per la conservazione delle propriet? dei materiali.

Realizzati i contatti ? necessario rimuovere l'ossido di silicio e il silicio. Se la struttura ? top-gate, prima della deposizione del a-Si.? ? necessario operare un etching del materiale drogato nella zona del canale con conseguente aggiunta di uno step nel precesso.. In questo caso, per?, al termine delle deposizioni il gate pub essere usato come maschera per il dry etching necessario alla separazione dei dispositivi. Nel caso della struttura bottom gate ? necessario, invece, aggiungere uno step a questo punto del processo, depositando resist e definendo foto1itograficamente un'isola shold voltage) riportati in Tab. 1. In fig. 9 ? riportata una caratteristica IdB in funzione <1 >della tensione di drain-souree Vd.a varie tensioni di gate

p p p pp

ai sensori ? la stabilit?.. In figura 10 ? riportata una caratteristica Ide ~ VB per un transistor co spessore dell'isolante di gate di 180 A in cui la tensione di gate ? stata fatta variare ciclicamente tra -1 e 5 V (quindi oltre l'escursione prevista durante il normale funzionamento); si pu? notare come l'isteresi sia minore di 0.01 V. Questo dato ? molto promettente. Misure delle caratteristiche, effettuate dopo che il dispositivo ? stato tenuto per tempi prolungati in condizione di saturazione (Vg= 5V), indicano comunque una buona stabilit? nel tempo (fig. 11). La stabilit? nel tempo ? un requisito essenziale per la realizzazione di dispo

- 300 S di silicio amorfo idrogenato (a-SisH) drogato n+ (strato 4a) da una miscela SiH* all'1% in SiH4 alla pressione di 0,3 Torr, tale materiale permette la realizzazione di un contatto ohmico con il cromo dello strato 3. Il materiale ha una conducibilit? di buio di 7x10<-3 >cm-1?, corrispondente ad un'energia di attivazione di 0,2 e?Vs - 3000 S di silicio amorfo idrogenato (a-Si:H) da SiH alla pressione di 0,3 Torr come strato attivo del dispositiva (strato 4); e ;- 1500 (A di nitruro di silicio amorfo <a-5i3N4) a partire da una miscela di gas alla pressione di 0,7 Torr composta da SiH*(ad un flusso di 6,5 crnVmin.) He(200 cirP/min.) NH 3 (flusso di 80 cm<a>/min.), come strato isolante di gate 5 ma che pub essere anche utilizzato come membrana sensibile al pH.

La tabella 2 che segue riassume le principali caratteristiche del silicio amorfo realizzato,

La formula composizionale del nitruro di silicio dello strato 5, ottenuta mediante RBS (Rutherford rimento al dispositivio LAPS della figura 1 la struttura del trasduttore viene terminata con lo strato 5 di SiJ4 materiale destianto a formare una specie sensibile al pH di una soluzione elettrolitica E contenuta in un recipiente di cui il dispositiva 1 e lo strato attivo 5 ad esso associato costituiscono la parte di fondo.,

La variante di cui alla figura 2 dimostra caratteristiche di particolare flessibilit? applicativa, sia per quanto riguada le possibilit? di realizzare trasduttori compatti, a s? stanti, suscettibili di essere collegati, al sito di misura (tramite i connettori C) soltanto all'atto dell?impiego, sia per la possibilit? di realizzare trasduttori sensibili.

Ad esempio, per realizzare un dispositivo LAPS sensibile all'idrogeno, mediante una maschera posta sopra il film isolante di nitrura di silicio, vengono evaporati uno o pi? elettrodi circolari Sa (ad esempio con diametro di 1.5 min) di Palladio semitrasparente (circa 150 X) .

La passibilit? di rendere il trasduttore selettivamente sensibile a diversi analiti consente poi di realizzare trasduttori multipli a schiera o array depositati (con tecnica nata) su unico sub

modulazione del LED di 131 Hz? Il valore assoluto della carica che fluisce durante il transiente positivo e negativo praticamente coincide per fissato gate bias ed ha il valore di 2 nC/cm<a>a Vg = -5 V. Come si pub osservare dalla fig. 14b il transiente dopo il light-off mostra una costante di tempo considerevolmente lunga rispetto al transiente di light-on e ci? produce un segnale dipendente dalla frequenza di modulazione in quanto la carica totale indotta ? limitata dal detrapping e dai processi di ricomhinazione dell'eccesso dei portatori accumulati nella regione di carica spaziale. Questa descrizione ? confermata dalla figura 115, in cui in ordinata ? riportata la quantit? di carica per cm<3 >( Q, espressa in nC/cm <2>), dedotta integrando la fotocorrente transiente nel semiperiodo di light-on, misurata, con l'oscilloscopio, per diverse frequenze di modulazione del LED in funzione el gate?bias Vg <in ascissa in volt).

Specificatamente, le curve a pallini, a quadrotti, a triangoli ed a rombi si riferiscono a valori della frequenza di modulazione del LED 9 rispettivamente pari a 1Hz, 11Hz, 131 Hz E 1131 Hz? L'asimmetria nelle costanti di tempo dei due transienti (positivo e negativo) fa si che complessivamente il segnale della fotocorrente transiente aumenti al crescere della frequenza. Tale andamento ? evidenziato in figura 16, che mostra in ordinata il segnale R (in mV) misurato con 1.'amplificatore iack-in, per gate-bias Vg= 0 V, in funzione della frequenza d? modulazione (in ascissa); ? passibile osservare due picchi, il primo centrato ad una frequ?nza di circa 4 kHz mentre il secondo, molto pi? piccato, si trova intorno ai 50 kHz; quest'ultimo ? attribuibile ad un effetto di.risonanza circuitale, per cui la frequenza ottimale di lavoro del LAPS realizzato risulta essere intorno a 4 kHz. In figura 17 sono mostrate inoltre le curva di dispersione in Vg (in ascissa, in volt) del segnale in ampiezza del lock-in normalizzato (in ordinata), per quattro diversi valori della frequenza di modulazione del LEO 9 rispettivamente pari a 49273 Hz (linea continua), 4123 Hz (linea a trattini), 333 Hz (linea a tratto e punto) e 73 Hz (linea a puntini). Da questa figura si pub osservare che per una frequenza di modulazione .v pari a circa 4 kHz la curva di dispersione in Vg ha una pendenza molto pronunciata nella zona lineare (-1V ; 1V), requisito molto importante per massimizzare la risposta, per fissata Vg, agli shift di tensione causati veniva diretto sul dispositivo. Specificatamente le figure 18 a 22 sono grafici che riportano in ordinata la variazione del segnale lack-?n (R, in mV) in funzione del tempo iin ascissa, in secondi).

Si pu? notare la rapidit? della risposta (per le pi-? alte concentrazioni d'idrogeno) e la reversibilit? dell'effetto quando il dispositivo viene esposto all'ossigeno. Questa reversibilit? in ossigeno ? una prova del fatta che la variazione del segnale misurato ? prodotto dalla presenza di idrogeno e non dalla variazione di altri parametri, ad esempio da una variazione della temperatura dovuta al getto di gas.

Ne consegue che, secondo l'invenzione, sona stati realizzati dei dispositivi LAPS con elettrodo di gat-s in palladio semitrasparente, sensibili all'idrogeno. La struttura LAPS si ? rivelata, particolarmente vantaggiosa soprattutto per qua?nto riguarda la massima semplicit? del processa di fabbricazione rispetto ad altri tipo di sensori a stato solido come ad esempio gli CHEMFET nel caso dei L.APS realizzati, infatti, non si ? reso necessario alcun tipo di passaggio fotolitografico per definirne la struttura,.

Le caratteristiche elettriche di questi disposi

tamponata ha la caratteristica di aumentare il suo

potenziale all'aumentare dei protoni legali ad

essa?. Pertanto, nel caso di una diminuzione del pH dell'elettrolita E, il potenziale di M as dovr?

diminuire se si vuole mantenere lo stesso campo

elettrico nel semiconduttore 5 e quindi, la stessa fatocorrente. II. potenziale del punto di flesso pub

essere .individuato semplicemente determinando il

valore del potenziale di bias per cui la derivata

seconda cambia segno, come riportata nella figura

25. Il risultato, riportato in figura 26, ? lo

spostamento delle curve foto-corrente/pot?nziale di

bias in direzione di valori pi? positivi d.i potenziale al variare del pH dell'elettrolita E a contatto con l'elemento sensibile 5 del dispositivo 1.

I risultati sperimentali ripartati nella figura 26

mostrano che esiste una relazione lineare fra punto

di flesso e pH nell'intervallo 4?10 con una pendenza Nerstiana di 59 mV/??. Dai risultati sperimentali ottenuti con il dispositivo LAPS 1 ? emersa la

caratterist:Lca principale del trasduttore, che ?

quella di effettuare misure potenziometriche tramite eccitazione con corrente alternata, prodotta per

effetto fotovoltaico, anzich? corrente continua.

In sintesi sona stati descritti microsansori

sitivi LAPS si rivela molto interessante sia per le propriet? fisiche del materiale che per .l'aspetto tecnologico. Come gi? si ? detto, il silicio amorfo ? infatti un materiale fortemente fotosensibile nel l'intervallo visibile della radiazione luminosa (1.9 < hv < 4.0 e V) con un coefficiente di assorbimento dell'ordine di 10-4 cm-<1>. L'uso della tecnologia a film sottile presenta una serie di vantaggi quali la versatilit? nella modifica dei dispositivi, "processing" relativamente semplice, possibilit? di realizzare strutture multistrati (ad esempio Metallo-Isolante-Semi conduttore, Thin-Film-Transistors, ece.), possibilit? di usare differenti substrati (vetro, quarzo, kaptcn, ecc.), basse temperature di processo (< 300<?>C) ed infine, ma non ultimo il basso costo di realizzazione.

Con la tecnica di. deposizione Plasma Enhenced Chemical Vapour Depcsition (PECVD) sono stati ottimizzati i parametri di crescita sia del silicio amorfo idrogenato (a-Si:H), ottenendo un materiale con propriet? optoelettroniche confrontabili ai dati riportati in letteratura con condizioni simili di deposizione, che dei materiali isolanti come il biossido di silicio amorfo (a-SiO2 ed il nitruro di silicio amorfo (a-SiN 4) ottenendo anche in questo caso materiali con eccellenti propriet? dielettriche: elevata tensione di breakdown (> 10 MV /crol e senza. ap?rezzabile iniezione di carica fino a campi di 5-? MV/cm, condizioni quest 'ultime neressa rie per il corretto funzionamento di dispositivi con struttura MIS su cui sono basati i trasduttcri del tipo L,A,F..S. I problemi di drift che nel caso dei OHEMFET al silicio amorfo sono legati ai3e variazioni della, tensione di soglia spiegabili in terrriini di iniezione di carica ne ll'isolante di gate e la creazione di difetti metastabili nello stra to d:i a-SiL:H non si verificano nei dispositivi L.A ,F.S.. grazie alla possibilit? di operare eoo tarisiooi di polarizzazione basse o anche mille::

Naturalmente fermo restando il principio dell'invenzione,? i particolari di realizzazione e le forme di attuazione potranno essere ampiamente variati rispetto a quanto descritto ed illustrato senza per questo uscire dall'ambito della presente inven zione.

Claims (3)

1. RIVENDICAZIONI 1. Dispositivo sensore potenziometrico fotoindirizzabile (LAP3) comprendente almeno uno strato di materiale semiconduttore (4), caretterizzato dal. fatto che detto materiale semiconduttore ? di tipo amorfo.
2. 2. Dispositivo secondo la rivendicazione 1, caratter izzato dal fatto che detto materiale semiconduttore ? scelto nel gruppo costituito da: silicio e sue leghe quali Si-Ge e Si~C, germanio amorfo? combinazione ternaria di Si-C-Ce o GaAs..
3. 3. Dispositivo secondo la rivendicazione 2, caratte rizzato dal fatto che detto materiale semiconduttore ? silicio amorfo. 4?. Dispositivo secando la rivendicazione 3, caratterizzato dal fatto che detto materiale semiconduttore ? silicio amorfo idrogenato (a -Si:H). 5. Dispositivo secondo una qualsiasi delle precedenti rivendicazioni, caratterizzato dal fatto che comprende inoltre almeno uno strato di materiale elettricamente isolante (5) associato a detto strato di materiale semiconduttore (4). 6. Dispositivo secondo la rivendicazione 5, caratterizzato dal fatto che detto materiale isolante ? 13. Dispositivo seconda una qualsiasi delle precedenti rivendicazioni 9 a 11, caratterizzato dal fatto che detto materiale conduttore ? applicato su detto substrato 2) tramite sputtering. 14. Dispositivo secondo una qualsiasi delle rivendicazioni 9 a 13, caratterizzato dal fatto che fra detto strato di materiale semiconduttore amorfo (4) e detto strato di materiale conduttore (3) ? interposto uno strato di materiale semiconduttore dragato (4a). 15.'Dispositivo secondo la rivendicazione 14, caratterizzato dal fatto che detto materiale semiconduttore drogato <4a) ? costituito da materiale semiconduttore sostanzialmente identico a detto materiale semiconduttore amorfo <4). 16. Dispositivo secondo la rivendicazione 3 ed la rivendicazione 15, caratterizzato dal fatto che detto materiale semiconduttore drogato (4a) ? costituito da silicio amorfo drogato. 17. Dispositivo secondo la rivendicazione 16, caratterizzato dal fatto che detto materiale semiconduttore drogato (4a) ? silicio amorfo idrogenato drogato con una miscela SiH PH, in SiH4 -18. Dispositivo secondo una qualsiasi delle rivendicazioni 14 a 17, caratterizzato dal fatto che Il tutto sostanzialmente come descritto ed illustrato e per gli scopi specificati