JP2000056021A - 放射線検出器および核医学診断装置 - Google Patents
放射線検出器および核医学診断装置Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 本発明は、被検体に対して凹状で曲面状に構
成して被検体の表面に検出面を近接させ、ガンマ線の入
射位置に関する位置分解能や感度を向上させることが可
能な放射線検出器および核医学診断装置を提供する。 【解決手段】 放射線検出器は、被検体Pから放出され
たガンマ線を検出するための複数の半導体セルを備え、
被検体Pに対して凹状で曲面状の半導体検出器アレイ3
0と、半導体検出器アレイ30の被検体側にその検出面
に沿って設けられている平行コリメータ31とで構成さ
れる。半導体検出器アレイ30の各半導体セルはCdT
e系半導体で構成され、半導体セルに電圧を印加するた
めの電極がガンマ線の入射方向に対して平行または垂直
に配置される。半導体検出器アレイ30の検出面を被検
体Pに近接させて位置分解能を改善させる。
成して被検体の表面に検出面を近接させ、ガンマ線の入
射位置に関する位置分解能や感度を向上させることが可
能な放射線検出器および核医学診断装置を提供する。 【解決手段】 放射線検出器は、被検体Pから放出され
たガンマ線を検出するための複数の半導体セルを備え、
被検体Pに対して凹状で曲面状の半導体検出器アレイ3
0と、半導体検出器アレイ30の被検体側にその検出面
に沿って設けられている平行コリメータ31とで構成さ
れる。半導体検出器アレイ30の各半導体セルはCdT
e系半導体で構成され、半導体セルに電圧を印加するた
めの電極がガンマ線の入射方向に対して平行または垂直
に配置される。半導体検出器アレイ30の検出面を被検
体Pに近接させて位置分解能を改善させる。
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、例えば、患者など
の被検体に対して注入された放射性同位元素(ラジオア
イソトープ、RI)により放出されるガンマ(γ)線の
ような放射線を1次元または2次元的に検出して被検体
内のRI分布を得るための放射線検出器および核医学診
断装置に関する。
の被検体に対して注入された放射性同位元素(ラジオア
イソトープ、RI)により放出されるガンマ(γ)線の
ような放射線を1次元または2次元的に検出して被検体
内のRI分布を得るための放射線検出器および核医学診
断装置に関する。
【0002】
【従来の技術】例えば、患者などの被検体に放射性同位
元素(ラジオアイソトープ、RI)を注入し、その体内
から放出されるガンマ線(γ)のような放射線を1次元
または2次元検出器によって検出してRI分布を取得す
ることにより、体内の病変部、血流量、脂肪酸代謝量な
どの機能分布像を表示するシングルフォトンエミッショ
ンコンピュータ断層法(SPECT)を用いたSPEC
T装置や、複数の検出器を備え、ポジトロン(陽電子)
がエレクトロン(陰電子)と結合して消滅する際に18
0°方向に放出されるガンマ線を同時検出してイメージ
ングを行う同時計数型ポジトロンエミッションコンピュ
ータ断層法(PET)を用いたPET装置が知られてい
る。また、最近では、SPECTと同時計数型PETを
行うために複数の検出器を備えたSPECT装置が知ら
れるようになってきている。これらの装置全般を核医学
診断装置と総称する。
元素(ラジオアイソトープ、RI)を注入し、その体内
から放出されるガンマ線(γ)のような放射線を1次元
または2次元検出器によって検出してRI分布を取得す
ることにより、体内の病変部、血流量、脂肪酸代謝量な
どの機能分布像を表示するシングルフォトンエミッショ
ンコンピュータ断層法(SPECT)を用いたSPEC
T装置や、複数の検出器を備え、ポジトロン(陽電子)
がエレクトロン(陰電子)と結合して消滅する際に18
0°方向に放出されるガンマ線を同時検出してイメージ
ングを行う同時計数型ポジトロンエミッションコンピュ
ータ断層法(PET)を用いたPET装置が知られてい
る。また、最近では、SPECTと同時計数型PETを
行うために複数の検出器を備えたSPECT装置が知ら
れるようになってきている。これらの装置全般を核医学
診断装置と総称する。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】従来のSPECT装置
では、シンチレータと光電子増倍管(PMT)を複数ち
ょう密に配置してガンマ線を検出するアンガー型検出器
が主流を占めていたが、SPECT装置が大がかりにな
っていた他、エネルギー分解能や計数特性などに限界が
あるため、現状以上の飛躍的な性能向上は望めなかっ
た。
では、シンチレータと光電子増倍管(PMT)を複数ち
ょう密に配置してガンマ線を検出するアンガー型検出器
が主流を占めていたが、SPECT装置が大がかりにな
っていた他、エネルギー分解能や計数特性などに限界が
あるため、現状以上の飛躍的な性能向上は望めなかっ
た。
【0004】一方、同時計数型PET装置では、酸化ビ
スマスゲルマニウム(BGO)検出器と光電子増倍管や
フォトダイオードの組み合わせにより、ガンマ線が18
0°方向に放出されるタイミングを同時検出してイメー
ジングを行う方法が主流である。
スマスゲルマニウム(BGO)検出器と光電子増倍管や
フォトダイオードの組み合わせにより、ガンマ線が18
0°方向に放出されるタイミングを同時検出してイメー
ジングを行う方法が主流である。
【0005】さらに、最近では、複数の検出器を有する
アンガー型検出器を用い、同時計数型PETをモード切
替によって実現できる核医学診断装置が台頭し、主流に
なりつつある。
アンガー型検出器を用い、同時計数型PETをモード切
替によって実現できる核医学診断装置が台頭し、主流に
なりつつある。
【0006】しかし、いずれの核医学診断装置において
も、ガンマ線を検出する検出器が主としてシンチレータ
で構成されており、この検出器に入射したガンマ線をシ
ンチレータによって一旦微弱な光に変換し、この微弱な
光を光電子増倍管やフォトダイオードなどで電気信号に
変換する必要がある。そのため、核医学診断装置が大型
となり、またその性能に限界があった。
も、ガンマ線を検出する検出器が主としてシンチレータ
で構成されており、この検出器に入射したガンマ線をシ
ンチレータによって一旦微弱な光に変換し、この微弱な
光を光電子増倍管やフォトダイオードなどで電気信号に
変換する必要がある。そのため、核医学診断装置が大型
となり、またその性能に限界があった。
【0007】そこで、注目されてきているのが半導体検
出器である。半導体検出器はガンマ線を直接電気信号に
変換するので、電気信号への変換効率がよく、しかも半
導体セルでガンマ線を個別に検出できる。従って、エネ
ルギー分解能や計数特性の向上が期待されている。
出器である。半導体検出器はガンマ線を直接電気信号に
変換するので、電気信号への変換効率がよく、しかも半
導体セルでガンマ線を個別に検出できる。従って、エネ
ルギー分解能や計数特性の向上が期待されている。
【0008】テルル化カドミウム(CdTe)系半導体
では現状のアンガー型検出器で採用されているヨウ化ナ
トリウム(NaI)のように単結晶構造にすることがで
きないため、小型の検出器モジュール(半導体の2次元
アレイセルと、その下にこの2次元アレイセルの外側に
はみ出すことなく形成されているプリアンプおよび読み
出し回路とが内蔵されている)をちょう密に配置するこ
とにより2次元半導体検出器を構成した例がある。しか
し、検出器モジュール間の相互接続と各検出器モジュー
ル内部のデッドスペースに不均一が生じ、また独特のア
ーチファクトが発生するので、RI画像の再構成が難し
かった。しかも、このようなモジュール化の場合、各検
出器モジュール内部で可能な信号処理しか行うことがで
きず、同時計数型PET装置のように511keVの高
エネルギーを処理する核医学診断装置において複数の半
導体セル(すなわち複数の検出器モジュール)にまたが
って同時計数を観測する場合、現状では、信号処理が飛
躍的に難しくなる。
では現状のアンガー型検出器で採用されているヨウ化ナ
トリウム(NaI)のように単結晶構造にすることがで
きないため、小型の検出器モジュール(半導体の2次元
アレイセルと、その下にこの2次元アレイセルの外側に
はみ出すことなく形成されているプリアンプおよび読み
出し回路とが内蔵されている)をちょう密に配置するこ
とにより2次元半導体検出器を構成した例がある。しか
し、検出器モジュール間の相互接続と各検出器モジュー
ル内部のデッドスペースに不均一が生じ、また独特のア
ーチファクトが発生するので、RI画像の再構成が難し
かった。しかも、このようなモジュール化の場合、各検
出器モジュール内部で可能な信号処理しか行うことがで
きず、同時計数型PET装置のように511keVの高
エネルギーを処理する核医学診断装置において複数の半
導体セル(すなわち複数の検出器モジュール)にまたが
って同時計数を観測する場合、現状では、信号処理が飛
躍的に難しくなる。
【0009】また、半導体検出器で用いられる半導体セ
ルでは、コストおよび実装上の制約から、従来のデジタ
ルガンマカメラのようにきめ細かいピクセルを構成する
ことは難しく、細分化には限界があった。
ルでは、コストおよび実装上の制約から、従来のデジタ
ルガンマカメラのようにきめ細かいピクセルを構成する
ことは難しく、細分化には限界があった。
【0010】ところで、アンガー型検出器は平面状に設
計されるのが一般的である。図1は従来のアンガー型平
面検出器の構成および被検体との位置関係を説明するた
めの図である。図1に示すアンガー型平面検出器は、平
行コリメータ10およびシンチレータ11をそれぞれ平
面状にして構成されている。被検体Pに注入されたRI
によってその体内から放出されたガンマ線が平行コリメ
ータ10を介してシンチレータ11で光に変換された
後、図示しない光電子増倍管などにより電気信号に変換
されて信号処理されることになる。なお、被検体Pは曲
面を有しているため、図1に示すアンガー型平面検出器
ではその中心部においては被検体Pと近接するが、被検
体Pの周辺部になるに従ってこの平面検出器が被検体P
から離れるため、ガンマ線の入射位置の検出に関する位
置分解能が劣化するのが一般的である。
計されるのが一般的である。図1は従来のアンガー型平
面検出器の構成および被検体との位置関係を説明するた
めの図である。図1に示すアンガー型平面検出器は、平
行コリメータ10およびシンチレータ11をそれぞれ平
面状にして構成されている。被検体Pに注入されたRI
によってその体内から放出されたガンマ線が平行コリメ
ータ10を介してシンチレータ11で光に変換された
後、図示しない光電子増倍管などにより電気信号に変換
されて信号処理されることになる。なお、被検体Pは曲
面を有しているため、図1に示すアンガー型平面検出器
ではその中心部においては被検体Pと近接するが、被検
体Pの周辺部になるに従ってこの平面検出器が被検体P
から離れるため、ガンマ線の入射位置の検出に関する位
置分解能が劣化するのが一般的である。
【0011】このようなアンガー型平面検出器の代わり
に、その全体が患者により近接するように被検体Pに対
して凹状の曲面検出器を用いることが可能である。図2
は従来のアンガー型ガンマカメラの曲面検出器の構成お
よび被検体との位置関係を説明するための図である。図
2に示すアンガー型ガンマカメラ(BICRON社製)
は、被検体Pを挟んで互いに対向して配置される2つの
凹状の曲面検出器20a、20bによって構成されてい
る。曲面検出器20a、20bは、回転中心Oを中心と
して回転半径Rだけそれぞれ離れており、図示しない駆
動機構によって回転方向D1に沿って被検体Pの周囲を
移動するようになっている。
に、その全体が患者により近接するように被検体Pに対
して凹状の曲面検出器を用いることが可能である。図2
は従来のアンガー型ガンマカメラの曲面検出器の構成お
よび被検体との位置関係を説明するための図である。図
2に示すアンガー型ガンマカメラ(BICRON社製)
は、被検体Pを挟んで互いに対向して配置される2つの
凹状の曲面検出器20a、20bによって構成されてい
る。曲面検出器20a、20bは、回転中心Oを中心と
して回転半径Rだけそれぞれ離れており、図示しない駆
動機構によって回転方向D1に沿って被検体Pの周囲を
移動するようになっている。
【0012】なお、曲面検出器20aと20bは同一に
構成されている。曲面検出器20aは、シンチレータ2
1a、ライトガイド22a、および光電子増倍管23
a、・・・、23nを備え、曲面検出器20bは、シン
チレータ21b、ライトガイド22b、および光電子増
倍管24a、・・・、24nを備えている。シンチレー
タ21a、21bは、曲面状で円筒状に構成され、回転
中心Oから見て一定の厚さt1を有している。ガンマ線
の入射位置の検出は、回転中心Oに向けて配置される光
電子増倍管23a、・・・、23n、24a、・・・、
24nによって行われる。
構成されている。曲面検出器20aは、シンチレータ2
1a、ライトガイド22a、および光電子増倍管23
a、・・・、23nを備え、曲面検出器20bは、シン
チレータ21b、ライトガイド22b、および光電子増
倍管24a、・・・、24nを備えている。シンチレー
タ21a、21bは、曲面状で円筒状に構成され、回転
中心Oから見て一定の厚さt1を有している。ガンマ線
の入射位置の検出は、回転中心Oに向けて配置される光
電子増倍管23a、・・・、23n、24a、・・・、
24nによって行われる。
【0013】このように構成されている曲面検出器20
a、20bにおいてシンチレータ21a、21bの中心
部分に入射したガンマ線に関しては、その入射位置のず
れが少ないので正確な入射位置を光電子増倍管で計算す
ることができる。しかし、SPECTにおいて例えば平
行コリメータ(図示しない)をシンチレータ21a、2
1bの被検体側にそれぞれ設置して平行ガンマ線を検出
する場合には、シンチレータ21a、21bは回転中心
Oから見て円筒状に一定の厚さt1を有して構成されて
いるため、曲面検出器20a、20bの中心部から周辺
部になるに従いガンマ線がシンチレータ21a、21b
を通過する距離が増加する。従って、DOI(Dept
h of interaction)の影響が大きくな
り、シンチレータ21a、21bにおいてガンマ線が吸
収される位置に応じて位置分解能誤差Δが生じ、計算さ
れる位置分解能の精度が劣化する。このため、曲面検出
器20a、20bはその周辺部において被検体Pに近接
するが、位置分解能は向上しないので、SPECTに関
しては検出器の周辺部が被検体に近接するというメリッ
トを十分に生かすことができない。また、ガンマ線の入
射位置に応じて感度の差が生じ(周辺部の方が感度が向
上する)、本来感度を向上させたい中心部の感度は向上
させにくい。
a、20bにおいてシンチレータ21a、21bの中心
部分に入射したガンマ線に関しては、その入射位置のず
れが少ないので正確な入射位置を光電子増倍管で計算す
ることができる。しかし、SPECTにおいて例えば平
行コリメータ(図示しない)をシンチレータ21a、2
1bの被検体側にそれぞれ設置して平行ガンマ線を検出
する場合には、シンチレータ21a、21bは回転中心
Oから見て円筒状に一定の厚さt1を有して構成されて
いるため、曲面検出器20a、20bの中心部から周辺
部になるに従いガンマ線がシンチレータ21a、21b
を通過する距離が増加する。従って、DOI(Dept
h of interaction)の影響が大きくな
り、シンチレータ21a、21bにおいてガンマ線が吸
収される位置に応じて位置分解能誤差Δが生じ、計算さ
れる位置分解能の精度が劣化する。このため、曲面検出
器20a、20bはその周辺部において被検体Pに近接
するが、位置分解能は向上しないので、SPECTに関
しては検出器の周辺部が被検体に近接するというメリッ
トを十分に生かすことができない。また、ガンマ線の入
射位置に応じて感度の差が生じ(周辺部の方が感度が向
上する)、本来感度を向上させたい中心部の感度は向上
させにくい。
【0014】また、同時計数型PETにおいては、回転
中心Oからシンチレータ21a、21bの曲面に垂直に
延びた線に沿ったポジトロンPO(511keV)の位
置は理想的には計算可能である。しかし、上述したよう
に、平行コリメータを設置して平行ガンマ線を検出する
場合には、シンチレータ21a、21bは回転中心Oか
ら見て円筒状に一定の厚さt1を有して構成されている
ため、周辺部になるに従ってポジトロンPOに起因する
ガンマ線がシンチレータ21a、21bを通過する距離
が増加してDOIの影響が大きくなる。これにより、位
置分解能が劣化するので、再構成されるRI画像の画質
を劣化させる原因となってしまう。
中心Oからシンチレータ21a、21bの曲面に垂直に
延びた線に沿ったポジトロンPO(511keV)の位
置は理想的には計算可能である。しかし、上述したよう
に、平行コリメータを設置して平行ガンマ線を検出する
場合には、シンチレータ21a、21bは回転中心Oか
ら見て円筒状に一定の厚さt1を有して構成されている
ため、周辺部になるに従ってポジトロンPOに起因する
ガンマ線がシンチレータ21a、21bを通過する距離
が増加してDOIの影響が大きくなる。これにより、位
置分解能が劣化するので、再構成されるRI画像の画質
を劣化させる原因となってしまう。
【0015】特に、シンチレータ21a、21bの厚さ
t1が厚い場合には、ポジトロンPOに起因するガンマ
線の入射角度によってはDOIの影響が極端に現れる入
射位置が発生する。このような理由から、2つの検出器
が対向して配置されているガンマカメラを用いる場合に
は、これらの2つの検出器を所定の対向距離以上離さな
いと、同時計数立体角θ1が小さくなるので、十分な画
質を得ることができない。従って、本来、曲面検出器の
立体角は平面状検出器よりも大きくなるというメリット
があるが、曲面検出器に期待されていたPETにおける
ガンマ線の検出のための同時計数立体角θ1を予想以上
に大きく設定することができず、感度の向上には限界が
あった。
t1が厚い場合には、ポジトロンPOに起因するガンマ
線の入射角度によってはDOIの影響が極端に現れる入
射位置が発生する。このような理由から、2つの検出器
が対向して配置されているガンマカメラを用いる場合に
は、これらの2つの検出器を所定の対向距離以上離さな
いと、同時計数立体角θ1が小さくなるので、十分な画
質を得ることができない。従って、本来、曲面検出器の
立体角は平面状検出器よりも大きくなるというメリット
があるが、曲面検出器に期待されていたPETにおける
ガンマ線の検出のための同時計数立体角θ1を予想以上
に大きく設定することができず、感度の向上には限界が
あった。
【0016】さらに、上述した理由から、焦点距離が短
いファンビームSPECTの場合にも、検出器の周辺部
において位置分解能の劣化が大きくなってしまう。
いファンビームSPECTの場合にも、検出器の周辺部
において位置分解能の劣化が大きくなってしまう。
【0017】さらにまた、SPECTと同時計数型PE
Tの兼用を望む場合において、両者を併存させ、さらに
平面検出器を使用する場合よりも大きなメリットを得る
ことは困難であった。
Tの兼用を望む場合において、両者を併存させ、さらに
平面検出器を使用する場合よりも大きなメリットを得る
ことは困難であった。
【0018】本発明は上記事情に鑑みてなされたもので
あり、本発明の目的は、被検体に対して凹状に構成して
被検体の表面に検出面を近接させ、ガンマ線の入射位置
に関する位置分解能や感度を向上させることが可能な放
射線検出器および核医学診断装置を提供することにあ
る。
あり、本発明の目的は、被検体に対して凹状に構成して
被検体の表面に検出面を近接させ、ガンマ線の入射位置
に関する位置分解能や感度を向上させることが可能な放
射線検出器および核医学診断装置を提供することにあ
る。
【0019】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に、請求項1に記載の発明の放射線検出器は、被検体に
対して凹状に、かつそれぞれが平行に配置され、前記被
検体からの放射線を検出するための複数の半導体セル
と、前記半導体セルに電圧を印加するための電圧印加電
極とを備えたことを特徴とする。
に、請求項1に記載の発明の放射線検出器は、被検体に
対して凹状に、かつそれぞれが平行に配置され、前記被
検体からの放射線を検出するための複数の半導体セル
と、前記半導体セルに電圧を印加するための電圧印加電
極とを備えたことを特徴とする。
【0020】上記請求項1に記載の発明の放射線検出器
において、請求項2に記載の発明は、前記複数の半導体
セルは、前記放射線の入射方向における入射面の位置を
連続的にずらして配置することにより、前記被検体の表
面に沿って凹状を構成することを特徴とする。
において、請求項2に記載の発明は、前記複数の半導体
セルは、前記放射線の入射方向における入射面の位置を
連続的にずらして配置することにより、前記被検体の表
面に沿って凹状を構成することを特徴とする。
【0021】上記請求項1に記載の発明の放射線検出器
において、請求項3に記載の発明は、前記複数の半導体
セルにおいて、2以上の半導体セルの組ごとに前記放射
線の入射方向における入射面の位置を連続的にずらして
配置することにより、前記被検体の表面に沿って凹状を
構成することを特徴とする。
において、請求項3に記載の発明は、前記複数の半導体
セルにおいて、2以上の半導体セルの組ごとに前記放射
線の入射方向における入射面の位置を連続的にずらして
配置することにより、前記被検体の表面に沿って凹状を
構成することを特徴とする。
【0022】上記請求項1に記載の発明の放射線検出器
において、請求項4に記載の発明は、前記複数の半導体
セルは、マトリックス状に配置されていることを特徴と
する。
において、請求項4に記載の発明は、前記複数の半導体
セルは、マトリックス状に配置されていることを特徴と
する。
【0023】上記請求項1に記載の発明の放射線検出器
において、請求項5に記載の発明は、前記複数の半導体
セルにおいて入射した放射線の吸収方向の厚さはすべて
一定であることを特徴とする。
において、請求項5に記載の発明は、前記複数の半導体
セルにおいて入射した放射線の吸収方向の厚さはすべて
一定であることを特徴とする。
【0024】上記請求項1に記載の発明の放射線検出器
において、請求項6に記載の発明は、放射線の吸収方向
の厚さは放射線検出器の中央部とその周辺部で異なるこ
とを特徴とする。
において、請求項6に記載の発明は、放射線の吸収方向
の厚さは放射線検出器の中央部とその周辺部で異なるこ
とを特徴とする。
【0025】上記請求項6に記載の発明の放射線検出器
において、請求項7に記載の発明は、放射線の吸収方向
の厚さは放射線検出器の中央部よりも周辺部の方が厚い
ことを特徴とする。
において、請求項7に記載の発明は、放射線の吸収方向
の厚さは放射線検出器の中央部よりも周辺部の方が厚い
ことを特徴とする。
【0026】上記課題を解決するために、請求項8に記
載の発明の放射線検出器は、それぞれが平行に配置さ
れ、被検体からの放射線を検出するための複数の半導体
セルと、前記半導体セルに電圧を印加するための電圧印
加電極とを有し、前記被検体に対して検出面が凹状に形
成されている半導体検出器アレイと、前記半導体検出器
アレイの検出面に沿って設けられた平行コリメータとを
備えたことを特徴とする。
載の発明の放射線検出器は、それぞれが平行に配置さ
れ、被検体からの放射線を検出するための複数の半導体
セルと、前記半導体セルに電圧を印加するための電圧印
加電極とを有し、前記被検体に対して検出面が凹状に形
成されている半導体検出器アレイと、前記半導体検出器
アレイの検出面に沿って設けられた平行コリメータとを
備えたことを特徴とする。
【0027】上記請求項8に記載の発明の放射線検出器
において、請求項9に記載の発明は、前記検出面とは反
対側である前記半導体検出アレイの背面側に前記検出面
の大きさの範囲内からはみ出さないように形成され、各
半導体セルからの検出信号を処理する処理回路を備え、
前記処理回路を前記半導体検出器アレイと一体成形した
ことを特徴とする。
において、請求項9に記載の発明は、前記検出面とは反
対側である前記半導体検出アレイの背面側に前記検出面
の大きさの範囲内からはみ出さないように形成され、各
半導体セルからの検出信号を処理する処理回路を備え、
前記処理回路を前記半導体検出器アレイと一体成形した
ことを特徴とする。
【0028】上記課題を解決するために、請求項10に
記載の発明の放射線検出器は、それぞれが平行に配置さ
れ、被検体からの放射線を検出するための複数の半導体
セルと、前記半導体セルに電圧を印加するための電圧印
加電極とを有し、前記被検体に対して検出面が凹状に形
成されている2つの半導体検出器アレイを備え、前記2
つの半導体検出器アレイは前記被検体を挟んで対向設置
されることを特徴とする。
記載の発明の放射線検出器は、それぞれが平行に配置さ
れ、被検体からの放射線を検出するための複数の半導体
セルと、前記半導体セルに電圧を印加するための電圧印
加電極とを有し、前記被検体に対して検出面が凹状に形
成されている2つの半導体検出器アレイを備え、前記2
つの半導体検出器アレイは前記被検体を挟んで対向設置
されることを特徴とする。
【0029】上記課題を解決するために、請求項11に
記載の発明の放射線検出器は、それぞれが平行に配置さ
れ、被検体からの放射線を検出するための複数の半導体
セルと、前記半導体セルに電圧を印加するための電圧印
加電極とを有し、前記被検体に対して検出面が凹状に形
成されている2つの半導体検出器アレイを備え、前記2
つの半導体検出器アレイは前記被検体を挟んで任意角度
で設置されることを特徴とする。
記載の発明の放射線検出器は、それぞれが平行に配置さ
れ、被検体からの放射線を検出するための複数の半導体
セルと、前記半導体セルに電圧を印加するための電圧印
加電極とを有し、前記被検体に対して検出面が凹状に形
成されている2つの半導体検出器アレイを備え、前記2
つの半導体検出器アレイは前記被検体を挟んで任意角度
で設置されることを特徴とする。
【0030】上記課題を解決するために、請求項12に
記載の発明の放射線検出器は、それぞれが平行に配置さ
れ、被検体からの放射線を検出するための複数の半導体
セルと、前記半導体セルに電圧を印加するための電圧印
加電極とを有し、前記被検体に対して検出面が凹状に形
成されている3つ以上の半導体検出器アレイを備え、前
記3つ以上の半導体検出器アレイは前記被検体を挟んで
設置されることを特徴とする。
記載の発明の放射線検出器は、それぞれが平行に配置さ
れ、被検体からの放射線を検出するための複数の半導体
セルと、前記半導体セルに電圧を印加するための電圧印
加電極とを有し、前記被検体に対して検出面が凹状に形
成されている3つ以上の半導体検出器アレイを備え、前
記3つ以上の半導体検出器アレイは前記被検体を挟んで
設置されることを特徴とする。
【0031】上記課題を解決するために、請求項13に
記載の発明の放射線検出器は、それぞれが平行に配置さ
れ、被検体からの放射線を検出するための複数の半導体
セルと、前記半導体セルに電圧を印加するための電圧印
加電極とを有し、前記被検体に対して検出面が凹状に形
成されている複数の半導体検出器アレイを備え、前記複
数の半導体検出器アレイを1次元または2次元に配置し
たことを特徴とする。
記載の発明の放射線検出器は、それぞれが平行に配置さ
れ、被検体からの放射線を検出するための複数の半導体
セルと、前記半導体セルに電圧を印加するための電圧印
加電極とを有し、前記被検体に対して検出面が凹状に形
成されている複数の半導体検出器アレイを備え、前記複
数の半導体検出器アレイを1次元または2次元に配置し
たことを特徴とする。
【0032】上記請求項8から13に記載の発明の放射
線検出器において、請求項14に記載の発明は、前記半
導体検出器アレイは、その検出面の所定方向において半
導体セル部分以外の部分の厚さが半導体セル部分の厚さ
の略1/10以下になるように形成されていることを特
徴とする。
線検出器において、請求項14に記載の発明は、前記半
導体検出器アレイは、その検出面の所定方向において半
導体セル部分以外の部分の厚さが半導体セル部分の厚さ
の略1/10以下になるように形成されていることを特
徴とする。
【0033】上記課題を解決するために、請求項15に
記載の発明の放射線検出器は、それぞれが平行に配置さ
れ、被検体からの放射線を検出するための複数の半導体
セルと、前記半導体セルに電圧を印加するための電圧印
加電極とを有し、前記被検体に対して検出面が凹状に形
成されている1つ以上の半導体検出器アレイと、前記半
導体検出器アレイの検出面に沿って設けられ、一定の焦
点を有する1つ以上のファンビームコリメータとを備え
たことを特徴とする。
記載の発明の放射線検出器は、それぞれが平行に配置さ
れ、被検体からの放射線を検出するための複数の半導体
セルと、前記半導体セルに電圧を印加するための電圧印
加電極とを有し、前記被検体に対して検出面が凹状に形
成されている1つ以上の半導体検出器アレイと、前記半
導体検出器アレイの検出面に沿って設けられ、一定の焦
点を有する1つ以上のファンビームコリメータとを備え
たことを特徴とする。
【0034】上記課題を解決するために、請求項16に
記載の発明の放射線検出器は、それぞれが平行に配置さ
れ、被検体からの放射線を検出するための複数の半導体
セルと、前記半導体セルに電圧を印加するための電圧印
加電極とを有し、前記被検体に対して検出面が凹状に形
成され、対向設置されている2つの半導体検出器アレイ
と、前記2つの半導体検出器アレイの検出面に沿ってそ
れぞれ設けられ、異なる焦点位置を有するファンビーム
コリメータとを備えたことを特徴とする。
記載の発明の放射線検出器は、それぞれが平行に配置さ
れ、被検体からの放射線を検出するための複数の半導体
セルと、前記半導体セルに電圧を印加するための電圧印
加電極とを有し、前記被検体に対して検出面が凹状に形
成され、対向設置されている2つの半導体検出器アレイ
と、前記2つの半導体検出器アレイの検出面に沿ってそ
れぞれ設けられ、異なる焦点位置を有するファンビーム
コリメータとを備えたことを特徴とする。
【0035】上記課題を解決するために、請求項17に
記載の発明の放射線検出器は、それぞれが平行に配置さ
れ、被検体からの放射線を検出するための複数の半導体
セルと、前記半導体セルに電圧を印加するための電圧印
加電極とを有し、前記被検体に対して検出面が凹状に形
成され、任意角度で設置されている2つの半導体検出器
アレイと、前記2つの半導体検出器アレイの検出面に沿
ってそれぞれ設けられ、それぞれ一定の焦点を有するフ
ァンビームコリメータとを備えたことを特徴とする。
記載の発明の放射線検出器は、それぞれが平行に配置さ
れ、被検体からの放射線を検出するための複数の半導体
セルと、前記半導体セルに電圧を印加するための電圧印
加電極とを有し、前記被検体に対して検出面が凹状に形
成され、任意角度で設置されている2つの半導体検出器
アレイと、前記2つの半導体検出器アレイの検出面に沿
ってそれぞれ設けられ、それぞれ一定の焦点を有するフ
ァンビームコリメータとを備えたことを特徴とする。
【0036】上記課題を解決するために、請求項18に
記載の発明の放射線検出器は、それぞれが平行に配置さ
れ、被検体からの放射線を検出するための複数の半導体
セルと、前記半導体セルに電圧を印加するための電圧印
加電極とを有し、前記被検体に対して検出面が凹状に形
成され、任意角度で設置されている2つの半導体検出器
アレイと、前記2つの半導体検出器アレイの検出面に沿
ってそれぞれ設けられ、異なる焦点位置を有するファン
ビームコリメータとを備えたことを特徴とする。
記載の発明の放射線検出器は、それぞれが平行に配置さ
れ、被検体からの放射線を検出するための複数の半導体
セルと、前記半導体セルに電圧を印加するための電圧印
加電極とを有し、前記被検体に対して検出面が凹状に形
成され、任意角度で設置されている2つの半導体検出器
アレイと、前記2つの半導体検出器アレイの検出面に沿
ってそれぞれ設けられ、異なる焦点位置を有するファン
ビームコリメータとを備えたことを特徴とする。
【0037】上記課題を解決するために、請求項19に
記載の発明の放射線検出器は、それぞれが平行に配置さ
れ、被検体からの放射線を検出するための複数の半導体
セルと、前記半導体セルに電圧を印加するための電圧印
加電極とを有し、前記被検体に対して検出面が凹状に形
成され、任意位置に設置されている2つの半導体検出器
アレイと、前記2つの半導体検出器アレイの検出面に沿
ってそれぞれ設けられ、それぞれ一定の焦点を有するフ
ァンビームコリメータとを備えたことを特徴とする。
記載の発明の放射線検出器は、それぞれが平行に配置さ
れ、被検体からの放射線を検出するための複数の半導体
セルと、前記半導体セルに電圧を印加するための電圧印
加電極とを有し、前記被検体に対して検出面が凹状に形
成され、任意位置に設置されている2つの半導体検出器
アレイと、前記2つの半導体検出器アレイの検出面に沿
ってそれぞれ設けられ、それぞれ一定の焦点を有するフ
ァンビームコリメータとを備えたことを特徴とする。
【0038】上記課題を解決するために、請求項20に
記載の発明の放射線検出器は、それぞれが平行に配置さ
れ、被検体からの放射線を検出するための複数の半導体
セルと、前記半導体セルに電圧を印加するための電圧印
加電極とを有し、前記被検体に対して検出面が凹状に形
成され、任意位置に設置されている2つの半導体検出器
アレイと、前記半導体検出器アレイの検出面に沿ってそ
れぞれ設けられ、異なる焦点位置を有するファンビーム
コリメータとを備えたことを特徴とする。
記載の発明の放射線検出器は、それぞれが平行に配置さ
れ、被検体からの放射線を検出するための複数の半導体
セルと、前記半導体セルに電圧を印加するための電圧印
加電極とを有し、前記被検体に対して検出面が凹状に形
成され、任意位置に設置されている2つの半導体検出器
アレイと、前記半導体検出器アレイの検出面に沿ってそ
れぞれ設けられ、異なる焦点位置を有するファンビーム
コリメータとを備えたことを特徴とする。
【0039】上記課題を解決するために、請求項21に
記載の発明の放射線検出器は、それぞれが平行に配置さ
れ、被検体からの放射線を検出するための複数の半導体
セルと、前記半導体セルに電圧を印加するための電圧印
加電極とを有し、前記被検体に対して検出面が凹状に形
成されて設置されている3つ以上の半導体検出器アレイ
と、前記3つ以上の半導体検出器アレイの検出面に沿っ
てそれぞれ設けられ、異なる焦点位置を有するファンビ
ームコリメータとを備えたことを特徴とする。
記載の発明の放射線検出器は、それぞれが平行に配置さ
れ、被検体からの放射線を検出するための複数の半導体
セルと、前記半導体セルに電圧を印加するための電圧印
加電極とを有し、前記被検体に対して検出面が凹状に形
成されて設置されている3つ以上の半導体検出器アレイ
と、前記3つ以上の半導体検出器アレイの検出面に沿っ
てそれぞれ設けられ、異なる焦点位置を有するファンビ
ームコリメータとを備えたことを特徴とする。
【0040】上記課題を解決するために、請求項22に
記載の発明の放射線検出器は、被検体に対して凹状に、
かつそれぞれが平行に配置され、前記被検体からの放射
線を検出する複数の検出素子をそれぞれ有する2つの放
射線検出器アレイを備え、前記2つの放射線検出器アレ
イは、各検出面が前記被検体の表面に沿って形成される
ように前記被検体を挟んで対向配置されていることを特
徴とする。
記載の発明の放射線検出器は、被検体に対して凹状に、
かつそれぞれが平行に配置され、前記被検体からの放射
線を検出する複数の検出素子をそれぞれ有する2つの放
射線検出器アレイを備え、前記2つの放射線検出器アレ
イは、各検出面が前記被検体の表面に沿って形成される
ように前記被検体を挟んで対向配置されていることを特
徴とする。
【0041】上記請求項22に記載の発明の放射線検出
器において、請求項23に記載の発明は、前記2つの放
射線検出器アレイの検出面にそれぞれ取り付けられるコ
リメータをさらに備え、前記2つの放射線検出器アレイ
は、その対向配置によって形成される空間に24cm以
下の直径を有する円筒構造体が配置可能である凹状の検
出面をそれぞれ有し、前記コリメータの放射線入射面と
前記円筒構造体の表面との間の最短距離が0.5cmか
ら2cmの範囲内であることを特徴とする。
器において、請求項23に記載の発明は、前記2つの放
射線検出器アレイの検出面にそれぞれ取り付けられるコ
リメータをさらに備え、前記2つの放射線検出器アレイ
は、その対向配置によって形成される空間に24cm以
下の直径を有する円筒構造体が配置可能である凹状の検
出面をそれぞれ有し、前記コリメータの放射線入射面と
前記円筒構造体の表面との間の最短距離が0.5cmか
ら2cmの範囲内であることを特徴とする。
【0042】上記請求項23に記載の発明の放射線検出
器において、請求項24に記載の発明は、前記各放射線
検出器アレイは、各々の端部が近密配置されていること
を特徴とする。
器において、請求項24に記載の発明は、前記各放射線
検出器アレイは、各々の端部が近密配置されていること
を特徴とする。
【0043】上記課題を解決するために、請求項25に
記載の発明の放射線検出器は、被検体に対して凹状に、
かつそれぞれが平行に配置され、前記被検体からの放射
線を検出するための複数の検出素子を備えたことを特徴
とする。
記載の発明の放射線検出器は、被検体に対して凹状に、
かつそれぞれが平行に配置され、前記被検体からの放射
線を検出するための複数の検出素子を備えたことを特徴
とする。
【0044】上記課題を解決するために、請求項26に
記載の発明の放射線検出器は、平行に配置された放射線
を検出する複数の検出素子をそれぞれ有する2つの曲面
状の検出器モジュールを備え、前記2つの検出器モジュ
ールを組み合わせて前記被検体に対して凹状に構成した
ことを特徴とする。
記載の発明の放射線検出器は、平行に配置された放射線
を検出する複数の検出素子をそれぞれ有する2つの曲面
状の検出器モジュールを備え、前記2つの検出器モジュ
ールを組み合わせて前記被検体に対して凹状に構成した
ことを特徴とする。
【0045】上記請求項25または26に記載の発明の
放射線検出器において、請求項27に記載の発明は、前
記複数の検出素子は、半導体またはシンチレータにより
構成されていることを特徴とする。
放射線検出器において、請求項27に記載の発明は、前
記複数の検出素子は、半導体またはシンチレータにより
構成されていることを特徴とする。
【0046】上記請求項25または26に記載の発明の
放射線検出器において、請求項28に記載の発明は、前
記複数の検出素子は、放射線の入射方向におけるその入
射面の位置をずらして配置されていることを特徴とす
る。
放射線検出器において、請求項28に記載の発明は、前
記複数の検出素子は、放射線の入射方向におけるその入
射面の位置をずらして配置されていることを特徴とす
る。
【0047】上記請求項25に記載の発明の放射線検出
器において、請求項29に記載の発明は、前記複数の検
出素子が配置された検出器モジュールを有し、前記検出
器モジュールの両端部には放射線の検出に寄与しない部
分が設けられていることを特徴とする。
器において、請求項29に記載の発明は、前記複数の検
出素子が配置された検出器モジュールを有し、前記検出
器モジュールの両端部には放射線の検出に寄与しない部
分が設けられていることを特徴とする。
【0048】上記請求項26に記載の発明の放射線検出
器において、請求項30に記載の発明は、前記2つの検
出器モジュールは、それぞれ一方の端部を連結して組み
合わされ、それぞれ他方の端部には放射線の検出に寄与
しない部分が設けられていることを特徴とする。
器において、請求項30に記載の発明は、前記2つの検
出器モジュールは、それぞれ一方の端部を連結して組み
合わされ、それぞれ他方の端部には放射線の検出に寄与
しない部分が設けられていることを特徴とする。
【0049】上記請求項25または26に記載の発明の
放射線検出器において、請求項31に記載の発明は、前
記複数の検出素子は、マトリックス状に配置されている
ことを特徴とする。
放射線検出器において、請求項31に記載の発明は、前
記複数の検出素子は、マトリックス状に配置されている
ことを特徴とする。
【0050】上記課題を解決するために、請求項32に
記載の発明の放射線検出器は、被検体に対して凹状に、
かつそれぞれが平行に配置され、前記被検体からの放射
線を検出するための複数の検出素子をそれぞれ有する複
数の検出器モジュールを備え、前記各検出器モジュール
は、所定の方向に配列され、段差部および突出部を有
し、この突出部を隣接する検出器モジュールの段差部に
載せて組み合わせていることを特徴とする。
記載の発明の放射線検出器は、被検体に対して凹状に、
かつそれぞれが平行に配置され、前記被検体からの放射
線を検出するための複数の検出素子をそれぞれ有する複
数の検出器モジュールを備え、前記各検出器モジュール
は、所定の方向に配列され、段差部および突出部を有
し、この突出部を隣接する検出器モジュールの段差部に
載せて組み合わせていることを特徴とする。
【0051】上記請求項32に記載の発明の放射線検出
器において、請求項33に記載の発明は、前記各検出器
モジュールは、前記複数の検出素子に電気的に接続され
ているフレキシブル基板を有し、このフレキシブル基板
には、前記各検出素子によって検出された検出信号を処
理する処理回路が接続可能であることを特徴とする。
器において、請求項33に記載の発明は、前記各検出器
モジュールは、前記複数の検出素子に電気的に接続され
ているフレキシブル基板を有し、このフレキシブル基板
には、前記各検出素子によって検出された検出信号を処
理する処理回路が接続可能であることを特徴とする。
【0052】上記課題を解決するために、請求項34に
記載の発明は、被検体から放出された放射線を検出する
放射線検出器を備えた核医学診断装置において、前記放
射線検出器は、前記被検体に対して凹状に、かつそれぞ
れが平行に配置された複数の半導体セルと、前記半導体
セルに電圧を印加するための電圧印加電極とを備えたこ
とを特徴とする。
記載の発明は、被検体から放出された放射線を検出する
放射線検出器を備えた核医学診断装置において、前記放
射線検出器は、前記被検体に対して凹状に、かつそれぞ
れが平行に配置された複数の半導体セルと、前記半導体
セルに電圧を印加するための電圧印加電極とを備えたこ
とを特徴とする。
【0053】上記請求項34に記載の発明の核医学診断
装置において、請求項35に記載の発明は、前記複数の
半導体セルは、前記放射線の入射方向における入射面の
位置を連続的にずらして配置することにより、前記被検
体の表面に沿って凹状を構成することを特徴とする。
装置において、請求項35に記載の発明は、前記複数の
半導体セルは、前記放射線の入射方向における入射面の
位置を連続的にずらして配置することにより、前記被検
体の表面に沿って凹状を構成することを特徴とする。
【0054】上記請求項34に記載の発明の核医学診断
装置において、請求項36に記載の発明は、前記複数の
半導体セルにおいて、2以上の半導体セルの組ごとに前
記放射線の入射方向における入射面の位置を連続的にず
らして配置することにより、前記被検体の表面に沿って
凹状を構成することを特徴とする。
装置において、請求項36に記載の発明は、前記複数の
半導体セルにおいて、2以上の半導体セルの組ごとに前
記放射線の入射方向における入射面の位置を連続的にず
らして配置することにより、前記被検体の表面に沿って
凹状を構成することを特徴とする。
【0055】上記請求項34に記載の発明の核医学診断
装置において、請求項37に記載の発明は、前記複数の
半導体セルは、マトリックス状に配置されていることを
特徴とする。
装置において、請求項37に記載の発明は、前記複数の
半導体セルは、マトリックス状に配置されていることを
特徴とする。
【0056】上記請求項34に記載の発明の核医学診断
装置において、請求項38に記載の発明は、前記複数の
半導体セルにおいて入射した放射線の吸収方向の厚さは
すべて一定であることを特徴とする。
装置において、請求項38に記載の発明は、前記複数の
半導体セルにおいて入射した放射線の吸収方向の厚さは
すべて一定であることを特徴とする。
【0057】上記請求項34に記載の発明の核医学診断
装置において、請求項39に記載の発明は、放射線の吸
収方向の厚さは放射線検出器の中央部とその周辺部で異
なることを特徴とする。
装置において、請求項39に記載の発明は、放射線の吸
収方向の厚さは放射線検出器の中央部とその周辺部で異
なることを特徴とする。
【0058】上記請求項39に記載の発明の核医学診断
装置において、請求項40に記載の発明は、放射線の吸
収方向の厚さは放射線検出器の中央部よりも周辺部の方
が厚いことを特徴とする。
装置において、請求項40に記載の発明は、放射線の吸
収方向の厚さは放射線検出器の中央部よりも周辺部の方
が厚いことを特徴とする。
【0059】上記課題を解決するために、請求項41に
記載の発明は、被検体から放出された放射線を検出する
放射線検出器を備えた核医学診断装置において、前記放
射線検出器は、それぞれが平行に配置された複数の半導
体セルと、前記半導体セルに電圧を印加するための電圧
印加電極とを有し、前記被検体に対して検出面が凹状に
形成されている半導体検出器アレイと、前記半導体検出
器アレイの検出面に沿って設けられた平行コリメータと
を備えたことを特徴とする。
記載の発明は、被検体から放出された放射線を検出する
放射線検出器を備えた核医学診断装置において、前記放
射線検出器は、それぞれが平行に配置された複数の半導
体セルと、前記半導体セルに電圧を印加するための電圧
印加電極とを有し、前記被検体に対して検出面が凹状に
形成されている半導体検出器アレイと、前記半導体検出
器アレイの検出面に沿って設けられた平行コリメータと
を備えたことを特徴とする。
【0060】上記請求項41に記載の発明の核医学診断
装置において、請求項42に記載の発明は、前記検出面
とは反対側である前記半導体検出アレイの背面側に前記
検出面の大きさの範囲内からはみ出さないように形成さ
れ、各半導体セルからの検出信号を処理する処理回路を
備え、前記処理回路を前記半導体検出器アレイと一体成
形したことを特徴とする。
装置において、請求項42に記載の発明は、前記検出面
とは反対側である前記半導体検出アレイの背面側に前記
検出面の大きさの範囲内からはみ出さないように形成さ
れ、各半導体セルからの検出信号を処理する処理回路を
備え、前記処理回路を前記半導体検出器アレイと一体成
形したことを特徴とする。
【0061】上記課題を解決するために、請求項43に
記載の発明は、被検体から放出された放射線を検出する
放射線検出器を備えた核医学診断装置において、前記放
射線検出器は、それぞれが平行に配置された複数の半導
体セルと、前記半導体セルに電圧を印加するための電圧
印加電極とを有し、前記被検体に対して検出面が凹状に
形成されている2つの半導体検出器アレイを備え、前記
2つの半導体検出器アレイは前記被検体を挟んで対向設
置されることを特徴とする。
記載の発明は、被検体から放出された放射線を検出する
放射線検出器を備えた核医学診断装置において、前記放
射線検出器は、それぞれが平行に配置された複数の半導
体セルと、前記半導体セルに電圧を印加するための電圧
印加電極とを有し、前記被検体に対して検出面が凹状に
形成されている2つの半導体検出器アレイを備え、前記
2つの半導体検出器アレイは前記被検体を挟んで対向設
置されることを特徴とする。
【0062】上記課題を解決するために、請求項44に
記載の発明は、被検体から放出された放射線を検出する
放射線検出器を備えた核医学診断装置において、前記放
射線検出器は、それぞれが平行に配置された複数の半導
体セルと、前記半導体セルに電圧を印加するための電圧
印加電極とを有し、前記被検体に対して検出面が凹状に
形成されている2つの半導体検出器アレイを備え、前記
2つの半導体検出器アレイは前記被検体を挟んで任意角
度で設置されることを特徴とする。
記載の発明は、被検体から放出された放射線を検出する
放射線検出器を備えた核医学診断装置において、前記放
射線検出器は、それぞれが平行に配置された複数の半導
体セルと、前記半導体セルに電圧を印加するための電圧
印加電極とを有し、前記被検体に対して検出面が凹状に
形成されている2つの半導体検出器アレイを備え、前記
2つの半導体検出器アレイは前記被検体を挟んで任意角
度で設置されることを特徴とする。
【0063】上記課題を解決するために、請求項45に
記載の発明は、被検体から放出された放射線を検出する
放射線検出器を備えた核医学診断装置において、前記放
射線検出器は、それぞれが平行に配置された複数の半導
体セルと、前記半導体セルに電圧を印加するための電圧
印加電極とを有し、前記被検体に対して検出面が凹状に
形成されている3つ以上の半導体検出器アレイを備え、
前記3つ以上の半導体検出器アレイは前記被検体を挟ん
で設置されることを特徴とする。
記載の発明は、被検体から放出された放射線を検出する
放射線検出器を備えた核医学診断装置において、前記放
射線検出器は、それぞれが平行に配置された複数の半導
体セルと、前記半導体セルに電圧を印加するための電圧
印加電極とを有し、前記被検体に対して検出面が凹状に
形成されている3つ以上の半導体検出器アレイを備え、
前記3つ以上の半導体検出器アレイは前記被検体を挟ん
で設置されることを特徴とする。
【0064】上記課題を解決するために、請求項46に
記載の発明は、被検体から放出された放射線を検出する
放射線検出器を備えた核医学診断装置において、前記放
射線検出器は、それぞれが平行に配置された複数の半導
体セルと、前記半導体セルに電圧を印加するための電圧
印加電極とを有し、前記被検体に対して検出面が凹状に
形成されている複数の半導体検出器アレイを備え、前記
複数の半導体検出器アレイを1次元または2次元に配置
したことを特徴とする。
記載の発明は、被検体から放出された放射線を検出する
放射線検出器を備えた核医学診断装置において、前記放
射線検出器は、それぞれが平行に配置された複数の半導
体セルと、前記半導体セルに電圧を印加するための電圧
印加電極とを有し、前記被検体に対して検出面が凹状に
形成されている複数の半導体検出器アレイを備え、前記
複数の半導体検出器アレイを1次元または2次元に配置
したことを特徴とする。
【0065】上記請求項41から46に記載の発明の核
医学診断装置において、請求項47に記載の発明は、前
記半導体検出器アレイは、その検出面の所定方向におい
て半導体セル部分以外の部分の厚さが半導体セル部分の
厚さの略1/10以下になるように形成されていること
を特徴とする。
医学診断装置において、請求項47に記載の発明は、前
記半導体検出器アレイは、その検出面の所定方向におい
て半導体セル部分以外の部分の厚さが半導体セル部分の
厚さの略1/10以下になるように形成されていること
を特徴とする。
【0066】上記課題を解決するために、請求項48に
記載の発明は、被検体から放出された放射線を検出する
放射線検出器を備えた核医学診断装置において、前記放
射線検出器は、それぞれが平行に配置された複数の半導
体セルと、前記半導体セルに電圧を印加するための電圧
印加電極とを有し、前記被検体に対して検出面が凹状に
形成されている1つ以上の半導体検出器アレイと、前記
半導体検出器アレイの検出面に沿って設けられ、一定の
焦点を有する1つ以上のファンビームコリメータとを備
えたことを特徴とする。
記載の発明は、被検体から放出された放射線を検出する
放射線検出器を備えた核医学診断装置において、前記放
射線検出器は、それぞれが平行に配置された複数の半導
体セルと、前記半導体セルに電圧を印加するための電圧
印加電極とを有し、前記被検体に対して検出面が凹状に
形成されている1つ以上の半導体検出器アレイと、前記
半導体検出器アレイの検出面に沿って設けられ、一定の
焦点を有する1つ以上のファンビームコリメータとを備
えたことを特徴とする。
【0067】上記課題を解決するために、請求項49に
記載の発明は、被検体から放出された放射線を検出する
放射線検出器を備えた核医学診断装置において、前記放
射線検出器は、それぞれが平行に配置された複数の半導
体セルと、前記半導体セルに電圧を印加するための電圧
印加電極とを有し、前記被検体に対して検出面が凹状に
形成され、対向設置されている2つの半導体検出器アレ
イと、前記2つの半導体検出器アレイの検出面に沿って
それぞれ設けられ、異なる焦点位置を有するファンビー
ムコリメータとを備えたことを特徴とする。
記載の発明は、被検体から放出された放射線を検出する
放射線検出器を備えた核医学診断装置において、前記放
射線検出器は、それぞれが平行に配置された複数の半導
体セルと、前記半導体セルに電圧を印加するための電圧
印加電極とを有し、前記被検体に対して検出面が凹状に
形成され、対向設置されている2つの半導体検出器アレ
イと、前記2つの半導体検出器アレイの検出面に沿って
それぞれ設けられ、異なる焦点位置を有するファンビー
ムコリメータとを備えたことを特徴とする。
【0068】上記課題を解決するために、請求項50に
記載の発明は、被検体から放出された放射線を検出する
放射線検出器を備えた核医学診断装置において、前記放
射線検出器は、それぞれが平行に配置された複数の半導
体セルと、前記半導体セルに電圧を印加するための電圧
印加電極とを有し、前記被検体に対して検出面が凹状に
形成され、任意角度で設置されている2つの半導体検出
器アレイと、前記2つの半導体検出器アレイの検出面に
沿ってそれぞれ設けられ、それぞれ一定の焦点を有する
ファンビームコリメータとを備えたことを特徴とする。
記載の発明は、被検体から放出された放射線を検出する
放射線検出器を備えた核医学診断装置において、前記放
射線検出器は、それぞれが平行に配置された複数の半導
体セルと、前記半導体セルに電圧を印加するための電圧
印加電極とを有し、前記被検体に対して検出面が凹状に
形成され、任意角度で設置されている2つの半導体検出
器アレイと、前記2つの半導体検出器アレイの検出面に
沿ってそれぞれ設けられ、それぞれ一定の焦点を有する
ファンビームコリメータとを備えたことを特徴とする。
【0069】上記課題を解決するために、請求項51に
記載の発明は、被検体から放出された放射線を検出する
放射線検出器を備えた核医学診断装置において、前記放
射線検出器は、それぞれが平行に配置された複数の半導
体セルと、前記半導体セルに電圧を印加するための電圧
印加電極とを有し、前記被検体に対して検出面が凹状に
形成され、任意角度で設置されている2つの半導体検出
器アレイと、前記2つの半導体検出器アレイの検出面に
沿ってそれぞれ設けられ、異なる焦点位置を有するファ
ンビームコリメータとを備えたことを特徴とする。
記載の発明は、被検体から放出された放射線を検出する
放射線検出器を備えた核医学診断装置において、前記放
射線検出器は、それぞれが平行に配置された複数の半導
体セルと、前記半導体セルに電圧を印加するための電圧
印加電極とを有し、前記被検体に対して検出面が凹状に
形成され、任意角度で設置されている2つの半導体検出
器アレイと、前記2つの半導体検出器アレイの検出面に
沿ってそれぞれ設けられ、異なる焦点位置を有するファ
ンビームコリメータとを備えたことを特徴とする。
【0070】上記課題を解決するために、請求項52に
記載の発明は、被検体から放出された放射線を検出する
放射線検出器を備えた核医学診断装置において、前記放
射線検出器は、それぞれが平行に配置された複数の半導
体セルと、前記半導体セルに電圧を印加するための電圧
印加電極とを有し、前記被検体に対して検出面が凹状に
形成され、任意位置に設置されている2つの半導体検出
器アレイと、前記2つの半導体検出器アレイの検出面に
沿ってそれぞれ設けられ、それぞれ一定の焦点を有する
ファンビームコリメータとを備えたことを特徴とする。
記載の発明は、被検体から放出された放射線を検出する
放射線検出器を備えた核医学診断装置において、前記放
射線検出器は、それぞれが平行に配置された複数の半導
体セルと、前記半導体セルに電圧を印加するための電圧
印加電極とを有し、前記被検体に対して検出面が凹状に
形成され、任意位置に設置されている2つの半導体検出
器アレイと、前記2つの半導体検出器アレイの検出面に
沿ってそれぞれ設けられ、それぞれ一定の焦点を有する
ファンビームコリメータとを備えたことを特徴とする。
【0071】上記課題を解決するために、請求項53に
記載の発明は、被検体から放出された放射線を検出する
放射線検出器を備えた核医学診断装置において、前記放
射線検出器は、それぞれが平行に配置された複数の半導
体セルと、前記半導体セルに電圧を印加するための電圧
印加電極とを有し、前記被検体に対して検出面が凹状に
形成され、任意位置に設置されている2つの半導体検出
器アレイと、前記2つの半導体検出器アレイの検出面に
沿ってそれぞれ設けられ、異なる焦点位置を有するファ
ンビームコリメータとを備えたことを特徴とする。
記載の発明は、被検体から放出された放射線を検出する
放射線検出器を備えた核医学診断装置において、前記放
射線検出器は、それぞれが平行に配置された複数の半導
体セルと、前記半導体セルに電圧を印加するための電圧
印加電極とを有し、前記被検体に対して検出面が凹状に
形成され、任意位置に設置されている2つの半導体検出
器アレイと、前記2つの半導体検出器アレイの検出面に
沿ってそれぞれ設けられ、異なる焦点位置を有するファ
ンビームコリメータとを備えたことを特徴とする。
【0072】上記課題を解決するために、請求項54に
記載の発明は、被検体から放出された放射線を検出する
放射線検出器を備えた核医学診断装置において、前記放
射線検出器は、それぞれが平行に配置された複数の半導
体セルと、前記半導体セルに電圧を印加するための電圧
印加電極とを有し、前記被検体に対して検出面が凹状に
形成されて配置されている3つ以上の半導体検出器アレ
イと、前記3つ以上の半導体検出器アレイの検出面に沿
ってそれぞれ設けられ、異なる焦点位置を有するファン
ビームコリメータとを備えたことを特徴とする。
記載の発明は、被検体から放出された放射線を検出する
放射線検出器を備えた核医学診断装置において、前記放
射線検出器は、それぞれが平行に配置された複数の半導
体セルと、前記半導体セルに電圧を印加するための電圧
印加電極とを有し、前記被検体に対して検出面が凹状に
形成されて配置されている3つ以上の半導体検出器アレ
イと、前記3つ以上の半導体検出器アレイの検出面に沿
ってそれぞれ設けられ、異なる焦点位置を有するファン
ビームコリメータとを備えたことを特徴とする。
【0073】上記課題を解決するために、請求項55に
記載の発明は、被検体から放出された放射線を検出する
放射線検出器を備えた核医学診断装置において、前記放
射線検出器は、前記被検体に対して凹状に、かつそれぞ
れが平行に配置された複数の検出素子をそれぞれ有する
2つの放射線検出器アレイを備え、前記2つの放射線検
出器アレイは、各検出面が前記被検体の表面に沿って形
成されるように前記被検体を挟んで対向配置されている
ことを特徴とする。
記載の発明は、被検体から放出された放射線を検出する
放射線検出器を備えた核医学診断装置において、前記放
射線検出器は、前記被検体に対して凹状に、かつそれぞ
れが平行に配置された複数の検出素子をそれぞれ有する
2つの放射線検出器アレイを備え、前記2つの放射線検
出器アレイは、各検出面が前記被検体の表面に沿って形
成されるように前記被検体を挟んで対向配置されている
ことを特徴とする。
【0074】上記請求項55に記載の発明の核医学診断
装置において、請求項56に記載の発明は、前記2つの
放射線検出器アレイの検出面にそれぞれ取り付けられる
コリメータをさらに備え、前記2つの放射線検出器アレ
イは、その対向配置によって形成される空間に24cm
以下の直径を有する円筒構造体が配置可能である凹状の
検出面をそれぞれ有し、前記コリメータの放射線入射面
と前記円筒構造体の表面との間の最短距離が0.5cm
から2cmの範囲内であることを特徴とする。
装置において、請求項56に記載の発明は、前記2つの
放射線検出器アレイの検出面にそれぞれ取り付けられる
コリメータをさらに備え、前記2つの放射線検出器アレ
イは、その対向配置によって形成される空間に24cm
以下の直径を有する円筒構造体が配置可能である凹状の
検出面をそれぞれ有し、前記コリメータの放射線入射面
と前記円筒構造体の表面との間の最短距離が0.5cm
から2cmの範囲内であることを特徴とする。
【0075】上記請求項55に記載の発明の核医学診断
装置において、請求項57に記載の発明は、前記各放射
線検出器アレイは、各々の端部が近密配置されているこ
とを特徴とする。
装置において、請求項57に記載の発明は、前記各放射
線検出器アレイは、各々の端部が近密配置されているこ
とを特徴とする。
【0076】上記課題を解決するために、請求項58に
記載の発明は、被検体から放出された放射線を検出する
放射線検出器を備えた核医学診断装置において、前記放
射線検出器は、被検体に対して凹状に、かつそれぞれが
平行に配置された複数の検出素子を備えたことを特徴と
する。
記載の発明は、被検体から放出された放射線を検出する
放射線検出器を備えた核医学診断装置において、前記放
射線検出器は、被検体に対して凹状に、かつそれぞれが
平行に配置された複数の検出素子を備えたことを特徴と
する。
【0077】上記課題を解決するために、請求項59に
記載の発明は、被検体から放出された放射線を検出する
放射線検出器を備えた核医学診断装置において、前記放
射線検出器は、平行に配置された複数の検出素子をそれ
ぞれ有する2つの曲面状の検出器モジュールを備え、前
記2つの検出器モジュールを組み合わせて前記被検体に
対して凹状に構成したことを特徴とする。
記載の発明は、被検体から放出された放射線を検出する
放射線検出器を備えた核医学診断装置において、前記放
射線検出器は、平行に配置された複数の検出素子をそれ
ぞれ有する2つの曲面状の検出器モジュールを備え、前
記2つの検出器モジュールを組み合わせて前記被検体に
対して凹状に構成したことを特徴とする。
【0078】上記請求項58または59に記載の発明の
核医学診断装置において、請求項60に記載の発明は、
前記複数の検出素子は、半導体またはシンチレータによ
り構成されていることを特徴とする。
核医学診断装置において、請求項60に記載の発明は、
前記複数の検出素子は、半導体またはシンチレータによ
り構成されていることを特徴とする。
【0079】上記請求項58または59に記載の発明の
核医学診断装置において、請求項61に記載の発明は、
前記複数の検出素子は、放射線の入射方向におけるその
入射面の位置をずらして配置されていることを特徴とす
る。
核医学診断装置において、請求項61に記載の発明は、
前記複数の検出素子は、放射線の入射方向におけるその
入射面の位置をずらして配置されていることを特徴とす
る。
【0080】上記請求項58に記載の発明の核医学診断
装置において、請求項62に記載の発明は、前記複数の
検出素子が配置された検出器モジュールを有し、前記検
出器モジュールの両端部には放射線の検出に寄与しない
部分が設けられていることを特徴とする。
装置において、請求項62に記載の発明は、前記複数の
検出素子が配置された検出器モジュールを有し、前記検
出器モジュールの両端部には放射線の検出に寄与しない
部分が設けられていることを特徴とする。
【0081】上記請求項59に記載の発明の核医学診断
装置において、請求項63に記載の発明は、前記2つの
検出器モジュールは、それぞれ一方の端部を連結して組
み合わされ、それぞれ他方の端部には放射線の検出に寄
与しない部分が設けられていることを特徴とする。
装置において、請求項63に記載の発明は、前記2つの
検出器モジュールは、それぞれ一方の端部を連結して組
み合わされ、それぞれ他方の端部には放射線の検出に寄
与しない部分が設けられていることを特徴とする。
【0082】上記請求項58または59に記載の発明の
核医学診断装置において、請求項64に記載の発明は、
前記複数の検出素子は、マトリックス状に配置されてい
ることを特徴とする。
核医学診断装置において、請求項64に記載の発明は、
前記複数の検出素子は、マトリックス状に配置されてい
ることを特徴とする。
【0083】上記課題を解決するために、請求項65に
記載の発明は、被検体から放出された放射線を検出する
放射線検出器を備えた核医学診断装置において、前記放
射線検出器は、前記被検体に対して凹状に、かつそれぞ
れが平行に配置された複数の検出素子をそれぞれ有する
複数の検出器モジュールを備え、前記各検出器モジュー
ルは、所定の方向に配列され、段差部および突出部を有
し、この突出部を隣接する検出器モジュールの段差部に
載せて組み合わせていることを特徴とする。
記載の発明は、被検体から放出された放射線を検出する
放射線検出器を備えた核医学診断装置において、前記放
射線検出器は、前記被検体に対して凹状に、かつそれぞ
れが平行に配置された複数の検出素子をそれぞれ有する
複数の検出器モジュールを備え、前記各検出器モジュー
ルは、所定の方向に配列され、段差部および突出部を有
し、この突出部を隣接する検出器モジュールの段差部に
載せて組み合わせていることを特徴とする。
【0084】上記請求項65に記載の発明の核医学診断
装置において、請求項66に記載の発明は、前記各検出
器モジュールは、前記複数の検出素子に電気的に接続さ
れているフレキシブル基板を有し、このフレキシブル基
板には、前記各検出素子によって検出された検出信号を
処理する処理回路が接続可能であることを特徴とする。
装置において、請求項66に記載の発明は、前記各検出
器モジュールは、前記複数の検出素子に電気的に接続さ
れているフレキシブル基板を有し、このフレキシブル基
板には、前記各検出素子によって検出された検出信号を
処理する処理回路が接続可能であることを特徴とする。
【0085】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を図面
を参照して説明する。
を参照して説明する。
【0086】図3は本発明の実施の形態の放射線検出器
の構成および被検体との位置関係を示す図である。図3
において、本発明の実施の形態の核医学診断装置などに
用いられる放射線検出器は、患者などの被検体Pから放
出されたガンマ(γ)線のような放射線を検出するため
の検出素子として用いられる複数の半導体セルを備え、
被検体Pに対して凹状で曲面状の半導体検出器アレイ3
0と、半導体検出器アレイ30の被検体側でその検出面
に沿って設けられている平行コリメータ31とによって
構成されている。なお、平行コリメータ31は、被検体
Pに対して垂直方向から入射されるガンマ線のみを通過
させて半導体検出器アレイ30に導くために用いられ
る。
の構成および被検体との位置関係を示す図である。図3
において、本発明の実施の形態の核医学診断装置などに
用いられる放射線検出器は、患者などの被検体Pから放
出されたガンマ(γ)線のような放射線を検出するため
の検出素子として用いられる複数の半導体セルを備え、
被検体Pに対して凹状で曲面状の半導体検出器アレイ3
0と、半導体検出器アレイ30の被検体側でその検出面
に沿って設けられている平行コリメータ31とによって
構成されている。なお、平行コリメータ31は、被検体
Pに対して垂直方向から入射されるガンマ線のみを通過
させて半導体検出器アレイ30に導くために用いられ
る。
【0087】半導体検出器アレイ30の各半導体セル
は、テルル化カドミウム(CdTe)系の半導体によっ
て構成されている。この半導体にはガンマ線が入射する
方向に対して水平な方向(平行な方向)に電圧印加電極
および信号取り出し電極が配置されている。電圧印加電
極はこの半導体に高電圧を印加するために用いられ、信
号取り出し電極はこの半導体からの検出信号を取り出す
ために用いられる。なお、各半導体セルはその長手方向
がガンマ線の入射方向に一致するように等間隔に配置さ
れる。また、このような半導体については、ガンマ線が
入射する方向に対して垂直な方向に電圧印加電極および
信号取り出し電極を配置することも可能である。
は、テルル化カドミウム(CdTe)系の半導体によっ
て構成されている。この半導体にはガンマ線が入射する
方向に対して水平な方向(平行な方向)に電圧印加電極
および信号取り出し電極が配置されている。電圧印加電
極はこの半導体に高電圧を印加するために用いられ、信
号取り出し電極はこの半導体からの検出信号を取り出す
ために用いられる。なお、各半導体セルはその長手方向
がガンマ線の入射方向に一致するように等間隔に配置さ
れる。また、このような半導体については、ガンマ線が
入射する方向に対して垂直な方向に電圧印加電極および
信号取り出し電極を配置することも可能である。
【0088】半導体検出器アレイ30では、その検出面
において半導体セル部分の厚さに比べて電極部分(電圧
印加電極および信号取り出し電極)の厚さを薄くした構
造が採用され、不感帯(ガンマ線の検出に寄与しない部
分)である電極部分が有感帯(ガンマ線の検出に寄与す
る)である半導体セル部分の略1/10以下になるよう
に形成されている。このように形成されている半導体検
出器アレイ30を凹状で曲面状に配置する。
において半導体セル部分の厚さに比べて電極部分(電圧
印加電極および信号取り出し電極)の厚さを薄くした構
造が採用され、不感帯(ガンマ線の検出に寄与しない部
分)である電極部分が有感帯(ガンマ線の検出に寄与す
る)である半導体セル部分の略1/10以下になるよう
に形成されている。このように形成されている半導体検
出器アレイ30を凹状で曲面状に配置する。
【0089】なお、放射線検出器の検出面をどの位置に
おいても被検体Pにできるだけ近接させるためには、被
検体Pの形状にもよるが、放射線検出器の観察視野の横
幅を50cmから60cmの範囲内とし、その曲がり具
合を10cmから12cmの範囲内とすることが望まし
い。これにより、放射線検出器の周辺部においても被検
体Pに近接するので、位置分解能を大幅に改善させるこ
とが可能となる。
おいても被検体Pにできるだけ近接させるためには、被
検体Pの形状にもよるが、放射線検出器の観察視野の横
幅を50cmから60cmの範囲内とし、その曲がり具
合を10cmから12cmの範囲内とすることが望まし
い。これにより、放射線検出器の周辺部においても被検
体Pに近接するので、位置分解能を大幅に改善させるこ
とが可能となる。
【0090】なお、最近、モノリシック型のモジュール
検出器をちょう密に配置して2次元検出器を構成する場
合があるが、この場合には、図3に示すような放射線検
出器を構成することは困難である。
検出器をちょう密に配置して2次元検出器を構成する場
合があるが、この場合には、図3に示すような放射線検
出器を構成することは困難である。
【0091】本発明の実施の形態では、半導体検出器ア
レイ30の電極(電圧印加電極および信号取り出し電
極)をガンマ線の入射方向に対して水平に設けている
が、上述したように、図1に示す従来のアンガー型ガン
マカメラに平行コリメータを設置した場合と同様の方向
において、その方向(ガンマ線吸収方向)に対して同じ
厚さを有するように複数の半導体セルを配置することが
できるため、ガンマ線の入射位置による検出感度の差も
生じない。
レイ30の電極(電圧印加電極および信号取り出し電
極)をガンマ線の入射方向に対して水平に設けている
が、上述したように、図1に示す従来のアンガー型ガン
マカメラに平行コリメータを設置した場合と同様の方向
において、その方向(ガンマ線吸収方向)に対して同じ
厚さを有するように複数の半導体セルを配置することが
できるため、ガンマ線の入射位置による検出感度の差も
生じない。
【0092】なお、本発明の実施の形態では、図3に示
したような形状の放射線検出器に限定されない。図4に
示すように、例えば3つの平面を有し、半導体検出器ア
レイ35および平行コリメータ36を備えた凹状の放射
線検出器を用いてもよい。すなわち、本発明では、被検
体Pの表面にできるだけ近接するような検出面を有する
放射線検出器を用いることが望ましい。
したような形状の放射線検出器に限定されない。図4に
示すように、例えば3つの平面を有し、半導体検出器ア
レイ35および平行コリメータ36を備えた凹状の放射
線検出器を用いてもよい。すなわち、本発明では、被検
体Pの表面にできるだけ近接するような検出面を有する
放射線検出器を用いることが望ましい。
【0093】また、図5に示すように、ガンマ線の入射
方向が斜めに傾いている場合に対応させるために各半導
体セルを傾けて平行に配置した凹状のスラント(sla
nt)型の放射線検出器37を用いることも可能であ
る。このような放射線検出器37を用いることによって
も、その検出面を被検体Pにできるだけ近接させること
ができる。なお、放射線検出器37の検出面側に、各半
導体セルと同様に傾けて構成されている平行コリメータ
(図示しない)を配置することも可能である。
方向が斜めに傾いている場合に対応させるために各半導
体セルを傾けて平行に配置した凹状のスラント(sla
nt)型の放射線検出器37を用いることも可能であ
る。このような放射線検出器37を用いることによって
も、その検出面を被検体Pにできるだけ近接させること
ができる。なお、放射線検出器37の検出面側に、各半
導体セルと同様に傾けて構成されている平行コリメータ
(図示しない)を配置することも可能である。
【0094】図6は本発明の実施の形態の核医学診断装
置などに用いられる2つの放射線検出器にファンビーム
コリメータを設置した場合および被検体との位置関係を
示す図である。図6に示すように、本発明の実施の形態
の2つの凹状で曲面状の放射線検出器40、41を対向
させて被検体Pの直径が約20cm程度の臓器(例えば
頭部H)を挟んで近接設置している。放射線検出器4
0、41は、カンマ線を検出する凹状で曲面状の半導体
検出器アレイ30a、30bと、半導体検出器アレイ3
0a、30bの被検体側においてその検出面に沿って配
置される短距離焦点のファンビームコリメータ32a、
32bとによって構成されている。図6において、O1
はファンビームコリメータ32bの焦点を示し、O2は
ファンビームコリメータ32aの焦点を示している。な
お、半導体検出器アレイ30a、30bは図3に示す半
導体検出器アレイ30と同一に構成されている。
置などに用いられる2つの放射線検出器にファンビーム
コリメータを設置した場合および被検体との位置関係を
示す図である。図6に示すように、本発明の実施の形態
の2つの凹状で曲面状の放射線検出器40、41を対向
させて被検体Pの直径が約20cm程度の臓器(例えば
頭部H)を挟んで近接設置している。放射線検出器4
0、41は、カンマ線を検出する凹状で曲面状の半導体
検出器アレイ30a、30bと、半導体検出器アレイ3
0a、30bの被検体側においてその検出面に沿って配
置される短距離焦点のファンビームコリメータ32a、
32bとによって構成されている。図6において、O1
はファンビームコリメータ32bの焦点を示し、O2は
ファンビームコリメータ32aの焦点を示している。な
お、半導体検出器アレイ30a、30bは図3に示す半
導体検出器アレイ30と同一に構成されている。
【0095】図6に示すように本発明の実施の形態の放
射線検出器を配置することにより、従来のアンガー型ガ
ンマカメラのファンビームシステムでは実現不可能であ
った観察視野の拡大、被検体Pへの放射線検出器の近
接、および検出されるガンマ線の同時検出立体角の拡大
を図ることができ、頭部Hなどの小視野臓器に関するS
PECT画像の画質を大幅に向上させることが可能とな
る。
射線検出器を配置することにより、従来のアンガー型ガ
ンマカメラのファンビームシステムでは実現不可能であ
った観察視野の拡大、被検体Pへの放射線検出器の近
接、および検出されるガンマ線の同時検出立体角の拡大
を図ることができ、頭部Hなどの小視野臓器に関するS
PECT画像の画質を大幅に向上させることが可能とな
る。
【0096】また、放射線検出器40、41において被
検体Pの全身をカバーする程度の長距離焦点のファンビ
ームコリメータをそれぞれ対向設置してその対向距離を
長くしても、観察視野の拡大、被検体への放射線検出器
の近接、および検出されるガンマ線の同時検出立体角の
拡大を図ることができ、全身SPECT画像などの画質
を単に放射線検出器が被検体に近接したことにより得ら
れる画質以上に向上させることが期待できる。
検体Pの全身をカバーする程度の長距離焦点のファンビ
ームコリメータをそれぞれ対向設置してその対向距離を
長くしても、観察視野の拡大、被検体への放射線検出器
の近接、および検出されるガンマ線の同時検出立体角の
拡大を図ることができ、全身SPECT画像などの画質
を単に放射線検出器が被検体に近接したことにより得ら
れる画質以上に向上させることが期待できる。
【0097】なお、上述したように、放射線検出器4
0、41の検出面をどの位置においても被検体Pにでき
るだけ近接させるために、放射線検出器40、41の観
察視野の横幅を50cmから60cmの範囲内とし、そ
の曲がり具合を10cmから12cmの範囲内としてい
る。これにより、放射線検出器40、41の周辺部にお
いても被検体Pに近接するので、位置分解能を大幅に改
善させることが可能となる。また、頭部Hのような小臓
器に対しても放射線検出器40、41を十分に近接して
配置することが可能となる。
0、41の検出面をどの位置においても被検体Pにでき
るだけ近接させるために、放射線検出器40、41の観
察視野の横幅を50cmから60cmの範囲内とし、そ
の曲がり具合を10cmから12cmの範囲内としてい
る。これにより、放射線検出器40、41の周辺部にお
いても被検体Pに近接するので、位置分解能を大幅に改
善させることが可能となる。また、頭部Hのような小臓
器に対しても放射線検出器40、41を十分に近接して
配置することが可能となる。
【0098】また、図6においては、各々の端部が連結
されて対向配置されている放射線検出器40、41が示
されている。しかし、本発明はこのような配置には限ら
れない。例えば、放射線検出器40、41の各々の端部
を連結せずに離して配置することが可能である。また、
放射線検出器40、41の各々の端部を連結はしないが
できるだけ近づけて近密配置することも可能である。
されて対向配置されている放射線検出器40、41が示
されている。しかし、本発明はこのような配置には限ら
れない。例えば、放射線検出器40、41の各々の端部
を連結せずに離して配置することが可能である。また、
放射線検出器40、41の各々の端部を連結はしないが
できるだけ近づけて近密配置することも可能である。
【0099】さらに、放射線検出器40、41の検出面
にそれぞれ図示しないコリメータを取り付けた場合、放
射線検出器40、41を対向配置することによって形成
される空間には少なくとも24cm以下(およそ、20
cmから24cmの範囲内)の直径を有する円筒構造体
(例えば被検体Pの頭部Hに対応する)を配置すること
が可能である。従って、放射線検出器40、41の検出
面に取り付けられたコリメータの放射線入射面とこの円
筒構造体の表面との間の最短距離を0.5cmから2c
mの範囲内になるようにすることができる。
にそれぞれ図示しないコリメータを取り付けた場合、放
射線検出器40、41を対向配置することによって形成
される空間には少なくとも24cm以下(およそ、20
cmから24cmの範囲内)の直径を有する円筒構造体
(例えば被検体Pの頭部Hに対応する)を配置すること
が可能である。従って、放射線検出器40、41の検出
面に取り付けられたコリメータの放射線入射面とこの円
筒構造体の表面との間の最短距離を0.5cmから2c
mの範囲内になるようにすることができる。
【0100】図7は本発明の実施の形態の核医学診断装
置などに用いられる2つの放射線検出器の構成および被
検体との位置関係を示す図である。図7に示すように、
半導体検出器アレイ50a、50bを被検体Pを挟んで
対向配置されており、半導体検出器アレイ50a、50
bのY方向(被検体Pに対して垂直方向)における厚さ
t2は一定である。そのため、SPECTにおいて平行
コリメータをさらに設置して平行ガンマ線を検出する場
合には、半導体検出器アレイ50a、50bの各半導体
セルの向き(ガンマ線吸収方向)が同じ(Y方向)であ
るため、従来のアンガー型検出器の場合と同様に、計算
される位置分解能の劣化が各入射位置で生じない。従っ
て、半導体検出器アレイ50a、50bの周辺部におい
ては、従来のアンガー型検出器の場合と比較して被検体
Pと近接する分だけ位置分解能が向上するというメリッ
トが生じる。
置などに用いられる2つの放射線検出器の構成および被
検体との位置関係を示す図である。図7に示すように、
半導体検出器アレイ50a、50bを被検体Pを挟んで
対向配置されており、半導体検出器アレイ50a、50
bのY方向(被検体Pに対して垂直方向)における厚さ
t2は一定である。そのため、SPECTにおいて平行
コリメータをさらに設置して平行ガンマ線を検出する場
合には、半導体検出器アレイ50a、50bの各半導体
セルの向き(ガンマ線吸収方向)が同じ(Y方向)であ
るため、従来のアンガー型検出器の場合と同様に、計算
される位置分解能の劣化が各入射位置で生じない。従っ
て、半導体検出器アレイ50a、50bの周辺部におい
ては、従来のアンガー型検出器の場合と比較して被検体
Pと近接する分だけ位置分解能が向上するというメリッ
トが生じる。
【0101】また、上述したように、半導体検出器アレ
イ50a、50bがガンマ線吸収方向であるY方向に対
して一定の厚さt2を有することから、半導体検出器ア
レイ50a、50bにおいてY方向よりも傾いた斜め方
向から入射したガンマ線の吸収方向の厚さt3は、従来
のアンガー型検出器のシンチレータの厚さt1と比較し
て相対的に薄くなる。しかも、半導体検出器はNaIな
どのシンチレータと比較して吸収係数が大きい。従っ
て、Y方向よりも斜めの方向からガンマ線が半導体検出
器アレイ50a、50bに入射した場合においても、D
OIの影響は軽減され、位置分解能の劣化が少なくな
る。
イ50a、50bがガンマ線吸収方向であるY方向に対
して一定の厚さt2を有することから、半導体検出器ア
レイ50a、50bにおいてY方向よりも傾いた斜め方
向から入射したガンマ線の吸収方向の厚さt3は、従来
のアンガー型検出器のシンチレータの厚さt1と比較し
て相対的に薄くなる。しかも、半導体検出器はNaIな
どのシンチレータと比較して吸収係数が大きい。従っ
て、Y方向よりも斜めの方向からガンマ線が半導体検出
器アレイ50a、50bに入射した場合においても、D
OIの影響は軽減され、位置分解能の劣化が少なくな
る。
【0102】これにより、被検体Pを挟んで対向配置し
た2つの凹状で曲面状の半導体検出器を備えた同時計数
型PET装置の場合には、このような半導体検出器が被
検体Pに接触しない程度にその対向距離を短くして被検
体Pの周囲を半導体検出器が回転方向D2に沿って移動
するようにしても、DOIの影響を比較的少なくするこ
とができる。また、凹状で曲面状の半導体検出器を使用
することによる511keVのポジトロン(陽電子)P
Oの同時計数立体角の増加の他に、半導体検出器の回転
半径を短くすることによる同時計数立体角の増加も期待
できる。
た2つの凹状で曲面状の半導体検出器を備えた同時計数
型PET装置の場合には、このような半導体検出器が被
検体Pに接触しない程度にその対向距離を短くして被検
体Pの周囲を半導体検出器が回転方向D2に沿って移動
するようにしても、DOIの影響を比較的少なくするこ
とができる。また、凹状で曲面状の半導体検出器を使用
することによる511keVのポジトロン(陽電子)P
Oの同時計数立体角の増加の他に、半導体検出器の回転
半径を短くすることによる同時計数立体角の増加も期待
できる。
【0103】また、頭部のような小臓器に対する焦点距
離の短いファンビームSPECTの場合などにおいて
も、上述と同様にDOIの影響を軽減することができ、
位置分解能の劣化が少なくなる。
離の短いファンビームSPECTの場合などにおいて
も、上述と同様にDOIの影響を軽減することができ、
位置分解能の劣化が少なくなる。
【0104】さらに、一般的に、NaIのようなシンチ
レータの場合と比較してCdTeやテルル化カドミウム
亜鉛(CZT)半導体はその吸収係数が大きいので、半
導体検出器の厚さをさらに薄くすることができ、DOI
の影響をさらに軽減することができる。
レータの場合と比較してCdTeやテルル化カドミウム
亜鉛(CZT)半導体はその吸収係数が大きいので、半
導体検出器の厚さをさらに薄くすることができ、DOI
の影響をさらに軽減することができる。
【0105】図8は本発明の実施の形態の核医学診断装
置などに用いられる一体成形型の曲面状の3面ちょう密
検出器モジュールの構成を示す図である。図8に示すよ
うな曲面状の3面ちょう密検出器モジュールは、基板5
1と、基板51の表面上に形成され、ガンマ線のような
放射線を検出する半導体で構成される半導体部53と、
基板51の反対側の面(裏面)上に形成される後述する
複数のアプリケーション・スペシフィック集積回路(A
SIC)52a、52b、52c、52dと、半導体部
53の一側面に設けられ、放射線検出器を構成するため
に図8に示す検出器モジュールを図示しない固定部材に
取り付けるための取付け部54とを有している。
置などに用いられる一体成形型の曲面状の3面ちょう密
検出器モジュールの構成を示す図である。図8に示すよ
うな曲面状の3面ちょう密検出器モジュールは、基板5
1と、基板51の表面上に形成され、ガンマ線のような
放射線を検出する半導体で構成される半導体部53と、
基板51の反対側の面(裏面)上に形成される後述する
複数のアプリケーション・スペシフィック集積回路(A
SIC)52a、52b、52c、52dと、半導体部
53の一側面に設けられ、放射線検出器を構成するため
に図8に示す検出器モジュールを図示しない固定部材に
取り付けるための取付け部54とを有している。
【0106】半導体部53は複数の検出素子(半導体セ
ル)55a、・・・、55nに分割されてマトリックス
状に配置されており、各半導体セル55a、・・・、5
5nが例えば画像を再構成する場合の各画素に対応す
る。
ル)55a、・・・、55nに分割されてマトリックス
状に配置されており、各半導体セル55a、・・・、5
5nが例えば画像を再構成する場合の各画素に対応す
る。
【0107】ここで、3面ちょう密とは、デッドスペー
ス(不感帯)がほとんど生じることなく、1つの検出器
モジュールの3つの側面(放射線の入射面(検出面)に
隣接する面であり、取付け部が設けられていない面)に
対して他の検出器モジュールの側面を接合して配置で
き、大視野の放射線検出器が構成可能であることを意味
している。なお、ここでいうデッドスペースは、放射線
検出器を放射線の入射面側から見た場合において、通常
1画素に対応する半導体セルの大きさよりも小さいスペ
ースに対応しており、半導体セルの大きさよりもできる
だけ小さくすることにより空間分解能や検出感度を向上
させることができる。従って、複数の3面ちょう密検出
器モジュールを接合して放射線検出器を構成した場合に
おいても、検出器モジュール間の接合部分の存在にかか
わらず、各半導体セルはほぼ等間隔に配置されることに
なるので、一定の空間分解能を容易に得ることができ
る。
ス(不感帯)がほとんど生じることなく、1つの検出器
モジュールの3つの側面(放射線の入射面(検出面)に
隣接する面であり、取付け部が設けられていない面)に
対して他の検出器モジュールの側面を接合して配置で
き、大視野の放射線検出器が構成可能であることを意味
している。なお、ここでいうデッドスペースは、放射線
検出器を放射線の入射面側から見た場合において、通常
1画素に対応する半導体セルの大きさよりも小さいスペ
ースに対応しており、半導体セルの大きさよりもできる
だけ小さくすることにより空間分解能や検出感度を向上
させることができる。従って、複数の3面ちょう密検出
器モジュールを接合して放射線検出器を構成した場合に
おいても、検出器モジュール間の接合部分の存在にかか
わらず、各半導体セルはほぼ等間隔に配置されることに
なるので、一定の空間分解能を容易に得ることができ
る。
【0108】なお、半導体の代わりにシンチレータを用
い、シンチレータに隣接して例えばフォトダイオードを
複数平行に配置することにより、図8に示すような曲面
状の検出器モジュールを構成することもできる。
い、シンチレータに隣接して例えばフォトダイオードを
複数平行に配置することにより、図8に示すような曲面
状の検出器モジュールを構成することもできる。
【0109】図9は本発明の実施の形態の核医学診断装
置などに用いられる一体成形型の曲面状の3面ちょう密
検出器モジュールで構成された放射線検出器を示す図で
ある。図9に示す放射線検出器は、図8に示す検出器モ
ジュールを2個左右対称に組み合わせることにより被検
体に対して凹状に構成されている。なお、図9に示す検
出器モジュール61、62を図面に対して奥行き方向
(配列方向)に複数配置することにより、図10および
図11に示すように、複数の検出器モジュール61a、
・・・、61n、62a、・・・、62nを備えた大視
野の2次元放射線検出器を構成することができる。
置などに用いられる一体成形型の曲面状の3面ちょう密
検出器モジュールで構成された放射線検出器を示す図で
ある。図9に示す放射線検出器は、図8に示す検出器モ
ジュールを2個左右対称に組み合わせることにより被検
体に対して凹状に構成されている。なお、図9に示す検
出器モジュール61、62を図面に対して奥行き方向
(配列方向)に複数配置することにより、図10および
図11に示すように、複数の検出器モジュール61a、
・・・、61n、62a、・・・、62nを備えた大視
野の2次元放射線検出器を構成することができる。
【0110】検出器モジュール61、62は、それぞれ
ガンマ線を検出する複数の半導体セル63a、・・・、
63n、64a、・・・64nを樹脂80などにより一
体成形されている。なお、検出器モジュール61、62
には、ガンマ線の検出による半導体セル63a、・・
・、63n、64a、・・・64nからの電気的な検出
信号を後段の信号処理回路69に供給するための信号配
線パターンと、半導体セル63a、・・・、63n、6
4a、・・・64nに高電圧を印加するための高電圧配
線パターンとが形成されている。
ガンマ線を検出する複数の半導体セル63a、・・・、
63n、64a、・・・64nを樹脂80などにより一
体成形されている。なお、検出器モジュール61、62
には、ガンマ線の検出による半導体セル63a、・・
・、63n、64a、・・・64nからの電気的な検出
信号を後段の信号処理回路69に供給するための信号配
線パターンと、半導体セル63a、・・・、63n、6
4a、・・・64nに高電圧を印加するための高電圧配
線パターンとが形成されている。
【0111】半導体セル63a、・・・、63n、64
a、・・・64nからの検出信号を検出処理するための
プリアンプや読み出し回路などで構成されるガンマ線検
出回路として用いられる複数のアプリケーション・スペ
シフィック集積回路(ASIC)65a、・・・、65
nは、半導体セル63a、・・・、63n、64a、・
・・64nの形成面(検出面)からはみ出さないように
して、検出器モジュール61、62の背面側(被検体側
とは反対側)に配置される。
a、・・・64nからの検出信号を検出処理するための
プリアンプや読み出し回路などで構成されるガンマ線検
出回路として用いられる複数のアプリケーション・スペ
シフィック集積回路(ASIC)65a、・・・、65
nは、半導体セル63a、・・・、63n、64a、・
・・64nの形成面(検出面)からはみ出さないように
して、検出器モジュール61、62の背面側(被検体側
とは反対側)に配置される。
【0112】検出器モジュール61、62はその全体を
カバーするための銅板66にその突起部66a、66
b、66c、66dを介してねじなどによって固定され
る。銅板66は、その上に設置されるマザーボード67
に形成されている信号処理回路69との電気的な分離
(デジタル信号ノイズの遮蔽)およびASIC65a、
・・・、65nから発生した熱の放散を行うために、で
きるだけ大きなグランド面(接地面)として構成され
る。
カバーするための銅板66にその突起部66a、66
b、66c、66dを介してねじなどによって固定され
る。銅板66は、その上に設置されるマザーボード67
に形成されている信号処理回路69との電気的な分離
(デジタル信号ノイズの遮蔽)およびASIC65a、
・・・、65nから発生した熱の放散を行うために、で
きるだけ大きなグランド面(接地面)として構成され
る。
【0113】ASIC65a、・・・、65nからの発
熱量が多い場合には、突起部66a、66b、66c、
66dを通して銅板66に伝わった熱を外部に放散させ
るために図示しない強制冷却システム(例えば、ペルチ
エクーラー、ヒートポンプ、ファン)を配置することに
よる外部放熱構造を採用することが可能である。
熱量が多い場合には、突起部66a、66b、66c、
66dを通して銅板66に伝わった熱を外部に放散させ
るために図示しない強制冷却システム(例えば、ペルチ
エクーラー、ヒートポンプ、ファン)を配置することに
よる外部放熱構造を採用することが可能である。
【0114】ASIC65a、・・・、65nとマザー
ボード67上の信号処理回路69の電気的な接続はコネ
クタ部68を介して行われる。信号処理回路69はAS
IC65a、・・・、65nの出力信号を信号処理す
る。信号処理回路69の出力は画像再構成ユニット90
に供給され、その出力を基にして画像再構成ユニット9
0によってRI画像が再構成される。再構成されたRI
画像は表示ユニット91に表示される。
ボード67上の信号処理回路69の電気的な接続はコネ
クタ部68を介して行われる。信号処理回路69はAS
IC65a、・・・、65nの出力信号を信号処理す
る。信号処理回路69の出力は画像再構成ユニット90
に供給され、その出力を基にして画像再構成ユニット9
0によってRI画像が再構成される。再構成されたRI
画像は表示ユニット91に表示される。
【0115】以上により、半導体セルを備えた検出器モ
ジュールの機械的なアセンブリと電気的な配線とを兼ね
た構造とすることができる。
ジュールの機械的なアセンブリと電気的な配線とを兼ね
た構造とすることができる。
【0116】図12は本発明の実施の形態の核医学診断
装置などに用いられる放射線検出器を構成する3面ちょ
う密検出器モジュールの内部構造の一例を示す図であ
る。図12に示すように、それぞれ薄い壁(樹脂80で
構成される)で分離されている複数の半導体セル63
e、63f、63g、63fと、半導体セル63e、6
3f、63g、63fに高電圧を印加するための共通配
線である電圧印加電極の配線パターン70と、半導体セ
ル63e、63f、63g、63fからの検出信号を取
り出すための信号取り出し電極の配線パターン71a、
71b、71c、71dとが設けられ、これらは樹脂8
0などを用いて一体成形されている。この場合におい
て、電圧印加電極および信号取り出し電極はガンマ線の
入射方向に対して平行な方向にそれぞれ配置されてい
る。また、各半導体セルは曲面(検出面)に合うように
1半導体セルごとにガンマ線の入射方向におけるその入
射面の位置をずらして配置されている。
装置などに用いられる放射線検出器を構成する3面ちょ
う密検出器モジュールの内部構造の一例を示す図であ
る。図12に示すように、それぞれ薄い壁(樹脂80で
構成される)で分離されている複数の半導体セル63
e、63f、63g、63fと、半導体セル63e、6
3f、63g、63fに高電圧を印加するための共通配
線である電圧印加電極の配線パターン70と、半導体セ
ル63e、63f、63g、63fからの検出信号を取
り出すための信号取り出し電極の配線パターン71a、
71b、71c、71dとが設けられ、これらは樹脂8
0などを用いて一体成形されている。この場合におい
て、電圧印加電極および信号取り出し電極はガンマ線の
入射方向に対して平行な方向にそれぞれ配置されてい
る。また、各半導体セルは曲面(検出面)に合うように
1半導体セルごとにガンマ線の入射方向におけるその入
射面の位置をずらして配置されている。
【0117】ガンマ線入射面76には平行コリメータが
設置されることを考慮して、ガンマ線入射面76を滑ら
かな曲面にすることが望ましい。また、一体形成される
検出器モジュールの必要な機械的強度が確保できる限度
までその厚さを薄くすることを考慮して、検出器モジュ
ール61a、62aはその厚さが1.5mmから2.0
mm程度の範囲内になるように設計される。
設置されることを考慮して、ガンマ線入射面76を滑ら
かな曲面にすることが望ましい。また、一体形成される
検出器モジュールの必要な機械的強度が確保できる限度
までその厚さを薄くすることを考慮して、検出器モジュ
ール61a、62aはその厚さが1.5mmから2.0
mm程度の範囲内になるように設計される。
【0118】また、ガンマ線入射面76と反対の背面7
5にはASIC65bなどが搭載され、種々の信号パタ
ーンが引き回されることを考慮して、背面75は曲面で
はなく複数の平面で構成するように設計される。
5にはASIC65bなどが搭載され、種々の信号パタ
ーンが引き回されることを考慮して、背面75は曲面で
はなく複数の平面で構成するように設計される。
【0119】図13は本発明の実施の形態の核医学診断
装置などに用いられる放射線検出器を構成する3面ちょ
う密検出器モジュールの内部構造の他の例を示す図であ
る。図13に示す検出器モジュールの内部構造は、基本
的には図12に示す内部構造と同じであるが、各半導体
セルの配置が異なっている。すなわち、半導体セルが曲
面(検出面)に合うように2つの半導体セルの組ごとに
ガンマ線の入射方向におけるその入射面の位置をずらし
て配置させている。従って、組となって隣接している2
つの半導体セルにおいてはガンマ線の入射方向における
その入射面の位置が一致していることになる。なお、こ
の場合、半導体セルの組は2つに限られず、3つ以上の
半導体セルの組ごとにガンマ線の入射方向におけるその
入射面の位置をずらして配置させることも可能である。
装置などに用いられる放射線検出器を構成する3面ちょ
う密検出器モジュールの内部構造の他の例を示す図であ
る。図13に示す検出器モジュールの内部構造は、基本
的には図12に示す内部構造と同じであるが、各半導体
セルの配置が異なっている。すなわち、半導体セルが曲
面(検出面)に合うように2つの半導体セルの組ごとに
ガンマ線の入射方向におけるその入射面の位置をずらし
て配置させている。従って、組となって隣接している2
つの半導体セルにおいてはガンマ線の入射方向における
その入射面の位置が一致していることになる。なお、こ
の場合、半導体セルの組は2つに限られず、3つ以上の
半導体セルの組ごとにガンマ線の入射方向におけるその
入射面の位置をずらして配置させることも可能である。
【0120】図14は本発明の実施の形態の核医学診断
装置などに用いられる2つの3面ちょう密検出器モジュ
ールの組み合わせて凹状の放射線検出器を構成した場合
のその連結部分の内部構造の一例を示す図である。図1
4に示すように、各検出器モジュール61、62は、電
圧印加電極83をガンマ線の検出素子である半導体セル
81、82によって挟み込み、さらに、半導体セル8
1、82を電圧印加電極83と信号取り出し電極84、
85によって挟み込んだ構造が連続して形成されてい
る。隣接する信号取り出し電極85と86の間には樹脂
などで構成される絶縁物87が設けられている。
装置などに用いられる2つの3面ちょう密検出器モジュ
ールの組み合わせて凹状の放射線検出器を構成した場合
のその連結部分の内部構造の一例を示す図である。図1
4に示すように、各検出器モジュール61、62は、電
圧印加電極83をガンマ線の検出素子である半導体セル
81、82によって挟み込み、さらに、半導体セル8
1、82を電圧印加電極83と信号取り出し電極84、
85によって挟み込んだ構造が連続して形成されてい
る。隣接する信号取り出し電極85と86の間には樹脂
などで構成される絶縁物87が設けられている。
【0121】なお、図14に示すような検出器モジュー
ル61、62においては、その連結部分における半導体
セルのギャップ幅がその他の部分と比較して異なってい
る。しかし、検出器モジュール61内において電圧印加
電極83を挟んで隣接する半導体セル81、82の中心
間距離が隣接する半導体セル81、82のギャップ幅の
整数倍になるように設定し、さらに半導体セル88、8
9の中心間距離が半導体セル81、82のギャップ幅の
整数倍になるように設定し、かつ放射線検出器を図示し
ない移動機構により所定方向に所定距離だけ反復移動さ
せることにより、実際の空間分解能と画像処理上の分解
能の不一致に起因する画像の歪みを解消でき、一定の分
解能を有する画像を得ることが可能となる。
ル61、62においては、その連結部分における半導体
セルのギャップ幅がその他の部分と比較して異なってい
る。しかし、検出器モジュール61内において電圧印加
電極83を挟んで隣接する半導体セル81、82の中心
間距離が隣接する半導体セル81、82のギャップ幅の
整数倍になるように設定し、さらに半導体セル88、8
9の中心間距離が半導体セル81、82のギャップ幅の
整数倍になるように設定し、かつ放射線検出器を図示し
ない移動機構により所定方向に所定距離だけ反復移動さ
せることにより、実際の空間分解能と画像処理上の分解
能の不一致に起因する画像の歪みを解消でき、一定の分
解能を有する画像を得ることが可能となる。
【0122】図15は本発明の実施の形態の核医学診断
装置などに用いられる2つの3面ちょう密検出器モジュ
ールの組み合わせて凹状の放射線検出器を構成した場合
のその連結部分の内部構造の他の例を示す図である。図
15に示すような検出器モジュール61、62において
は、各検出器モジュールの接合面95付近に設けられる
絶縁物92、93の厚さを信号取り出し電極85、86
の間に設けられる絶縁物87の厚さの1/2程度とする
ことにより、電圧印加電極83を挟んで隣接する半導体
セル81、82が等間隔に配置されるので、一定の分解
能を得ることが可能となる。
装置などに用いられる2つの3面ちょう密検出器モジュ
ールの組み合わせて凹状の放射線検出器を構成した場合
のその連結部分の内部構造の他の例を示す図である。図
15に示すような検出器モジュール61、62において
は、各検出器モジュールの接合面95付近に設けられる
絶縁物92、93の厚さを信号取り出し電極85、86
の間に設けられる絶縁物87の厚さの1/2程度とする
ことにより、電圧印加電極83を挟んで隣接する半導体
セル81、82が等間隔に配置されるので、一定の分解
能を得ることが可能となる。
【0123】図16は本発明の実施の形態の核医学診断
装置などに用いられる一体成形型の曲面状の3面ちょう
密検出器モジュールによって構成された大視野の凹状の
放射線検出器の他の例を示す図である。図16に示す放
射線検出器は、曲面状の3面ちょう密検出器モジュール
を2個左右に組み合わせて被検体に対して凹状に構成
し、さらに、図面に対して奥行き方向に複数の検出器モ
ジュール101a、・・・、101n、102a、・・
・、102nを配置して大視野を形成している。なお、
図10に示す放射線検出器において被検体に対して凹状
に構成するための左右2つの検出器モジュールはそれぞ
れ同一の大きさを有するが、図16に示す放射線検出器
のように、被検体に対して凹状を構成するための左右2
つの検出モジュールを異なる大きさに形成することも可
能であり、このような構成によっても、放射線検出器の
検出面を被検体に近接させることができる。
装置などに用いられる一体成形型の曲面状の3面ちょう
密検出器モジュールによって構成された大視野の凹状の
放射線検出器の他の例を示す図である。図16に示す放
射線検出器は、曲面状の3面ちょう密検出器モジュール
を2個左右に組み合わせて被検体に対して凹状に構成
し、さらに、図面に対して奥行き方向に複数の検出器モ
ジュール101a、・・・、101n、102a、・・
・、102nを配置して大視野を形成している。なお、
図10に示す放射線検出器において被検体に対して凹状
に構成するための左右2つの検出器モジュールはそれぞ
れ同一の大きさを有するが、図16に示す放射線検出器
のように、被検体に対して凹状を構成するための左右2
つの検出モジュールを異なる大きさに形成することも可
能であり、このような構成によっても、放射線検出器の
検出面を被検体に近接させることができる。
【0124】図17は本発明の実施の形態の核医学診断
装置などに用いられる曲面状の2面ちょう密検出器モジ
ュールの構成を示す図である。図17に示すような曲面
状の2面ちょう密検出器モジュールは、基板103と、
基板103の表面上に形成され、ガンマ線のような放射
線を検出する半導体で構成される半導体部105と、基
板103の反対側の面(裏面)上に形成される複数のA
SIC104a、104b、104c、104dと、半
導体部105の対向する2つの側面に設けられ、放射線
検出器を構成するためにこの2面ちょう密検出器モジュ
ールを図示しない固定部材に取り付けるための取付け部
106、107とを有している。
装置などに用いられる曲面状の2面ちょう密検出器モジ
ュールの構成を示す図である。図17に示すような曲面
状の2面ちょう密検出器モジュールは、基板103と、
基板103の表面上に形成され、ガンマ線のような放射
線を検出する半導体で構成される半導体部105と、基
板103の反対側の面(裏面)上に形成される複数のA
SIC104a、104b、104c、104dと、半
導体部105の対向する2つの側面に設けられ、放射線
検出器を構成するためにこの2面ちょう密検出器モジュ
ールを図示しない固定部材に取り付けるための取付け部
106、107とを有している。
【0125】半導体部105は複数の検出素子(半導体
セル)108a、・・・、108nに分割されマトリッ
クス状に配置されており、各半導体セル108a、・・
・、108nが例えば画像を再構成する場合の各画素に
対応する。
セル)108a、・・・、108nに分割されマトリッ
クス状に配置されており、各半導体セル108a、・・
・、108nが例えば画像を再構成する場合の各画素に
対応する。
【0126】ここで、2面ちょう密とは、デッドスペー
ス(不感帯)がほとんど生じることなく、1つの検出器
モジュールの2つの側面(放射線の入射面(検出面)に
隣接する面であり、取付け部が設けられていない面)に
対して他の検出器モジュールの側面を接合して配置で
き、大視野の放射線検出器が構成可能であることを意味
している。なお、ここでいうデッドスペースは、上述し
たように、放射線検出器を放射線の入射面側から見た場
合において、通常1画素に対応する半導体セルの大きさ
よりも小さいスペースに対応しており、半導体セルの大
きさよりもできるだけ小さくすることにより空間分解能
や検出感度を向上させることができる。従って、複数の
2面ちょう密検出器モジュールを接合して放射線検出器
を構成した場合においても、検出器モジュール間の接合
部分の存在にかかわらず、各半導体セルはほぼ等間隔に
配置されることになるので、一定の空間分解能を容易に
得ることができる。
ス(不感帯)がほとんど生じることなく、1つの検出器
モジュールの2つの側面(放射線の入射面(検出面)に
隣接する面であり、取付け部が設けられていない面)に
対して他の検出器モジュールの側面を接合して配置で
き、大視野の放射線検出器が構成可能であることを意味
している。なお、ここでいうデッドスペースは、上述し
たように、放射線検出器を放射線の入射面側から見た場
合において、通常1画素に対応する半導体セルの大きさ
よりも小さいスペースに対応しており、半導体セルの大
きさよりもできるだけ小さくすることにより空間分解能
や検出感度を向上させることができる。従って、複数の
2面ちょう密検出器モジュールを接合して放射線検出器
を構成した場合においても、検出器モジュール間の接合
部分の存在にかかわらず、各半導体セルはほぼ等間隔に
配置されることになるので、一定の空間分解能を容易に
得ることができる。
【0127】なお、この場合においても、半導体の代わ
りにシンチレータを用い、シンチレータに隣接して例え
ばフォトダイオードを複数平行に配置することにより、
図17に示すような曲面状の検出器モジュールを構成す
ることもできる。
りにシンチレータを用い、シンチレータに隣接して例え
ばフォトダイオードを複数平行に配置することにより、
図17に示すような曲面状の検出器モジュールを構成す
ることもできる。
【0128】また、この2面ちょう密検出器モジュール
においては、図8に示す3面ちょう密検出器モジュール
を組み合わせることなく被検体に対して凹状に構成され
ている。
においては、図8に示す3面ちょう密検出器モジュール
を組み合わせることなく被検体に対して凹状に構成され
ている。
【0129】図18は本発明の実施の形態の核医学診断
装置などに用いられる曲面状の2面ちょう密検出器モジ
ュールによって構成された大視野の凹状の放射線検出器
を示す図である。上述したように、図17に示す2面ち
ょう密検出器モジュールがすでに被検体に対して凹状に
構成されているので、この検出器モジュールを図面に対
して奥行き方向(配列方向)に複数配置する。これによ
り、複数の検出器モジュール109a、・・・、109
nを備えた大視野の2次元放射線検出器を構成すること
ができる。
装置などに用いられる曲面状の2面ちょう密検出器モジ
ュールによって構成された大視野の凹状の放射線検出器
を示す図である。上述したように、図17に示す2面ち
ょう密検出器モジュールがすでに被検体に対して凹状に
構成されているので、この検出器モジュールを図面に対
して奥行き方向(配列方向)に複数配置する。これによ
り、複数の検出器モジュール109a、・・・、109
nを備えた大視野の2次元放射線検出器を構成すること
ができる。
【0130】図19は本発明の実施の形態の核医学診断
装置などに用いられる曲面状のちょう密検出器モジュー
ルによって構成される大視野の凹状の放射線検出器の他
の例の外観構成の一部を示す図、図20は図19に示す
大視野の凹状の放射線検出器を構成する1つの検出器モ
ジュールの断面を示す図である。
装置などに用いられる曲面状のちょう密検出器モジュー
ルによって構成される大視野の凹状の放射線検出器の他
の例の外観構成の一部を示す図、図20は図19に示す
大視野の凹状の放射線検出器を構成する1つの検出器モ
ジュールの断面を示す図である。
【0131】図19に示すように、大視野の凹状の放射
線検出器を構成する検出器モジュール110a、110
b、・・・、110nは、ガンマ線を検出する複数の半
導体セル(検出器モジュール110aでは、112a、
112b、112c、112dで示されている)で構成
される半導体部(検出器モジュール110aでは、11
2で示されている)と、この半導体部の一側面に隣接し
て設けられている取付け部111a、111b、・・
・、111nと、この半導体部の上面に設けられ、図示
しないASICと電気的に接続し、各半導体セルによっ
て検出された検出信号をASICに伝送するためのコネ
クタ113a、113b、・・・113nとを有し、樹
脂などにより成型されている。
線検出器を構成する検出器モジュール110a、110
b、・・・、110nは、ガンマ線を検出する複数の半
導体セル(検出器モジュール110aでは、112a、
112b、112c、112dで示されている)で構成
される半導体部(検出器モジュール110aでは、11
2で示されている)と、この半導体部の一側面に隣接し
て設けられている取付け部111a、111b、・・
・、111nと、この半導体部の上面に設けられ、図示
しないASICと電気的に接続し、各半導体セルによっ
て検出された検出信号をASICに伝送するためのコネ
クタ113a、113b、・・・113nとを有し、樹
脂などにより成型されている。
【0132】図19に示す放射線検出器は、基本的に
は、図8に示す3面ちょう密検出器モジュールまたは図
17に示す2面ちょう密検出器モジュールを図10また
は図18に示すように所定の配列方向に複数配置するこ
とによって構成される。しかし、検出器モジュール11
0a、110b、・・・、110nは、図8または図1
7に示す検出器モジュールと比較してその形状および内
部構造が異なっている。
は、図8に示す3面ちょう密検出器モジュールまたは図
17に示す2面ちょう密検出器モジュールを図10また
は図18に示すように所定の配列方向に複数配置するこ
とによって構成される。しかし、検出器モジュール11
0a、110b、・・・、110nは、図8または図1
7に示す検出器モジュールと比較してその形状および内
部構造が異なっている。
【0133】すなわち、形状に関しては、ほぼ直方体状
に構成されている各検出器モジュールは、その上部に突
出部分および段差部分が設けられる。この突出部分は、
大視野を構成するための検出器モジュールの配列方向に
沿って突出している。従って、例えば、検出器モジュー
ル110bの上部の段差部分120に、隣接する検出器
モジュール110aの突出部分121を載せて組み合わ
せる。これにより、図10または図18に示すように検
出器モジュールを所定の配列方向に複数配置して大視野
の放射線検出器を構成する場合と比較して、隣接して配
置される検出器モジュール間の接合面積を増加させるこ
とができ、より強固な放射線検出器を得ることが可能と
なる。
に構成されている各検出器モジュールは、その上部に突
出部分および段差部分が設けられる。この突出部分は、
大視野を構成するための検出器モジュールの配列方向に
沿って突出している。従って、例えば、検出器モジュー
ル110bの上部の段差部分120に、隣接する検出器
モジュール110aの突出部分121を載せて組み合わ
せる。これにより、図10または図18に示すように検
出器モジュールを所定の配列方向に複数配置して大視野
の放射線検出器を構成する場合と比較して、隣接して配
置される検出器モジュール間の接合面積を増加させるこ
とができ、より強固な放射線検出器を得ることが可能と
なる。
【0134】一方、内部構造に関しては、図20に示す
ように、例えば、検出器モジュール110aは、半導体
部112内の半導体セル112aに取り付けられた電極
(電圧印加電極および信号取り出し電極)114a、1
14b、・・・、114nと、電極114a、114
b、・・・、1114nと電気的に接続するための配線
パターンが形成され、半導体セル112aで検出された
検出信号をコネクタ113aに伝送するためのフレキシ
ブル基板115とを有している。従って、配線パターン
が形成されたフレキシブル基板を用いることにより、半
導体セル112aに取り付けられた電極114a、11
4b、・・・、1114nおよびコネクタ113aを介
して外部に設けられるASICとの間の電気的な接続を
容易に行うことが可能である。
ように、例えば、検出器モジュール110aは、半導体
部112内の半導体セル112aに取り付けられた電極
(電圧印加電極および信号取り出し電極)114a、1
14b、・・・、114nと、電極114a、114
b、・・・、1114nと電気的に接続するための配線
パターンが形成され、半導体セル112aで検出された
検出信号をコネクタ113aに伝送するためのフレキシ
ブル基板115とを有している。従って、配線パターン
が形成されたフレキシブル基板を用いることにより、半
導体セル112aに取り付けられた電極114a、11
4b、・・・、1114nおよびコネクタ113aを介
して外部に設けられるASICとの間の電気的な接続を
容易に行うことが可能である。
【0135】なお、コネクタを設けることなく、フレキ
シブル基板に信号取り出し部を設けてASICと電気的
に直接接続することや、フレキシブル基板上にASIC
を表面実装することが可能であり、このような構成によ
って検出器モジュールの内部構造の簡素化を図ることが
できる。
シブル基板に信号取り出し部を設けてASICと電気的
に直接接続することや、フレキシブル基板上にASIC
を表面実装することが可能であり、このような構成によ
って検出器モジュールの内部構造の簡素化を図ることが
できる。
【0136】以上のような構成にすることにより、モノ
リシック型では実現が困難であった凹状で曲面状である
放射線検出器を比較的容易に形成することができる。
リシック型では実現が困難であった凹状で曲面状である
放射線検出器を比較的容易に形成することができる。
【0137】なお、本発明の実施の形態における平行コ
リメータおよびファンビームコリメータは、各部で厚さ
が変わるような構成としても良い。
リメータおよびファンビームコリメータは、各部で厚さ
が変わるような構成としても良い。
【0138】
【発明の効果】以上、本発明によれば、検出面が被検体
に対して凹状で曲面状である放射線検出器を配置して被
検体と近接させている。従って、従来のアンガー型検出
器と比較して以下のような利点が得られる。
に対して凹状で曲面状である放射線検出器を配置して被
検体と近接させている。従って、従来のアンガー型検出
器と比較して以下のような利点が得られる。
【0139】(1) SPECTにおける放射線検出器
の周辺部における位置分解能を飛躍的に向上させること
ができる。
の周辺部における位置分解能を飛躍的に向上させること
ができる。
【0140】(2) 放射線検出器に一定の焦点を有す
るファンビームコリメータを設置することにより、感度
と位置分解能を大幅に向上させることができる。
るファンビームコリメータを設置することにより、感度
と位置分解能を大幅に向上させることができる。
【0141】(3) 同時計数型PETにおけるポジト
ロンの同時計数立体角を飛躍的に大きくすることができ
る。
ロンの同時計数立体角を飛躍的に大きくすることができ
る。
【0142】(4) SPECTおよび同時計数型PE
Tにおけるガンマ線の検出時においてDOIの影響を極
端に軽減することができる。
Tにおけるガンマ線の検出時においてDOIの影響を極
端に軽減することができる。
【0143】(5) シンチレータを用いた曲面検出器
の場合と比較して、放射線検出器の回転半径を短くする
ことができるので、同時計数型PETの同時計数立体角
を大きくすることができる。
の場合と比較して、放射線検出器の回転半径を短くする
ことができるので、同時計数型PETの同時計数立体角
を大きくすることができる。
【0144】(6) 放射線検出器に平行コリメータを
設置した場合、ガンマ線の入射方向に等間隔に半導体セ
ルを配置することが可能となるので、RI画像の再構成
を飛躍的に容易に行うことができる。
設置した場合、ガンマ線の入射方向に等間隔に半導体セ
ルを配置することが可能となるので、RI画像の再構成
を飛躍的に容易に行うことができる。
【0145】(7) 有感帯である半導体セル部分に対
して不感帯である電極部分の割合が小さい構造を有する
半導体検出器を用いることができるので、高感度のガン
マ線の検出が可能となる。
して不感帯である電極部分の割合が小さい構造を有する
半導体検出器を用いることができるので、高感度のガン
マ線の検出が可能となる。
【0146】(8) 半導体セルのガンマ線吸収方向の
厚さの変更が容易であり、さらに感度、エネルギー分解
能、およびPET検出の時間分解能の劣化をほとんどな
くすことができる。
厚さの変更が容易であり、さらに感度、エネルギー分解
能、およびPET検出の時間分解能の劣化をほとんどな
くすことができる。
【0147】(9) 放射線検出器が凹状の曲面構造を
有することにもかかわらず、プリアンプや読み出し回路
などのガンマ線検出回路を、半導体検出器アレイの検出
面からはみ出すことなく、しかも半導体検出器アレイに
対してガンマ線の入射側(被検体側)の検出面とは反対
側の面に形成することができる。
有することにもかかわらず、プリアンプや読み出し回路
などのガンマ線検出回路を、半導体検出器アレイの検出
面からはみ出すことなく、しかも半導体検出器アレイに
対してガンマ線の入射側(被検体側)の検出面とは反対
側の面に形成することができる。
【0148】(10) 半導体セルを備えた検出器モジ
ュールの機械的なアセンブリと電気的な配線とを兼ねた
構造とすることにより、放射線検出器を小型化すること
ができ、また放射線検出器の組立工程数を大幅に削減す
ることができる。
ュールの機械的なアセンブリと電気的な配線とを兼ねた
構造とすることにより、放射線検出器を小型化すること
ができ、また放射線検出器の組立工程数を大幅に削減す
ることができる。
【0149】(11) 放射線検出器を一体成形で構成
可能であり、放射線検出器の組立精度を向上させること
ができる。
可能であり、放射線検出器の組立精度を向上させること
ができる。
【0150】(12) 後段の信号処理回路に対する放
射線検出器の電気的な分離や熱放散を効率良く行うこと
ができる。
射線検出器の電気的な分離や熱放散を効率良く行うこと
ができる。
【図1】従来のアンガー型平面検出器の構成および被検
体との位置関係を説明するための図である。
体との位置関係を説明するための図である。
【図2】従来のアンガー型曲面検出器の構成および被検
体との位置関係を説明するための図である。
体との位置関係を説明するための図である。
【図3】本発明の実施の形態の核医学診断装置などに用
いられる放射線検出器の構成および被検体との位置関係
を説明するための図である。
いられる放射線検出器の構成および被検体との位置関係
を説明するための図である。
【図4】本発明の実施の形態の核医学診断装置などに用
いられる放射線検出器の他の構成および被検体との位置
関係を説明するための図である。
いられる放射線検出器の他の構成および被検体との位置
関係を説明するための図である。
【図5】本発明の実施の形態の核医学診断装置などに用
いられる放射線検出器の他の構成および被検体との位置
関係を説明するための図である。
いられる放射線検出器の他の構成および被検体との位置
関係を説明するための図である。
【図6】本発明の実施の形態の核医学診断装置などに用
いられる2つの放射線検出器にファンビームコリメータ
を設置した場合および被検体との位置関係を示す図であ
る。
いられる2つの放射線検出器にファンビームコリメータ
を設置した場合および被検体との位置関係を示す図であ
る。
【図7】本発明の実施の形態の核医学診断装置などに用
いられる2つの放射線検出器の構成および被検体との位
置関係を示す図である。
いられる2つの放射線検出器の構成および被検体との位
置関係を示す図である。
【図8】本発明の実施の形態の核医学診断装置などに用
いられる一体成形型の曲面状の3面ちょう密検出器モジ
ュールの構成を示す図である。
いられる一体成形型の曲面状の3面ちょう密検出器モジ
ュールの構成を示す図である。
【図9】本発明の実施の形態の核医学診断装置などに用
いられる一体成形型の曲面状の3面ちょう密検出器モジ
ュールによって構成された放射線検出器を示す図であ
る。
いられる一体成形型の曲面状の3面ちょう密検出器モジ
ュールによって構成された放射線検出器を示す図であ
る。
【図10】本発明の実施の形態の核医学診断装置などに
用いられる一体成形型の曲面状の3面ちょう密検出器モ
ジュールによって構成された大視野の凹状の放射線検出
器を示す図である。
用いられる一体成形型の曲面状の3面ちょう密検出器モ
ジュールによって構成された大視野の凹状の放射線検出
器を示す図である。
【図11】本発明の実施の形態の核医学診断装置などに
用いられる一体成形型の曲面状の3面ちょう密検出器モ
ジュールによって構成された大視野の凹状の放射線検出
器を示す平面図である。
用いられる一体成形型の曲面状の3面ちょう密検出器モ
ジュールによって構成された大視野の凹状の放射線検出
器を示す平面図である。
【図12】本発明の実施の形態の核医学診断装置などに
用いられる放射線検出器を構成する曲面状の3面ちょう
密検出器モジュールの内部構造の一例を示す図である。
用いられる放射線検出器を構成する曲面状の3面ちょう
密検出器モジュールの内部構造の一例を示す図である。
【図13】本発明の実施の形態の核医学診断装置などに
用いられる放射線検出器を構成する曲面状の3面ちょう
密検出器モジュールの内部構造の他の例を示す図であ
る。
用いられる放射線検出器を構成する曲面状の3面ちょう
密検出器モジュールの内部構造の他の例を示す図であ
る。
【図14】本発明の実施の形態の核医学診断装置などに
用いられる2つの3面ちょう密検出器モジュールの組み
合わせて凹状の放射線検出器を構成した場合のその連結
部分の内部構造の一例を示す図である。
用いられる2つの3面ちょう密検出器モジュールの組み
合わせて凹状の放射線検出器を構成した場合のその連結
部分の内部構造の一例を示す図である。
【図15】本発明の実施の形態の核医学診断装置などに
用いられる2つの3面ちょう密検出器モジュールの組み
合わせて凹状の放射線検出器を構成した場合のその連結
部分の内部構造の他の例を示す図である。
用いられる2つの3面ちょう密検出器モジュールの組み
合わせて凹状の放射線検出器を構成した場合のその連結
部分の内部構造の他の例を示す図である。
【図16】本発明の実施の形態の核医学診断装置などに
用いられる一体成形型の曲面状の3面ちょう密検出器モ
ジュールによって構成された大視野の凹状の放射線検出
器の他の例を示す図である。
用いられる一体成形型の曲面状の3面ちょう密検出器モ
ジュールによって構成された大視野の凹状の放射線検出
器の他の例を示す図である。
【図17】本発明の実施の形態の核医学診断装置などに
用いられる曲面状の2面ちょう密検出器モジュールの構
成を示す図である。
用いられる曲面状の2面ちょう密検出器モジュールの構
成を示す図である。
【図18】本発明の実施の形態の核医学診断装置などに
用いられる曲面状の2面ちょう密検出器モジュールによ
って構成された大視野の凹状の放射線検出器を示す図で
ある。
用いられる曲面状の2面ちょう密検出器モジュールによ
って構成された大視野の凹状の放射線検出器を示す図で
ある。
【図19】本発明の実施の形態の核医学診断装置などに
用いられる曲面状のちょう密検出器モジュールによって
構成される大視野の凹状の放射線検出器の他の例の外観
構成の一部を示す図である。
用いられる曲面状のちょう密検出器モジュールによって
構成される大視野の凹状の放射線検出器の他の例の外観
構成の一部を示す図である。
【図20】図19に示す大視野の凹状の放射線検出器を
構成する1つの検出器モジュールの断面を示す図であ
る。
構成する1つの検出器モジュールの断面を示す図であ
る。
H 頭部 P 被検体 30、30a、30b、35、50a、50b 半導体
検出器アレイ 31、32a、32b、36 平行コリメータ 32a、32b ファンビームコリメータ 37、40、41 放射線検出器 51 基板 52、65a、65b、65n ASIC 53、112 半導体部 54、111a、111b、111n 取付け部 55a、55n、63a、63n、64a、64n、8
1、82、88、89、112a、112b、112
c、112n 半導体セル 61、61a、61n、62、62a、62n、110
a、110b、110n 検出器モジュール 66 銅板 66a、66b、66c、66d 突起部 67 マザーボード 68 コネクタ部 69 信号処理回路 70、71a、71b、71c、71d 配線パターン 80 樹脂 83 電圧印加電極 84、85、86 信号取り出し電極 87、92、93 絶縁物 90 画像再構成ユニット 91 表示ユニット 113a、113b、113n コネクタ 114a、114b、114c、114n 電極 115 フレキシブル基板
検出器アレイ 31、32a、32b、36 平行コリメータ 32a、32b ファンビームコリメータ 37、40、41 放射線検出器 51 基板 52、65a、65b、65n ASIC 53、112 半導体部 54、111a、111b、111n 取付け部 55a、55n、63a、63n、64a、64n、8
1、82、88、89、112a、112b、112
c、112n 半導体セル 61、61a、61n、62、62a、62n、110
a、110b、110n 検出器モジュール 66 銅板 66a、66b、66c、66d 突起部 67 マザーボード 68 コネクタ部 69 信号処理回路 70、71a、71b、71c、71d 配線パターン 80 樹脂 83 電圧印加電極 84、85、86 信号取り出し電極 87、92、93 絶縁物 90 画像再構成ユニット 91 表示ユニット 113a、113b、113n コネクタ 114a、114b、114c、114n 電極 115 フレキシブル基板
Claims (66)
- 【請求項1】 被検体に対して凹状に、かつそれぞれが
平行に配置され、前記被検体からの放射線を検出するた
めの複数の半導体セルと、 前記半導体セルに電圧を印加するための電圧印加電極と
を備えたことを特徴とする放射線検出器。 - 【請求項2】 前記複数の半導体セルは、前記放射線の
入射方向における入射面の位置を連続的にずらして配置
することにより、前記被検体の表面に沿って凹状を構成
することを特徴とする請求項1に記載の放射線検出器。 - 【請求項3】 前記複数の半導体セルにおいて、2以上
の半導体セルの組ごとに前記放射線の入射方向における
入射面の位置を連続的にずらして配置することにより、
前記被検体の表面に沿って凹状を構成することを特徴と
する請求項1に記載の放射線検出器。 - 【請求項4】 前記複数の半導体セルは、マトリックス
状に配置されていることを特徴とする請求項1に記載の
放射線検出器。 - 【請求項5】 前記複数の半導体セルにおいて入射した
放射線の吸収方向の厚さはすべて一定であることを特徴
とする請求項1に記載の放射線検出器。 - 【請求項6】 放射線の吸収方向の厚さは放射線検出器
の中央部とその周辺部で異なることを特徴とする請求項
1に記載の放射線検出器。 - 【請求項7】 放射線の吸収方向の厚さは放射線検出器
の中央部よりも周辺部の方が厚いことを特徴とする請求
項6に記載の放射線検出器。 - 【請求項8】 それぞれが平行に配置され、被検体から
の放射線を検出するための複数の半導体セルと、前記半
導体セルに電圧を印加するための電圧印加電極とを有
し、前記被検体に対して検出面が凹状に形成されている
半導体検出器アレイと、 前記半導体検出器アレイの検出面に沿って設けられた平
行コリメータとを備えたことを特徴とする放射線検出
器。 - 【請求項9】 前記検出面とは反対側である前記半導体
検出アレイの背面側に前記検出面の大きさの範囲内から
はみ出さないように形成され、各半導体セルからの検出
信号を処理する処理回路を備え、 前記処理回路を前記半導体検出器アレイと一体成形した
ことを特徴とする請求項8に記載の放射線検出器。 - 【請求項10】 それぞれが平行に配置され、被検体か
らの放射線を検出するための複数の半導体セルと、前記
半導体セルに電圧を印加するための電圧印加電極とを有
し、前記被検体に対して検出面が凹状に形成されている
2つの半導体検出器アレイを備え、 前記2つの半導体検出器アレイは前記被検体を挟んで対
向設置されることを特徴とする放射線検出器。 - 【請求項11】 それぞれが平行に配置され、被検体か
らの放射線を検出するための複数の半導体セルと、前記
半導体セルに電圧を印加するための電圧印加電極とを有
し、前記被検体に対して検出面が凹状に形成されている
2つの半導体検出器アレイを備え、 前記2つの半導体検出器アレイは前記被検体を挟んで任
意角度で設置されることを特徴とする放射線検出器。 - 【請求項12】 それぞれが平行に配置され、被検体か
らの放射線を検出するための複数の半導体セルと、前記
半導体セルに電圧を印加するための電圧印加電極とを有
し、前記被検体に対して検出面が凹状に形成されている
3つ以上の半導体検出器アレイを備え、 前記3つ以上の半導体検出器アレイは前記被検体を挟ん
で設置されることを特徴とする放射線検出器。 - 【請求項13】 それぞれが平行に配置され、被検体か
らの放射線を検出するための複数の半導体セルと、前記
半導体セルに電圧を印加するための電圧印加電極とを有
し、前記被検体に対して検出面が凹状に形成されている
複数の半導体検出器アレイを備え、 前記複数の半導体検出器アレイを1次元または2次元に
配置したことを特徴とする放射線検出器。 - 【請求項14】 前記半導体検出器アレイは、その検出
面の所定方向において半導体セル部分以外の部分の厚さ
が半導体セル部分の厚さの略1/10以下になるように
形成されていることを特徴とする請求項8から13のい
ずれかに記載の放射線検出器。 - 【請求項15】 それぞれが平行に配置され、被検体か
らの放射線を検出するための複数の半導体セルと、前記
半導体セルに電圧を印加するための電圧印加電極とを有
し、前記被検体に対して検出面が凹状に形成されている
1つ以上の半導体検出器アレイと、 前記半導体検出器アレイの検出面に沿って設けられ、一
定の焦点を有する1つ以上のファンビームコリメータと
を備えたことを特徴とする放射線検出器。 - 【請求項16】 それぞれが平行に配置され、被検体か
らの放射線を検出するための複数の半導体セルと、前記
半導体セルに電圧を印加するための電圧印加電極とを有
し、前記被検体に対して検出面が凹状に形成され、対向
設置されている2つの半導体検出器アレイと、 前記2つの半導体検出器アレイの検出面に沿ってそれぞ
れ設けられ、異なる焦点位置を有するファンビームコリ
メータとを備えたことを特徴とする放射線検出器。 - 【請求項17】 それぞれが平行に配置され、被検体か
らの放射線を検出するための複数の半導体セルと、前記
半導体セルに電圧を印加するための電圧印加電極とを有
し、前記被検体に対して検出面が凹状に形成され、任意
角度で設置されている2つの半導体検出器アレイと、 前記2つの半導体検出器アレイの検出面に沿ってそれぞ
れ設けられ、それぞれ一定の焦点を有するファンビーム
コリメータとを備えたことを特徴とする放射線検出器。 - 【請求項18】 それぞれが平行に配置され、被検体か
らの放射線を検出するための複数の半導体セルと、前記
半導体セルに電圧を印加するための電圧印加電極とを有
し、前記被検体に対して検出面が凹状に形成され、任意
角度で設置されている2つの半導体検出器アレイと、 前記2つの半導体検出器アレイの検出面に沿ってそれぞ
れ設けられ、異なる焦点位置を有するファンビームコリ
メータとを備えたことを特徴とする放射線検出器。 - 【請求項19】 それぞれが平行に配置され、被検体か
らの放射線を検出するための複数の半導体セルと、前記
半導体セルに電圧を印加するための電圧印加電極とを有
し、前記被検体に対して検出面が凹状に形成され、任意
位置に設置されている2つの半導体検出器アレイと、 前記2つの半導体検出器アレイの検出面に沿ってそれぞ
れ設けられ、それぞれ一定の焦点を有するファンビーム
コリメータとを備えたことを特徴とする放射線検出器。 - 【請求項20】 それぞれが平行に配置され、被検体か
らの放射線を検出するための複数の半導体セルと、前記
半導体セルに電圧を印加するための電圧印加電極とを有
し、前記被検体に対して検出面が凹状に形成され、任意
位置に設置されている2つの半導体検出器アレイと、 前記半導体検出器アレイの検出面に沿ってそれぞれ設け
られ、異なる焦点位置を有するファンビームコリメータ
とを備えたことを特徴とする放射線検出器。 - 【請求項21】 それぞれが平行に配置され、被検体か
らの放射線を検出するための複数の半導体セルと、前記
半導体セルに電圧を印加するための電圧印加電極とを有
し、前記被検体に対して検出面が凹状に形成されて設置
されている3つ以上の半導体検出器アレイと、 前記3つ以上の半導体検出器アレイの検出面に沿ってそ
れぞれ設けられ、異なる焦点位置を有するファンビーム
コリメータとを備えたことを特徴とする放射線検出器。 - 【請求項22】 被検体に対して凹状に、かつそれぞれ
が平行に配置され、前記被検体からの放射線を検出する
複数の検出素子をそれぞれ有する2つの放射線検出器ア
レイを備え、 前記2つの放射線検出器アレイは、各検出面が前記被検
体の表面に沿って形成されるように前記被検体を挟んで
対向配置されていることを特徴とする放射線検出器。 - 【請求項23】 前記2つの放射線検出器アレイの検出
面にそれぞれ取り付けられるコリメータをさらに備え、
前記2つの放射線検出器アレイは、その対向配置によっ
て形成される空間に24cm以下の直径を有する円筒構
造体が配置可能である凹状の検出面をそれぞれ有し、前
記コリメータの放射線入射面と前記円筒構造体の表面と
の間の最短距離が0.5cmから2cmの範囲内である
ことを特徴とする請求項22に記載の放射線検出器。 - 【請求項24】 前記各放射線検出器アレイは、各々の
端部が近密配置されていることを特徴とする請求項23
に記載の放射線検出器。 - 【請求項25】 被検体に対して凹状に、かつそれぞれ
が平行に配置され、前記被検体からの放射線を検出する
ための複数の検出素子を備えたことを特徴とする放射線
検出器。 - 【請求項26】 平行に配置された放射線を検出する複
数の検出素子をそれぞれ有する2つの曲面状の検出器モ
ジュールを備え、 前記2つの検出器モジュールを組み合わせて前記被検体
に対して凹状に構成したことを特徴とする放射線検出
器。 - 【請求項27】 前記複数の検出素子は、半導体または
シンチレータにより構成されていることを特徴とする請
求項25または28に記載の放射線検出器。 - 【請求項28】 前記複数の検出素子は、放射線の入射
方向におけるその入射面の位置をずらして配置されてい
ることを特徴とする請求項25または26に記載の放射
線検出器。 - 【請求項29】 前記複数の検出素子が配置された検出
器モジュールを有し、前記検出器モジュールの両端部に
は放射線の検出に寄与しない部分が設けられていること
を特徴とする請求項25に記載の放射線検出器。 - 【請求項30】 前記2つの検出器モジュールは、それ
ぞれ一方の端部を連結して組み合わされ、それぞれ他方
の端部には放射線の検出に寄与しない部分が設けられて
いることを特徴とする請求項26に記載の放射線検出
器。 - 【請求項31】 前記複数の検出素子は、マトリックス
状に配置されていることを特徴とする請求項25または
26に記載の放射線検出器。 - 【請求項32】 被検体に対して凹状に、かつそれぞれ
が平行に配置され、前記被検体からの放射線を検出する
ための複数の検出素子をそれぞれ有する複数の検出器モ
ジュールを備え、 前記各検出器モジュールは、所定の方向に配列され、段
差部および突出部を有し、この突出部を隣接する検出器
モジュールの段差部に載せて組み合わせていることを特
徴とする放射線検出器。 - 【請求項33】 前記各検出器モジュールは、前記複数
の検出素子に電気的に接続されているフレキシブル基板
を有し、このフレキシブル基板には、前記各検出素子に
よって検出された検出信号を処理する処理回路が接続可
能であることを特徴とする請求項32に記載の放射線検
出器。 - 【請求項34】 被検体から放出された放射線を検出す
る放射線検出器を備えた核医学診断装置において、 前記放射線検出器は、 前記被検体に対して凹状に、かつそれぞれが平行に配置
された複数の半導体セルと、 前記半導体セルに電圧を印加するための電圧印加電極と
を備えたことを特徴とする核医学診断装置。 - 【請求項35】 前記複数の半導体セルは、前記放射線
の入射方向における入射面の位置を連続的にずらして配
置することにより、前記被検体の表面に沿って凹状を構
成することを特徴とする請求項34に記載の核医学診断
装置。 - 【請求項36】 前記複数の半導体セルにおいて、2以
上の半導体セルの組ごとに前記放射線の入射方向におけ
る入射面の位置を連続的にずらして配置することによ
り、前記被検体の表面に沿って凹状を構成することを特
徴とする請求項34に記載の核医学診断装置。 - 【請求項37】 前記複数の半導体セルは、マトリック
ス状に配置されていることを特徴とする請求項34に記
載の核医学診断装置。 - 【請求項38】 前記複数の半導体セルにおいて入射し
た放射線の吸収方向の厚さはすべて一定であることを特
徴とする請求項34に記載の核医学診断装置。 - 【請求項39】 放射線の吸収方向の厚さは放射線検出
器の中央部とその周辺部で異なることを特徴とする請求
項34に記載の核医学診断装置。 - 【請求項40】 放射線の吸収方向の厚さは放射線検出
器の中央部よりも周辺部の方が厚いことを特徴とする請
求項39に記載の核医学診断装置。 - 【請求項41】 被検体から放出された放射線を検出す
る放射線検出器を備えた核医学診断装置において、 前記放射線検出器は、 それぞれが平行に配置された複数の半導体セルと、前記
半導体セルに電圧を印加するための電圧印加電極とを有
し、前記被検体に対して検出面が凹状に形成されている
半導体検出器アレイと、 前記半導体検出器アレイの検出面に沿って設けられた平
行コリメータとを備えたことを特徴とする核医学診断装
置。 - 【請求項42】 前記検出面とは反対側である前記半導
体検出アレイの背面側に前記検出面の大きさの範囲内か
らはみ出さないように形成され、各半導体セルからの検
出信号を処理する処理回路を備え、 前記処理回路を前記半導体検出器アレイと一体成形した
ことを特徴とする請求項41に記載の核医学診断装置。 - 【請求項43】 被検体から放出された放射線を検出す
る放射線検出器を備えた核医学診断装置において、 前記放射線検出器は、 それぞれが平行に配置された複数の半導体セルと、前記
半導体セルに電圧を印加するための電圧印加電極とを有
し、前記被検体に対して検出面が凹状に形成されている
2つの半導体検出器アレイを備え、 前記2つの半導体検出器アレイは前記被検体を挟んで対
向設置されることを特徴とする核医学診断装置。 - 【請求項44】 被検体から放出された放射線を検出す
る放射線検出器を備えた核医学診断装置において、 前記放射線検出器は、 それぞれが平行に配置された複数の半導体セルと、前記
半導体セルに電圧を印加するための電圧印加電極とを有
し、前記被検体に対して検出面が凹状に形成されている
2つの半導体検出器アレイを備え、 前記2つの半導体検出器アレイは前記被検体を挟んで任
意角度で設置されることを特徴とする核医学診断装置。 - 【請求項45】 被検体から放出された放射線を検出す
る放射線検出器を備えた核医学診断装置において、 前記放射線検出器は、 それぞれが平行に配置された複数の半導体セルと、前記
半導体セルに電圧を印加するための電圧印加電極とを有
し、前記被検体に対して検出面が凹状に形成されている
3つ以上の半導体検出器アレイを備え、 前記3つ以上の半導体検出器アレイは前記被検体を挟ん
で設置されることを特徴とする核医学診断装置。 - 【請求項46】 被検体から放出された放射線を検出す
る放射線検出器を備えた核医学診断装置において、 前記放射線検出器は、 それぞれが平行に配置された複数の半導体セルと、前記
半導体セルに電圧を印加するための電圧印加電極とを有
し、前記被検体に対して検出面が凹状に形成されている
複数の半導体検出器アレイを備え、 前記複数の半導体検出器アレイを1次元または2次元に
配置したことを特徴とする核医学診断装置。 - 【請求項47】 前記半導体検出器アレイは、その検出
面の所定方向において半導体セル部分以外の部分の厚さ
が半導体セル部分の厚さの略1/10以下になるように
形成されていることを特徴とする請求項41から46の
いずれかに記載の核医学診断装置。 - 【請求項48】 被検体から放出された放射線を検出す
る放射線検出器を備えた核医学診断装置において、 前記放射線検出器は、 それぞれが平行に配置された複数の半導体セルと、前記
半導体セルに電圧を印加するための電圧印加電極とを有
し、前記被検体に対して検出面が凹状に形成されている
1つ以上の半導体検出器アレイと、 前記半導体検出器アレイの検出面に沿って設けられ、一
定の焦点を有する1つ以上のファンビームコリメータと
を備えたことを特徴とする核医学診断装置。 - 【請求項49】 被検体から放出された放射線を検出す
る放射線検出器を備えた核医学診断装置において、 前記放射線検出器は、 それぞれが平行に配置された複数の半導体セルと、前記
半導体セルに電圧を印加するための電圧印加電極とを有
し、前記被検体に対して検出面が凹状に形成され、対向
設置されている2つの半導体検出器アレイと、 前記2つの半導体検出器アレイの検出面に沿ってそれぞ
れ設けられ、異なる焦点位置を有するファンビームコリ
メータとを備えたことを特徴とする核医学診断装置。 - 【請求項50】 被検体から放出された放射線を検出す
る放射線検出器を備えた核医学診断装置において、 前記放射線検出器は、 それぞれが平行に配置された複数の半導体セルと、前記
半導体セルに電圧を印加するための電圧印加電極とを有
し、前記被検体に対して検出面が凹状に形成され、任意
角度で設置されている2つの半導体検出器アレイと、 前記2つの半導体検出器アレイの検出面に沿ってそれぞ
れ設けられ、それぞれ一定の焦点を有するファンビーム
コリメータとを備えたことを特徴とする核医学診断装
置。 - 【請求項51】 被検体から放出された放射線を検出す
る放射線検出器を備えた核医学診断装置において、 前記放射線検出器は、 それぞれが平行に配置された複数の半導体セルと、前記
半導体セルに電圧を印加するための電圧印加電極とを有
し、前記被検体に対して検出面が凹状に形成され、任意
角度で設置されている2つの半導体検出器アレイと、 前記2つの半導体検出器アレイの検出面に沿ってそれぞ
れ設けられ、異なる焦点位置を有するファンビームコリ
メータとを備えたことを特徴とする核医学診断装置。 - 【請求項52】 被検体から放出された放射線を検出す
る放射線検出器を備えた核医学診断装置において、 前記放射線検出器は、 それぞれが平行に配置された複数の半導体セルと、前記
半導体セルに電圧を印加するための電圧印加電極とを有
し、前記被検体に対して検出面が凹状に形成され、任意
位置に設置されている2つの半導体検出器アレイと、 前記2つの半導体検出器アレイの検出面に沿ってそれぞ
れ設けられ、それぞれ一定の焦点を有するファンビーム
コリメータとを備えたことを特徴とする核医学診断装
置。 - 【請求項53】 被検体から放出された放射線を検出す
る放射線検出器を備えた核医学診断装置において、 前記放射線検出器は、 それぞれが平行に配置された複数の半導体セルと、前記
半導体セルに電圧を印加するための電圧印加電極とを有
し、前記被検体に対して検出面が凹状に形成され、任意
位置に設置されている2つの半導体検出器アレイと、 前記2つの半導体検出器アレイの検出面に沿ってそれぞ
れ設けられ、異なる焦点位置を有するファンビームコリ
メータとを備えたことを特徴とする核医学診断装置。 - 【請求項54】 被検体から放出された放射線を検出す
る放射線検出器を備えた核医学診断装置において、 前記放射線検出器は、 それぞれが平行に配置された複数の半導体セルと、前記
半導体セルに電圧を印加するための電圧印加電極とを有
し、前記被検体に対して検出面が凹状に形成されて配置
されている3つ以上の半導体検出器アレイと、 前記3つ以上の半導体検出器アレイの検出面に沿ってそ
れぞれ設けられ、異なる焦点位置を有するファンビーム
コリメータとを備えたことを特徴とする核医学診断装
置。 - 【請求項55】 被検体から放出された放射線を検出す
る放射線検出器を備えた核医学診断装置において、 前記放射線検出器は、前記被検体に対して凹状に、かつ
それぞれが平行に配置された複数の検出素子をそれぞれ
有する2つの放射線検出器アレイを備え、 前記2つの放射線検出器アレイは、各検出面が前記被検
体の表面に沿って形成されるように前記被検体を挟んで
対向配置されていることを特徴とする核医学診断装置。 - 【請求項56】 前記2つの放射線検出器アレイの検出
面にそれぞれ取り付けられるコリメータをさらに備え、
前記2つの放射線検出器アレイは、その対向配置によっ
て形成される空間に24cm以下の直径を有する円筒構
造体が配置可能である凹状の検出面をそれぞれ有し、前
記コリメータの放射線入射面と前記円筒構造体の表面と
の間の最短距離が0.5cmから2cmの範囲内である
ことを特徴とする請求項55に記載の核医学診断装置。 - 【請求項57】 前記各放射線検出器アレイは、各々の
端部が近密配置されていることを特徴とする請求項55
に記載の核医学診断装置。 - 【請求項58】 被検体から放出された放射線を検出す
る放射線検出器を備えた核医学診断装置において、 前記放射線検出器は、被検体に対して凹状に、かつそれ
ぞれが平行に配置された複数の検出素子を備えたことを
特徴とする核医学診断装置。 - 【請求項59】 被検体から放出された放射線を検出す
る放射線検出器を備えた核医学診断装置において、 前記放射線検出器は、平行に配置された複数の検出素子
をそれぞれ有する2つの曲面状の検出器モジュールを備
え、 前記2つの検出器モジュールを組み合わせて前記被検体
に対して凹状に構成したことを特徴とする核医学診断装
置。 - 【請求項60】 前記複数の検出素子は、半導体または
シンチレータにより構成されていることを特徴とする請
求項58または59に記載の核医学診断装置。 - 【請求項61】 前記複数の検出素子は、放射線の入射
方向におけるその入射面の位置をずらして配置されてい
ることを特徴とする請求項58または59に記載の核医
学診断装置。 - 【請求項62】 前記複数の検出素子が配置された検出
器モジュールを有し、前記検出器モジュールの両端部に
は放射線の検出に寄与しない部分が設けられていること
を特徴とする請求項58に記載の核医学診断装置。 - 【請求項63】 前記2つの検出器モジュールは、それ
ぞれ一方の端部を連結して組み合わされ、それぞれ他方
の端部には放射線の検出に寄与しない部分が設けられて
いることを特徴とする請求項59に記載の核医学診断装
置。 - 【請求項64】 前記複数の検出素子は、マトリックス
状に配置されていることを特徴とする請求項58または
59に記載の核医学診断装置。 - 【請求項65】 被検体から放出された放射線を検出す
る放射線検出器を備えた核医学診断装置において、 前記放射線検出器は、前記被検体に対して凹状に、かつ
それぞれが平行に配置された複数の検出素子をそれぞれ
有する複数の検出器モジュールを備え、 前記各検出器モジュールは、所定の方向に配列され、段
差部および突出部を有し、この突出部を隣接する検出器
モジュールの段差部に載せて組み合わせていることを特
徴とする核医学診断装置。 - 【請求項66】 前記各検出器モジュールは、前記複数
の検出素子に電気的に接続されているフレキシブル基板
を有し、このフレキシブル基板には、前記各検出素子に
よって検出された検出信号を処理する処理回路が接続可
能であることを特徴とする請求項65に記載の核医学診
断装置。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP452999A JP2000056021A (ja) | 1998-06-02 | 1999-01-11 | 放射線検出器および核医学診断装置 |
| US09/322,991 US6285028B1 (en) | 1998-06-02 | 1999-06-01 | Semiconductor radiation detector and nuclear medicine diagnostic apparatus |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10-152945 | 1998-06-02 | ||
| JP15294598 | 1998-06-02 | ||
| JP452999A JP2000056021A (ja) | 1998-06-02 | 1999-01-11 | 放射線検出器および核医学診断装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000056021A true JP2000056021A (ja) | 2000-02-25 |
Family
ID=26338329
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP452999A Pending JP2000056021A (ja) | 1998-06-02 | 1999-01-11 | 放射線検出器および核医学診断装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2000056021A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006242958A (ja) * | 2002-10-07 | 2006-09-14 | Hitachi Ltd | 放射線検出器,放射線検出素子及び放射線撮像装置 |
| US7297958B2 (en) | 2001-12-03 | 2007-11-20 | Hitachi, Ltd. | Radiological imaging apparatus |
| US7573042B2 (en) | 2007-09-19 | 2009-08-11 | Hitachi, Ltd. | Semiconductor detection module and radiation detection apparatus and radiological imaging apparatus using the semiconductor detection module |
| US7745795B2 (en) | 2002-10-07 | 2010-06-29 | Hitachi, Ltd. | Radiation detector, radiation detector element, and radiation imaging apparatus |
| CN108186041B (zh) * | 2018-01-22 | 2020-12-04 | 苏州晶特晶体科技有限公司 | 一种一体化doi影像强化pet环形阵列结构及加工方法 |
-
1999
- 1999-01-11 JP JP452999A patent/JP2000056021A/ja active Pending
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| US7627082B2 (en) | 2001-12-03 | 2009-12-01 | Hitachi, Ltd. | Radiological imaging apparatus |
| US7634048B2 (en) | 2001-12-03 | 2009-12-15 | Hitachi Ltd. | Radiological imaging apparatus |
| US7986763B2 (en) | 2001-12-03 | 2011-07-26 | Hitachi, Ltd. | Radiological imaging apparatus |
| US8116427B2 (en) | 2001-12-03 | 2012-02-14 | Hitachi, Ltd. | Radiological imaging apparatus |
| JP2006242958A (ja) * | 2002-10-07 | 2006-09-14 | Hitachi Ltd | 放射線検出器,放射線検出素子及び放射線撮像装置 |
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| CN108186041B (zh) * | 2018-01-22 | 2020-12-04 | 苏州晶特晶体科技有限公司 | 一种一体化doi影像强化pet环形阵列结构及加工方法 |
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