JP2000077274A - コンデンサおよびその製造方法 - Google Patents
コンデンサおよびその製造方法Info
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- JP2000077274A JP2000077274A JP10246824A JP24682498A JP2000077274A JP 2000077274 A JP2000077274 A JP 2000077274A JP 10246824 A JP10246824 A JP 10246824A JP 24682498 A JP24682498 A JP 24682498A JP 2000077274 A JP2000077274 A JP 2000077274A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】本発明の目的とするところは、従来の酸化物被
膜コンデンサよりさらに大きな静電容量を持ち、導電性
高分子材料を塗布し熱処理する工程や電解処理を必要と
しない、容易に製造することの可能なコンデンサとその
製造方法を提供することにある。 【解決手段】チタンを主成分とする金属よりなる多孔性
の焼結体を、Ａイオン（ＡはＢａ，ＳｒまたはＰｂのう
ち少なくとも一つ）、ＺｒイオンおよびＴｉイオンを含
むアルカリ水溶液中で加熱処理し、多孔性の焼結体表面
にＡ（ＺｒxＴｉ1-x）Ｏ3被膜を形成し、さらに、Ａ
（ＺｒｘＴｉ１−ｘ）Ｏ3被膜が形成された多孔性焼結
体をＢイオン（Ｂは、ＢａまたはＳｒのうち少なくとも
１つ）とＰｂイオンを含むアルカリ水溶液中で加熱処理
し、導電性のＢＰｂＯ3薄膜を形成することにより得ら
れるコンデンサとその製造方法。
膜コンデンサよりさらに大きな静電容量を持ち、導電性
高分子材料を塗布し熱処理する工程や電解処理を必要と
しない、容易に製造することの可能なコンデンサとその
製造方法を提供することにある。 【解決手段】チタンを主成分とする金属よりなる多孔性
の焼結体を、Ａイオン（ＡはＢａ，ＳｒまたはＰｂのう
ち少なくとも一つ）、ＺｒイオンおよびＴｉイオンを含
むアルカリ水溶液中で加熱処理し、多孔性の焼結体表面
にＡ（ＺｒxＴｉ1-x）Ｏ3被膜を形成し、さらに、Ａ
（ＺｒｘＴｉ１−ｘ）Ｏ3被膜が形成された多孔性焼結
体をＢイオン（Ｂは、ＢａまたはＳｒのうち少なくとも
１つ）とＰｂイオンを含むアルカリ水溶液中で加熱処理
し、導電性のＢＰｂＯ3薄膜を形成することにより得ら
れるコンデンサとその製造方法。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、コンデンサに関
し、詳しくは、小型で大きな静電容量を得ることが可能
で、製造が容易なコンデンサとその製造方法に関する。
し、詳しくは、小型で大きな静電容量を得ることが可能
で、製造が容易なコンデンサとその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来の小型大容量コンデンサとしては、
例えば、タンタル電解コンデンサ、アルミニウム電解コ
ンデンサなどの電解コンデンサが知られている。
例えば、タンタル電解コンデンサ、アルミニウム電解コ
ンデンサなどの電解コンデンサが知られている。
【０００３】これらは、金属の表面を陽極酸化し、その
皮膜を誘電体として利用したコンデンサであり、小型
で、比較的大きな静電容量を有するコンデンサとして多
用されている。
皮膜を誘電体として利用したコンデンサであり、小型
で、比較的大きな静電容量を有するコンデンサとして多
用されている。
【０００４】しかしながら、これらは、構造的に単一酸
化物層を誘電体層に使用しているため、誘電体層を高誘
電率化することが困難であり、したがって、大容量化に
は限界があるという問題点がある。
化物層を誘電体層に使用しているため、誘電体層を高誘
電率化することが困難であり、したがって、大容量化に
は限界があるという問題点がある。
【０００５】さらに、上記のいずれの電解コンデンサに
も極性があり、電気、電子回路に組み込む工程で、その
方向（極性）を識別して組み込まなければならないた
め、実装工程での作業性が悪いという問題点がある。
も極性があり、電気、電子回路に組み込む工程で、その
方向（極性）を識別して組み込まなければならないた
め、実装工程での作業性が悪いという問題点がある。
【０００６】また、その他の小型高静電容量コンデンサ
として積層セラミックコンデンサがあるが、これについ
ても、小型、大容量化を図るために、誘電体の厚みを薄
くする試みがなされているが、１μｍを下回る誘電体の
厚さで良好な積層構造を実現することはできていない。
として積層セラミックコンデンサがあるが、これについ
ても、小型、大容量化を図るために、誘電体の厚みを薄
くする試みがなされているが、１μｍを下回る誘電体の
厚さで良好な積層構造を実現することはできていない。
【０００７】これらの問題を解決する方法として、特開
平９−１７６８４号公報には、多孔性チタン焼結体上に
アルカリ水溶液中で定電圧電解処理を行なってＢａＴｉ
Ｏ3あるいはＳｒＴｉＯ3の誘電体膜を形成し、さらに該
誘電体膜上に導体あるいは半導体を形成する方法が提案
されている。
平９−１７６８４号公報には、多孔性チタン焼結体上に
アルカリ水溶液中で定電圧電解処理を行なってＢａＴｉ
Ｏ3あるいはＳｒＴｉＯ3の誘電体膜を形成し、さらに該
誘電体膜上に導体あるいは半導体を形成する方法が提案
されている。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記の
誘電体薄膜は、アルカリ水溶液中で定電圧電解処理を行
なうため、電気分解のための設備と処理が必要であり、
製造が複雑となる。
誘電体薄膜は、アルカリ水溶液中で定電圧電解処理を行
なうため、電気分解のための設備と処理が必要であり、
製造が複雑となる。
【０００９】また、上記の導体あるいは半導体は、その
製造のために、金属酸化物を用いる場合は２００℃以上
の熱処理条件で塗布工程を繰り返す必要があり、導電性
高分子材料のポリピロールを用いる場合は電解重合を行
なう必要がある。この点からも製造が複雑となる。
製造のために、金属酸化物を用いる場合は２００℃以上
の熱処理条件で塗布工程を繰り返す必要があり、導電性
高分子材料のポリピロールを用いる場合は電解重合を行
なう必要がある。この点からも製造が複雑となる。
【００１０】したがって、本発明の目的とするところ
は、小型で大きな静電容量を持ち、製造が容易なコンデ
ンサとその製造方法を提供することにある。
は、小型で大きな静電容量を持ち、製造が容易なコンデ
ンサとその製造方法を提供することにある。
【００１１】
【課題を解決するための手段】本発明者らは、複雑な形
状の基体に高誘電率の誘電体薄膜と導電性の薄膜を形成
する方法について検討した結果、大容量コンデンサを容
易に作製する方法を見出し、本発明に至った。
状の基体に高誘電率の誘電体薄膜と導電性の薄膜を形成
する方法について検討した結果、大容量コンデンサを容
易に作製する方法を見出し、本発明に至った。
【００１２】即ち、本発明は、チタンを主成分とする金
属よりなる多孔性の焼結体と、該焼結体表面の少なくと
も一部に形成された一般式ＡＢＯ3（Ａは、Ｂａ，Ｓｒ
またはＰｂのうち少なくとも１つ。Ｂは、ＺｒまたはＴ
ｉのうち少なくとも一つ。）で表わされるペロブスカイ
ト型複合酸化物を主成分とする誘電体膜と、該誘電体膜
の表面に形成されたＣＰｂＯ3（Ｃは、ＢａまたはＳｒ
のうち少なくとも１つ。）導電性酸化物膜を対向電極と
して備えることを特徴するコンデンサに関する。
属よりなる多孔性の焼結体と、該焼結体表面の少なくと
も一部に形成された一般式ＡＢＯ3（Ａは、Ｂａ，Ｓｒ
またはＰｂのうち少なくとも１つ。Ｂは、ＺｒまたはＴ
ｉのうち少なくとも一つ。）で表わされるペロブスカイ
ト型複合酸化物を主成分とする誘電体膜と、該誘電体膜
の表面に形成されたＣＰｂＯ3（Ｃは、ＢａまたはＳｒ
のうち少なくとも１つ。）導電性酸化物膜を対向電極と
して備えることを特徴するコンデンサに関する。
【００１３】また本発明は、チタンを主成分とする金属
よりなる多孔性の焼結体を、Ａイオン（Ａは、Ｂａ，Ｓ
ｒまたはＰｂのうち少なくとも一つ。）とＢイオン（Ｂ
は、ＺｒまたはＴｉのうち少なくとも一つ。）を含むア
ルカリ水溶液中で加熱処理し、多孔性の焼結体表面に一
般式ＡＢＯ3薄膜（Ａは、Ｂａ，ＳｒまたはＰｂのうち
少なくとも１つ。Ｂは、ＺｒまたはＴｉのうち少なくと
も一つ。）を形成し、さらに、ＡＢＯ3薄膜が形成され
た多孔性焼結体をＣイオン（Ｃは、ＢａまたはＳｒのう
ち少なくとも一つ。）とＰｂイオンを含むアルカリ水溶
液中で加熱処理し、導電性のＣＰｂＯ3薄膜（Ｃは前記
と同じ意味を表わす。）を形成することを特徴とするコ
ンデンサの製造方法に関する。
よりなる多孔性の焼結体を、Ａイオン（Ａは、Ｂａ，Ｓ
ｒまたはＰｂのうち少なくとも一つ。）とＢイオン（Ｂ
は、ＺｒまたはＴｉのうち少なくとも一つ。）を含むア
ルカリ水溶液中で加熱処理し、多孔性の焼結体表面に一
般式ＡＢＯ3薄膜（Ａは、Ｂａ，ＳｒまたはＰｂのうち
少なくとも１つ。Ｂは、ＺｒまたはＴｉのうち少なくと
も一つ。）を形成し、さらに、ＡＢＯ3薄膜が形成され
た多孔性焼結体をＣイオン（Ｃは、ＢａまたはＳｒのう
ち少なくとも一つ。）とＰｂイオンを含むアルカリ水溶
液中で加熱処理し、導電性のＣＰｂＯ3薄膜（Ｃは前記
と同じ意味を表わす。）を形成することを特徴とするコ
ンデンサの製造方法に関する。
【００１４】
【発明の実施の形態】図１は本発明のコンデンサの多孔
性焼結体部分の拡大断面図である。１は埋設されたチタ
ンワイヤ、２は多孔性の焼結体、３は焼結体表面に形成
された誘電体膜、４は誘電体表面に形成された導電性酸
化物膜からなる電極をそれぞれ示している。
性焼結体部分の拡大断面図である。１は埋設されたチタ
ンワイヤ、２は多孔性の焼結体、３は焼結体表面に形成
された誘電体膜、４は誘電体表面に形成された導電性酸
化物膜からなる電極をそれぞれ示している。
【００１５】図２は、本発明のコンデンサの断面図であ
る。１はチタンワイヤ、５は多孔性の焼結体からなるコ
ンデンサ素子、６はグラファイト層、７は銀電極層、８
はリード線、９は半田、１０は外装樹脂、をそれぞれ示
している。
る。１はチタンワイヤ、５は多孔性の焼結体からなるコ
ンデンサ素子、６はグラファイト層、７は銀電極層、８
はリード線、９は半田、１０は外装樹脂、をそれぞれ示
している。
【００１６】本発明のコンデンサは以下のようにして作
製される。
製される。
【００１７】チタン金属からなる多孔性の焼結体は、平
均粒子径が１〜１００μｍのチタンを主成分とする金属
粒子が空隙を持って互いに付着している状態のものであ
ればよく、製法は問わないが、例えば、チタンの粒子
を、一軸プレス成形機等により円柱状に加圧成形し、真
空中約８００℃で焼結することにより得られる。その
際、電極となるチタンワイヤの一部をチタン金属粉末に
埋設しておく。
均粒子径が１〜１００μｍのチタンを主成分とする金属
粒子が空隙を持って互いに付着している状態のものであ
ればよく、製法は問わないが、例えば、チタンの粒子
を、一軸プレス成形機等により円柱状に加圧成形し、真
空中約８００℃で焼結することにより得られる。その
際、電極となるチタンワイヤの一部をチタン金属粉末に
埋設しておく。
【００１８】チタン金属の多孔性焼結体は、ＡＢＯ
3（Ａは、Ｂａ，Ｓｒ，またはＰｂのうち少なくとも１
つ。Ｂは、ＺｒまたはＴｉのうち少なくとも一つ）で表
わされるペロブスカイト型複合酸化物のＡとＢに相当す
る元素の各イオンを含むアルカリ水溶液中で、８０℃〜
２００℃、好ましくは１００℃〜１６０℃、加熱するこ
とにより目的とする誘電体の被膜が形成される。
3（Ａは、Ｂａ，Ｓｒ，またはＰｂのうち少なくとも１
つ。Ｂは、ＺｒまたはＴｉのうち少なくとも一つ）で表
わされるペロブスカイト型複合酸化物のＡとＢに相当す
る元素の各イオンを含むアルカリ水溶液中で、８０℃〜
２００℃、好ましくは１００℃〜１６０℃、加熱するこ
とにより目的とする誘電体の被膜が形成される。
【００１９】各イオンの原料としては、金属、無機塩、
有機金属化合物など、水溶液中でイオンになるものであ
ればよい。例えば、Ｐｂ（ＮＯ3）2、Ｓｒ（ＮＯ3）2、
ＺｒＯＣｌ2、ＴｉＣｌ4などがある。Ｐｂの濃度は、５
０〜５００ｍｍｏｌ／ｌ、Ｚｒの濃度は１０〜５００ｍ
ｍｏｌ／ｌ、Ｔｉの濃度は０〜５００ｍｍｏｌ／ｌの範
囲であればよい。アルカリ水溶液とするため、上記Ｓｒ
の水酸化物あるいは、別途ＮａＯＨ，ＫＯＨなどを使用
することもできる。アルカリが強いほど結晶化し易く、
ｐＨ１２以上が好ましい。ＫＯＨを使用する場合、０．
１〜８．０ｍｏｌ／ｌの濃度で使用すると緻密な膜がで
き、好ましい。
有機金属化合物など、水溶液中でイオンになるものであ
ればよい。例えば、Ｐｂ（ＮＯ3）2、Ｓｒ（ＮＯ3）2、
ＺｒＯＣｌ2、ＴｉＣｌ4などがある。Ｐｂの濃度は、５
０〜５００ｍｍｏｌ／ｌ、Ｚｒの濃度は１０〜５００ｍ
ｍｏｌ／ｌ、Ｔｉの濃度は０〜５００ｍｍｏｌ／ｌの範
囲であればよい。アルカリ水溶液とするため、上記Ｓｒ
の水酸化物あるいは、別途ＮａＯＨ，ＫＯＨなどを使用
することもできる。アルカリが強いほど結晶化し易く、
ｐＨ１２以上が好ましい。ＫＯＨを使用する場合、０．
１〜８．０ｍｏｌ／ｌの濃度で使用すると緻密な膜がで
き、好ましい。
【００２０】ＡＢＯ3薄膜として、Ａ（ＺｒxＴｉ1-x）
Ｏ3（Ａは、Ｂａ，ＳｒまたはＰｂのうち少なくとも１
つ。０＜ｘ＜１）薄膜にすると、ＢがＴｉ単独の場合よ
り、大きな比誘電率が得られ、小型、高静電容量コンデ
ンサが実現できるのでより好ましい。
Ｏ3（Ａは、Ｂａ，ＳｒまたはＰｂのうち少なくとも１
つ。０＜ｘ＜１）薄膜にすると、ＢがＴｉ単独の場合よ
り、大きな比誘電率が得られ、小型、高静電容量コンデ
ンサが実現できるのでより好ましい。
【００２１】誘電体被膜の合成は、一度だけでなく、何
度も繰り返しても良い。また、組成の異なる層を積層し
てもよい。例えば、最初の反応で、（Ｐｂ，Ｓｒ）（Ｚ
ｒ，Ｔｉ）Ｏ3を形成すると基板上に容易に緻密に層が
形成でき、信頼性の高いコンデンサを作製できる。
度も繰り返しても良い。また、組成の異なる層を積層し
てもよい。例えば、最初の反応で、（Ｐｂ，Ｓｒ）（Ｚ
ｒ，Ｔｉ）Ｏ3を形成すると基板上に容易に緻密に層が
形成でき、信頼性の高いコンデンサを作製できる。
【００２２】誘電体層を形成した多孔性焼結体は、Ｂイ
オン（ＢはＢａまたはＳｒのうち少なくとも一つ。）と
Ｐｂイオンを含むアルカリ水溶液に浸漬して、６０〜２
００℃で加熱処理されることにより、焼結体の誘電体層
上にＢＰｂＯ3薄膜が形成される。
オン（ＢはＢａまたはＳｒのうち少なくとも一つ。）と
Ｐｂイオンを含むアルカリ水溶液に浸漬して、６０〜２
００℃で加熱処理されることにより、焼結体の誘電体層
上にＢＰｂＯ3薄膜が形成される。
【００２３】Ｂａ，Ｓｒ化合物としては、金属、無機
塩、有機金属化合物など、溶液中でＢａ，Ｓｒのイオン
になるものであればよい。Ｐｂ化合物としては、水酸化
鉛など、アルカリ水溶液中でＰｂイオンが存在するもの
であればよい。Ｂａ，Ｓｒ，Ｐｂの溶液中の濃度は、そ
れぞれ０．０２ｍｏｌ／ｌ以上であればよく、飽和濃度
でもよい。濃度が低い場合は反応が遅くなる。
塩、有機金属化合物など、溶液中でＢａ，Ｓｒのイオン
になるものであればよい。Ｐｂ化合物としては、水酸化
鉛など、アルカリ水溶液中でＰｂイオンが存在するもの
であればよい。Ｂａ，Ｓｒ，Ｐｂの溶液中の濃度は、そ
れぞれ０．０２ｍｏｌ／ｌ以上であればよく、飽和濃度
でもよい。濃度が低い場合は反応が遅くなる。
【００２４】アルカリ水溶液とするため、上記Ｂイオン
の水酸化物あるいは、別途ＮａＯＨ，ＫＯＨなどを使用
することもできる。アルカリが強いほど結晶化し易く、
ｐＨ１２以上が好ましい。
の水酸化物あるいは、別途ＮａＯＨ，ＫＯＨなどを使用
することもできる。アルカリが強いほど結晶化し易く、
ｐＨ１２以上が好ましい。
【００２５】その後、通常の固体電解コンデンサと同
様、図２に示すように、順次、コンデンサ素子５に対
し、グラファイト層６を設け、更に、銀電極層７を設け
て対向電極を形成し、他方のリード線８を半田によって
取り付け外装樹脂１０を施してコンデンサとする。
様、図２に示すように、順次、コンデンサ素子５に対
し、グラファイト層６を設け、更に、銀電極層７を設け
て対向電極を形成し、他方のリード線８を半田によって
取り付け外装樹脂１０を施してコンデンサとする。
【００２６】
【実施例】以下、実施例を示してこの発明を具体的に説
明する。
明する。
【００２７】実施例１ まず、平均粒子径５０μｍのチタン金属粉を円柱状に成
形した。この際、一方の電極取出しリード線としてチタ
ンワイヤの一部をチタン金属粉末に埋設して成形した。
その後、この成形体を５×１０-6〜３×１０-7Ｔｏｒｒ
の真空中、８００℃の温度で焼成して、チタン金属から
なる多孔性の焼結体を得た。
形した。この際、一方の電極取出しリード線としてチタ
ンワイヤの一部をチタン金属粉末に埋設して成形した。
その後、この成形体を５×１０-6〜３×１０-7Ｔｏｒｒ
の真空中、８００℃の温度で焼成して、チタン金属から
なる多孔性の焼結体を得た。
【００２８】次にこの多孔性の焼結体を、０．１６ｍｏ
ｌ／ｌの硝酸鉛、０．０４ｍｏｌ／ｌの水酸化ストロン
チウム、０．０５２ｍｏｌ／ｌのオキシ塩化ジルコニウ
ムおよび０．０４８ｍｏｌ／ｌの四塩化チタンを含む混
合水溶液に水酸化カリウムを添加してｐＨ１４以上に調
整したアルカリ溶液に浸漬し、１４０℃で１時間反応し
た。その結果図１に示すように、多孔性の焼結体２の表
面に厚さ約０．５μｍの（Ｐｂ，Ｓｒ）（Ｚｒ，Ｔｉ）
Ｏ3多結晶薄膜からなる誘電体膜３を直接形成した。
ｌ／ｌの硝酸鉛、０．０４ｍｏｌ／ｌの水酸化ストロン
チウム、０．０５２ｍｏｌ／ｌのオキシ塩化ジルコニウ
ムおよび０．０４８ｍｏｌ／ｌの四塩化チタンを含む混
合水溶液に水酸化カリウムを添加してｐＨ１４以上に調
整したアルカリ溶液に浸漬し、１４０℃で１時間反応し
た。その結果図１に示すように、多孔性の焼結体２の表
面に厚さ約０．５μｍの（Ｐｂ，Ｓｒ）（Ｚｒ，Ｔｉ）
Ｏ3多結晶薄膜からなる誘電体膜３を直接形成した。
【００２９】さらに、前記（Ｐｂ，Ｓｒ）（Ｚｒ，Ｔ
ｉ）Ｏ3多結晶薄膜を形成した焼結体を水酸化バリウム
０．０７８ｍｏｌ／ｌ、水酸化鉛０．０７８ｍｏｌ／ｌ
および水酸化カリウム２．０ｍｏｌ／ｌの混合溶液中に
浸漬し、その後、２００℃で１０時間反応させて、（Ｐ
ｂ，Ｓｒ）（Ｚｒ，Ｔｉ）Ｏ3多結晶薄膜表面に、Ｂａ
ＰｂＯ3膜を形成し、多孔性の焼結体２、誘電体膜３、
および導電性酸化物膜からなる電極４で構成されたコン
デンサ素子５を作製した。
ｉ）Ｏ3多結晶薄膜を形成した焼結体を水酸化バリウム
０．０７８ｍｏｌ／ｌ、水酸化鉛０．０７８ｍｏｌ／ｌ
および水酸化カリウム２．０ｍｏｌ／ｌの混合溶液中に
浸漬し、その後、２００℃で１０時間反応させて、（Ｐ
ｂ，Ｓｒ）（Ｚｒ，Ｔｉ）Ｏ3多結晶薄膜表面に、Ｂａ
ＰｂＯ3膜を形成し、多孔性の焼結体２、誘電体膜３、
および導電性酸化物膜からなる電極４で構成されたコン
デンサ素子５を作製した。
【００３０】その後、通常の固体電解コンデンサと同
様、図２に示すように、順次、コンデンサ素子５に対
し、グラファイト層６を設け、更に、銀電極層７を設け
て対向電極を形成し、他方のリード線８を半田によって
取り付け外装樹脂１０を施してコンデンサとした。
様、図２に示すように、順次、コンデンサ素子５に対
し、グラファイト層６を設け、更に、銀電極層７を設け
て対向電極を形成し、他方のリード線８を半田によって
取り付け外装樹脂１０を施してコンデンサとした。
【００３１】このようにして作製したコンデンサについ
て、電気特性を測定したところ、静電容量（周波数１ｋ
Ｈｚ，電圧１Ｖ）：３６．７μＦ、ｔａｎδ（周波数１
ｋＨｚ，電圧１Ｖ）：４．９％、絶縁抵抗（６．３Ｖｄ
ｃ、１２０秒後）：１．５×１０7Ωであった。
て、電気特性を測定したところ、静電容量（周波数１ｋ
Ｈｚ，電圧１Ｖ）：３６．７μＦ、ｔａｎδ（周波数１
ｋＨｚ，電圧１Ｖ）：４．９％、絶縁抵抗（６．３Ｖｄ
ｃ、１２０秒後）：１．５×１０7Ωであった。
【００３２】実施例２ まず、実施例１と同様な方法で多孔性の焼結体を得た。
【００３３】次に、この多孔性の焼結体を、０．０７８
８ｍｏｌ／ｌの硝酸鉛、０．０６５３ｍｏｌ／ｌのオキ
シ塩化ジルコニウムおよび０．００９８ｍｏｌ／ｌの四
塩化チタンを含む混合水溶液に水酸化カリウムを添加し
てｐＨ１４以上に調整したアルカリ溶液に浸漬し、１４
０℃で１時間反応した。その結果図１に示すように、多
孔性の焼結体２の表面に厚さ約１．５μｍのＰｂ（Ｚ
ｒ，Ｔｉ）Ｏ3多結晶薄膜からなる誘電体膜３を直接形
成した。
８ｍｏｌ／ｌの硝酸鉛、０．０６５３ｍｏｌ／ｌのオキ
シ塩化ジルコニウムおよび０．００９８ｍｏｌ／ｌの四
塩化チタンを含む混合水溶液に水酸化カリウムを添加し
てｐＨ１４以上に調整したアルカリ溶液に浸漬し、１４
０℃で１時間反応した。その結果図１に示すように、多
孔性の焼結体２の表面に厚さ約１．５μｍのＰｂ（Ｚ
ｒ，Ｔｉ）Ｏ3多結晶薄膜からなる誘電体膜３を直接形
成した。
【００３４】さらに前記Ｐｂ（Ｚｒ，Ｔｉ）Ｏ3多結晶
薄膜を形成した焼結体を水酸化ストロンチウム０．０５
６ｍｏｌ／ｌ、水酸化鉛０．０５６ｍｏｌ／ｌおよび水
酸化カリウム１．５ｍｏｌ／ｌの混合溶液中に浸漬し、
その後、１５０℃で１５時間反応させて、（Ｐｂ，Ｓ
ｒ）（Ｚｒ，Ｔｉ）Ｏ3多結晶薄膜表面に、ＳｒＰｂＯ3
膜を形成し、多孔性の焼結体２、誘電体膜３、および導
電性酸化物膜からなる電極４で構成されたコンデンサ素
子５を作製した。
薄膜を形成した焼結体を水酸化ストロンチウム０．０５
６ｍｏｌ／ｌ、水酸化鉛０．０５６ｍｏｌ／ｌおよび水
酸化カリウム１．５ｍｏｌ／ｌの混合溶液中に浸漬し、
その後、１５０℃で１５時間反応させて、（Ｐｂ，Ｓ
ｒ）（Ｚｒ，Ｔｉ）Ｏ3多結晶薄膜表面に、ＳｒＰｂＯ3
膜を形成し、多孔性の焼結体２、誘電体膜３、および導
電性酸化物膜からなる電極４で構成されたコンデンサ素
子５を作製した。
【００３５】その後、通常の固体電解コンデンサと同
様、図２に示すように、順次、コンデンサ素子５に対
し、グラファイト層６を設け、更に、銀電極層７を設け
て対向電極を形成し、他方のリード線８を半田によって
取り付け外装樹脂１０を施してコンデンサとした。
様、図２に示すように、順次、コンデンサ素子５に対
し、グラファイト層６を設け、更に、銀電極層７を設け
て対向電極を形成し、他方のリード線８を半田によって
取り付け外装樹脂１０を施してコンデンサとした。
【００３６】このようにして作製したコンデンサについ
て、電気特性を測定したところ、静電容量（周波数１ｋ
Ｈｚ，電圧１Ｖ）：１５．９μＦ、ｔａｎδ（周波数１
ｋＨｚ，電圧１Ｖ）：３．０％、絶縁抵抗（６．３Ｖｄ
ｃ、１２０秒後）：２．５×１０7Ωであった。
て、電気特性を測定したところ、静電容量（周波数１ｋ
Ｈｚ，電圧１Ｖ）：１５．９μＦ、ｔａｎδ（周波数１
ｋＨｚ，電圧１Ｖ）：３．０％、絶縁抵抗（６．３Ｖｄ
ｃ、１２０秒後）：２．５×１０7Ωであった。
【００３７】
【発明の効果】本発明のコンデンサは、チタンを主成分
とする金属よりなる多孔性の焼結体と、該焼結体表面の
少なくとも一部に形成された一般式ＡＢＯ3（Ａは、Ｂ
ａ，ＳｒまたはＰｂのうち少なくとも１つ。Ｂは、Ｚｒ
またはＴｉのうち少なくとも一つ。）で表わされるペロ
ブスカイト型複合酸化物を主成分とする誘電体膜と、該
誘電体膜の表面に形成されたＢＰｂＯ3（Ｂは、Ｂａま
たはＳｒのうち少なくとも１つ）導電性酸化物膜を対向
電極として備えることを特徴しており、誘電体膜および
導電性鉛酸化物膜がアルカリ水溶液中の反応で均一に広
く形成されているため、小型、大容量のコンデンサが得
られ、かつ、電解処理や塗布・熱処理などの複雑な工程
を必要とせず、製造が容易である。
とする金属よりなる多孔性の焼結体と、該焼結体表面の
少なくとも一部に形成された一般式ＡＢＯ3（Ａは、Ｂ
ａ，ＳｒまたはＰｂのうち少なくとも１つ。Ｂは、Ｚｒ
またはＴｉのうち少なくとも一つ。）で表わされるペロ
ブスカイト型複合酸化物を主成分とする誘電体膜と、該
誘電体膜の表面に形成されたＢＰｂＯ3（Ｂは、Ｂａま
たはＳｒのうち少なくとも１つ）導電性酸化物膜を対向
電極として備えることを特徴しており、誘電体膜および
導電性鉛酸化物膜がアルカリ水溶液中の反応で均一に広
く形成されているため、小型、大容量のコンデンサが得
られ、かつ、電解処理や塗布・熱処理などの複雑な工程
を必要とせず、製造が容易である。
【図１】本発明の多孔性焼結体からなるコンデンサの部
分断面図である。
分断面図である。
【図２】本発明のコンデンサの断面図である。
１ チタンワイヤ ２ 多孔性の焼結体 ３ 誘電体膜 ４ ペロブスカイト型導電性酸化物 ５ コンデンサ素子 ６ グラファイト層 ７ 銀電極層 ８ リード線 ９ 半田 １０ 外装樹脂
フロントページの続き Ｆターム(参考） 4G031 AA05 AA06 AA11 AA12 AA32 BA02 BA09 CA08 GA16 GA18 5G303 AA01 AB06 AB20 BA12 CA01 CB03 CB25 CB32 CB35 CB39 DA01
Claims (2)
- 【請求項１】チタンを主成分とする金属よりなる多孔性
の焼結体と、該焼結体表面の少なくとも一部に形成され
た一般式ＡＢＯ3（Ａは、Ｂａ，ＳｒまたはＰｂのうち
少なくとも１つ。Ｂは、ＺｒまたはＴｉのうち少なくと
も一つ。）で表わされるペロブスカイト型複合酸化物を
主成分とする誘電体膜と、該誘電体膜の表面に形成され
たＣＰｂＯ3（Ｃは、ＢａまたはＳｒのうち少なくとも
１つ。）導電性酸化物膜を対向電極として備えることを
特徴するコンデンサ。 - 【請求項２】チタンを主成分とする金属よりなる多孔性
の焼結体を、Ａイオン（Ａは、Ｂａ，ＳｒまたはＰｂの
うち少なくとも一つ。）とＢイオン（Ｂは、Ｚｒまたは
Ｔｉのうち少なくとも一つ。）を含むアルカリ水溶液中
で加熱処理し、多孔性の焼結体表面に一般式ＡＢＯ3薄
膜（Ａは、Ｂａ，ＳｒまたはＰｂのうち少なくとも１
つ。Ｂは、ＺｒまたはＴｉのうち少なくとも一つ。）を
形成し、さらに、ＡＢＯ3薄膜が形成された多孔性焼結
体をＣイオン（Ｃは、ＢａまたはＳｒのうち少なくとも
一つ。）とＰｂイオンを含むアルカリ水溶液中で加熱処
理し、導電性のＣＰｂＯ3薄膜（Ｃは前記と同じ意味を
表わす。）を形成することを特徴とするコンデンサの製
造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10246824A JP2000077274A (ja) | 1998-09-01 | 1998-09-01 | コンデンサおよびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10246824A JP2000077274A (ja) | 1998-09-01 | 1998-09-01 | コンデンサおよびその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000077274A true JP2000077274A (ja) | 2000-03-14 |
Family
ID=17154247
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10246824A Pending JP2000077274A (ja) | 1998-09-01 | 1998-09-01 | コンデンサおよびその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2000077274A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2003042425A1 (fr) * | 2001-11-12 | 2003-05-22 | Toho Titanium Co., Ltd. | Film d'oxyde de titane composite, procede de production associe et condensateur electrolytique de titane |
| JP2010074049A (ja) * | 2008-09-22 | 2010-04-02 | Sanyo Electric Co Ltd | 固体電解コンデンサ |
-
1998
- 1998-09-01 JP JP10246824A patent/JP2000077274A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2003042425A1 (fr) * | 2001-11-12 | 2003-05-22 | Toho Titanium Co., Ltd. | Film d'oxyde de titane composite, procede de production associe et condensateur electrolytique de titane |
| JP2010074049A (ja) * | 2008-09-22 | 2010-04-02 | Sanyo Electric Co Ltd | 固体電解コンデンサ |
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