JP2000077297A - ウェハへのレチクルパターンの転写方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】ウェハにレチクルパターンを転写する際の制御
を容易にし、しかもその作業の高速化も図ることができ
るようにする。 【解決手段】レチクル１に対向させたウェハ２をレチク
ル１に対して相対回転させながらウェハ２への露光を行
うことにより、複数のレチクルパターンをウェハ２の周
方向に配列させるようにしてウェハ２の表面に順次投影
する露光処理工程と、ウェハ２の表面のうち露光処理工
程によってレチクルパターンが投影されていない部分を
レチクル１に対向させるように、ウェハ２をレチクル１
に対して相対移動させる露光位置変更工程とを有してお
り、露光処理工程と露光位置変更工程とを複数回にわた
って交互に繰り返す。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【技術分野】本願発明は、シリコンウェハなどのウェハ
の表面にレチクルパターンを露光処理によって転写する
ための技術に関する。

【０００２】本願明細書でいうレチクルパターンとは、
レチクルに描画されたパターンを意味する。レチクルと
は、狭義には、ホトリピータの露光によってホトマスク
（マスタマスク）の製造に用いられる原板をいうが、本
願明細書でいうレチクルとは、ウェハステッパで用いら
れる露光用のマスクを意味する。

【０００３】

【従来の技術】周知のとおり、シリコンウェハなどのウ
ェハの表面にレチクルパターンを転写するには、ステッ
パ（レンズ縮小投影型露光機）を利用するのが一般的で
ある。また、レチクルパターンの転写方式としては、一
括転写方式と、ステップ・アンド・リピート方式とがあ
る。前者の方式は、多数のレチクルパターンを一括して
ウェハの表面に転写するために作業の高速性には優れる
ものの、ステッパやレチクルが大掛かりとなり、設備コ
ストやレチクルの製造コストが非常に高価となる。そこ
で、一般的には、後者のステップ・アンド・リピート方
式が多用されている。

【０００４】従来におけるステップ・アンド・リピート
方式によるレチクルパターンの転写方法は、図１７
（ａ）に示すように、まず、ウェハ８を互いに直交する
Ｘ，Ｙ方向に移動自在なステージ（図示略）上に載置
し、その表面に１つのレチクルパターン９ａを転写す
る。その後は、同図（ｂ）に示すように、ウェハ８をＸ
方向に一定ピッチずつステップ送りさせながら、そのス
テップ送りのたびに露光を行うことにより、第１列の複
数のレチクルパターン９ａ〜９ｄを転写する。次いで、
上記ウェハ８をＹ方向およびＸ方向に移動させてから、
先の第１列の場合と同様に、ウェハ８をやはりＸ方向に
一定ピッチずつステップ送りさせながら露光を行うこと
により、同図（ｃ）に示すように、第２列の複数のレチ
クルパターン９ｅ〜９ｊを転写する。以後は、上記と同
様にして、ウェハ８をＹ方向およびＸ方向に移動させな
がら、露光処理を繰り返す。すると、同図（ｄ）に示す
ように、ウェハ８の表面には、複数のレチクルパターン
９を縦横に整列させて転写することができる。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記従
来の手段では、円形状のウェハ８内においてレチクルパ
ターン９をＸ方向とＹ方向とに直線的に配列させるよう
にしているに過ぎない。このため、従来では、ウェハ８
の外部にレチクルパターン９をはみ出さないようにし
て、ウェハ８の表面上に多数のレチクルパターン９をス
ペース効率良く転写できるようにするためのウェハ８の
移動制御が煩雑なものとなっていた。また、従来では、
ウェハ８のステップ送りを全て直線的な移動により行わ
せているが、このような直線的な動作はウェハ８を極め
て高い精度で高速で位置決めするにはさほど適する動作
ではなく、作業の高速化の点おいても未だ改善すべき余
地があった。その他、従来では、レチクルパターン９の
外形を矩形状にしているが、このような形状では、ウェ
ハ８の周縁部においてレチクルパターン９を有効に転写
できない領域が広い面積で発生する場合が多く、ウェハ
８に多くの無駄が発生する場合もあった。

【０００６】本願発明は、このような事情のもとで考え
出されたものであって、ウェハにレチクルパターンを転
写する際の制御を容易にし、しかもその作業の高速化も
図ることができるようにすることをその課題としてい
る。

【０００７】

【発明の開示】上記の課題を解決するため、本願発明で
は、次の技術的手段を講じている。

【０００８】本願発明によって提供されるウェハへのレ
チクルパターンの転写方法は、レチクルに対向させたウ
ェハを上記レチクルに対して相対回転させながら上記ウ
ェハへの露光を行うことにより、複数のレチクルパター
ンを上記ウェハの周方向に配列させるようにして上記ウ
ェハの表面に順次投影する露光処理工程と、上記ウェハ
の表面のうち上記露光処理工程によってレチクルパター
ンが投影されていない部分を上記レチクルに対向させる
ように、上記ウェハを上記レチクルに対して相対移動さ
せる露光位置変更工程とを有しており、かつ上記露光処
理工程と露光位置変更工程とを複数回にわたって交互に
繰り返すことに特徴づけられる。

【０００９】本願発明においては、１回目の露光処理工
程によってウェハの表面に複数のレチクルパターンをウ
ェハの周方向に並べるように投影することができ、その
後露光位置変更工程を経て２回目の露光処理工程を行う
と、上記１回目の露光処理工程ではレチクルパターンを
投影することができなかった領域に対して複数のレチク
ルパターンをウェハの周方向に並べるように投影するこ
とできる。したがって、露光処理工程と露光位置変更工
程とを複数回にわたって交互に繰り返すことによって、
ウェハの表面の広い領域に対して、複数のレチクルパタ
ーンを放射状に配列したかたちで適切に転写することが
できることとなる。

【００１０】本願発明では、たとえばウェハの中心から
所定距離の一定領域にウェハの周方向に並ぶ複数のレチ
クルパターンを投影させた後には、その領域よりもウェ
ハの中心から遠く離れた外側領域あるいはウェハの中心
寄りの内側領域にウェハの周方向に並ぶ複数のレチクル
パターンを投影するといった工程を繰り返すことによっ
て、ウェハの周方向に並ぶレチクルパターンの投影領域
をウェハの半径方向に順次広げてゆくことができる。し
たがって、円形状のウェハの外部にレチクルパターンが
はみ出さないようにして、ウェハの表面の広い領域にレ
チクルパターンを多数転写させるためのウェハの移動制
御は、レチクルパターンを互いに直交するＸ，Ｙの２方
向に直線的に配列させていた従来の手段と比較すると、
かなり容易なものにできる。また、本願発明の露光処理
工程では、ウェハの回転動作によってウェハのステップ
送りを行えばよく、これはウェハを回転させるためのモ
ータの回転角度を制御することによって高速でかつ高精
度で行うことができる。したがって、ウェハを常に直線
的に移動させていた従来の手段よりも作業の高速化を図
ることも可能となる。

【００１１】本願発明の好ましい実施の形態では、上記
レチクルパターンの外形は、２等辺三角形であり、上記
ウェハの表面には、２等辺三角形の頂角が上記ウェハの
中心側を向く複数のレチクルパターンと、それら複数の
レチクルパターンどうしの隙間を埋めるように２等辺三
角形の頂角が上記ウェハの外周縁側を向く複数のレチク
ルパターンとを投影させる構成とすることができる。

【００１２】このような構成によれば、２等辺三角形の
頂角がウェハの中心側を向く複数のレチクルパターンが
投影された部分の間に、それらのレチクルパターンとは
逆三角形の向きとなっている複数のレチクルパターンを
有効に投影することができる。したがって、ウェハの表
面には多数のレチクルパターンを面積効率良く転写する
ことができる。また、レチクルパターンの外形を２等辺
三角形とすれば、ウェハの利用率が高まる効果も期待で
きる。すなわち、レチクルパターンの外形を矩形状にし
た場合においては、ウェハの外周縁部の狭い領域におい
てそのレチクルパターンを有効に転写することができな
くなる場合であっても、レチクルパターンの外形が２等
辺三角形であれば、そのようなスペースにおいてもレチ
クルパターンを有効に転写できる場合が多くあり、ウェ
ハの無駄を少なくできる可能性を高めることが可能とな
る。

【００１３】本願発明の他の好ましい実施の形態では、
上記２等辺三角形の頂角αは、α＝３６０／ｎ₁ 〔°〕
である（ただし、ｎ₁ は３以上の自然数である）。

【００１４】このような構成によれば、レチクルパター
ンの２等辺三角形の頂角αが、３６０°の角度を半端が
生じないように等分できる角度であるから、ウェハの中
心周り（すなわち、ウェハの中心部の３６０°の角度範
囲）に複数のレチクルパターンを放射状に並べるように
投影させる場合には、それら複数のレチクルパターンど
うしを互いに隙間が生じないように配列することができ
る。したがって、ウェハの表面に無駄なスペースが一層
生じないようにできる。

【００１５】本願発明の他の好ましい実施の形態では、
上記２等辺三角形の長さが等しい二辺のそれぞれの投影
長さＬは、Ｌ＝Ｒ／ｎ₂ である（ただし、Ｒはウェハの
半径であり、ｎ₂ は２以上の自然数である）。

【００１６】このような構成によれば、レチクルパター
ンの外形である２等辺三角形の二辺の投影長さＬは、ウ
ェハの半径を半端が生じないように等分できる長さであ
るから、レチクルパターンをウェハの中心からウェハの
外周縁に向けて並べるように投影した場合には、上記ウ
ェハの半径を丁度複数に等分するように複数のレチクル
パターンをウェハの半径方向に並べることができる。し
たがって、ウェハの外周縁部分においてレチクルパター
ンの転写がなされない無駄なスペース領域が広い面積で
発生することを一層適切に防止することが可能となる。

【００１７】本願発明のその他の特徴および利点につい
ては、次の発明の実施の形態の説明から、より明らかに
なるであろう。

【００１８】

【発明の実施の形態】以下、本願発明の好ましい実施の
形態について、図面を参照しつつ具体的に説明する。

【００１９】図１は、ウェハへのレチクルパターンの転
写方法に用いられるステッパの概略構造を示す側面断面
図である。図２は、レチクルパターンの外形の一例を示
す平面図である。図３は、レチクルパターンの外形の他
の例を示す平面図である。

【００２０】まず、図１に示すステッパＡの概略の構成
から説明する。このステッパＡは、ウェハ２を支持する
ステージ３の上方に、レチクル１とレンズ５とを配置し
た構造を有しており、上記レチクル１の上方には露光用
の光を発する光源（図示略）が設けられている。上記ス
テージ３は、ウェハ２の裏面をたとえば真空吸着するこ
とによってウェハ２を保持可能であり、互いに直交する
Ｘ，Ｙの水平方向（図４以降の各図に記載）に移動自在
であるとともに、このステージ３の中心線Ｃ周りに回転
自在である。このステッパＡは、光源から発せられた光
をレチクル１のレチクルパターンＰに通過させて、その
光をレンズ５を利用してウェハ２の表面に集束させるこ
とにより、ウェハ２の表面に上記レチクルパターンＰの
縮小画像を投影し、その転写（焼き付け）が行えるよう
に構成されたものである。上記ウェハ２の表面には、レ
チクルパターンの転写を可能とするフォトレジスト層
（図示略）が予め形成されている。

【００２１】上記レチクル１には、図２に示すように、
たとえば計４つのレチクルパターンＰ（Ｐａ〜Ｐｄ）が
設けられている。これら４つのレチクルパターンＰのそ
れぞれは、図３に示すように、それらの外形（全体の輪
郭）が、辺ａ，ｂ，ｃを有する２等辺三角形とされてお
り、長さが等しい二辺ａ，ｂに挟まれた頂角αは、たと
えば４５°とされている。また、上記二辺ａ，ｂのそれ
ぞれの長さＬ’は、上記レチクルパターンＰをウェハ２
の表面に縮小投影したときの長さＬが、ウェハ２の半径
Ｒを２以上の自然数によって割り切れる値となるように
設定されている。むろん、図面上は省略しているが、上
記２等辺三角形の内側には、電子回路やそれに付随する
配線部などを作製するためのパターンが作製されてい
る。

【００２２】図２において、計４つのレチクルパターン
Ｐ（Ｐａ〜Ｐｄ）は、これら全体の外形が１つのレチク
ルパターンＰと相似した２等辺三角形となるように互い
に隣接し合って並べられている。このように、１つのレ
チクル１に計４つのレチクルパターンＰ（Ｐａ〜Ｐｄ）
を設ければ、後述するように、１回の工程によって４つ
のレチクルパターンをウェハ表面に一括して転写するこ
とができ、転写作業能率を高めることができる。

【００２３】次に、上記ステッパＡを用いてウェハ２の
表面にレチクルパターンＰを実際に転写する工程につい
て説明する。

【００２４】ただし、内容の理解を容易にするため、上
記レチクル１には、図３で示したレチクルパターンＰが
１つだけ設けられているものとして説明する。また、ウ
ェハ２のサイズも小さなものとして説明する。ウェハ２
は、たとえばシリコンからなる半導体ウェハであり、そ
の形状は、図４に示すように、平面視円形状である。ま
た、このウェハ２の中心Ｏはステージ３の回転中心と一
致するようにステージ３上に位置決めされている。この
ウェハ２の外周縁の一部には、ウェハ２の位置基準とな
る切欠部２０が設けられている。

【００２５】上記ウェハ２の表面にレチクルパターンＰ
を多数転写するには、まず１回目の露光処理工程を行
う。この工程では、図４に示すように、まずウェハ２の
表面に１番目のレチクルパターンＰ₁ を投影する。この
１番目のレチクルパターンＰ₁の投影は、２等辺三角形
の頂角部分の頂点をウェハ２の中心Ｏに一致させるよう
にして行う。その後は、ステージ３を回転させることに
より、ウェハ２を図４の矢印Ｎ１方向に４５°ずつ間欠
的に回転させながら、その回転動作のたびにステッパＡ
による露光処理を行う。これにより、図５に示すよう
に、ウェハ２の中心Ｏの周りには、計８つのレチクルパ
ターンＰ₁ 〜Ｐ₈ を放射状に並べて投影することができ
る。レチクルパターンＰ₁ 〜Ｐ₈ のそれぞれは頂角αが
４５°の２等辺三角形であるから、ウェハ２の中心Ｏの
周りには上記計８つのレチクルパターンＰ₁ 〜Ｐ₈ を隙
間なく並べて投影することができ、それら全体の輪郭を
正八角形とすることができる。

【００２６】次いで、１回目の露光位置変更工程を行
う。この工程は、図６に示すように、ステージ３をＸ，
Ｙ方向に移動させることにより、レチクルパターンＰ₈
に対向していたレチクル１がウェハ２に対して同図の矢
印Ｎ２方向に相対移動するようにウェハ２を直線移動さ
せて、レチクルパターンＰ₉ を投影可能に設定する工程
である。これにより、ウェハ２の表面に投影されるレチ
クルパターンの２等辺三角形の向きを先のレチクルパタ
ーンＰ₁ 〜Ｐ₈ とは反対の向きに設定することができ
る。上記レチクルパターンＰ₉ の投影位置は、たとえば
その底辺部分が先のレチクルパターンＰ₄ の底辺部分に
隣接する位置である。

【００２７】その後は、２回目の露光処理工程を行う。
この工程は、１回目の露光処理工程と同様な工程であ
り、上記レチクルパターンＰ₉ をウェハ２の表面に投影
した後に、ステージ３を回転させることにより、ウェハ
２を同図の矢印Ｎ３方向に４５°ずつ間欠的に回転させ
ながら、その回転動作のたびにステッパＡによる露光処
理を行う工程である。このような工程によれば、図７に
示すように、上記計８つのレチクルパターンＰ₁ 〜Ｐ₈
の周囲に、計８つのレチクルパターンＰ₉ 〜Ｐ₁₆を等間
隔で放射状に配置して投影することができる。

【００２８】上記２回目の露光処理工程の後には、２回
目の露光位置変更工程を行う。この工程は、図８に示す
ように、ステージ３をＸ，Ｙ方向に移動させることによ
り、レチクルパターンＰ₁₆に対向していたレチクル１が
ウェハ２に対して同図の矢印Ｎ４方向に相対移動するよ
うにウェハ２を移動させて、レチクルパターンＰ₁₇を投
影可能に設定する工程である。これにより、ウェハ２の
表面に投影されるレチクルパターンの２等辺三角形の向
きを先のレチクルパターンＰ₁ 〜Ｐ₈ と同一の向きに復
帰させることができる。上記レチクルパターンＰ₉ の投
影位置は、先のレチクルパターンＰ₁₂に隣接する位置で
ある。

【００２９】その後は、３回目の露光処理工程を行う。
この工程は、１回目および２回目の露光処理工程と実質
的には同一手順の工程であり、ステージ３を回転させて
ウェハ２を同図の矢印Ｎ５方向に４５°ずつ間欠的に回
転させながら、その回転動作のたびにステッパＡによる
露光処理を行う工程である。このような工程によれば、
図９に示すように、先の計８つのレチクルパターンＰ₉
〜Ｐ₁₆のそれぞれの片側に、計８つのレチクルパターン
Ｐ₁₇〜Ｐ₂₄を等間隔で配置して投影することができる。

【００３０】上記工程の後には、３回目の露光位置変更
工程を行う。この工程は、図１０に示すように、ステー
ジ３をＸ，Ｙ方向に移動させることにより、レチクルパ
ターンＰ₂₄に対向していたレチクル１がウェハ２に対し
て同図の矢印Ｎ６方向に相対移動するようにウェハ２を
移動させて、レチクルパターンＰ₂₅を投影可能に設定す
る工程である。このレチクルパターンＰ₂₅の投影位置
は、先のレチクルパターンＰ₁₁，Ｐ₂₃に挟まれた位置で
ある。

【００３１】上記工程の後には、４回目の露光処理工程
を行う。この工程も、先の露光処理工程と実質的に同一
手順の工程であり、上記レチクルパターンＰ₂₅をウェハ
２の表面に投影した後に、ウェハ２を同図の矢印Ｎ７方
向に４５°ずつ間欠的に回転させながら、その回転動作
のたびにステッパＡによる露光処理を行う工程である。
これにより、図１１に示すように、計８つのレチクルパ
ターンＰ₂₅〜Ｐ₃₂を等間隔の放射状に配置させてウェハ
２の表面に投影することができる。

【００３２】上記した一連の作業によれば、円形状のウ
ェハ２の表面に計３２個のレチクルパターンＰ₁ 〜Ｐ₃₂
をそれらの間に大きな隙間を生じさせないように密に並
べて転写することができる。また、ウェハ２に投影され
た各レチクルパターンの二辺の長さは、既述したとお
り、ウェハ２の半径を半端が生じないように２以上の自
然数で割り切れる値とされているために、上記計３２個
のレチクルパターンＰ₁〜Ｐ₃₂の形成領域は、ウェハ２
の外周をかたちどった円に内接した正八角形となる。し
たがって、上記ウェハ２の表面のうち、レチクルパター
ンの投影がなされない部分の面積を小さくし、ウェハ２
の利用率を高めることもできる。

【００３３】上記方法では、ウェハ２に直線移動と回転
移動とを行わせているが、ウェハ２を直線移動させる頻
度は非常に少なく、ウェハ２の移動の大部分は回転移動
によって行われており、しかもその回転角度は等角度の
ステップ送りとされている。したがって、レチクルパタ
ーンの投影に必要なウェハ２のステップ送りの制御が非
常に簡単となり、しかもそのステップ送りを高速で、か
つ正確に行うことが可能となる。

【００３４】上記説明では、理解を容易にするために、
投影されたレチクルパターンに比べてウェハ２のサイズ
が比較的小さい場合を一例として説明したが、たとえば
図１２に示すように、サイズが比較的大きなウェハ２Ａ
を対象とする場合であっても、上述した一連の工程と同
様な工程を繰り返して実行すれば、上記ウェハ２Ａの中
心Ｏの周りに多数のレチクルパターンＰ’を放射状に並
べて効率良く投影することが可能である。本願発明に係
る方法では、ウェハ２Ａの中心Ｏの周りに放射状に並べ
て投影されるレチクルパターンＰ’の領域をウェハ２Ａ
の半径方向に徐々に広げてゆくことによって、ウェハ２
Ａの略全面に多数のレチクルパターンを順次投影するこ
とができるのである。

【００３５】レチクル１として、図２で示した計４つの
レチクルパターンＰ（Ｐａ〜Ｐｄ）を有するものを用い
れば、たとえば１回の露光工程によって、図１１の符号
Ｎ８で示す領域の計４つのレチクルパターンＰ₁ ，
Ｐ₁₄，Ｐ₁₉，Ｐ₃₀に相当するパターンをウェハの表面に
一括して投影することができ、作業速度を４倍の速度に
高めることが可能である。なお、計４つのレチクルパタ
ーンＰ（Ｐａ〜Ｐｄ）を有するレチクルを用いる場合で
あっても、上記４つのレチクルパターンＰ（Ｐａ〜Ｐ
ｄ）の全体の外形は、先のレチクルパターンＰの外形と
相似形の２等辺三角形であるから、先に述べた一連の作
業工程と同様な工程によって複数のレチクルパターンの
投影作業を進めてゆけばよい。

【００３６】上記複数のレチクルパターンＰの転写処理
が施されたウェハ２は、次のようにして、そのダイシン
グ作業も円滑に行うことができる。

【００３７】すなわち、ウェハ２をたとえばダイヤモン
ドカッタを用いて切断する場合には、まずウェハ２を図
１３に示す角度位相に設定した状態において、Ｙ方向に
延びる直線Ｌ１〜Ｌ３に沿ってダイヤモンドカッタを移
動させる。この場合、直線Ｌ１の部分については、その
直線通りにウェハ２を切断する。これに対し、直線Ｌ
２，Ｌ３の部分については、レチクルパターンＰ₁ ，Ｐ
₂ ，Ｐ₄ ，Ｐ₅ を切断しないように非連続状に切断す
る。これにより、複数のレチクルパターンの外形線のう
ち、図１３に示すウェハ２の角度においてＹ方向に延び
る外形線の各所を切断することができる（図１３〜図１
６においては、ウェハ２の切断箇所を太線で示してい
る）。次いで、ウェハ２を矢印Ｎ９方向に４５°回転さ
せて、図１４に示す角度位相に設定してから、Ｙ方向に
延びる直線Ｌ１〜Ｌ３に沿ってダイヤモンドカッタを移
動させ、先の図１３に示した場合と同様にウェハ２を切
断する。以後は、上記同様に、ウェハ２を矢印Ｎ９方向
に等角度で回転させつつ、その回転のたびにウェハ２の
Ｙ方向の切断を行う。すると、複数のレチクルパターン
Ｐ ₁ 〜Ｐ₃₂の２等辺三角形の各辺のうち、長さが等しい
二辺に相当する部分の全てについての切断作業を行うこ
とができる。

【００３８】また、図１５に示すように、ウェハ２の角
度位相を先の図１３に示す角度位相とは２２．５°だけ
ずらせた状態にすると、複数のレチクルパターンの底辺
に相当する４箇所の直線部分をＹ方向に沿わせることが
できる。したがって、このような状態において、ダイヤ
モンドカッタをＹ方向に延びる直線Ｌ４〜Ｌ７に沿って
移動させれば、上記４箇所の直線部分を簡単に切断する
ことができる。その後は、上記ウェハ２を矢印Ｎ１０方
向に４５°回転させて、図１６に示す角度位相に設定し
てから、やはり先の場合と同様に、直線Ｌ４〜Ｌ７に沿
ってダイヤモンドカッタを移動させる。このような工程
を繰り返せば、複数のレチクルパターンの２等辺三角形
の各辺のうち、底辺に相当する部分の全てについて順次
効率良く切断することができる。したがって、２等辺三
角形状の半導体チップを適切に得ることができる。

【００３９】むろん、ウェハ２のダイシング作業では、
ダイヤモンドカッタに代えて、レーザ照射装置を用いて
もよいが、この場合についても上述したのと同様な工程
でダイシングを行うことができる。また、ダイヤモンド
カッタやレーザ照射装置を移動させる手段に代えて、ウ
ェハ２をＹ方向に直線移動させるようにしてもよい。さ
らに、図１３に示すＬ１〜Ｌ３に沿ったウェハ２の切断
作業が終了した後に、ウェハ２を４５°ずつ回転させる
手段に代えて、たとえばウェハ２を２２．５°ずつ回転
させる手段を適用することもできる。このような手段に
よれば、図１３に示したウェハ２の切断作業が終了した
後には、ウェハ２が図１５に示す角度位相となるため、
複数のレチクルパターンの底辺に相当する部分の切断作
業を実行することができる。そして、その後は、さらに
ウェハ２を２２．５°だけ回転させることによって、図
１４に示した切断作業を行うことができ、レチクルパタ
ーンの辺ａ，ｂに対応する部分の切断作業と底辺ｃに対
応する部分の切断作業とを交互に行うことによって、２
等辺三角形状の半導体チップを得ることができる。ま
た、図１２に示したウェハ２Ａのダイシングも、上述し
たのと同様な方法で行うことができる。

【００４０】本願発明に係るウェハへのレチクルパター
ンの転写方法の具体的な構成は、上述した実施形態に限
定されず、各作業工程の具体的な構成は種々に変更自在
である。

【００４１】上記実施形態では、レチクルパターンの外
形を頂角が４５°の２等辺三角形とし、ウェハ２の中心
Ｏの周りに複数のレチクルパターンを隙間なく放射状に
並べて投影できるようにしているが、本願発明はこれに
限定されない。本願発明では、２等辺三角形の頂角α
を、α＝３６０／Ｎ₁ 〔°〕の関係（ただし、Ｎ₁ は３
以上の自然数である）にすれば、複数のレチクルパター
ンをウェハの中心周りに隙間なく放射状に並べることが
可能である。ただし、本願発明は、レチクルパターンの
外形を、上述の式の関係を満たさない２等辺三角形にし
てもよいことは勿論のこと、レチクルパターンの外形を
三角形以外の形状にしてもかまわない。本願発明に係る
方法は、レチクルパターンの外形を、たとえば四角形状
に形成した場合にも適用することが可能である。

【００４２】その他、本願発明では、ウェハをレチクル
に対して相対回転させながら行う露光処理工程と、この
露光処理工程の後に行う露光位置変更工程との具体的な
繰り返し回数は、レチクルパターンのサイズとウェハの
サイズとの関係に左右されるものであり、その具体的な
回数もとくに限定されるものではない。むろん、ウェハ
の種類なども限定されない。ウェハは、必ずしも真円で
なくてもよく、外周の一部に比較的大きな切欠部が設け
られていてもよい。

【図面の簡単な説明】

【図１】ウェハへのレチクルパターンの転写方法に用い
られるステッパの概略構造を示す側面断面図である。

【図２】レチクルパターンの外形の一例を示す平面図で
ある。

【図３】レチクルパターンの外形の他の例を示す平面図
である。

【図４】レチクルパターンの転写方法の工程を示す平面
図である。

【図５】レチクルパターンの転写方法の工程を示す平面
図である。

【図６】レチクルパターンの転写方法の工程を示す平面
図である。

【図７】レチクルパターンの転写方法の工程を示す平面
図である。

【図８】レチクルパターンの転写方法の工程を示す平面
図である。

【図９】レチクルパターンの転写方法の工程を示す平面
図である。

【図１０】レチクルパターンの転写方法の工程を示す平
面図である。

【図１１】レチクルパターンの転写が終了した状態を示
す平面図である。

【図１２】大径のウェハにレチクルパターンを転写した
状態を示す一部省略平面図である。

【図１３】ダイシング工程を示す平面図である。

【図１４】ダイシング工程を示す平面図である。

【図１５】ダイシング工程を示す平面図である。

【図１６】ダイシング工程を示す平面図である。

【図１７】（ａ）〜（ｄ）は、従来のレチクルパターン
の転写方法を示す説明図である。

【符号の説明】

Ａ ステッパ Ｐ レチクルパターン １ レチクル ２ ウェハ ３ ステージ ５ レンズ

Claims (4)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 レチクルに対向させたウェハを上記レチ
   クルに対して相対回転させながら上記ウェハへの露光を
   行うことにより、複数のレチクルパターンを上記ウェハ
   の周方向に配列させるようにして上記ウェハの表面に順
   次投影する露光処理工程と、 上記ウェハの表面のうち上記露光処理工程によってレチ
   クルパターンが投影されていない部分を上記レチクルに
   対向させるように、上記ウェハを上記レチクルに対して
   相対移動させる露光位置変更工程とを有しており、か
   つ、 上記露光処理工程と露光位置変更工程とを複数回にわた
   って交互に繰り返すことを特徴とする、ウェハへのレチ
   クルパターンの転写方法。
2. 【請求項２】 上記レチクルパターンの外形は、２等辺
   三角形であり、上記ウェハの表面には、２等辺三角形の
   頂角が上記ウェハの中心側を向く複数のレチクルパター
   ンと、それら複数のレチクルパターンどうしの隙間を埋
   めるように２等辺三角形の頂角が上記ウェハの外周縁側
   を向く複数のレチクルパターンとを投影させる、請求項
   １に記載のウェハへのレチクルパターンの転写方法。
3. 【請求項３】 上記２等辺三角形の頂角αは、α＝３６
   ０／ｎ₁ 〔°〕である（ただし、ｎ₁ は３以上の自然数
   である）、請求項２に記載のウェハへのレチクルパター
   ンの転写方法。
4. 【請求項４】 上記２等辺三角形の長さが等しい二辺の
   それぞれの投影長さＬは、Ｌ＝Ｒ／ｎ₂ である（ただ
   し、Ｒはウェハの半径であり、ｎ₂ は２以上の自然数で
   ある）、請求項２または３に記載のウェハへのレチクル
   パターンの転写方法。