JP2000077387A - レジスト除去方法及びその装置 - Google Patents
レジスト除去方法及びその装置Info
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- JP2000077387A JP2000077387A JP10242717A JP24271798A JP2000077387A JP 2000077387 A JP2000077387 A JP 2000077387A JP 10242717 A JP10242717 A JP 10242717A JP 24271798 A JP24271798 A JP 24271798A JP 2000077387 A JP2000077387 A JP 2000077387A
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- Oxygen, Ozone, And Oxides In General (AREA)
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- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 実用に耐えるオゾンアッシング技術を提供す
る。 【解決手段】 レジストを塗布した半導体基板を装着し
ているチャンバー内を、大気圧以下の減圧雰囲気に保持
し、このチャンバー内に１０〜４０vol％のオゾン濃度
のオゾンガスを供給し、室温〜３００℃の温度条件で半
導体基板に塗布されているレジストを除去する。
る。 【解決手段】 レジストを塗布した半導体基板を装着し
ているチャンバー内を、大気圧以下の減圧雰囲気に保持
し、このチャンバー内に１０〜４０vol％のオゾン濃度
のオゾンガスを供給し、室温〜３００℃の温度条件で半
導体基板に塗布されているレジストを除去する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、ウエハー等の半導
体基板に塗布されたレジストを除去する技術に関する。
体基板に塗布されたレジストを除去する技術に関する。
【０００２】
【従来の技術】現在、ＩＣ、液晶分野の量産工程で実用
化されているレジストアッシング技術は、酸素プラズマ
によるものが主流である。しかし、プラズマを使用する
アッシングでは、下地にダメージを与えることかあるだ
けでなく、イオン注入などを経た変質レジストに対して
完全なアッシングができず、硫酸主体の湿式アッシング
との併用が余儀なくされている。そこで、近年、オゾン
を使用したプラズマレスのアッシング技術が提案されて
いる。
化されているレジストアッシング技術は、酸素プラズマ
によるものが主流である。しかし、プラズマを使用する
アッシングでは、下地にダメージを与えることかあるだ
けでなく、イオン注入などを経た変質レジストに対して
完全なアッシングができず、硫酸主体の湿式アッシング
との併用が余儀なくされている。そこで、近年、オゾン
を使用したプラズマレスのアッシング技術が提案されて
いる。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】ところが、従来のオゾ
ンを使用したプラズマレスのアッシング技術では、アッ
シング速度が酸素プラズマアッシングのものに比べて大
きく劣り、実用化レベルに達していないのが実情であ
る。本発明はこのような点に着目し、実用に耐えるオゾ
ンアッシング技術を提供することを目的とする。
ンを使用したプラズマレスのアッシング技術では、アッ
シング速度が酸素プラズマアッシングのものに比べて大
きく劣り、実用化レベルに達していないのが実情であ
る。本発明はこのような点に着目し、実用に耐えるオゾ
ンアッシング技術を提供することを目的とする。
【０００４】
【課題を解決するための手段】上述の目的を達成するた
めに本発明は、レジストを塗布した半導体基板を装着し
ているチャンバー内を、大気圧以下の減圧雰囲気に保持
し、このチャンバー内に１０〜４０vol％のオゾン濃度
のオゾンガスを供給し、室温〜３００℃の温度条件で半
導体基板に塗布されているレジストを除去するように構
成してある。請求項２に記載の発明は、チャンバーに供
給するオゾンガスを、オゾナイザーで発生させたオゾン
を吸着式濃縮装置で濃縮することにより得るようにして
いる。また、請求項３に記載の発明は、上述のレジスト
を除去するための装置であり、オゾンガス濃縮装置と、
このオゾン濃縮装置から導出した高濃度オゾンを貯蔵す
る貯蔵槽と、オゾン貯蔵槽にマスフローコントローラを
介装した高濃度オゾン供給路で連通接続されているレジ
ストアッシングチャンバーとで構成したことを特徴とし
ている。
めに本発明は、レジストを塗布した半導体基板を装着し
ているチャンバー内を、大気圧以下の減圧雰囲気に保持
し、このチャンバー内に１０〜４０vol％のオゾン濃度
のオゾンガスを供給し、室温〜３００℃の温度条件で半
導体基板に塗布されているレジストを除去するように構
成してある。請求項２に記載の発明は、チャンバーに供
給するオゾンガスを、オゾナイザーで発生させたオゾン
を吸着式濃縮装置で濃縮することにより得るようにして
いる。また、請求項３に記載の発明は、上述のレジスト
を除去するための装置であり、オゾンガス濃縮装置と、
このオゾン濃縮装置から導出した高濃度オゾンを貯蔵す
る貯蔵槽と、オゾン貯蔵槽にマスフローコントローラを
介装した高濃度オゾン供給路で連通接続されているレジ
ストアッシングチャンバーとで構成したことを特徴とし
ている。
【０００５】
【作用】本発明では、オゾン濃度が１０〜４０vol％と
いう高濃度オゾンを使用し、大気圧以下の減圧雰囲気
で、かつ、室温〜３００℃という比較的低温条件でレジ
ストを除去することにより、５０００Å／min(５００nm
／min)程度の実用に耐えるアッシング速度を得ることが
でき、基板にダメージを与えることなくレジストを除去
することができる。
いう高濃度オゾンを使用し、大気圧以下の減圧雰囲気
で、かつ、室温〜３００℃という比較的低温条件でレジ
ストを除去することにより、５０００Å／min(５００nm
／min)程度の実用に耐えるアッシング速度を得ることが
でき、基板にダメージを与えることなくレジストを除去
することができる。
【０００７】
【発明の実施の形態】図１は実施形態の一例を示す概念
図である。このレジスト除去装置は、酸素貯蔵容器(１)
から導出した酸素供給路(２)をオゾナイザー(３)に接続
し、オゾナイザー(３)から導出したオゾン供給路(４)を
吸着式のオゾン濃縮装置(５)に接続し、オゾン濃縮装置
(５)から導出した高濃度オゾン導出路(６)をオゾン貯蔵
槽(７)に接続し、オゾン貯蔵槽(７)から導出した高濃度
オゾン供給路(８)をレジストアッシングチャンバー(９)
に接続することにより構成してある。
図である。このレジスト除去装置は、酸素貯蔵容器(１)
から導出した酸素供給路(２)をオゾナイザー(３)に接続
し、オゾナイザー(３)から導出したオゾン供給路(４)を
吸着式のオゾン濃縮装置(５)に接続し、オゾン濃縮装置
(５)から導出した高濃度オゾン導出路(６)をオゾン貯蔵
槽(７)に接続し、オゾン貯蔵槽(７)から導出した高濃度
オゾン供給路(８)をレジストアッシングチャンバー(９)
に接続することにより構成してある。
【０００８】オゾン濃縮装置(５)の出口部分とレジスト
アッシングチャンバー(９)からオゾンガス排出路(10)が
連出してあり、このオゾンガス排出路(10)はオゾン分解
装置(11)に接続され、排出オゾンを分解して放出するよ
うに構成してある。また、オゾン濃縮装置(５)には、オ
ゾン回収容器(12)が接続してあり、このオゾン回収容器
(12)はオゾン濃縮装置(５)での吸着筒が異常圧力上昇し
た際に吸着筒内のガスを安全に放出回収するようになっ
ている。
アッシングチャンバー(９)からオゾンガス排出路(10)が
連出してあり、このオゾンガス排出路(10)はオゾン分解
装置(11)に接続され、排出オゾンを分解して放出するよ
うに構成してある。また、オゾン濃縮装置(５)には、オ
ゾン回収容器(12)が接続してあり、このオゾン回収容器
(12)はオゾン濃縮装置(５)での吸着筒が異常圧力上昇し
た際に吸着筒内のガスを安全に放出回収するようになっ
ている。
【０００９】オゾン濃縮装置(５)は、図２に示すよう
に、オゾンを選択吸着する吸着剤(13)を充填してなる吸
着筒(14)を３筒並列配置して構成してある。オゾンを選
択吸着する吸着剤(13)としては、純度９９.９５％以上
の高純度シリカゲルが使用されており、各吸着筒(14)の
外周にエタノールからなるブラインを貯蔵する冷却ジャ
ケット(15)を配置し、この冷却ジャケット(15)の外壁に
巻回したテープヒータでブライン層の温度制御を行うこ
とにより、吸着剤(13)の温度を間接的に制御している。
に、オゾンを選択吸着する吸着剤(13)を充填してなる吸
着筒(14)を３筒並列配置して構成してある。オゾンを選
択吸着する吸着剤(13)としては、純度９９.９５％以上
の高純度シリカゲルが使用されており、各吸着筒(14)の
外周にエタノールからなるブラインを貯蔵する冷却ジャ
ケット(15)を配置し、この冷却ジャケット(15)の外壁に
巻回したテープヒータでブライン層の温度制御を行うこ
とにより、吸着剤(13)の温度を間接的に制御している。
【００１０】そして、各吸着筒(14)はそれぞれ、オゾン
吸着工程、オゾン安定化兼昇圧工程、オゾン脱着工程、
冷却工程の４工程を１サイクルとして繰り返すように制
御してあり、各工程での所要時間を吸着工程をＴとした
場合、オゾン安定化兼昇圧工程をＴ／２、オゾン脱着工
程をＴ、冷却工程をＴ／２に設定し、各吸着筒(14)の運
転サイクルを１／３づつずらしてある。
吸着工程、オゾン安定化兼昇圧工程、オゾン脱着工程、
冷却工程の４工程を１サイクルとして繰り返すように制
御してあり、各工程での所要時間を吸着工程をＴとした
場合、オゾン安定化兼昇圧工程をＴ／２、オゾン脱着工
程をＴ、冷却工程をＴ／２に設定し、各吸着筒(14)の運
転サイクルを１／３づつずらしてある。
【００１１】このように構成したオゾン濃縮装置(５)で
は、３筒の吸着筒(14)のうちのいずれかの吸着筒(14)は
脱着工程となることから、濃縮されたオゾンリッチガス
が連続的に導出されることになる。なお、この脱着工程
で脱離したオゾンリッチガスのオゾン濃度はその工程中
に段階的に変化するが、オゾン貯蔵槽(７)に一旦導入す
ることにより、平均化され、この平均化されたオゾンリ
ッチガスがレジストアッシングチャンバー(９)に供給さ
れることになる。
は、３筒の吸着筒(14)のうちのいずれかの吸着筒(14)は
脱着工程となることから、濃縮されたオゾンリッチガス
が連続的に導出されることになる。なお、この脱着工程
で脱離したオゾンリッチガスのオゾン濃度はその工程中
に段階的に変化するが、オゾン貯蔵槽(７)に一旦導入す
ることにより、平均化され、この平均化されたオゾンリ
ッチガスがレジストアッシングチャンバー(９)に供給さ
れることになる。
【００１２】図中符号(16)はオゾン供給路(４)に装着し
たマスフローコントローラ、(17)は高濃度オゾン導出路
(６)に装着したマスフローメータ、(18)は高濃度オゾン
供給路(８)に装着したマスフローコントローラである。
また、符号(19)はレジストアッシングチャンバー(９)内
に配置されているヒータを埋込んだサセプター、(20)は
サセプター(19)上に載置されるウエハ等の半導体基板、
(21)はレジストアッシングチャンバー(９)を冷却するた
めの水冷パイプである。
たマスフローコントローラ、(17)は高濃度オゾン導出路
(６)に装着したマスフローメータ、(18)は高濃度オゾン
供給路(８)に装着したマスフローコントローラである。
また、符号(19)はレジストアッシングチャンバー(９)内
に配置されているヒータを埋込んだサセプター、(20)は
サセプター(19)上に載置されるウエハ等の半導体基板、
(21)はレジストアッシングチャンバー(９)を冷却するた
めの水冷パイプである。
【００１３】上述の構成からなるレジスト除去装置を使
用して、オゾナイザー(３)から発生した５vol％のオゾ
ンガスをオゾン濃縮装置(５)で４０vol％程度まで濃縮
し、この濃縮したオゾンガスをアッシングチャンバー
(９)内に供給して、レジストを塗布したウエハを処理す
る場合の実施例を次に説明する。なお、使用したウエハ
は膜厚２μmのレジスト膜を塗布した６インチウエハで
あった。
用して、オゾナイザー(３)から発生した５vol％のオゾ
ンガスをオゾン濃縮装置(５)で４０vol％程度まで濃縮
し、この濃縮したオゾンガスをアッシングチャンバー
(９)内に供給して、レジストを塗布したウエハを処理す
る場合の実施例を次に説明する。なお、使用したウエハ
は膜厚２μmのレジスト膜を塗布した６インチウエハで
あった。
【００１４】アッシングチャンバー(９)内でのサセプタ
ー(19)の温度を１４７℃、アッシングチャンバー(９)に
供給するガス流量を２００sccmに固定し、供給するオゾ
ン濃度を変化させた場合のアッシング速度を図３に示
す。この結果から、オゾン濃度が大きくなると直線的に
増加することがわかる。そして、オゾン濃度３０vol％
で、５０００Å／minの、また、オゾン濃度４０vol％
で、６０００Å／minのアッシング速度を得ることがで
きることがわかる。
ー(19)の温度を１４７℃、アッシングチャンバー(９)に
供給するガス流量を２００sccmに固定し、供給するオゾ
ン濃度を変化させた場合のアッシング速度を図３に示
す。この結果から、オゾン濃度が大きくなると直線的に
増加することがわかる。そして、オゾン濃度３０vol％
で、５０００Å／minの、また、オゾン濃度４０vol％
で、６０００Å／minのアッシング速度を得ることがで
きることがわかる。
【００１５】また、アッシングチャンバー(９)に供給す
るガス流量をガス流量を２００ｓｃｃｍに固定し、温度
サセプター（１９）の温度を変化させた場合のアッシン
グ速度を図４に示す。この結果から、オゾン濃度２５vo
l％の場合、温度の影響は極めて大きく、２００℃程度
までの温度範囲では、アッシング速度は温度の上昇とと
もに、指数関数的に大きくなっていることが解る。一
方、オゾナイザーから発生させたオゾンガスの濃度であ
るオゾン濃度５vol％の場合、１５０℃付近で飽和する
傾向が認められる。これは、温度が上がるにつれてアッ
シング反応速度も速くなるものの、１５０℃でアッシン
グ反応に必要なオゾンの絶対量そのものが足りない状態
になっていると考えられる。
るガス流量をガス流量を２００ｓｃｃｍに固定し、温度
サセプター（１９）の温度を変化させた場合のアッシン
グ速度を図４に示す。この結果から、オゾン濃度２５vo
l％の場合、温度の影響は極めて大きく、２００℃程度
までの温度範囲では、アッシング速度は温度の上昇とと
もに、指数関数的に大きくなっていることが解る。一
方、オゾナイザーから発生させたオゾンガスの濃度であ
るオゾン濃度５vol％の場合、１５０℃付近で飽和する
傾向が認められる。これは、温度が上がるにつれてアッ
シング反応速度も速くなるものの、１５０℃でアッシン
グ反応に必要なオゾンの絶対量そのものが足りない状態
になっていると考えられる。
【００１６】次に、アッシング温度を１２６℃、オゾン
濃度を２５vol％に固定した場合でのガス供給量とアッ
シング速度との関係を図５に示す。この図によれば、供
給ガス流量２００〜４００sccmの範囲で、アッシング速
度に大きな違いが見られない。このことから、レジスト
表面での反応速度が律速段階に入っていると考えられ
る。
濃度を２５vol％に固定した場合でのガス供給量とアッ
シング速度との関係を図５に示す。この図によれば、供
給ガス流量２００〜４００sccmの範囲で、アッシング速
度に大きな違いが見られない。このことから、レジスト
表面での反応速度が律速段階に入っていると考えられ
る。
【００１７】
【発明の効果】本発明では、オゾン濃度が１０〜４０vo
l％という高濃度オゾンを使用し、大気圧以下の減圧雰
囲気で、かつ、室温〜３００℃という比較的低温条件で
レジストを除去することにより、５０００Å／min(５０
０nm／min)〜６０００Å／min(６００nm／min)程度の実
用に耐えるアッシング速度を得ることができ、基板にダ
メージを与えることなくレジストを除去することができ
る。
l％という高濃度オゾンを使用し、大気圧以下の減圧雰
囲気で、かつ、室温〜３００℃という比較的低温条件で
レジストを除去することにより、５０００Å／min(５０
０nm／min)〜６０００Å／min(６００nm／min)程度の実
用に耐えるアッシング速度を得ることができ、基板にダ
メージを与えることなくレジストを除去することができ
る。
【図１】実施形態の一例を示す概念図である。
【図２】オゾン濃縮装置の概略構成図である。
【図３】オゾン濃度とアッシング速度との関係を示すグ
ラフである。
ラフである。
【図４】温度とアッシング速度との関係を示すグラフで
ある。
ある。
【図５】アッシングチャンバーに供給するガス流量とア
ッシング速度との関係を示すグラフである。
ッシング速度との関係を示すグラフである。
３…オゾナイザー、５…オゾン濃縮装置、９…チャンバ
ー、20…半導体基板。
ー、20…半導体基板。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Ｆターム(参考） 2H096 AA25 AA30 HA30 LA06 4G042 CA05 CB15 CE04 5F004 AA09 AA16 BB17 BB26 BD01 CA02 CA04 DA27 DB26 5F046 MA11 MA13
Claims (4)
- 【請求項１】 レジストを塗布した半導体基板(19)を装
着しているチャンバー(９)内を、大気圧以下の減圧雰囲
気に保持し、このチャンバー(９)内に１０〜４０vol％
のオゾン濃度のオゾンガスを供給し、室温〜３００℃の
温度条件で半導体基板(20)に塗布されているレジストを
除去するように構成したレジスト除去方法。 - 【請求項２】 オゾナイザー(３)で発生させたオゾンガ
スを吸着式のオゾン濃縮装置(５)で濃縮し、オゾン濃縮
装置(５)で濃縮された濃縮オゾンをチャンバー(９)に供
給するようにした請求項１に記載のレジスト除去方法。 - 【請求項３】 オゾンガスを濃縮するオゾン濃縮装置
(５)と、このオゾン濃縮装置(５)の下流側に配置したオ
ゾン貯蔵槽(７)と、オゾン貯蔵槽(７)に高濃度オゾン供
給路(８)で連通接続されているレジストアッシングチャ
ンバー(９)とからなり、高濃度オゾン供給路(８)にマス
フローコントローラ(19)が介装してあるレジスト除去装
置。 - 【請求項４】 オゾン濃縮装置(５)が吸着式のオゾン濃
縮装置(５)である請求項３に記載のレジスト除去装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10242717A JP2000077387A (ja) | 1998-08-28 | 1998-08-28 | レジスト除去方法及びその装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10242717A JP2000077387A (ja) | 1998-08-28 | 1998-08-28 | レジスト除去方法及びその装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000077387A true JP2000077387A (ja) | 2000-03-14 |
Family
ID=17093202
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10242717A Pending JP2000077387A (ja) | 1998-08-28 | 1998-08-28 | レジスト除去方法及びその装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2000077387A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008294170A (ja) * | 2007-05-23 | 2008-12-04 | Meidensha Corp | レジスト除去方法及びその装置 |
| JP2010123893A (ja) * | 2008-11-21 | 2010-06-03 | Meidensha Corp | エッチング方法及びその装置 |
| JP2010153773A (ja) * | 2008-11-21 | 2010-07-08 | Meidensha Corp | 基板処理方法とその装置、及び基板 |
| TWI406111B (zh) * | 2007-05-23 | 2013-08-21 | Meidensha Electric Mfg Co Ltd | Method for removing resist and device thereof |
| JP2020056064A (ja) * | 2018-10-01 | 2020-04-09 | 国立大学法人大阪大学 | フルオロカーボン膜の成膜方法及び成膜装置 |
-
1998
- 1998-08-28 JP JP10242717A patent/JP2000077387A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008294170A (ja) * | 2007-05-23 | 2008-12-04 | Meidensha Corp | レジスト除去方法及びその装置 |
| TWI406111B (zh) * | 2007-05-23 | 2013-08-21 | Meidensha Electric Mfg Co Ltd | Method for removing resist and device thereof |
| JP2010123893A (ja) * | 2008-11-21 | 2010-06-03 | Meidensha Corp | エッチング方法及びその装置 |
| JP2010153773A (ja) * | 2008-11-21 | 2010-07-08 | Meidensha Corp | 基板処理方法とその装置、及び基板 |
| JP2020056064A (ja) * | 2018-10-01 | 2020-04-09 | 国立大学法人大阪大学 | フルオロカーボン膜の成膜方法及び成膜装置 |
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