JP2000077693A - 半導体薄膜の製造方法及び太陽電池の製造方法 - Google Patents

半導体薄膜の製造方法及び太陽電池の製造方法

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Abstract

(57)【要約】 【課題】 半導体薄膜を損傷することなく基板から剥離
する方法と、基板を汚損することなく保持する方法を提
供する。 【解決手段】 基板１上に形成された半導体薄膜２を、
曲面を有する支持部材５の該曲面で支持しつつ、該支持
部材５を回動することにより、前記基板１から前記半導
体薄膜２を剥離することを特徴とする半導体薄膜の製造
方法を提供する。また、基板上に形成された半導体薄膜
を該基板から剥離する工程を有する半導体薄膜の製造方
法において、前記基板１を基板支持部材上に接着剤を介
することなく固定した後に前記剥離する工程を行なうこ
とを特徴とする半導体薄膜の製造方法を提供する。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は半導体薄膜の製造方
法に関し、特に半導体薄膜の剥離方法及び該半導体薄膜
を用いた太陽電池の製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体基板上に多孔質層などの剥離層を
介して半導体薄膜を形成し、しかるのち半導体基板から
半導体薄膜を剥離する技術が知られている。具体的な剥
離の方法としてはエッチングによる方法、外力を加えて
機械的に剥離する方法が挙げられる。
【０００３】後者に属するものとして、特開平７−３０
２８８９号公報（キヤノン）には第１のシリコンウェフ
ァ表面に多孔質層を形成したのちエピタキシャルシリコ
ン層を形成し、該エピタキシャルシリコン層に第２のシ
リコンウェファを貼り合わせ、さらにそれぞれのシリコ
ンウェファにプレートを接着し、該プレートを引き離す
ことにより、第１のシリコンウエファからエピタキシャ
ルシリコン層を剥離することが記載されている。
【０００４】特開平８−２１３６４５（ソニー）には、
上と同様に単結晶シリコン基板表面に多孔質層を形成し
たのちｐｎ接合（太陽電池層）をエピタキシャル成長さ
せ、該単結晶シリコン基板の裏面を接着剤により治具に
接着する一方、剥離すべき太陽電池層の側にたとえば金
属や石英などからなるもう一つの治具を接着し、しかる
のち両治具を引き離すことによりシリコン基板から太陽
電池層を剥離することが記載されている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】従来の技術による半導
体薄膜あるいは太陽電池層の剥離は、シリコン基板の側
と剥離される半導体薄膜の側のいずれも、剛体あるいは
可撓性の小さい平板で支持するため、剥離時に互いに貼
着した平板同士を引き離す状態となり多大な力を必要と
する。その結果利用すべき半導体薄膜が損傷するおそれ
がある。また、基板をプレートや治具に固定するために
接着剤を塗布・硬化する工程が必要で、生産性を低下さ
せる要因となっている。さらに、接着剤が基板裏面に残
り、残った基板を再生利用する場合に該接着剤を除去す
る工程が必要となり生産性を低下させる。そこで、本発
明は半導体薄膜を損傷することなく基板から簡易な方法
で剥離する方法を提供することを目的とする。また、本
発明は基板を汚損することなく保持する方法を提供する
ことを目的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明は、基板上に形成
された半導体薄膜を、曲面を有する支持部材の該曲面で
支持しつつ、該支持部材を回動することにより、前記基
板から前記半導体薄膜を剥離することを特徴とする半導
体薄膜の製造方法である。それにより、半導体薄膜を損
傷することなく基板から簡易な方法で剥離することがで
きる。このとき、前記曲面の曲率半径が剥離の進行に伴
って増大するようにすることが好ましい。また、本発明
は、基板上に形成された半導体薄膜を該基板から剥離す
る工程を有する半導体薄膜の製造方法において、該半導
体薄膜を剥離する外力の大きさが剥離の進行に伴って減
少することを特徴とする半導体薄膜の製造方法である。
【０００７】さらに、本発明は、基板上に形成された半
導体薄膜を該基板から剥離する工程を有する半導体薄膜
の製造方法において、前記基板を基板支持部材上に接着
剤を介することなく固定した後に前記剥離する工程を行
なうことを特徴とする半導体薄膜の製造方法である。そ
れにより、基板を汚損することなく固定することができ
る。前記基板の保持は真空吸着、静電吸着、又は固定爪
によることが好ましい。
【０００８】また、本発明は、基板上に分離層を形成
し、該分離層上に第１の導電型の半導体層と第２の導電
型の半導体層とを有する半導体薄膜を形成する工程と、
該半導体薄膜に透光性接着剤によって透光性フィルムを
貼着する工程と、該透光性フィルムに外力を印加して前
記半導体薄膜を前記基板から剥離する工程と、該剥離し
た半導体薄膜の裏面に電極を形成する工程とを有するこ
とを特徴とする太陽電池の製造方法である。さらに、本
発明は、基板上に分離層を形成し、該分離層上に第１の
導電型の半導体薄膜を形成する工程と、該第１の導電型
の半導体薄膜に透光性接着剤によって透光性フィルムを
貼着する工程と、該透光性フィルムに外力を印加して前
記第１の導電型の半導体薄膜を前記基板から剥離する工
程と、該剥離した第１の半導体薄膜の裏面に第２の導電
型の半導体薄膜を形成する工程と、該第２の導電型の半
導体薄膜上に電極を形成する工程とを有することを特徴
とする太陽電池の製造方法である。それにより、簡易な
工程で太陽電池を製造することができる。
【０００９】
【発明の実施の形態】図１は本発明の半導体薄膜の製造
方法の実施形態の一例を示す斜視図であり、剥離の途中
の様子を示している。以下、図１を参照して本例の剥離
の手順について説明する。
【００１０】（１）まず、基板１の表面に分離層を形成
し、該分離層上に半導体薄膜２を形成する。分離層とし
てはシリコン基板を陽極化成することによって形成した
多孔質層や、シリコン基板表面にＨ+（水素イオン）を
打ち込みアニールすることによって形成した剥離層を用
いることができる。また、分離層としてガラスや金属な
どの基板上に形成したグラファイト層なども用いること
ができる。このように準備した基板を、図１に示す基板
支持部材３と薄膜支持部材５とからなる剥離装置の基板
支持部材３上に、半導体薄膜２を上面にして接着剤を介
することなく載置・固定する。固定方法としては、物理
的な力を利用して密着する方法、具体的には、真空吸
着、静電吸着、固定爪などによる機械的な保持、あるい
はこれらの組み合わせなどを好適に用いることができ
る。これらの保持方法を用いると、半導体薄膜の剥離後
に残る基板を汚損しないため、該基板の再生利用に影響
を及ぼさないという利点がある。
【００１１】（２）次に半導体薄膜の表面に可撓性を有
するフィルム４を貼着する。フィルム４は基板２よりも
大きなものを用意し、基板２よりも外側に延在するよう
にしておく。フィルム４としてフィルム基材上に予め接
着剤が設けられている接着テープを用いると、接着剤の
塗布工程・硬化工程を省くことができ、生産性が著しく
向上するので好ましい。また、接着剤を半導体薄膜２に
配置した後にフィルム４を載置・固着するようにしても
よい。フィルム４の具体的な材料としてはポリエステ
ル、ポリカーボネート、ポリ塩化ビニル、エチレン−酢
酸ビニル共重合体、エチレン−エチルアクリレート共重
合体、ポリエチレン、ポリプロピレン、エチレン−プロ
ピレン共重合体、ポリエチレンテレフタレート、エチレ
ン−テトラフロロエチレン共重合体などを用いることが
できる。あるいは、鉄、銅、アルミニウム、ステンレス
等からなる金属薄膜をフィルム４として用いることがで
きる。その際フィルム４は導電性フィルムとなる。ま
た、フィルム４を半導体薄膜２に貼着するための接着剤
としてはアクリル樹脂、エポキシ樹脂、シリコーン樹
脂、フッ素樹脂などを用いることができる。
【００１２】フィルム４として接着テープを用いた場
合、接着テープを構成する接着剤として、活性化エネル
ギーの供給によって硬化する型の接着剤を用いると強固
な接着力が得られるため好適である。活性化エネルギー
としては紫外線、赤外線、電子線、エックス線、あるい
は超音波を用いることができる。
【００１３】接着剤を半導体薄膜２に配置した後、フィ
ルム４を貼着する場合、接着剤としてたとえばエチレン
−酢酸ビニル共重合体（ＥＶＡ）、エチレン−エチルア
クリレート共重合体（ＥＥＡ）などの透光性に優れた樹
脂を用いると、薄膜半導体２を太陽電池に適用する場合
に好適である。このような熱可塑性、又は熱硬化性樹脂
を用いる場合の一例は、シート状に形成された該接着剤
樹脂を半導体薄膜２に載置し、その上にフィルム４を載
置し、加熱圧着することによりフィルム４が半導体薄膜
２に貼着される。なお、上述の手順（１）（２）は逆に
してもよい。すなわちフィルム４を半導体薄膜２に貼着
した後に、基板１を基板支持部材３に固定する手順でも
よい。
【００１４】（３）基板１の外側に延在しているフィル
ム４の端部を、曲面を有する薄膜支持部材５に固定す
る。固定方法の一例としては、フィルム４の端部を薄膜
支持部材５の表面に設けられた溝７に差し込み、しかる
のち板状のフィルム固定部材６でフィルム４を押圧・固
定する。薄膜支持部材５は図１に示すように円筒状でも
よいし、図２（ａ）に示すように曲面が円周をなしてい
なくてもよい。半導体薄膜２の剥離開始時には比較的大
きな剥離力が必要なので、図３（ａ）に示すように剥離
の始まる基板端部に接する部分で曲率半径を小さくし、
図３（ｂ）に示すように剥離の進行に伴って曲率半径が
漸増するような曲面形状とすることが好ましい。たとえ
ば横断面が図２（ｂ）に示すような楕円形状やサイクロ
イド曲線、懸垂曲線などとすることにより実現できる。
かかる曲面形状により剥離開始時に十分な剥離力を発揮
するとともに、半導体薄膜の中心部分では比較的大きな
曲率半径で剥離するため半導体薄膜の損傷が小さいとい
う利点がある。剥離開始時に必要な比較的大きな剥離力
を得るための別の方法として剥離開始時の剥離速度を比
較的大きくし、剥離の進行に伴って剥離速度を小さくす
る方法が挙げられる。このような剥離速度の調整は薄膜
支持部材５を回動する速さを変化させることによって実
現できる。
【００１５】（４）続いて薄膜支持部材５を回動するこ
とにより、半導体薄膜２がフィルム４に貼着した状態で
剥離される。薄膜支持部材５を回動する際には、これが
基板支持部材３の上で滑らずに滑らかに回動することが
必要である。このために基板支持部材３と薄膜支持部材
５との当接部分に滑り防止手段を設けることが望まし
い。滑り防止手段としては、ローレット加工、ラック・
ピニオンギアなどを用いることができる。また、薄膜支
持部材５の曲面部分にゴムなどの弾性部材を設けること
により、半導体薄膜２へのダメージを軽減できるととも
に、薄膜支持部材５が半導体薄膜２の上で滑ることを防
ぐことができる。また、剥離の際に基板１と半導体薄膜
２との間に剥離補助力を印加してもよい。剥離補助力の
印加方法としては機械的に楔を打ち込む方法、流体の噴
流を噴射する方法、電磁波を与える方法などを適用する
ことができる。なお、本発明の方法によって製造された
半導体薄膜は太陽電池や発光ダイオード、電界効果トラ
ンジスタなどに適用することが出来る。
【００１６】〈剥離工程〉上述の一連の製造工程のう
ち、剥離工程の一例について以下図１０を用いて説明す
る。図１０は剥離工程の一例を説明するための模式的な
断面図である。
【００１７】まず、表面に分離層（不図示）を介して半
導体薄膜２を有する基板１上にフィルム４を貼りつけ、
この基板１を真空吸着によって基板支持部材３上に固定
する（図１０（１））。なお、フィルム４はその一端が
基板１からはみ出すように貼りつけられる。
【００１８】次に、基板支持部材３を上昇させ基板１上
のフィルム４を薄膜支持部材５に接触させる（図１０
（２））。
【００１９】つづいて、薄膜支持部材５に取り付けられ
ているフィルム固定部材６でフィルム４の一端を挾持固
定する（図１０（３））。
【００２０】次に、図１０（４）に示すように基板支持
部材３を左に移動させるとともに、薄膜支持部材５がそ
れに同期するように回動し剥離動作を開始する。なお、
基板支持部材３と薄膜支持部材５には、それぞれ、ラッ
ク、ピニオンが設けられている。
【００２１】基板支持部材３がさらに左に移動すること
で薄膜支持部材５がさらに回動し、剥離が進行する（図
１０（５））。
【００２２】薄膜支持部材５の回動により半導体薄膜２
が全て剥離し（図１０（６））た後、基板支持部材３を
下降させる（図１０（７））。
【００２３】〈基板保持の方法〉次に、真空吸着による
基板保持（固定）の例について説明する。図４は真空吸
着を用いて基板支持部材３ａ上に基板１を保持した状態
を示す模式的な断面図である。同図中、基板支持部材３
ａは脱気孔１０を有しており、脱気孔１０から排気する
ことによって真空乃至略真空の状態を現出し、基板１を
基板支持部材３ａの上に保持している。ここで、基板１
と基板支持部材３ａとの間に弾性部材を配置してもよ
い。それにより、基板１が多少撓んでも真空を維持でき
るため、半導体薄膜２の剥離力に対抗する真空吸着力を
増大することができる。弾性部材としては、脱気孔１０
に対応する孔を有するシリコーン樹脂シートなどを用い
ることができる。また、基板１の支持・固定のための保
持力は剥離開始点近傍で比較的大きくし、剥離開始点か
ら離れるにつれて小さくしてもよい。このような保持力
の制御は、たとえば脱気孔１０を剥離開始点近傍で密に
配置し、剥離開始点から離れるにつれて疎に配置するこ
とにより実現できる。
【００２４】続いて、単極型の静電吸着による基板保持
（固定）の例について説明する。図５は静電吸着を用い
て基板支持部材３ｂ上に基板１を保持した状態を示す模
式的な断面図である。同図中、基板支持部材３ｂはアル
ミナなどの絶縁体からなっており、内部に電極１１を有
している。そして例えば基板１を接地し、電極１１とア
ースとの間には直流電源を設ける。このようにして、電
極１１と基板１との間に電位差を与えることにより、基
板１を基板支持部材３ｂの上に保持する。
【００２５】次に、固定爪によって機械的に基板を保持
（固定）する例について説明する。図６は基板保持部材
３上に固定爪１３を設けて基板１を固定した状態を示す
模式的な断面図である。このように固定するには、例え
ばまず基板の周縁を斜めに削り、固定爪の掴み代を形成
しておき、固定爪１２により基板１を基板保持部材３の
上に保持する。固定爪を用いた別の保持例の模式的な断
面図を図７に示す。本例では、剥離開始点で半導体薄膜
２を破断しつつ、ナイフ状の固定爪１３を基板１に食い
込ませている。その際、剥離開始点で基板が浮かないよ
うに保持されていればその他の周縁部は固定しなくとも
よい。この方法によれば半導体薄膜の剥離の契機を与え
ることができると同時に基板保持を行うことができると
いう利点がある。
【００２６】〈薄膜支持部材〉薄膜支持部材５は剥離時
の薄膜支持のみならず、フィルム４を半導体薄膜２に貼
着する際にフィルム４の押圧手段として用いることもで
きる。この場合、フィルム４と半導体薄膜２の間に気泡
が残ることを防止することができ、接着力の低下を防止
することができる。また、フィルム４の接着剤の硬化に
加熱が必要な場合、薄膜支持部材５の内部に加熱手段を
内蔵させると、フィルム押圧と同時に加熱を行うことが
でき、作業性を向上させることができる。半導体薄膜２
の剥離のために前述のフィルム４を用いる代わりに、薄
膜支持部材５の本体に半導体薄膜２の保持固定手段を備
えていてもよい。保持固定手段としては前述と同様に真
空吸着、静電吸着、固定爪などを用いることができる。
フィルム４として金属薄膜を用いる場合には、保持固定
手段として電磁石を用いることができる。
【００２７】〈太陽電池への適用例１〉次に、本発明の
半導体薄膜の製造方法を太陽電池の製造に適用した例を
図８を用いて説明する。図８は、本発明の太陽電池の製
造方法を説明するための模式的な断面図である。
【００２８】以下、順を追って説明する。まず、ｐ＋単
結晶シリコン基板１を弗酸溶液中で陽極化成することに
より表面に多孔質層１６を形成し、これを分離層とす
る。多孔質層を水素アニールすることにより表面を平坦
化した後、ｐ−シリコン層をエピタキシャル成長させ
る。次に、このｐ−シリコン層上にｎ＋シリコン層をエ
ピタキシャル成長させるか、ｐ−シリコン層中にｎ型ド
ーパントを打ち込むあるいは拡散させる。それにより、
ｐｎ接合を有する半導体薄膜２を形成する。そして、こ
の半導体薄膜２上に導電性ペーストをパターン印刷する
ことにより電極１５を形成する。
【００２９】続いて透光性接着剤１４を介して透光性フ
ィルム４を接着する。透光性接着剤１４としてはシート
状に形成したＥＶＡなどを用いることができる。透光性
フィルムとしてはエチレン−テトラフルオロエチレン共
重合体（ＥＴＦＥ）などからなるフッ素樹脂フィルムを
用いることができる。しかるのち、前述の如く本発明の
方法によってｐｎ接合を有する半導体薄膜２を基板１か
ら剥離する。その際、多孔質層１６の破壊、あるいは多
孔質層１６と基板１との界面又は多孔質層１６と半導体
薄膜２との界面での分離によって剥離が生じる。
【００３０】透光性フィルム４とともに剥離された半導
体薄膜（ｐｎ接合）２は、導電性接着剤１７を介してア
ルミ板などの導電性基板１８に接着され、太陽電池が完
成する。接着前に残留している多孔質層１６を除去して
おいてもよい。また、基板１は、その表面に残留する多
孔質層１６をエッチング、ポリッシングなどにより除去
した後、再度半導体薄膜の成長用基板に供される。
【００３１】本例において、ｐ−シリコン層をエピタキ
シャル成長した後、該ｐ−シリコン層を本発明の方法に
よって剥離し、しかる後該ｐ−シリコン層にｐｎ接合を
形成し、導電性基板に接着してもよい。又、分離層とし
てグラファイト層などの異種材料層や、水素イオン打ち
込みによる改質層を用いることも出来る。本例によれば
剥離のためのフィルム４を除去せずに太陽電池の構成要
素の一部として利用することができ、製造工程を大幅に
簡略化できる。
【００３２】〈太陽電池への適用例２〉続いて、本発明
の半導体薄膜の製造方法を太陽電池の製造に適用した別
の例を、図９を用いて説明する。図９はフィルム４とし
て不透光性の材料を用いて太陽電池製造に適用した例を
説明するための模式的な断面図である。本例では、まず
ｐ＋単結晶シリコン基板１を陽極化成して多孔質層１６
を形成し、水素アニールした後、ｎ＋シリコン層及びｐ
−シリコン層をエピタキシャル成長させる。次に、エピ
タキシャル成長、もしくはｐ−シリコン層の表面からの
ｐ型拡散剤の拡散によりｐ＋シリコン層を形成する。次
に少なくとも表面が導電性を有するフィルム（導電性フ
ィルム）４を貼着する。導電性フィルム４としては樹脂
フィルムにアルミニウムなどの金属をスパッタあるいは
蒸着したものや、アルミニウム等からなる金属薄膜を用
いることができる。これらのフィルム４を半導体薄膜
（ｐｎ接合）２に貼着する好適な方法としては、導電性
接着剤による接着、加熱しながらの圧着（熱融着）が挙
げられる。
【００３３】次に、導電性フィルム４とともに剥離され
た半導体薄膜（ｐｎ接合）２の表面（導電性フィルム４
と反対側の面）に電極１５を形成して太陽電池が完成す
る。電極形成前に残留している多孔質層１６を除去して
おいてもよいが、本例では残留する多孔質層１６の側が
光入射面となるため、残留する多孔質層１６を除去する
ことなく太陽電池のテキスチャ構造として利用すること
もできる。
【００３４】
【発明の効果】本発明によれば、基板上に形成された半
導体薄膜を該基板から剥離する工程を有する半導体薄膜
の製造方法において、半導体薄膜を損傷することなく基
板から剥離することができる。また、基板を汚損するこ
となく保持することができ、基板を再生利用する際の生
産性を向上させることができる。又本発明の半導体薄膜
の製造方法を太陽電池の製造に適用した場合、可撓性を
有する太陽電池を簡易な工程で作製することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の半導体薄膜の製造方法の一例を示す斜
視図である。
【図２】本発明に適用できる薄膜支持部材の例を示す模
式的な斜視図であり、（ａ）は表面の一部が平面になっ
ている例、（ｂ）は曲率半径を変化させている例であ
る。
【図３】本発明の半導体薄膜の剥離の例を説明する断面
図であり、（ａ）は剥離開始時、（ｂ）は剥離中の状態
である。
【図４】真空吸着を用いた基板保持方法の一例を示す模
式的な断面図である。
【図５】静電吸着を用いた基板保持方法の一例を示す模
式的な断面図である。
【図６】固定爪を用いた基板保持方法の一例を示す模式
的な断面図である。
【図７】ナイフ状の固定爪を用いた基板保持方法の一例
を示す模式的な断面図である。
【図８】本発明の太陽電池の製造方法を説明するための
模式的な断面図である。
【図９】本発明の太陽電池の製造方法を説明するための
模式的な断面図である。
【図１０】本発明の半導体薄膜の製造方法における剥離
工程を説明するための模式的な断面図である。
【符号の説明】
１ 基板 ２ 半導体薄膜 ３、３ａ，３ｂ 基板支持部材 ４ フィルム ５ 薄膜支持部材 ６ フィルム固定部材 ７ 溝 １０ 脱気孔 １１ 電極 １２ 固定爪 １３ ナイフ状の固定爪 １４ 透光性接着剤 １５ 電極 １６ 多孔質層 １７ 導電性接着剤 １８ 導電性基板
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 庄司 辰美 東京都大田区下丸子３丁目30番２号キヤノ ン株式会社内 (72)発明者 浮世 典孝 東京都大田区下丸子３丁目30番２号キヤノ ン株式会社内 (72)発明者 岩▲崎▼ 由希子 東京都大田区下丸子３丁目30番２号キヤノ ン株式会社内 (72)発明者 中川 克己 東京都大田区下丸子３丁目30番２号キヤノ ン株式会社内

Claims (29)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 基板上に形成された半導体薄膜を、曲面
    を有する薄膜支持部材の該曲面で支持しつつ、該薄膜支
    持部材を回動することにより、前記基板から前記半導体
    薄膜を剥離することを特徴とする半導体薄膜の製造方
    法。
  2. 【請求項２】 前記曲面の曲率半径が剥離の進行に伴っ
    て増大することを特徴とする請求項１記載の半導体薄膜
    の製造方法。
  3. 【請求項３】 前記半導体薄膜に可撓性を有するフィル
    ムを貼着し、該フィルムを前記薄膜支持部材の曲面に密
    接しつつ該薄膜支持部材を回動することを特徴とする請
    求項１記載の半導体薄膜の製造方法。
  4. 【請求項４】 前記フィルムはフィルム基材と接着剤を
    有する接着フィルムであることを特徴とする請求項３記
    載の半導体薄膜の製造方法。
  5. 【請求項５】 前記フィルムの貼着は前記薄膜支持部材
    を用いて押圧しつつ行うことを特徴とする請求項３記載
    の半導体薄膜の製造方法。
  6. 【請求項６】 前記フィルムを前記半導体薄膜に貼着す
    るための接着剤に、エネルギーを与えることにより該接
    着剤を硬化させることを特徴とする請求項３記載の半導
    体薄膜の製造方法。
  7. 【請求項７】 前記半導体薄膜を形成する前に該半導体
    薄膜の分離層を形成する工程を有することを特徴とする
    請求項１記載の半導体薄膜の製造方法。
  8. 【請求項８】 前記基板と半導体薄膜との間に剥離補助
    力を印加することを特徴とする請求項１記載の半導体薄
    膜の製造方法。
  9. 【請求項９】 前記半導体薄膜がｐｎ接合を有すること
    を特徴とする請求項１記載の半導体薄膜の製造方法。
  10. 【請求項１０】 前記基板を支持する基板支持部材の上
    を、前記薄膜支持部材が滑らないように回動させること
    を特徴とする請求項１記載の半導体薄膜の製造方法。
  11. 【請求項１１】 基板上に形成された半導体薄膜を該基
    板から剥離する工程を有する半導体薄膜の製造方法にお
    いて、該半導体薄膜を剥離する外力の大きさが剥離の進
    行に伴って減少することを特徴とする半導体薄膜の製造
    方法。
  12. 【請求項１２】 前記半導体薄膜を形成する前に該半導
    体薄膜の分離層を形成する工程を有することを特徴とす
    る請求項１１記載の半導体薄膜の製造方法。
  13. 【請求項１３】 前記基板と半導体薄膜との間に剥離補
    助力を印加することを特徴とする請求項１１記載の半導
    体薄膜の製造方法。
  14. 【請求項１４】 前記半導体薄膜がｐｎ接合を有するこ
    とを特徴とする請求項１１記載の半導体薄膜の製造方
    法。
  15. 【請求項１５】 基板上に形成された半導体薄膜を該基
    板から剥離する工程を有する半導体薄膜の製造方法にお
    いて、前記基板を基板支持部材上に接着剤を介すること
    なく固定した後に前記剥離する工程を行なうことを特徴
    とする半導体薄膜の製造方法。
  16. 【請求項１６】 前記基板の固定は真空吸着、静電吸
    着、固定爪、あるいはこれらの組み合わせによることを
    特徴とする請求項１５記載の半導体薄膜の製造方法。
  17. 【請求項１７】 前記基板の保持力は剥離開始点から離
    れるにつれて減少することを特徴とする請求項１５記載
    の半導体薄膜の製造方法。
  18. 【請求項１８】 前記基板と基板支持部材との間に弾性
    部材を有することを特徴とする請求項１５記載の半導体
    薄膜の製造方法。
  19. 【請求項１９】 基板上に分離層を形成し、該分離層上
    に第１の導電型の半導体層と第２の導電型の半導体層と
    を有する半導体薄膜を形成する工程と、該半導体薄膜に
    透光性接着剤によって透光性フィルムを貼着する工程
    と、該透光性フィルムに外力を印加して前記半導体薄膜
    を前記基板から剥離する工程と、該剥離した半導体薄膜
    の裏面に電極を形成する工程とを有することを特徴とす
    る太陽電池の製造方法。
  20. 【請求項２０】 前記透光性フィルムを曲面を有する薄
    膜支持部材の該曲面で支持しつつ、該薄膜支持部材を回
    動することにより、前記剥離を行なうことを特徴とする
    請求項１９記載の太陽電池の製造方法。
  21. 【請求項２１】 基板上に分離層を形成し、該分離層上
    に第１の導電型の半導体薄膜を形成する工程と、該第１
    の導電型の半導体薄膜に透光性接着剤によって透光性フ
    ィルムを貼着する工程と、該透光性フィルムに外力を印
    加して前記第１の導電型の半導体薄膜を前記基板から剥
    離する工程と、該剥離した第１の半導体薄膜の裏面に第
    ２の導電型の半導体薄膜を形成する工程と、該第２の導
    電型の半導体薄膜上に電極を形成する工程とを有するこ
    とを特徴とする太陽電池の製造方法。
  22. 【請求項２２】 前記透光性フィルムを曲面を有する薄
    膜支持部材の該曲面で支持しつつ、該薄膜支持部材を回
    動することにより、前記剥離を行なうことを特徴とする
    請求項２１記載の太陽電池の製造方法。
  23. 【請求項２３】 基板上に形成された半導体薄膜を該基
    板から剥離する工程を有する半導体薄膜の製造方法にお
    いて、前記半導体薄膜の剥離速度を剥離の進行に伴って
    小さくすることを特徴とする半導体薄膜の製造方法。
  24. 【請求項２４】 前記半導体薄膜を形成する前に該半導
    体薄膜の分離層を形成する工程を有することを特徴とす
    る請求項２３記載の半導体薄膜の製造方法。
  25. 【請求項２５】 前記基板と半導体薄膜との間に剥離補
    助力を印加することを特徴とする請求項２３記載の半導
    体薄膜の製造方法。
  26. 【請求項２６】 前記半導体薄膜がｐｎ接合を有するこ
    とを特徴とする請求項２３記載の半導体薄膜の製造方
    法。
  27. 【請求項２７】 基板上に分離層を形成し、該分離層上
    に第１の導電型の半導体層と第２の導電型の半導体層と
    を有する半導体薄膜を形成する工程と、該半導体薄膜に
    導電性フィルムを貼着する工程と、該導電性フィルムに
    外力を印加して前記半導体薄膜を前記基板から剥離する
    工程と、該剥離した半導体薄膜の前記導電性フィルムと
    反対側の面に電極を形成する工程とを有することを特徴
    とする太陽電池の製造方法。
  28. 【請求項２８】 前記導電性フィルムを曲面を有する薄
    膜支持部材の該曲面で支持しつつ、該薄膜支持部材を回
    動することにより、前記剥離を行うことを特徴とする請
    求項２７記載の太陽電池の製造方法。
  29. 【請求項２９】 前記導電性フィルムを電磁石により保
    持しつつ前記剥離を行うことを特徴とする請求項２７記
    載の太陽電池の製造方法。
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