JP2000182995A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
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- H10P72/70—Handling or holding of wafers, substrates or devices during manufacture or treatment thereof for supporting or gripping
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- H10W72/07337—Connecting techniques using a polymer adhesive, e.g. an adhesive based on silicone or epoxy
Landscapes
- Die Bonding (AREA)
- Dicing (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 本発明は、接着剤等のはみ出しが少なく、搭
載基板スペースを削減可能な半導体装置の製造方法を提
供する。 【解決手段】 複数のチップ（１４）に分割される１枚
の半導体ウエハ（１０）を準備し、またテープ基材（３
１）上に粘着層（３３）を形成したテープ（３０）を準
備する。そして、前記テープの粘着層を前記ウエハの裏
面に接着する。次いで、前記ウエハの表面から前記テー
プの粘着層まで切断して前記ウエハを前記複数のチップ
に分割する。更に、分割されたチップ（１４）を前記粘
着層を付着したまま剥離し、前記粘着層を使用してダイ
ボンディングする。
載基板スペースを削減可能な半導体装置の製造方法を提
供する。 【解決手段】 複数のチップ（１４）に分割される１枚
の半導体ウエハ（１０）を準備し、またテープ基材（３
１）上に粘着層（３３）を形成したテープ（３０）を準
備する。そして、前記テープの粘着層を前記ウエハの裏
面に接着する。次いで、前記ウエハの表面から前記テー
プの粘着層まで切断して前記ウエハを前記複数のチップ
に分割する。更に、分割されたチップ（１４）を前記粘
着層を付着したまま剥離し、前記粘着層を使用してダイ
ボンディングする。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、多層の粘着層を有
したテープを使用することにより、ダイシングからダイ
ボンディングまでの工程を容易に実施できるようにした
半導体装置の製造方法に関する。
したテープを使用することにより、ダイシングからダイ
ボンディングまでの工程を容易に実施できるようにした
半導体装置の製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】一般的なモノリシックＩＣは、１枚の半
導体ウエハからダイシング装置で複数のチップを切り出
すダイシング工程と、切り出された個別のチップをリー
ドフレームのアイランド部に固定するダイボンディング
工程と、チップ上部の電極とインナーリードとの間を金
等の細線により配線するワイヤボンディング工程とを経
て製造される。
導体ウエハからダイシング装置で複数のチップを切り出
すダイシング工程と、切り出された個別のチップをリー
ドフレームのアイランド部に固定するダイボンディング
工程と、チップ上部の電極とインナーリードとの間を金
等の細線により配線するワイヤボンディング工程とを経
て製造される。
【０００３】ダイシング工程では、図２（ａ）の平面図
に示すように、１枚のウエハ１０に格子状の切断線１１
を仮想し、その一部に図２（ｂ）の拡大平面図および
（ｃ）の断面図に示すように、ダイシングブレード１２
による切断部１３を形成して個別のチップ１４に分割す
る。この場合、分割後のチップ１４を分散させないよう
に保持しておくために粘着テープ１５を予めウエハ１０
の裏面に接着しておく。
に示すように、１枚のウエハ１０に格子状の切断線１１
を仮想し、その一部に図２（ｂ）の拡大平面図および
（ｃ）の断面図に示すように、ダイシングブレード１２
による切断部１３を形成して個別のチップ１４に分割す
る。この場合、分割後のチップ１４を分散させないよう
に保持しておくために粘着テープ１５を予めウエハ１０
の裏面に接着しておく。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】分割されたチップ１４
はダイボンディング工程へ送られる。この工程で使用さ
れる接着材料には、銀ペースト等の接着材、共晶、粘着
テープがある。これらは装置内部において別途供給され
るが、位置精度及び接着量のばらつきによるはみ出し等
の影響を避けるために、ステージサイズを必要以上に大
きくする必要がある。
はダイボンディング工程へ送られる。この工程で使用さ
れる接着材料には、銀ペースト等の接着材、共晶、粘着
テープがある。これらは装置内部において別途供給され
るが、位置精度及び接着量のばらつきによるはみ出し等
の影響を避けるために、ステージサイズを必要以上に大
きくする必要がある。
【０００５】本発明は、接着剤等のはみ出しが少なく、
搭載スペースを削減可能な半導体装置の製造方法を提供
することを目的としている。
搭載スペースを削減可能な半導体装置の製造方法を提供
することを目的としている。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明の上記目的は、複
数のチップに分割される１枚の半導体ウエハを準備する
工程と、テープ基材上に粘着層を形成したテープを準備
する工程と、前記テープの前記粘着層を前記ウエハの裏
面に接着する工程と、前記ウエハの表面から前記テープ
の前記粘着層まで切断して前記ウエハを前記複数のチッ
プに分割するダイシング工程と、前記分割されたチップ
を前記粘着層を付着したまま剥離する工程と、前記剥離
されたチップを前記粘着層を使用してダイボンディング
する工程とを備える半導体装置の製造方法で達成でき
る。
数のチップに分割される１枚の半導体ウエハを準備する
工程と、テープ基材上に粘着層を形成したテープを準備
する工程と、前記テープの前記粘着層を前記ウエハの裏
面に接着する工程と、前記ウエハの表面から前記テープ
の前記粘着層まで切断して前記ウエハを前記複数のチッ
プに分割するダイシング工程と、前記分割されたチップ
を前記粘着層を付着したまま剥離する工程と、前記剥離
されたチップを前記粘着層を使用してダイボンディング
する工程とを備える半導体装置の製造方法で達成でき
る。
【０００７】本発明の実施形態では、前記粘着層は、前
記ウエハの裏面に接着される上層と、前記テープ基材に
接着されたまま残る下層とからなり、前記ダイシング工
程では前記上層および前記下層の全てとテープ基材の一
部が切断される。一例として、前記下層は、紫外線また
は熱硬化型粘着材料からなる。前記上層は、前記下層と
は異なる粘着材料から構成され得る。前記上層と前記下
層は、それぞれ複数層の粘着材料の層から構成すること
もできる。本発明の他の目的および実施の形態は、以下
の実施形態で明らかにされる。
記ウエハの裏面に接着される上層と、前記テープ基材に
接着されたまま残る下層とからなり、前記ダイシング工
程では前記上層および前記下層の全てとテープ基材の一
部が切断される。一例として、前記下層は、紫外線また
は熱硬化型粘着材料からなる。前記上層は、前記下層と
は異なる粘着材料から構成され得る。前記上層と前記下
層は、それぞれ複数層の粘着材料の層から構成すること
もできる。本発明の他の目的および実施の形態は、以下
の実施形態で明らかにされる。
【０００８】
【発明の実施の形態】以下、図面に示した実施形態を参
照して、本発明を詳細に説明する。図１（ａ）〜（ｃ）
は、本発明に係る半導体装置の製造方法の一実施形態を
示す工程図である。本発明では、先ず図１（ａ）に示す
ように、複数のチップに分割される１枚の半導体ウエハ
１０を準備する。一方、テープ基材３１上に粘着層３
２，３３を形成したテープ３０を準備する。本例のテー
プ３０は、２層の粘着層３２，３３を有し、上層の粘着
層３３がウエハ１０の裏面に接着される。
照して、本発明を詳細に説明する。図１（ａ）〜（ｃ）
は、本発明に係る半導体装置の製造方法の一実施形態を
示す工程図である。本発明では、先ず図１（ａ）に示す
ように、複数のチップに分割される１枚の半導体ウエハ
１０を準備する。一方、テープ基材３１上に粘着層３
２，３３を形成したテープ３０を準備する。本例のテー
プ３０は、２層の粘着層３２，３３を有し、上層の粘着
層３３がウエハ１０の裏面に接着される。
【０００９】次に、図１（ｂ）に示すように、ダイシン
グブレード１２でウエハ１０の表面からテープ３０の粘
着層３２，３３まで切断してウエハ１０を複数のチップ
１４に分割する（ダイシング工程）。１３はこの時形成
される切断部である。この時、テープ基材３１の一部が
切断されても良い。
グブレード１２でウエハ１０の表面からテープ３０の粘
着層３２，３３まで切断してウエハ１０を複数のチップ
１４に分割する（ダイシング工程）。１３はこの時形成
される切断部である。この時、テープ基材３１の一部が
切断されても良い。
【００１０】更に、図１（ｃ）に示すように、分割され
たチップ１４を粘着層３３を付着したまま剥離する。こ
の時、下層の粘着層３２はテープ基材３１に付着して残
る。下層の粘着層３２は、例えば１２０℃以下で反応す
る紫外線（ＵＶ）硬化型または熱硬化型粘着材料であ
り、また上層の粘着層３３は、例えば１２０〜２００℃
で反応するＡｇペースト＋ＵＶ未反応粘着材料である。
従って、下層の粘着層３２を硬化させることにより、上
層の粘着層３３との剥離は容易になる。チップ１４のピ
ックアップには、一般に真空ピンセットが使用される。
たチップ１４を粘着層３３を付着したまま剥離する。こ
の時、下層の粘着層３２はテープ基材３１に付着して残
る。下層の粘着層３２は、例えば１２０℃以下で反応す
る紫外線（ＵＶ）硬化型または熱硬化型粘着材料であ
り、また上層の粘着層３３は、例えば１２０〜２００℃
で反応するＡｇペースト＋ＵＶ未反応粘着材料である。
従って、下層の粘着層３２を硬化させることにより、上
層の粘着層３３との剥離は容易になる。チップ１４のピ
ックアップには、一般に真空ピンセットが使用される。
【００１１】ピックアップされたチップ１４の裏面に
は、チップサイズと等しい面積の粘着層３３が付着して
いるので、これを使用してダイボンディングする。この
ようにすれば、接着剤等のはみ出しがなく、搭載基板ス
ペースを小さくできる。
は、チップサイズと等しい面積の粘着層３３が付着して
いるので、これを使用してダイボンディングする。この
ようにすれば、接着剤等のはみ出しがなく、搭載基板ス
ペースを小さくできる。
【００１２】ダイボンディングは、粘着層３３の接着力
で行われるので、接着剤使用時のような硬化工程が不要
になる。このため、熱ストレスの影響が少なく、また酸
化膜量が減少するため、品質が向上する。更に、生産性
が向上すると共に、接着剤の硬化用設備が不要になる利
点がある。
で行われるので、接着剤使用時のような硬化工程が不要
になる。このため、熱ストレスの影響が少なく、また酸
化膜量が減少するため、品質が向上する。更に、生産性
が向上すると共に、接着剤の硬化用設備が不要になる利
点がある。
【００１３】加えて、接着材料の供給、硬化ステージ、
銀ペースト使用時に必要な振動付加等のオプションが一
切不要となるため、チップ搭載設備が安価になる利点も
ある。
銀ペースト使用時に必要な振動付加等のオプションが一
切不要となるため、チップ搭載設備が安価になる利点も
ある。
【００１４】本発明は上記の実施形態に限定されず、種
々に変形することができる。例えば、上層の粘着層３３
および下層の粘着層３２は、何れも多層構造とすること
ができる。また、上層の粘着層３３に導電性を持たせ
て、チップ１４の裏面からグランドを取るようにした
り、熱放散性を向上させることも可能である。
々に変形することができる。例えば、上層の粘着層３３
および下層の粘着層３２は、何れも多層構造とすること
ができる。また、上層の粘着層３３に導電性を持たせ
て、チップ１４の裏面からグランドを取るようにした
り、熱放散性を向上させることも可能である。
【００１５】
【発明の効果】以上述べたように本発明によれば、接着
剤等のはみ出しが少なく、搭載基板スペースを削減可能
な半導体装置の製造方法を実現することができる。
剤等のはみ出しが少なく、搭載基板スペースを削減可能
な半導体装置の製造方法を実現することができる。
【図１】 本発明の一実施形態に係る半導体装置の製造
方法を示す工程図である。
方法を示す工程図である。
【図２】 従来のダイシング工程を示す説明図である。
１０ 半導体ウエハ １２ ダイシングブレード １４ チップ ３０ テープ ３１ テープ基材 ３２ 下層の粘着層 ３３ 上層の粘着層
Claims (5)
- 【請求項１】 複数のチップに分割される１枚の半導体
ウエハを準備する工程と、 テープ基材上に粘着層を形成したテープを準備する工程
と、 前記テープの前記粘着層を前記ウエハの裏面に接着する
工程と、 前記ウエハの表面から前記テープの前記粘着層まで切断
して前記ウエハを前記複数のチップに分割するダイシン
グ工程と、 前記分割されたチップを前記粘着層を付着したまま剥離
する工程と、 前記剥離されたチップを前記粘着層を使用してダイボン
ディングする工程とを備えることを特徴とする半導体装
置の製造方法。 - 【請求項２】 前記粘着層は、前記ウエハの裏面に接着
される上層と、前記テープ基材に接着されたまま残る下
層とからなり、前記ダイシング工程では前記上層および
前記下層の全てと前記テープ基材の一部が切断されるこ
とを特徴とする請求項１の半導体装置の製造方法。 - 【請求項３】 前記下層は、紫外線または熱硬化型粘着
材料からなることを特徴とする請求項２の半導体装置の
製造方法。 - 【請求項４】 前記上層は、前記下層とは異なる粘着材
料からなることを特徴とする請求項２または３の半導体
装置の製造方法。 - 【請求項５】 前記上層と前記下層は、それぞれ複数層
の粘着材料の層からなることを特徴とする請求項２〜４
のいずれかの半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10354042A JP2000182995A (ja) | 1998-12-14 | 1998-12-14 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10354042A JP2000182995A (ja) | 1998-12-14 | 1998-12-14 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000182995A true JP2000182995A (ja) | 2000-06-30 |
Family
ID=18434931
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10354042A Withdrawn JP2000182995A (ja) | 1998-12-14 | 1998-12-14 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2000182995A (ja) |
Cited By (21)
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-
1998
- 1998-12-14 JP JP10354042A patent/JP2000182995A/ja not_active Withdrawn
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