JP2000200448A - 光磁気記録媒体及び光磁気記録媒体の製造方法 - Google Patents

光磁気記録媒体及び光磁気記録媒体の製造方法

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健 玉野井
Yoshihiro Muto
良弘 武藤
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Sony Corp
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Fujitsu Ltd
Sony Corp
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    • G11B11/10515—Reproducing

Abstract

(57)【要約】 【課題】 高密度記録再生が可能な光磁気記録媒体を再
現性良く製作する。 【解決手段】 再生層１４はＧｄＦｅＣｏ膜であり、室
温での飽和磁化の値は８〜100 emu/ccである。中間層１
５は（ＧｄＦｅＣｏ）Ｓｉ膜であり、室温での飽和磁化
の値は140 〜250 emu/ccであり、キュリー温度まで補償
温度が見られないＲＥリッチの面内磁化膜である。記録
層１６はＴｂＦｅＣｏ膜であり、室温での飽和磁化の値
は50〜150 emu/ccである。このような飽和磁化を有する
磁性膜を順次成膜し、得られた光磁気ディスク１のジッ
タの記録パワーマージンは、±11％と十分な値を示し
た。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、光磁気ディスク，
光磁気テープ，光磁気カード等の光磁気記録媒体に関
し、特に磁気超解像（Magnetically Induced Super Res
olution ）再生が可能な光磁気記録媒体及び光磁気記録
媒体の製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】光磁気ディスクは、これからのマルチメ
ディア時代に備えて膨大なデータを格納するメモリの中
心的存在として位置付けられ、記録容量のさらなる増大
化が要望されている。光磁気ディスクの記録密度を増大
させるためには、記録マーク長をレーザ光のスポット径
よりも短くすると共に記録マーク間隔を詰める必要があ
る。このような微細な記録マークを形成するのは比較的
簡単であるが、微細な記録マークを再生する際には照射
するレーザ光の波長λと対物レンズの開口数ＮＡとの制
約により、再生可能な記録マークの長さに限界があっ
た。
【０００３】そこで、レーザ光径よりも小さい記録マー
クを再生できる磁気超解像（ＭＳＲ）再生方法が種々提
案されている。これらの方法は共通して、記録層と再生
層とを含む複数の磁性層を積層した光磁気ディスクを回
転しつつ再生レーザ光を照射することにより光磁気ディ
スクの周方向に温度分布を生ぜしめ、この温度分布を利
用して小さな記録マークを読出すようにしている。これ
により、実質的に再生レーザ光のスポット径よりも小さ
な光スポットで再生した場合と同等の分解能が得られ
る。
【０００４】しかしながら、これらの従来法では以下に
示すいくつかの問題点があった。まず、スポット内の低
温領域から記録マークを読出す方式では周方向の分解能
には優れているが、近接トラックが影響するクロストー
クが大きい。また、スポット内の高温領域から記録マー
クを読出す方式ではクロストークは低減されるが、再生
層を初期化するために3.5 〜４ｋＯｅの大型の初期化磁
石を用いる必要があり、装置が小型化できない。さら
に、再生層の磁化方向が温度分布により面内方向から垂
直方向に変化した領域から記録マークを読出す方式で
は、大型の初期化磁石を用いずに再生できるが、スポッ
ト内の転写される領域が広く、高い再生出力が得られな
い。また、スポット内の転写される領域を狭くして分解
能を高めるために、中温度領域のみから記録マークを読
み出す方式が提案されたが、数百Ｏｅの再生磁界を印加
し、且つ、数ｋＯｅの初期化磁石が必要であった。
【０００５】そこで本願出願人は、これらの問題点を解
決できるＭＳＲ再生方法を提案している（特開平７−24
4877号公報）。この再生方法により、数百Ｏｅの再生磁
界の印加で中温度領域から情報を読み出し、即ち、ダブ
ルマスクを形成し、初期化磁石を使用せずに高分解能再
生を実現する。この再生方法に用いられる光磁気ディス
クは、希土類−遷移金属合金からなる再生層，中間層及
び記録層とを備えている。媒体を回転せしめ、再生用レ
ーザ光を照射することにより生じるレーザスポット内の
温度分布を利用して低温領域にフロントマスクを形成
し、高温領域にリアマスクを形成する。中間温度領域で
は、記録層の磁化方向が再生層に転写される。
【０００６】光磁気ディスクの磁気光学的出力を検出し
た場合に、レーザスポット内において低温領域及び高温
領域にはマスクが形成されているので光磁気信号を読出
すことはなく、中間温度領域のみから光磁気信号を読出
すことができる。以上の如く、本願出願人により提案し
た光磁気ディスクでは、大型の初期化磁石を設けること
なく、再生時の数百Ｏｅの磁界の印加で、実質的にビー
ムスポットよりも狭い領域から記録マークを高分解能で
読み出すことができる。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】片面640 ＭＢの記録容
量を有する現行の光磁気ディスクのトラックピッチは1.
1 μｍであり、これに記録される記録マークの最短マー
ク長は0.64μｍである。記録容量をさらに増大し、3.5
インチサイズの片面に 1.0ＧＢ以上の容量を記録可能に
するためには、さらに狭いトラックピッチで、さらに微
小な記録マークを再生する必要がある。例えば、片面１
ＧＢの場合はトラックピッチは1.0 μｍ,最短マーク長
は0.43μｍであり、1.1 ＧＢの場合はトラックピッチは
1.0 μｍ,最短マーク長は0.41μｍ、1.2 ＧＢの場合は
トラックピッチは0.95μｍ, 最短マーク長は0.38μｍと
なる。また1.3 ＧＢの記録容量を実現するためには、0.
9 μｍのトラックピッチで最短0.38μｍの記録マークが
再生可能でなければならない。
【０００８】前述したＭＳＲ再生可能な光磁気ディスク
に、上述した如き 1.0ＧＢ以上の容量を記録し、これを
再生する場合は、トラックピッチが狭いためにマスク形
成状態が不安定となり、記録層，中間層及び再生層の磁
気特性によっては、ジッタの記録パワーマージンが低く
なるという問題があった。また、現行の光磁気ドライブ
は小型化及び消費電力の低減のために出力磁界の上限が
300 Ｏｅ程度であるが、記録層，中間層及び再生層の磁
気特性によっては 300Ｏｅより高い再生磁界が必要とな
る場合があった。さらに、記録層，中間層及び再生層の
磁気特性によっては、高密度記録された情報を繰り返し
て記録／再生した場合に再生信号の品質が劣化し易く、
耐久性が低くなるという問題があった。
【０００９】前述した再生層，中間層及び記録層のよう
な磁性膜は、希土類−遷移金属合金の元素組成を設定
し、それに基づいてスパッタ法により成膜される。しか
しながら、形成すべき膜の元素組成を一定にしても成膜
装置の種類，成膜条件などが異なる場合には磁性膜の磁
気特性が変化するため上述したような問題が生じ、製品
に必要なジッタ等の特性を有する光磁気ディスクが再現
性良く製造できないという問題があった。さらにまた、
同一装置及び同じ成膜条件であっても、多量の光磁気デ
ィスクを順次処理する間に装置内のターゲットが消耗す
るため組成が変化する。そのために製品レベルの諸特性
を有する光磁気ディスクが再現性良く製造できないとい
う問題があった。
【００１０】本発明は、かかる事情に鑑みてなされたも
のであり、所定範囲の飽和磁化を有する磁性膜を備える
ことにより、また所定範囲のキュリー温度を有する磁性
膜を備えることにより、3.5 インチサイズに片面1.0 Ｇ
Ｂ以上に高密度記録された情報を、300 Ｏｅ以下の再生
磁界の印加で、実用レベルのジッタの記録パワーマージ
ンを有して磁気超解像再生できる光磁気記録媒体を提供
することを目的とする。また、繰り返し記録／再生に対
して高い耐久性を有する、高密度記録された光磁気記録
媒体を提供することを目的とする。さらに、磁性膜を元
素組成でなく飽和磁化によって規定することにより、所
望の磁気特性を有する光磁気記録媒体を再現性良く製造
する方法を提供することを目的とする。
【００１１】
【課題を解決するための手段】第１発明に係る光磁気記
録媒体は、少なくとも再生層、中間層及び記録層を積層
した磁性積層膜を有し、前記再生層及び前記記録層は積
層方向の磁化容易特性を有する磁性膜であり、前記中間
層は室温で面内方向の磁化容易特性を有する磁性膜であ
る光磁気記録媒体において、前記再生層，前記中間層及
び前記記録層は、室温で、８emu/cc〜100 emu/cc，140
emu/cc〜250 emu/cc及び50emu/cc〜150emu/ccの飽和磁
化を夫々有することを特徴とする。
【００１２】第１発明にあっては、再生層、中間層及び
記録層の飽和磁化の範囲を特定することにより、高密度
記録されたＭＳＲ媒体を300 Ｏｅ以下の再生磁界の印加
で再生可能とする。再生時に低温領域で形成されるフロ
ントマスクは中間層及び記録層の飽和磁化に関与し、高
温領域で形成されるリアマスクは再生層の飽和磁化に関
与している。各磁性膜において、300 Ｏｅ以下の再生磁
界で各側のマスクが形成可能であるような飽和磁化の値
が下限値となる。また、繰り返し記録／再生しても再生
品質が劣化しないような飽和磁化の値が、上限値とな
る。
【００１３】また、再生時にフロントマスクが形成され
るための再生磁界の大きさは、記録層の飽和磁化に関係
する。記録層の飽和磁化の範囲を特定することにより、
小さな再生磁界でもフロントマスクを形成できる。ま
た、フロントマスクの形成が微細な記録マークの再生に
大きく影響することから、記録層の飽和磁化を調整する
ことにより、ＭＳＲ再生のための再生磁界の大きさを調
整できる。
【００１４】第２発明に係る光磁気記録媒体は、第１発
明において、前記再生層，前記中間層及び前記記録層
は、240 ℃〜350 ℃，160 ℃〜220 ℃及び240 ℃〜350
℃のキュリー温度を夫々有することを特徴とする。
【００１５】第２発明にあっては、再生層、中間層及び
記録層のキュリー温度の範囲を限定することにより、高
密度記録されたＭＳＲ媒体を、現行の光磁気ドライブを
用いて再生可能とする。光磁気ドライブが備える光源の
パワー限界、300 Ｏｅ以下の再生磁界でダブルマスクを
形成可能にすること、十分な再生パワーマージンを得る
こと等を考慮して、各磁性層のキュリー温度の範囲を定
めている。
【００１６】第３発明に係る光磁気記録媒体は、第１又
は第２発明のいずれかにおいて、前記再生層及び前記記
録層は、夫々、ＧｄＦｅＣｏ及びＴｂＦｅＣｏからなる
希土類遷移金属で形成されており、前記中間層はＧｄＦ
ｅＣｏからなる希土類遷移金属に、Ｓｉ，Ａｌ及びＣｒ
からなるグループから選択される非磁性金属を含めてあ
ることを特徴とする。
【００１７】第３発明にあっては、中間層に非磁性金属
を添加することにより、その他の磁気特性を保ったまま
中間層のキュリー温度を低くできる。
【００１８】第４発明に係る光磁気記録媒体は、第１乃
至第３発明のいずれかにおいて、さらに、基板，保護樹
脂層及び熱伝導層を備え、前記基板側から前記再生層，
前記中間層，前記記録層及び前記熱伝導層の順に積層し
てあり、両面の最外層を前記保護樹脂層で被覆してある
ことを特徴とする。
【００１９】第４発明にあっては、光磁気記録媒体の基
板の側からビーム光を照射して記録／再生する。熱伝導
層により媒体の面内方向に熱が拡散され、光磁気記録媒
体の耐久性が向上する。また、媒体の両面に例えば紫外
線硬化樹脂層のような保護樹脂層をコーティングしてあ
るので、基板及び磁性層に対して外側からの疵，摩耗等
が防止され、耐久性が向上する。
【００２０】第５発明に係る光磁気記録媒体は、第１乃
至第３発明のいずれかにおいて、さらに、基板，保護樹
脂層及び熱伝導層を備え、前記基板側から前記熱伝導
層，前記記録層，前記中間層及び前記再生層の順に積層
してあり、両面の最外層を前記保護樹脂層で被覆してあ
ることを特徴とする。
【００２１】第５発明にあっては、光磁気記録媒体の基
板と反対の側からビーム光を照射して記録／再生する。
熱伝導層により媒体の面内方向に熱が拡散され、光磁気
記録媒体の耐久性が向上する。また、媒体の両面に例え
ば紫外線硬化樹脂層のような保護樹脂層をコーティング
してあるので、基板及び磁性層に対して外側からの疵，
摩耗等が防止され、耐久性が向上する。
【００２２】第６発明に係る光磁気記録媒体は、第４又
は第５発明において、前記熱伝導層は５ｎｍ〜25ｎｍの
膜厚を有していることを特徴とする。
【００２３】第６発明にあっては、熱伝導層の膜厚は５
ｎｍ〜25ｎｍであることが好ましい。熱伝導層として例
えばＡｌＴｉを用いた場合は、５ｎｍより薄く形成する
と信号品質が十分でなく、またＡｌＣｒを用いた場合
は、25ｎｍより厚く形成すると記録パワー感度が悪化す
る傾向にある。
【００２４】第７発明に係る光磁気記録媒体は、第４又
は第６発明において、前記基板と前記再生層との間に第
１の誘電体層を、前記記録層と熱伝導層との間に第２の
誘電体層を備え、前記第１の誘電体層は65ｎｍ〜110 ｎ
ｍの膜厚を有し、前記第２の誘電体層は20ｎｍ〜60ｎｍ
の膜厚を有することを特徴とする。
【００２５】第７発明にあっては、第１の誘電体層の膜
厚は65ｎｍ〜110 ｎｍであることが好ましく、第２の誘
電体層の膜厚は20ｎｍ〜60ｎｍであることが好ましい。
熱伝導層として例えばＡｌＣｒを用いた場合は、第１の
誘電体層を65ｎｍより薄く形成すると信号品質が十分で
なく、また熱伝導層としてＡｌＴｉを用いた場合は、第
１の誘電体層を110 ｎｍよりも厚く形成すると記録パワ
ー感度が悪化する傾向にある。また、熱伝導層がＡｌＣ
ｒ又はＡｌＴｉのいずれであっても、第２の誘電体層が
20ｎｍより薄い場合は環境に対する耐久性が十分でな
く、60ｎｍよりも厚い場合は記録パワー感度が悪化する
傾向にある。
【００２６】第８発明に係る光磁気記録媒体は、第１乃
至第７発明のいずれかにおいて、前記磁性積層膜はラン
ド部及びグルーブ部を有する基板上に形成されており、
前記ランド部に記録マークを形成すべくなしてあること
を特徴とする。
【００２７】第８発明にあっては、ランド部に記録マー
クを形成し、グルーブ部をトラッキング制御のために使
用する。このようなランド記録の光磁気記録媒体では、
トラックピッチが0.85μｍ〜0.9 μｍ程度に狭い場合で
も、300 Ｏｅ以下の低い再生磁界の印加でフロントマス
クもリアマスクも形成でき、高密度記録されたＭＳＲ媒
体の情報が再生可能である。
【００２８】第９発明に係る光磁気記録媒体は、少なく
とも再生層、中間層及び記録層を積層した磁性積層膜を
備え、前記再生層及び前記記録層は積層方向の磁化容易
特性を有する磁性膜であり、前記中間層は室温で面内方
向の磁化容易特性を有する磁性膜である光磁気記録媒体
において、前記磁性積層膜はグルーブ部及びランド部を
有する基板上に形成され、前記グルーブ部は0.72μｍ〜
0.76μｍの幅寸法を有して略0.9 μｍピッチで形成され
ており、前記再生層，前記中間層及び前記記録層は、室
温で夫々、８emu/cc〜100 emu/cc，140 emu/cc〜250 em
u/cc及び50emu/cc〜150 emu/ccの飽和磁化と、240 ℃〜
350 ℃，160 ℃〜220 ℃及び240 ℃〜350 ℃のキュリー
温度とを有することを特徴とする。
【００２９】第９発明にあっては、再生層、中間層及び
記録層に、飽和磁化及びキュリー温度が特定の範囲のも
のを用いることにより、ランド部の幅寸法が0.72μｍ〜
0.76μｍで、ランド部が略0.9 μｍピッチ、即ちトラッ
クピッチが0.9 μｍ程度であるような高密度記録された
記録マークを、実用的なジッタの記録パワーマージンを
有して再生が可能である。
【００３０】第１０発明に係る光磁気記録媒体の製造方
法は、少なくとも再生層、中間層及び記録層を積層した
磁性積層膜を有し、前記再生層及び前記記録層は積層方
向の磁化容易特性を有する磁性膜であり、前記中間層は
室温で面内方向の磁化容易特性を有する磁性膜である光
磁気記録媒体の製造方法において、基板上に前記再生層
を室温で８emu/cc〜100 emu/ccの飽和磁化を有すべく形
成する過程と、前記再生層上に前記中間層を室温で140
emu/cc〜250 emu/ccの飽和磁化を有すべく形成する過程
と、前記中間層上に前記記録層を室温で50emu/cc〜150
emu/ccの飽和磁化を有すべく形成する過程とを有するこ
とを特徴とする。
【００３１】また、第１１発明に係る光磁気記録媒体の
製造方法は、少なくとも再生層、中間層及び記録層を積
層した磁性積層膜を有し、前記再生層及び前記記録層は
積層方向の磁化容易特性を有する磁性膜であり、前記中
間層は室温で面内方向の磁化容易特性を有する磁性膜で
ある光磁気記録媒体の製造方法において、基板上に前記
記録層を室温で50emu/cc〜150 emu/ccの飽和磁化を有す
べく形成する過程と、前記記録層上に前記中間層を室温
で140 emu/cc〜250 emu/ccの飽和磁化を有すべく形成す
る過程と、前記中間層上に前記再生層を室温で８emu/cc
〜100 emu/ccの飽和磁化を有すべく形成する過程とを有
することを特徴とする。
【００３２】さらに、第１２発明に係る光磁気記録媒体
の製造方法は、第１０又は第１１発明において、前記再
生層及び前記記録層は、夫々、ＧｄＦｅＣｏ及びＴｂＦ
ｅＣｏからなる希土類遷移金属で形成されており、前記
中間層はＧｄＦｅＣｏからなる希土類遷移金属に、Ｓ
ｉ，Ａｌ及びＣｒからなるグループから選択される非磁
性金属を含めてあることを特徴とする。
【００３３】さらにまた、第１３発明に係る光磁気記録
媒体の製造方法は、第１０又は第１２の発明において、
前記記録層上に熱伝導層を形成する過程と、両面の最外
層を保護樹脂層で被覆する過程とをさらに有することを
特徴とする。
【００３４】さらにまた、第１４発明に係る光磁気記録
媒体の製造方法は、第１１又は第１２の発明において、
前記基板と前記記録層との間に熱伝導層を形成する過程
と、両面の最外層を保護樹脂層で被覆する過程とをさら
に有することを特徴とする。
【００３５】第１０乃至第１４発明にあっては、再生
層，中間層及び記録層の飽和磁化が所定の値となるよう
に成膜するので、高密度記録再生のための所望の磁気特
性を有する光磁気記録媒体が確実に得られる。第１２発
明にあっては、他の磁気特性を保ったまま中間層のキュ
リー温度を低くできる。第１３及び第１４発明にあって
は、熱伝導層により光磁気記録媒体の耐久性が向上し、
媒体の両面に例えば紫外線硬化樹脂層のような保護樹脂
層をコーティングしてあるので、基板及び磁性層に対し
て外側からの疵，摩耗等が防止され、耐久性が向上す
る。
【００３６】
【発明の実施の形態】以下、本発明をその実施の形態を
示す図面に基づき具体的に説明する。 実施の形態１．図１は、本発明の光磁気ディスクの膜構
成を示す断面図である。光磁気ディスク１は、ポリカー
ボネート製の基板１２上に、ＳｉＮからなる下地誘電体
層１３、ＧｄＦｅＣｏからなる再生層１４、ＧｄＦｅＣ
ｏＳｉからなる中間層１５、ＴｂＦｅＣｏからなる記録
層１６、ＳｉＮからなる上地誘電体層１７及びＡｌＣｒ
からなる熱伝導層１８を順に積層して構成されており、
光磁気ディスク１の両面の最外層、即ち基板１２と熱伝
導層１８との夫々の表面が第１及び第２の紫外線硬化膜
１１，１９で被覆されている。
【００３７】基板１２はトラッキングのためのグルーブ
を有するランド基板であり、径寸法が3.5 インチで板厚
が1.2 ｍｍ，グルーブの深さは67ｎｍ，0.9 μｍのトラ
ックピッチでランド部が形成されており、ランド幅は
0.73 μｍである。ここで、グルーブの深さはλ／（6.5
ｎ）ｎｍ（λはレーザ光の波長であり、λ＝685 ｎ
ｍ，ｎは基板の屈折率であり、ｎ＝1.58）であり、ラン
ド幅はグルーブ深さに対する半値幅である。
【００３８】再生層１４は４１ｎｍの厚みのＧｄ24.6Ｆ
ｅ61.8Ｃｏ13.6膜であり、遷移金属磁化優勢（以下、Ｔ
Ｍリッチという）で、垂直方向即ち積層方向に磁化容易
軸を有している。室温（１０℃〜３５℃）での飽和磁化
の値は100 emu/ccより低く、170 ℃付近まで温度ととも
に上昇する。またキュリー温度は略270 ℃であり、室温
での保磁力の値は1.5 ｋＯｅ以内である。
【００３９】中間層１５は４１ｎｍの厚みの（Ｇｄ33.8
Ｆｅ62.4Ｃｏ3.8 ）92Ｓｉ8 膜であり、キュリー温度ま
で補償温度が見られない希土類磁化優勢（以下、ＲＥリ
ッチという）で、室温（１０℃〜３５℃）では面内方向
に磁化容易軸を有しており、室温より高い所定温度以上
になると磁化容易軸が面内方向から垂直方向に変化す
る。室温での飽和磁化の値は250 emu/cc以内であり、略
180 ℃のキュリー温度まで単調に減少する。キュリー温
度を低く設定するために中間層１５には非磁性元素であ
るＳｉが添加されている。Ｓｉの替わりにＡｌ又はＣｒ
等の元素を添加してあっても良い。
【００４０】記録層１６は５０ｎｍの厚みのＴｂ22.2Ｆ
ｅ60.3Ｃｏ17.5膜であり、ＴＭリッチで、垂直方向に磁
化容易軸を有している。室温での飽和磁化の値は150 em
u/cc以内であり、150 ℃程度まで温度とともに上昇す
る。キュリー温度は略270 ℃であり、室温での保磁力の
値は１０ｋＯｅ以上である。これらの再生層１４，中間
層１５及び記録層１６のキュリー温度を夫々Ｔｃ１，Ｔ
ｃ２及びＴｃ３とした場合に、Ｔｃ２＜Ｔｃ１，Ｔｃ２
＜Ｔｃ３の関係を満たしている。また、再生層１４及び
記録層１６の室温における保磁力を夫々Ｈｃ１及びＨｃ
３とした場合に、Ｈｃ３＞Ｈｃ１の関係を満たしてい
る。
【００４１】また、下地誘電体層１３は７０ｎｍ、上地
誘電体層１７は２５ｎｍ、熱伝導層１８は１５ｎｍの膜
厚を有している。これらの積層膜はＤＣスパッタ法によ
り順次形成してある。スパッタ条件を表１に示す。な
お、再生層１４，中間層１５及び記録層１６は上述した
飽和磁化の値を有するように予め成膜装置及び成膜条件
を設定してある。また、ターゲットの寿命についても予
めテストしておき、上述した飽和磁化の値を有する磁性
膜が確実に成膜されるように設定されている。
【００４２】
【表１】
【００４３】以上の如き膜構成の光磁気ディスク１に、
最短マーク長が0.38μｍのランダムデータを光変調記録
し、線速7.5 ｍ／ｓで再生して評価した。再生時には記
録マークの記録方向と同方向の再生磁界を300 Ｏｅで印
加した。再生レーザ光は光磁気ディスク１の基板１２側
から照射された。図２は、図１の光磁気ディスクの膜構
成及び再生時の磁化状態を示す図であり、再生層，中間
層及び記録層のみを示し、その他の膜層は省略してい
る。図２に示すように、光磁気ディスク１が回転し、再
生用レーザ光が磁性層に照射されたとき温度分布が生じ
る。低温領域では、中間層１５と記録層１６との間に作
用する交換結合力よりも再生磁界が大きい場合に、中間
層１５の磁化方向が再生磁界と同方向に揃う。中間層１
５と交換結合した再生層１４の磁化方向は記録マークと
無関係に再生磁界と逆方向に揃い、これによりフロント
マスクが形成される。高温領域では、再生層１４と中間
層１５との間に作用する交換結合力が切断され、再生層
の磁化方向が再生磁界と同方向に揃うことによりリアマ
スクが形成される。中間温度領域では、再生層１４、中
間層１５及び記録層１６間に再生磁界よりも大きな交換
結合力がはたらいており、記録層１６の磁化方向が再生
層１４に転写される。
【００４４】このように光磁気ディスク１の磁気光学的
出力を検出した場合に、レーザスポット内において低温
領域及び高温領域にはマスクが形成されているので光磁
気信号を読出すことはなく、中間温度領域のみから光磁
気信号を読出すことができる。
【００４５】図３は、光磁気ディスク１のジッタの記録
パワーマージンを示すグラフである。縦軸はランダムジ
ッタを示し、横軸はレーザ光の記録パワーを示してい
る。実用上はランダムジッタが12.5％以下であることが
好ましい。グラフから、光磁気ディスク１のジッタの記
録パワーマージンは±１１％を示していることが判る。
これは実用上十分な値である。
【００４６】このように、実施の形態１の光磁気ディス
ク１は、トラックピッチが0.9 μｍで最短記録マークが
0.38μｍであるので、1.3 ＧＢの記録容量を有する高密
度記録の光磁気ディスクの再生が、十分なジッタの記録
パワーマージンを有して実現できたと言える。
【００４７】上述した如き膜構成の光磁気ディスクで、
高密度記録された情報のＭＳＲ再生が可能となる磁性膜
の磁気特性を調べた。まず、300 Ｏｅの再生磁界の印加
で再生できる各磁性層の飽和磁化の範囲を調べた。図４
は、再生層の組成によるリアマスク形成の必要再生磁界
の変化を示すグラフである。縦軸はリアマスクを形成す
るために必要な再生磁界Ｈrearを示し、横軸は再生層の
飽和磁化Ｍｓ１を示している。グラフから、300 Ｏｅ以
内の磁界で再生するためには再生層１４の飽和磁化Ｍｓ
１は８emu/cc以上の値が必要であることが判る。
【００４８】再生層１４の飽和磁化が大きくなると、再
生信号の品質劣化の程度が大きくなる。図５は、再生層
の飽和磁化と再生信号品質との関係を示すグラフであ
る。縦軸は、基準ＣＮＲとの差であるΔＣＮＲを示し、
横軸は再生層の飽和磁化Ｍｓ１を示している。ΔＣＮＲ
は、最適記録パワーに対して略13％増しの消去パワーで
10万回連続消去したときの信号品質の劣化の度合いを測
定している。グラフから、ΔＣＮＲの許容範囲である１
ｄＢ以内で、再生層１４の飽和磁化Ｍｓ１は100emu/cc
以下であることが判る。
【００４９】図６は、中間層の組成によるフロントマス
ク形成の必要再生磁界の変化を示すグラフである。縦軸
はフロントマスクを形成するために必要な再生磁界Ｈfr
ontを示し、横軸は中間層の飽和磁化Ｍｓ２を示してい
る。グラフから、300 Ｏｅ以内の磁界で再生するために
は中間層１５の飽和磁化Ｍｓ２は140 emu/cc以上の値が
必要であることが判る。図７は、中間層の飽和磁化と再
生信号品質との関係を示すグラフである。縦軸は、基準
ＣＮＲとの差であるΔＣＮＲを示し、横軸は中間層の飽
和磁化Ｍｓ２を示している。ΔＣＮＲは、最適記録パワ
ーに対して略13％増しの消去パワーで10万回連続消去し
たときの信号品質の劣化の度合いを測定している。グラ
フから、ΔＣＮＲの許容範囲である１ｄＢ以内で、中間
層１５の飽和磁化Ｍｓ２は250 emu/cc以下であることが
判る。
【００５０】図８は、記録層の組成によるフロントマス
ク形成の必要再生磁界の変化を示すグラフである。縦軸
はフロントマスクを形成するために必要な再生磁界Ｈfr
ontを示し、横軸は記録層の飽和磁化Ｍｓ３を示してい
る。グラフから、300 Ｏｅ以内の磁界で再生するために
は記録層１６の飽和磁化Ｍｓ３は50emu/cc以上の値が必
要であることが判る。図９は、記録層の飽和磁化と再生
信号品質との関係を示すグラフである。縦軸は、基準Ｃ
ＮＲとの差であるΔＣＮＲを示し、横軸は記録層の飽和
磁化Ｍｓ３を示している。ΔＣＮＲは、最適記録パワー
に対して略13％増しの消去パワーで10万回連続消去した
ときの信号品質の劣化の度合いを測定している。グラフ
から、ΔＣＮＲの許容範囲である１ｄＢ以内で、記録層
１６の飽和磁化Ｍｓ３は150 emu/cc以下であることが判
る。
【００５１】以上のことから、1.3 ＧＢ程度の記録容量
を有する光磁気ディスクを、300 Ｏｅ以下の再生磁界の
印加で再生できる各磁性層の飽和磁化の範囲は、再生層
１４は８emu/cc〜100 emu/ccであり、中間層１５は140
emu/cc〜250 emu/ccであり、記録層１６は50emu/cc〜15
0 emu/ccであると言える。上述した実施の形態１の光磁
気ディスク１はこの条件を満たしている。
【００５２】次に、現行の光磁気ドライブを用いて再生
できる各磁性層のキュリー温度の範囲を調べた。図１０
は、記録層のキュリー温度に対して変化する、記録パワ
ーの室温における感度を示すグラフである。3.5 インチ
の最外周条件においての値である。縦軸はレーザ光の記
録パワーを示し、横軸は記録層１６のキュリー温度Ｔｃ
３を示している。記録パワー感度は、信号が出始めるパ
ワーＰwth と十分に信号が得られるパワーＰｗとの両方
を示している。図１１は光磁気ディスクの環境温度と記
録パワーとの関係を示すグラフである。縦軸は記録パワ
ーを示し、横軸は環境温度を示している。線速12.6ｍ／
ｓでの測定結果である。図１１から、環境温度が低いほ
ど、より高い記録パワーが必要であることが判る。
【００５３】図１０に示すように、光磁気ドライブが有
するレーザダイオードのパワー限界が略13ｍＷである場
合、記録パワーＰwth に関してはキュリー温度Ｔｃ３は
450℃まで許容されると言えるが、実際には十分に信号
が得られる記録パワーが用いられること、また図１１に
示すように、環境温度が０℃まで動作を保証するために
はより高い記録パワーが必要であることから、記録層１
６のキュリー温度Ｔｃ３は350 ℃が上限であると言え
る。
【００５４】図１２は、中間層のキュリー温度に対して
変化する、再生パワーの感度を示すグラフである。縦軸
はレーザ光の再生パワーを示し、横軸は中間層１５のキ
ュリー温度Ｔｃ２を示している。再生パワー感度は、信
号が出始めるパワーＰrth について環境温度が０℃と２
５℃との場合を示し、０℃で十分に信号が得られるパワ
ーＰｒについても示している。グラフから判るように、
２５℃よりも０℃の方がより高い再生パワーが必要にな
る。実際に十分に信号が得られる再生パワーＰｒはさら
に高い値を示しており、高周波重畳の限界が6.4 ｍＷで
ある場合に、中間層１５のキュリー温度Ｔｃ２は220 ℃
が上限であると言える。
【００５５】図１３は、中間層の磁化容易軸特性と再生
磁界との関係を示すグラフである。縦軸は再生磁界を示
し、横軸は中間層１５が面内磁化から垂直磁化に変わる
温度を示している。グラフから判るように、中間層が垂
直磁化に変わる温度が高温になるほど再生磁界の値は低
くなる。300 Ｏｅ以下の再生磁界で再生するためには、
垂直磁化に変わる温度は130 ℃以上が必要であることが
判る。また、図１４は、中間層のキュリー温度と磁化容
易軸特性との関係を示すグラフである。縦軸は中間層１
５が面内磁化から垂直磁化に変わる温度を示し、横軸は
中間層１５のキュリー温度Ｔｃ２を示している。グラフ
から、垂直磁化に変わる温度が130 ℃以上である中間層
１５のキュリー温度Ｔｃ２は160 ℃以上であることが判
る。
【００５６】中間層１５のキュリー温度Ｔｃ２が160 ℃
以上である場合の再生パワーＰrthは、図１２に示すよ
うに、略4.1 ｍＷ以上である。再生信号が見えてから消
え始めるまでに±２０％程度の十分な再生パワーマージ
ンを確保するためには、再生信号が4.1 ｍＷから見え始
めた場合は、消え始める再生パワーＰeth は6.2 ｍＷと
なる。図１５は、記録層のキュリー温度とレーザ光のパ
ワーとの関係を示すグラフである。縦軸はレーザ光のパ
ワーを示し、横軸は記録層１６のキュリー温度Ｔｃ３を
示している。グラフから、再生パワーＰeth が6.2 ｍＷ
以上では、記録層１６のキュリー温度Ｔｃ３は240 ℃以
上が必要であることが判る。
【００５７】再生層１４は記録層１６に形成された記録
マークを再生する必要があるので、再生層１４のキュリ
ー温度Ｔｃ１の範囲は記録層１６と同じであり、240 ℃
〜350 ℃である。
【００５８】以上のことから、1.3 ＧＢ程度の記録容量
を有する光磁気ディスクを、現行の光磁気ドライブを使
用して再生できる各磁性層のキュリー温度の範囲は、再
生層１４は240 ℃〜350 ℃であり、中間層１５は160 ℃
〜220 ℃であり、記録層１６は240 ℃〜350 ℃であると
言える。上述した実施の形態１の光磁気ディスク１は、
この条件を満たしている。
【００５９】このような飽和磁化及びキュリー温度の範
囲から外れた磁性層を有する比較例の光磁気ディスクに
ついて、実施の形態１と同様に形成された記録マークを
再生し、評価した。この光磁気ディスクは実施の形態１
と同様の基板を備え、再生層１４及び記録層１６は補償
組成、即ち自発磁化Ｍｓの値がほぼ零であり、中間層１
５のキュリー温度Ｔｃ２は150 ℃である。図１６は、比
較例の光磁気ディスクのジッタの記録パワーマージン及
び必要再生磁界を示すグラフである。縦軸はランダムジ
ッタを示し、横軸はレーザ光の記録パワーを示してい
る。グラフ中、‘○’は再生磁界が300 Ｏｅの場合を、
‘△’は350 Ｏｅの場合を、‘□’は400Ｏｅの場合を
示している。
【００６０】比較例の光磁気ディスクは、繰り返し連続
消去における耐久性は高く、10万回消去後でも信号品質
の劣化はほとんど見られなかった。しかしながら、実施
の形態１の光磁気ディスクと比較して（図３参照）ボト
ムジッタの値が高い。また、ランダムジッタが12.5％以
下である記録パワーマージンは±8.3 ％であり、実施の
形態１の光磁気ディスク１よりも狭いことが判った。さ
らに、再生磁界は300Ｏｅでは再生できず、350 Ｏｅ以
上が必要であった。
【００６１】実施の形態２．実施の形態１と同様の膜構
成を有する光磁気ディスクを、トラックピッチが異なる
基板を用いて形成し、２Ｔ＝0.4 μｍのマークを記録し
た。夫々の光磁気ディスクについて、必要再生磁界及び
ＣＮＲを調べた。図１７はその結果を示すグラフであ
り、縦軸はＣＮＲ及び必要再生磁界Ｈrth を示し、横軸
はトラックピッチを示している。グラフから、トラック
ピッチが狭くなるほどＣＮＲが低下する傾向が見られ
る。特に、トラックピッチが0.9 μｍより狭い場合は1.
1 μｍの場合と比較して1.5 ｄＢ以上、ＣＮＲが劣化し
ていると言える。必要再生磁界はトラックピッチに対し
て大きな変化はなかった。
【００６２】次に、実施の形態１と同様の膜構成を有す
る光磁気ディスクを、トラックピッチが異なるグルーブ
基板を用いて形成し、夫々について同様に必要再生磁界
及びＣＮＲを調べた。図１８はその結果を示すグラフで
あり、縦軸はＣＮＲ及び必要再生磁界Ｈrth を示し、横
軸はトラックピッチを示している。グルーブ基板を用い
た場合は、グラフから、トラックピッチが1.1 μｍから
0.85μｍまでＣＮＲの低下は見られないが、0.9 μｍ以
下で必要再生磁界が急激に大きくなっていることが判
る。図１７及び図１８から、この膜構成の光磁気ディス
クを用いて１ＧＢ以上の記録容量を実現するために、ト
ラックピッチは0.9 μｍまで狭くできることが判る。ま
た、ランド基板を用いることにより、狭いトラックピッ
チで、300Ｏｅ以下の再生磁界でのＭＳＲ再生が可能で
あると言える。
【００６３】さらに狭いトラックピッチでの再生を可能
とするために、上述したグルーブ基板を用いて、フロン
トマスク及びリアマスク夫々について必要再生磁界を調
べた。図１９はその結果を示すグラフであり、縦軸は必
要再生磁界を示し、横軸はトラックピッチを示してい
る。グラフから明らかなように、トラックピッチが0.9
μｍよりも狭いときに、フロントマスクの形成に必要な
再生磁界が急激に大きくなっている。このことから、ト
ラックピッチが狭くなると必要再生磁界が増大する原因
は、フロントマスク形成のためであることが判る。そこ
で、フロントマスクを形成するための再生磁界を低減で
きる記録層１６の組成について調べた。図２０はその結
果を示すグラフであり、縦軸はフロントマスクを形成す
るために必要な再生磁界を示し、横軸は記録層１６のＴ
ｂ含有量を示している。グラフ中、‘○’はランド基
板、‘×’はグルーブ基板についてのものである。グラ
フから、300 Ｏｅ以下の再生磁界で再生可能な記録層１
６の組成範囲は、ランド基板と比較してグルーブ基板の
方が狭いことが判る。
【００６４】以上、図１８〜図２０に示すことから、0.
9 μｍ程度の狭いトラックピッチで、300 Ｏｅ以下の再
生磁界を用いてのＭＳＲ再生は、グルーブ基板よりもラ
ンド基板の方が適していると言える。また、グルーブ基
板であっても記録層１６のＴｂ含有量を調整することに
より上述のＭＳＲ再生は可能であるが、記録層１６の組
成マージンはランド基板よりもグルーブ基板の方が狭い
ことが判った。また、これらのことから、ランド基板及
びグルーブ基板のいずれにおいても、記録層１６の飽和
磁化を調整することにより必要再生磁界の大きさを調整
できることが判る。即ち、基板のトラックピッチに応じ
て記録層１６の組成を設定し、所望の大きさの再生磁界
を印加してＭＳＲ再生できる。
【００６５】実施の形態３．上述した実施の形態１と同
様の光磁気ディスクを、ＡｌＣｒからなる熱伝導層１８
の膜厚のみを異ならせて形成し、記録パワー感度及び信
号品質としてＳＮＲを測定した。その結果、熱伝導層１
８の膜厚が８ｎｍのものは、20ｎｍのものよりもＳＮＲ
が２ｄＢ程度低く、そのためにジッタの極小値が十分に
低い値を示していない。また、熱伝導層１８の膜厚が10
ｎｍ以上のものは、実施の形態１と同程度の低いジッタ
を示した（図３参照）。さらに、熱伝導層１８の膜厚が
30ｎｍのものは、８ｎｍのものよりも記録パワー感度が
２ｍＷ程度悪く、そのために現行の光磁気ドライブを用
いての再生が困難である。これらのことから、ＡｌＣｒ
の熱伝導層１８の膜厚は10ｎｍ〜25ｎｍが好ましいこと
が判る。
【００６６】また、熱伝導層１８としてＡｌＴｉ膜を用
いた場合でも、光磁気ディスクは実施の形態１と同様の
再生特性を示した。そして、ＡｌＴｉ膜の膜厚のみを異
ならせて光磁気ディスクを形成し、その膜厚に対する記
録パワー感度及びＳＮＲを測定した。その結果、熱伝導
層１８の膜厚が３ｎｍのものは、15ｎｍのものよりもＳ
ＮＲが２ｄＢ程度低く、そのためにジッタの極小値が十
分に低い値を示していない。また、熱伝導層１８の膜厚
が25ｎｍのものは、３ｎｍのものよりも記録パワー感度
が２ｍＷ程度悪く、そのために現行の光磁気ドライブを
用いての再生が困難である。これらのことから、ＡｌＴ
ｉの熱伝導層１８の膜厚は５ｎｍ〜20ｎｍが好ましいこ
とが判る。従って、本発明に係る光磁気ディスクの熱伝
導層１８の膜厚の最適な範囲は５ｎｍ〜25ｎｍであると
言える。
【００６７】実施の形態４．上述した実施の形態１と同
様の光磁気ディスク１を、ＳｉＮからなる下地誘電体層
１３の膜厚のみを異ならせて形成し、反射率、記録パワ
ー感度及びＳＮＲを測定した。その結果、下地誘電体層
１３の膜厚が75ｎｍ近傍のものが反射率の極小値を示し
た。下地誘電体層１３の膜厚が60ｎｍのものは、90ｎｍ
のものよりもＳＮＲが1.6 ｄＢ程度低く、また下地誘電
体層１３の膜厚が98ｎｍのものは、60ｎｍのものよりも
記録パワー感度が1.5 ｍＷ程度悪化した。これらのこと
から、光磁気ディスク１の下地誘電体層１３の膜厚は65
ｎｍ〜95ｎｍが好ましいことが判った。但し、この範囲
は熱伝導層１８をＡｌＣｒ膜で形成した場合である。熱
伝導層１８をＡｌＴｉで形成した場合は、下地誘電体層
１３の膜厚が105 ｎｍで十分な記録パワーが得られ、11
5 ｎｍで許容範囲外であった。従って、本発明に係る光
磁気ディスクの下地誘電体層１３の膜厚の最適な範囲は
65ｎｍ〜110 ｎｍであると言える。
【００６８】次に、実施の形態１と同様の光磁気ディス
クを、ＳｉＮからなる上地誘電体層１７の膜厚のみを異
ならせて形成し、記録パワー感度及び環境温度耐久性を
測定した。その結果、上地誘電体層１７の膜厚が15ｎｍ
のものは、温度80℃，湿度85％の環境下で200 時間後に
腐食のような欠陥が生じた。また、上地誘電体層１７の
膜厚が65ｎｍのものは、20ｎｍのものよりも記録パワー
感度が２ｍＷ程度悪化した。これらのことから、本発明
に係る光磁気ディスクの上地誘電体層１７の膜厚は20ｎ
ｍ〜60ｎｍが好ましいと言える。
【００６９】実施の形態５．上述した実施の形態１と同
様の光磁気ディスクを、基板１２のみを異ならせて形成
した。実施の形態５の基板は、グルーブの深さは93ｎｍ
（λ／（4.4n）ｎｍ），ランド幅は0.75μｍのポリカー
ボネート製のランド基板である。その他の寸法及び構成
は実施の形態１と同様であり、その説明を省略する。こ
のような光磁気ディスクについてランダムジッタを評価
した。図２１はその結果を示すグラフである。縦軸はラ
ンダムジッタを示し、横軸はレーザ光の記録パワーを示
している。グラフから、ランダムジッタが12.5％以下で
ある記録パワーマージンは、±11％であることが判る。
従って、高密度記録された実施の形態５の光磁気ディス
クのジッタの記録パワーマージンは±１１％を示してい
ることが判る。これは実用上十分な値である。
【００７０】実施の形態６．図２２は実施の形態６の光
磁気ディスクの膜構成を示す断面図である。光磁気ディ
スク２はポリカーボネート製の基板１２上に、ＡｌＣｒ
からなる熱伝導層１８、ＳｉＮからなる下地誘電体層１
３、ＴｂＦｅＣｏからなる記録層１６、ＧｄＦｅＣｏＳ
ｉからなる中間層１５、ＧｄＦｅＣｏからなる再生層１
４及びＳｉＮからなる上地誘電体層１７を積層して構成
されており、光磁気ディスク２の最外層、即ち基板１２
と上地誘電体層１７との夫々の表面が第１及び第２の紫
外線硬化膜１１，１９で被覆されている。光磁気ディス
ク２は膜の積層順序が異なることの他は図１に示す光磁
気ディスク１と同様であり、各磁性膜の飽和磁化，キュ
リー温度などの磁気特性及び膜厚、並びに基板仕様につ
いては説明を省略する。
【００７１】以上の如き膜構成の光磁気ディスク２に、
最短マーク長が0.38μｍのランダムデータを光変調記録
し、線速7.5 ｍ／ｓで再生して評価した。再生時には記
録マークの記録方向と同方向の再生磁界を300 Ｏｅで印
加した。また、再生レーザ光は基板１２から遠い側、即
ち再生層１４に近い側から照射された。その結果、1.3
ＧＢの記録容量を有する高密度記録の光磁気ディスク２
の再生が、実施の形態１と同様に、十分なジッタの記録
パワーマージンを有して実現できることが判った。
【００７２】なお、本発明の光磁気記録媒体の再生層、
中間層及び記録層は、上述した実施の形態１〜実施の形
態６の光磁気ディスクに用いた磁性膜には限らない。上
述した範囲の磁気特性を有する磁性膜であれば、3.5 イ
ンチ径で片面1.3 ＧＢの高密度記録された媒体をＭＳＲ
再生できる。
【００７３】
【発明の効果】以上のように、本発明においては、所定
範囲の飽和磁化を有する磁性膜を用いて光磁気記録媒体
を形成してあるので、トラックピッチが0.9 μｍ、最短
マーク長が0.38μｍ程度の高密度記録媒体を、再生磁界
が300 Ｏｅ以下でＭＳＲ再生することが可能となる。ま
た、所定範囲のキュリー温度を有する磁性膜を用いて光
磁気記録媒体を形成してあるので、現行の光磁気ドライ
ブを用いての再生が可能となり、現状媒体との互換性を
保つことができる。さらに、このような光磁気記録媒体
は、繰り返し記録／再生に対する耐久性に優れている。
さらにまた、磁性膜をその飽和磁化が所定の値になるよ
うに成膜することにより、所望の磁気特性を有する光磁
気記録媒体を再現性良く製造でき、高密度記録再生が確
実となる等、本発明は優れた効果を奏する。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の光磁気ディスクの膜構成を示す断面図
である。
【図２】本発明の光磁気ディスクの膜構成と再生時の磁
化状態を示す図である。
【図３】実施の形態１の光磁気ディスクのジッタの記録
パワーマージンを示すグラフである。
【図４】再生層の飽和磁化とマスク形成の必要再生磁界
との関係を示すグラフである。
【図５】再生層の飽和磁化と再生信号品質との関係を示
すグラフである。
【図６】中間層の飽和磁化とマスク形成の必要再生磁界
との関係を示すグラフである。
【図７】中間層の飽和磁化と再生信号品質との関係を示
すグラフである。
【図８】記録層の飽和磁化とマスク形成の必要再生磁界
との関係を示すグラフである。
【図９】記録層の飽和磁化と再生信号品質との関係を示
すグラフである。
【図１０】記録層のキュリー温度と記録パワーとの関係
を示すグラフである。
【図１１】光磁気ディスクの環境温度と記録パワーとの
関係を示すグラフである。
【図１２】中間層のキュリー温度と再生パワーとの関係
を示すグラフである。
【図１３】中間層の磁化容易軸特性と再生磁界との関係
を示すグラフである。
【図１４】中間層のキュリー温度と磁化容易軸特性との
関係を示すグラフである。
【図１５】記録層のキュリー温度とレーザ光のパワーと
の関係を示すグラフである。
【図１６】比較例のジッタの記録パワーマージン及び必
要再生磁界を示すグラフである。
【図１７】実施の形態２のランド記録ディスクのトラッ
クピッチに対する再生特性及び必要再生磁界を示すグラ
フである。
【図１８】実施の形態２のグルーブ記録ディスクのトラ
ックピッチに対する再生特性及び必要再生磁界を示すグ
ラフである。
【図１９】実施の形態２のトラックピッチに対するマス
ク形成の必要再生磁界の関係を示すグラフである。
【図２０】実施の形態２の記録層とマスク形成の必要再
生磁界の関係を示すグラフである。
【図２１】実施の形態５の光磁気ディスクのジッタの記
録パワーマージンを示すグラフである。
【図２２】実施の形態６の光磁気ディスクの膜構成を示
す断面図である。
【符号の説明】
１，２ 光磁気ディスク １１，１９ 紫外線硬化膜 １２ 基板 １３ 下地誘電体層 １４ 再生層 １５ 中間層 １６ 記録層 １７ 上地誘電体層 １８ 熱伝導層
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｇ１１Ｂ 11/105 ５１１ Ｇ１１Ｂ 11/105 ５１１Ｐ ５２１ ５２１Ｅ ５２１Ｆ ５３１ ５３１Ｅ ５３１Ｇ ５３１Ｖ ５４６ ５４６Ｂ ５４６Ｆ (72)発明者 武藤 良弘 東京都品川区北品川６丁目７番35号 ソニ ー株式会社内

Claims (14)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 少なくとも再生層、中間層及び記録層を
    積層した磁性積層膜を有し、前記再生層及び前記記録層
    は積層方向の磁化容易特性を有する磁性膜であり、前記
    中間層は室温で面内方向の磁化容易特性を有する磁性膜
    である光磁気記録媒体において、 前記再生層，前記中間層及び前記記録層は、室温で、８
    emu/cc〜100 emu/cc，140 emu/cc〜250 emu/cc及び50em
    u/cc〜150 emu/ccの飽和磁化を夫々有することを特徴と
    する光磁気記録媒体。
  2. 【請求項２】 前記再生層，前記中間層及び前記記録層
    は、240 ℃〜350 ℃，160 ℃〜220 ℃及び240 ℃〜350
    ℃のキュリー温度を夫々有する請求項１記載の光磁気記
    録媒体。
  3. 【請求項３】 前記再生層及び前記記録層は、夫々、Ｇ
    ｄＦｅＣｏ及びＴｂＦｅＣｏからなる希土類遷移金属で
    形成されており、前記中間層はＧｄＦｅＣｏからなる希
    土類遷移金属に、Ｓｉ，Ａｌ及びＣｒからなるグループ
    から選択される非磁性金属を含めてある請求項１又は２
    記載の光磁気記録媒体。
  4. 【請求項４】 さらに、基板，保護樹脂層及び熱伝導層
    を備え、前記基板側から前記再生層，前記中間層，前記
    記録層及び前記熱伝導層の順に積層してあり、両面の最
    外層を前記保護樹脂層で被覆してある請求項１乃至３の
    いずれかに記載の光磁気記録媒体。
  5. 【請求項５】 さらに、基板，保護樹脂層及び熱伝導層
    を備え、前記基板側から前記熱伝導層，前記記録層，前
    記中間層及び前記再生層の順に積層してあり、両面の最
    外層を前記保護樹脂層で被覆してある請求項１乃至３の
    いずれかに記載の光磁気記録媒体。
  6. 【請求項６】 前記熱伝導層は、５ｎｍ〜25ｎｍの膜厚
    を有している請求項４又は５記載の光磁気記録媒体。
  7. 【請求項７】 前記基板と前記再生層との間に第１の誘
    電体層を、前記記録層と熱伝導層との間に第２の誘電体
    層を備え、前記第１の誘電体層は65ｎｍ〜110 ｎｍの膜
    厚を有し、前記第２の誘電体層は20ｎｍ〜60ｎｍの膜厚
    を有する請求項４又は６記載の光磁気記録媒体。
  8. 【請求項８】 前記磁性積層膜はランド部及びグルーブ
    部を有する基板上に形成されており、前記ランド部に記
    録マークを形成すべくなしてある請求項１乃至７のいず
    れかに記載の光磁気記録媒体。
  9. 【請求項９】 少なくとも再生層、中間層及び記録層を
    積層した磁性積層膜を備え、前記再生層及び前記記録層
    は積層方向の磁化容易特性を有する磁性膜であり、前記
    中間層は室温で面内方向の磁化容易特性を有する磁性膜
    である光磁気記録媒体において、 前記磁性積層膜はグルーブ部及びランド部を有する基板
    上に形成され、前記グルーブ部は0.72μｍ〜0.76μｍの
    幅寸法を有して略0.9 μｍピッチで形成されており、前
    記再生層，前記中間層及び前記記録層は、室温で夫々、
    ８emu/cc〜100emu/cc，140 emu/cc〜250 emu/cc及び50e
    mu/cc〜150 emu/ccの飽和磁化と、240℃〜350 ℃，160
    ℃〜220 ℃及び240 ℃〜350 ℃のキュリー温度とを有す
    ることを特徴とする光磁気記録媒体。
  10. 【請求項１０】 少なくとも再生層、中間層及び記録層
    を積層した磁性積層膜を有し、前記再生層及び前記記録
    層は積層方向の磁化容易特性を有する磁性膜であり、前
    記中間層は室温で面内方向の磁化容易特性を有する磁性
    膜である光磁気記録媒体の製造方法において、 基板上に前記再生層を室温で８emu/cc〜100 emu/ccの飽
    和磁化を有すべく形成する過程と、前記再生層上に前記
    中間層を室温で140 emu/cc〜250 emu/ccの飽和磁化を有
    すべく形成する過程と、前記中間層上に前記記録層を室
    温で50emu/cc〜150 emu/ccの飽和磁化を有すべく形成す
    る過程とを有することを特徴とする光磁気記録媒体の製
    造方法。
  11. 【請求項１１】 少なくとも再生層、中間層及び記録層
    を積層した磁性積層膜を有し、前記再生層及び前記記録
    層は積層方向の磁化容易特性を有する磁性膜であり、前
    記中間層は室温で面内方向の磁化容易特性を有する磁性
    膜である光磁気記録媒体の製造方法において、 基板上に前記記録層を室温で50emu/cc〜150 emu/ccの飽
    和磁化を有すべく形成する過程と、前記記録層上に前記
    中間層を室温で140 emu/cc〜250 emu/ccの飽和磁化を有
    すべく形成する過程と、前記中間層上に前記再生層を室
    温で８emu/cc〜100 emu/ccの飽和磁化を有すべく形成す
    る過程とを有することを特徴とする光磁気記録媒体の製
    造方法。
  12. 【請求項１２】 前記再生層及び前記記録層は、夫々、
    ＧｄＦｅＣｏ及びＴｂＦｅＣｏからなる希土類遷移金属
    で形成されており、前記中間層はＧｄＦｅＣｏからなる
    希土類遷移金属に、Ｓｉ，Ａｌ及びＣｒからなるグルー
    プから選択される非磁性金属を含めてある請求項１０又
    は１１記載の光磁気記録媒体の製造方法。
  13. 【請求項１３】 前記記録層上に熱伝導層を形成する過
    程と、両面の最外層を保護樹脂層で被覆する過程とをさ
    らに有する請求項１０又は１２記載の光磁気記録媒体の
    製造方法。
  14. 【請求項１４】 前記基板と前記記録層との間に熱伝導
    層を形成する過程と、両面の最外層を保護樹脂層で被覆
    する過程とをさらに有する請求項１１又は１２記載の光
    磁気記録媒体の製造方法。
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