JP2000200798A

JP2000200798A - 半導体装置及びその実装基板

Info

Publication number: JP2000200798A
Application number: JP11001116A
Authority: JP
Inventors: Kazuma Miura; 一真三浦; Tetsuya Nakatsuka; 哲也中塚; Tasao Soga; 太佐男曽我; Toshiharu Ishida; 寿治石田; Koji Serizawa; 弘二芹沢; Asao Nishimura; 朝雄西村; Hideo Miura; 英生三浦; Takeshi Terasaki; 健寺崎
Original assignee: Hitachi Ltd
Current assignee: Hitachi Ltd
Priority date: 1999-01-06
Filing date: 1999-01-06
Publication date: 2000-07-18

Abstract

(57)【要約】【課題】接続信頼性の良い半導体装置の電極パッド及
びの実装基板の電極パッドを提供する。【解決手段】バンプを外部電極にもつ半導体装置、お
よびそれを実装するための基板の電極パッドを凹状にし
たり、凸部を設けたり、格子状電極パッドを設ける。こ
れらの構造の電極パッドを有する半導体装置にバンプを
形成し、この半導体装置を同じ構造の電極パッドを有す
る基板に実装する。これにより、鉛を含まない硬いはん
だ材料を用いても、半導体装置と実装基板との接続信頼
性を向上させることができる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は半導体装置及びその
実装基板に係わり、特に半導体装置の電極パッドとバン
プ間の接続構造、およびバンプを外部電極にもつ半導体
装置用実装基板において、前記半導体装置のバンプが接
続される電極パッドの構造に関する。

【０００２】

【従来の技術】ＢＧＡ、ＣＳＰ、フリップチップなど、
バンプ（はんだボール）を外部電極にもつ半導体装置の
需要が増大している。これらＢＧＡ、ＣＳＰ、フリップ
チップなど、バンプを外部電極にもつ半導体装置は、通
常銅（Ｃｕ）の表面にニッケル−金（Ｎｉ／Ａｕ）、パ
ナジウム−ニッケル−金（Ｐｄ／Ｎｉ／Ａｕ）めっきを
施した電極パターンにフラックスを塗布し、その上には
んだボールを各電極に搭載し、リフロ加熱することによ
りバンプを形成する。また、これら半導体装置の実装は
半導体装置の電極パターンと同じ構造の基板に電極パタ
ーン状にはんだ粒子とフラックスで構成されるペースト
材料を塗布し、この半導体装置のバンプと基板の電極パ
ターンを位置あわせして基板に半導体装置を搭載し、リ
フロ加熱することが行われる。

【０００３】ところが、近年、電子機器の小型化、薄形
化の要求に伴い、半導体装置、基板の小型、薄形化が進
み、実装密度も高くなっている。したがって、基板に機
械的、熱的外力が負荷されると、この半導体装置の電極
／バンプ、及びバンプ／基板接続部にかかる外力は、大
きく、従来の接続構造では接続部にクラックが入った
り、剥離の懸念がある。

【０００４】これを防ぐために、半導体パケージの電極
パッドの表面の電極パッドを凹凸状に粗化し、これら電
極パッドにフラックスを塗布し、電極パッドにはんだボ
ールを搭載したのち、リフロ加熱することによって電極
パッドとはんだボールを接続したバンプ付半導体装置が
考えられる。また、実装基板においても電極パッドの表
面を凹凸状に粗化する。この粗化された電極パッドの表
面にはんだペースト材料を印刷した後、半導体装置のバ
ンプを実装基板の電極パッドと位置あわせして半導体装
置と実装基板をリフロ加熱することによって半導体装置
を実装基板に搭載している。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】バンプを外部電極にも
つ半導体装置を基板に実装した場合、そのあとの機械的
・熱的負荷により半導体装置の電極／バンプ、及びバン
プ／基板接続部がダメージを受け、信頼性に影響するこ
とが予想される。また、最近、環境対応ではんだボール
に従来からの錫−鉛（Ｓｎ−Ｐｂ）共晶はんだにかわ
り、鉛（Ｐｂ）を含まないいわゆるＰｂフリーはんだ材
料の使用が検討されつつあるが、Ｐｂフリーはんだボー
ルを用いてバンプを形成した半導体装置を基板に実装し
た場合、従来のＳｎ−Ｐｂ共晶はんだの場合に比べ、接
続部の寿命は短くなる懸念がある。また、電極パッドの
表面を凹凸に粗化した場合でも、この凹凸に沿ってクラ
ックが走るために接続部の寿命をあまり長く保つ事はで
きない。

【０００６】そこで、半導体装置、および実装基板の電
極パッド部の構造を工夫することで、半導体装置の電極
パッドとバンプ、バンプと実装基板の電極パッドの接続
部強度が向上するばかりでなく、実装後の基板に機械
的、熱的負荷を受けたときの接続部界面付近にクラック
が発生した場合においてそのクラックの進展を防止した
半導体装置を提供することができる。

【０００７】従って、本発明の目的は半導体装置及び実
装基板の電極パッドとバンプの接続強度を向上させるこ
とができる半導体装置及び実装基板を提供することにあ
る。本発明の他の目的は半導体装置及び実装基板の電極
パッドとバンプ間に発生するクラックの進展を防止した
半導体装置及びその実装基板を提供することにある。

【０００８】

【発明を解決するための手段】本発明の目的を達成する
ために、本発明の半導体装置は、バンプを外部電極に持
つ半導体装置において、前記バンプを接続するための前
記半導体装置の電極パッドはクラックの進行を阻止する
ための段部を有する。前記電極パッドには突出部と底部
からなる凹状部が設けられ、前記突出部から底部に至る
段部でクラックの進行を阻止する。または、前記電極パ
ッドは第１の電極パッドと、前記第１の電極パッド上に
設けられ、前記第１の電極パッドより小さい第２の電極
パッドで構成され、第１の電極パッドと第２の電極パッ
ド間の段部でクラックの進行を阻止する。また、前記電
極パッドは凸部を有し、前記凸部に至るまでの電極パッ
ドと前記凸部との間の段部でクラックの進行を阻止す
る。また、前記電極パッドは格子状電極パッドを有し、
前記格子状の段部でクラックの進行を阻止する。

【０００９】本発明の目的を達成するために、本発明に
よる半導体装置を実装するための実装基板は、バンプを
外部電極にもつ半導体装置の前記バンプを電極パッドに
接続して前記半導体装置を実装するための実装基板にお
いて、前記半導体装置のバンプを接続するための実装基
板の電極パッドはクラックの進行を阻止するための段部
を有する。前記電極パッドは突出部と底部からなる凹状
部が設けられ、前記突出部から底部で構成される段部で
クラックの進行を阻止する。また、前記電極パッドは第
１の電極パッドと、前記第１の電極パッド上に設けら
れ、前記第１の電極パッドより小さい第２の電極パッド
で構成され、第１の電極パッドと第２の電極パッド間の
段部でクラックの進行を阻止する。また、前記電極パッ
ドは凸部を有し、前記凸部に至るまでの電極パッドと前
記凸部との間の段部でクラックの進行を阻止する。ま
た、前記電極パッドは格子状電極パッドを有し、前記格
子状の段部でクラックの進行を阻止する。前述の半導体
装置において、前記バンプの材料として鉛が含まれない
材料を使用することができる。また、前述の実装基板に
おいて、前記電極パッドに塗布されるはんだペースト材
料に鉛が含まれない材料を使用することができる。

【００１０】本発明による半導体装置は、バンプを外部
電極に持つ半導体装置において、前記バンプを接続する
ために設けられた半導体装置の電極パッドはその周辺部
がその中央部に比べて高くなっている。また、バンプを
外部電極に持つ半導体装置において、前記バンプを接続
するために設けられた半導体装置の電極パッドは凹形状
に構成されている。または、バンプを外部電極にもつ半
導体装置において、前記バンプを接続するために設けら
れた半導体装置の電極パッドは第１の電極パッドの中に
前記第１の電極パッドよりも小さな第２の電極パッドを
設け、前記第１及び前記第２の電極パッドにバンプが接
続される。また更に、バンプを外部電極にもつ半導体装
置において、前記バンプを接続するために設けられた半
導体装置の電極パッドはその中央部分が周辺部分に比べ
高くなっており、前記電極パッドにバンプが接続されて
いる。これら半導体装置において、前記バンプの材料と
して鉛が含まれない材料を使用することができる。

【００１１】本発明による実装基板は、バンプを外部電
極に持つ半導体装置を実装するための実装基板におい
て、前記バンプを接続するために設けられた実装基板の
電極パッドはその周辺部がその中央部に比べて高くなっ
ている。また、バンプを外部電極に持つ半導体装置を実
装するための実装基板において、前記バンプを接続する
ために設けられた実装基板の電極パッドは凹形状に構成
されている。また、バンプを外部電極に持つ半導体装置
を実装するための実装基板において、前記バンプを接続
するために設けられた実装基板の電極パッドは第１の電
極パッドの中に前記第１の電極パッドよりも小さな第２
の電極パッドを設ける。また更に、バンプを外部電極に
持つ半導体装置を実装するための実装基板において、前
記バンプを接続するために設けられた実装基板の電極パ
ッドはその中央部分が周辺部分に比べ高くなっている。

【００１２】これら実装基板において、前記バンプを前
記電極パッドに接続するために前記電極パッドに塗布さ
れるペースト材料には鉛が含まれない材料を使用するこ
とができる。本発明ではバンプが接続される半導体装置
の電極パッド、実装基板の電極パッドにおいては前述の
ように電極パッドを構成することによって、実装後の基
板に機械的、熱的負荷を受けたときにおいて、周辺部か
ら接続部界面付近に発生したクラックの内部への進展を
電極パッド内の段部や突起で防止することができるた
め、接続部の寿命を向上させることができる。

【００１３】

【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を幾つ
かの実施例を用い、図面を参照して説明する。図１は本
発明による半導体装置と実装基板の接合状態の第１の実
施例を示す一部断面図である。図において、１は半導体
パッケージであり、半導体パッケージ１の電極パッド２
は断面が凹状に構成されている。このパッド２の表面は
ニッケル−金（Ｎｉ／Ａｕ）めっきが施されている。こ
の電極パッド２にフラックスを塗布し、バンプ３をこの
電極パッド２に搭載した後リフロ加熱することによっ
て、電極パッド２とバンプ３が接続され、バンプ付半導
体装置が得られる。実装基板４の電極パッド５も断面が
凹状に形成されており、この電極パッド５にはんだペー
スト材を印刷した後バンプ付半導体装置と位置合わせを
して実装基板４に搭載してリフロ加熱することによっ
て、バンプ付半導体装置は実装基板４に搭載される。電
極パッド２、５には通常銅（Ｃｕ）が用いられ、電極パ
ッド２、５の表面は一般にニッケル（Ｎｉ）下地めっき
を介して金（Ａｕ）めっきが施される。電極パッド２、
５の凹状部は突出部６ａ、６ｂと底部７ａ、７ｂから構
成されている。この電極パッド２、５の突出部６ａ、６
ｂはその周囲が切れ目なく接続されていても良いし、所
どころ切れ目が入っていても良い。また、突出部の平面
から見た形状は円、楕円形、多角形等色々な形状を採用
することができる。この電極パッドの加工は図２を用い
て後述する。

【００１４】この実施例において、凹状の電極パッド
２、５とバンプ３との間でクラックが発生する場合、ク
ラックはまず電極パッド２、５の突出部６ａ、６ｂに沿
って発生する。次にこのクラックはこれとは垂直方向に
進み、やがて底部７ａ、７ｂに沿って進むことになる
が、通常の機械的又は熱的負荷ではこのクラックは突出
部６ａ、６ｂで止まるため、クラックによる剥離が生じ
にくい。このように、表面にめっきしただけの場合、強
度は平均で２００ｇ／バンプであるが、電極パッド２、
５の表面を凹状にすることによって強度が改善される。

【００１５】図２（ａ）〜図２（ｃ）は電極パッドの製
造工程を説明するための一部断面図である。図２（ａ）
に示すように、加工前の電極パッド２、５の底部７ａを
形成する部分以外にレジスト８を塗布した後、エッチン
グ液に浸して中心部を削り、図２（ｂ）に示すように凹
部を形成する。その後レジスト８を除去して、図２
（ｃ）に示すように凹状に形成された電極パッド２、５
を得る。

【００１６】図３は本発明による半導体装置と実装基板
の接合状態の第２の実施例を示す一部断面図である。こ
の実施例においては、半導体パッケージ１、実装基板４
のそれぞれの電極パッド１５、１７の上にパッド１５、
１７よりも小さな電極パッド１６、１８を設けている。

【００１７】この電極構造の製法例を図４を用いて説明
する。図４（ａ）〜図４（ｃ）は電極パッドの製造工程
を説明するための一部断面図である。図４（ａ）に示す
ように、銅で成形されている電極パッド１７上で電極パ
ッド１８を形成させたくない部分にレジスト８を塗布す
る。次に、図４（ｂ）に示すように、レジスト８が塗布
されていない部分に銅めっきを施す。所望の厚さまでめ
っきを施した後、図４（ｃ）に示すように、レジスト８
を剥離して、最後に電極パッド１７、１８にニッケル−
金（Ｎｉ／Ａｕ）めっきを施すことによって電極パッド
１７、１８が得られる。なお、半導体パッケージ１の電
極パッド１５、１６も同様にして形成することができ
る。バンプ３、およびはんだペーストに例えば錫−銀−
ビスマス（Ｓｎ−Ａｇ−Ｂｉ）のような硬くて脆いはん
だ材料を用いた場合、前記の条件で熱的負荷を繰り返し
加えられると、バンプ３と電極パッド界面にクラックが
入り剥離する。

【００１８】本実施例の電極パターン構造においては電
極パッド１５、１７内に他のパッド１６、１８を設けた
り、電極を凹状に成形しているために、バンプ３との界
面にクラックが発生しても、クラックは電極パッド１
６、１８部分や凹状電極パッド２、５の突起部６ａ、６
ｂでいったん止まり、その後パッド内の小パッド１６、
１８とバンプ３の接続部へ伝播していく。したがって、
クラック発生と同時に界面が剥離することはない。

【００１９】また、多くの電子回路基板では、外部電極
がバンプあるいはリードで構成されている半導体装置の
バンプ又はリードをはんだペーストを介して実装基板と
面付けする面実装品と、外部電極がピンである半導体装
置を基板のスルーホールに挿入してはんだ付けされた挿
入はんだ付け品の両方からなる場合が多い。通常は表面
実装した後、挿入品の接続を行うため、面実装品の接続
部は挿入はんだ付けの際に熱履歴を受ける。錫−銀―ビ
スマス（Ｓｎ−Ａｇ−Ｂｉ）系の鉛（Ｐｂ）フリー（Ｂ
ｉ：０〜２０％）はんだを用いた場合には表面実装品の
接合部がダメージを受けクラック等の発生の懸念がある
が、外部電極がバンプである半導体装置のうち本発明の
電極構造のものについては挿入はんだ付け後の接続部の
観察結果においてクラック等の発生は認められなかっ
た。

【００２０】図５は本発明による半導体装置と実装基板
の接合状態の第３の実施例を示す一部断面図である。図
において、電極パッド２０、２１の中央部には凸部２
２、２３が設けられている。この電極パッド構造におい
ても上述の理由によって、クラックは凸部２２、２３で
食い止められるため、電極パッド２０、２１とバンプ３
が剥離することはない。

【００２１】図６は本発明による半導体装置と実装基板
の接合状態の第４の実施例を示す一部断面図である。図
７は格子状電極の拡大平面図である。この実施例におい
ては、電極パッド２５、２６の上に格子状の電極パッド
２７、２８が設けられている。これら電極パッド２５、
２６は、電極パッド２５、２６の電極パッド２７、２８
に相当する部分以外をレジストで被覆して、めっきする
ことで得ることができる。なお、この電極パッド２７、
２８としてはレジストを用いることもできる。

【００２２】また、電極パッド内にレジストからなる小
パッド２７、２８を形成させた場合ははんだはレジスト
部分に濡れず、未接合部分ができる。クラックの伝播が
レジスト部分を通過しないことが考えられる。そのよう
な場合は図７に示すように電極パッド２７、２８内に、
例えばレジストパターン２９を設けることにより、周囲
から発生したクラックがレジスト部分で止まり、接続部
分が少ないながらも中心付近で残るため、製品の寿命向
上に有効であると考える。

【００２３】例えば、１．２７ｍｍピッチ、４列配置、
２５６ピンのＢＧＡ（外形サイズ２７ｍｍ角：チップサ
イズ：１４ｍｍ角）において鉛（Ｐｂ）フリーはんだで
あるＳｎ−Ａｇ−Ｂｉボール（φ０．７６ｍｍ）を用い
てバンプを形成し、さらに、Ｓｎ−Ａｇ−Ｂｉペースト
で基板に実装後、−５５〜１２５℃で温度サイクルを行
い、接続部の寿命評価を行った。接続部が完全に界面で
剥離する場合について比較すると、パターン表面にめっ
きしただけのものは２００サイクルでコーナピンが完全
に剥離するが、本発明のパターン構造にすることによ
り、例えば電極パッドを凹状に形成したり、電極パッド
の中央部に突起部を設けたり、電極パッドに格子状パッ
ドを設けたりした場合には、５００サイクルまで寿命を
延ばすことができた。

【００２４】なお、本発明の実施例では半導体パッケー
ジ１、実装基板４の両方について本発明の電極パッドと
しているが、バンプ３を有する半導体パッケージ１が実
装された実装基板４が機械的、熱的な負荷を受けた場
合、主にバンプと基板接続部側でクラック、剥離がおこ
る。なお、基板側の接続部のみにクラックが入る場合に
ついては、半導体パッケージ１側の電極パッドは従来の
めっきのみ、すなわち、本発明のパッド構造をとらなく
てもよい。図１、図３で示した電極構造についても半導
体パッケージについては従来の電極パッドにバンプを形
成したものを用いても差し支えない。

【００２５】

【発明の効果】以上述べたように、本発明の電極パッド
構造においてはバンプを外部電極にもつ半導体装置及び
此れをを実装するための実装基板の接続信頼性を向上さ
せる事ができる。また、本発明に係わる電極パッド構造
にすれば、Ｓｎ−Ｐｂ共晶はんだに比べ、硬いため実装
時の接続信頼性に劣ると思われる鉛を含まないはんだ材
料をバンプやペーストに用いても半導体装置とバンプ、
半導体装置を実装した基板の間の接続信頼性を向上させ
ることができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明による半導体装置と実装基板の接合状態
の第１の実施例を示す一部断面図である。

【図２】電極パッドの製造工程を説明するための一部断
面図である。

【図３】本発明による半導体装置と実装基板の接合状態
の第２の実施例を示す一部断面図である。

【図４】電極パッドの製造工程を説明するための一部断
面図である。

【図５】本発明による半導体装置と実装基板の接合状態
の第３の実施例を示す一部断面図である。

【図６】本発明による半導体装置と実装基板の接合状態
の第４の実施例を示す一部断面図である。

【図７】本発明による格子状電極パッドの拡大平面図で
ある。

【符号の説明】

１…半導体パッケージ、２、５、１５、１６、１７、１
８、２０、２１、２７、２８…電極パッド、３…バン
プ、４…実装基板。２９…レジストパターン。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者曽我太佐男神奈川県横浜市戸塚区吉田町292番地株式会社日立製作所生産技術研究所内 (72)発明者石田寿治神奈川県横浜市戸塚区吉田町292番地株式会社日立製作所生産技術研究所内 (72)発明者芹沢弘二神奈川県横浜市戸塚区吉田町292番地株式会社日立製作所生産技術研究所内 (72)発明者西村朝雄東京都小平市上水本町五丁目20番１号株式会社日立製作所半導体事業本部内 (72)発明者三浦英生茨城県土浦市神立町502番地株式会社日立製作所機械研究所内 (72)発明者寺崎健茨城県土浦市神立町502番地株式会社日立製作所機械研究所内

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】バンプを外部電極に持つ半導体装置におい
て、前記バンプを接続するための前記半導体装置の電極
パッドはクラックの進行を阻止するための段部を有する
ことを特徴とする半導体装置。
【請求項２】請求項１記載の半導体装置において、前記
電極パッドには突出部と底部からなる凹状部が設けら
れ、前記突出部から底部に至る段部でクラックの進行を
阻止することを特徴とする半導体装置。
【請求項３】請求項１記載の半導体装置において、前記
電極パッドは第１の電極パッドと、前記第１の電極パッ
ド上に設けられ、前記第１の電極パッドより小さい第２
の電極パッドで構成され、第１の電極パッドと第２の電
極パッド間の段部でクラックの進行を阻止することを特
徴とする半導体装置。
【請求項４】請求項１記載の半導体装置において、前記
電極パッドは凸部を有し、前記凸部に至るまでの電極パ
ッドと前記凸部との間の段部でクラックの進行を阻止す
ることを特徴とする半導体装置。
【請求項５】請求項１記載の半導体装置において、前記
電極パッドは格子状電極パッドを有し、前記格子状の段
部でクラックの進行を阻止することを特徴とする半導体
装置。
【請求項６】バンプを外部電極にもつ半導体装置の前記
バンプを電極パッドに接続して前記半導体装置を実装す
るための実装基板において、前記半導体装置のバンプを
接続するための実装基板の電極パッドはクラックの進行
を阻止するための段部を有する事を特徴とする実装基
板。
【請求項７】請求項６記載の実装基板において、前記電
極パッドは突出部と底部からなる凹状部が設けられ、前
記突出部から底部で構成される段部でクラックの進行を
阻止することを特徴とする実装基板。
【請求項８】請求項６記載の実装基板において、前記電
極パッドは第１の電極パッドと、前記第１の電極パッド
上に設けられ、前記第１の電極パッドより小さい第２の
電極パッドで構成され、第１の電極パッドと第２の電極
パッド間の段部でクラックの進行を阻止することを特徴
とする実装基板。
【請求項９】請求項６記載の実装基板において、前記電
極パッドは凸部を有し、前記凸部に至るまでの電極パッ
ドと前記凸部との間の段部でクラックの進行を阻止する
ことを特徴とする実装基板。
【請求項１０】請求項６記載の実装基板において、前記
電極パッドは格子状電極パッドを有し、前記格子状の段
部でクラックの進行を阻止することを特徴とする実装基
板。
【請求項１１】請求項１、２、３、４、または５記載の
半導体装置において、前記バンプの材料として鉛が含ま
れない材料を使用することを特徴とする半導体装置。
【請求項１２】請求項６、７、８、９、または１０記載
の実装基板において、前記電極パッドに塗布されるはん
だペースト材料に鉛が含まれないことを特徴とする実装
基板。
【請求項１３】バンプを外部電極に持つ半導体装置にお
いて、前記バンプを接続するために設けられた半導体装
置の電極パッドはその周辺部がその中央部に比べて高く
なっていることを特徴とする半導体装置。
【請求項１４】バンプを外部電極に持つ半導体装置にお
いて、前記バンプを接続するために設けられた半導体装
置の電極パッドは凹形状に構成されていることを特徴と
する半導体装置。
【請求項１５】バンプを外部電極にもつ半導体装置にお
いて、前記バンプを接続するために設けられた半導体装
置の電極パッドは第１の電極パッドの中に前記第１の電
極パッドよりも小さな第２の電極パッドを設け、前記第
１及び前記第２の電極パッドにバンプが接続されること
を特徴とする半導体装置。
【請求項１６】バンプを外部電極にもつ半導体装置にお
いて、前記バンプを接続するために設けられた半導体装
置の電極パッドはその中央部分が周辺部分に比べ高くな
っており、前記電極パッドにバンプが接続されているこ
とを特徴とする半導体装置。
【請求項１７】請求項１３、１４、１５、または１６記
載の半導体装置において、前記バンプの材料として鉛が
含まれない材料を使用することを特徴とする半導体装
置。
【請求項１８】バンプを外部電極に持つ半導体装置を実
装するための実装基板において、前記バンプを接続する
ために設けられた実装基板の電極パッドはその周辺部が
その中央部に比べて高くなっていることを特徴とする実
装基板。
【請求項１９】バンプを外部電極に持つ半導体装置を実
装するための実装基板において、前記バンプを接続する
ために設けられた実装基板の電極パッドは凹形状に構成
されていることを特徴とする実装基板。
【請求項２０】バンプを外部電極に持つ半導体装置を実
装するための実装基板において、前記バンプを接続する
ために設けられた実装基板の電極パッドは第１の電極パ
ッドの中に前記第１の電極パッドよりも小さな第２の電
極パッドを設けることを特徴とする実装基板。
【請求項２１】バンプを外部電極に持つ半導体装置を実
装するための実装基板において、前記バンプを接続する
ために設けられた実装基板の電極パッドはその中央部分
が周辺部分に比べ高くなっていることを特徴とする実装
基板。
【請求項２２】請求項１８、１９、２０、はたは２１記
載の実装基板において、前記バンプを前記電極パッドに
接続するために前記電極パッドに塗布されるペースト材
料には鉛が含まれないことを特徴とする実装基板。