JP2000200864A - 半導体装置 - Google Patents
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- H10W72/50—Bond wires
- H10W72/551—Materials of bond wires
- H10W72/552—Materials of bond wires comprising metals or metalloids, e.g. silver
- H10W72/5522—Materials of bond wires comprising metals or metalloids, e.g. silver comprising gold [Au]
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
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- H10W90/00—Package configurations
- H10W90/701—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts
- H10W90/751—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires
- H10W90/756—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires between a chip and a stacked lead frame, conducting package substrate or heat sink
Landscapes
- Compositions Of Macromolecular Compounds (AREA)
- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 リフロー時の耐クラック性に優れた半導体装
置を提供する。 【解決手段】 リードフレームのダイパッド２上に搭載
された半導体チップ３を封止する封止樹脂６の材料とし
て、エポキシ系樹脂に耐熱性の熱可塑性樹脂または耐熱
性の熱硬化性樹脂を配合してポリマーアロイ化したもの
を用い、これによって封止樹脂６のガラス転移温度をパ
ッケージ実装温度以上に高めた。
置を提供する。 【解決手段】 リードフレームのダイパッド２上に搭載
された半導体チップ３を封止する封止樹脂６の材料とし
て、エポキシ系樹脂に耐熱性の熱可塑性樹脂または耐熱
性の熱硬化性樹脂を配合してポリマーアロイ化したもの
を用い、これによって封止樹脂６のガラス転移温度をパ
ッケージ実装温度以上に高めた。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、リードフレーム等
の基板に搭載された半導体チップを封止樹脂にて封止し
てなる、樹脂封止型の半導体装置に関する。
の基板に搭載された半導体チップを封止樹脂にて封止し
てなる、樹脂封止型の半導体装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】樹脂封止型の半導体装置には、ＱＦＰ(Q
uad Flat Package) 、ＳＯＰ(Small Out-line Package)
など、種々のパッケージ形態のものがある。この種の半
導体装置では、リードフレーム等の基板上に半導体チッ
プを搭載するとともに、半導体チップ上に形成された電
極パッドとこれに対応する基板電極とをワイヤ等を介し
て接続し、それらを封止樹脂によって封止した構造とな
っている。
uad Flat Package) 、ＳＯＰ(Small Out-line Package)
など、種々のパッケージ形態のものがある。この種の半
導体装置では、リードフレーム等の基板上に半導体チッ
プを搭載するとともに、半導体チップ上に形成された電
極パッドとこれに対応する基板電極とをワイヤ等を介し
て接続し、それらを封止樹脂によって封止した構造とな
っている。
【０００３】これまで、封止樹脂の材料としては、物性
の異なる数種類のエポキシ樹脂（例えば、オルソクレゾ
ールノボラック型エポキシ樹脂にビフェニルや多官能エ
ポキシ等）を配合したり、その配合比を変えて、さらに
硬化剤に工夫を凝らしたものが数多く提示されている。
の異なる数種類のエポキシ樹脂（例えば、オルソクレゾ
ールノボラック型エポキシ樹脂にビフェニルや多官能エ
ポキシ等）を配合したり、その配合比を変えて、さらに
硬化剤に工夫を凝らしたものが数多く提示されている。
【０００４】また、モールドコンパウンドの中に配合さ
れるフィラー（一般的にはシリカを使用）の量を増やし
たり、フィラーの形状として破砕状、球状のものをバラ
ンス良く併用し、再密充填構造でフィラー量を出来るだ
け増やす試みもなされている。さらに、成型時の流動性
を確保するために、球形のフィラーの採用と併せて、封
止樹脂の原料に分子量の小さいエポキシ樹脂を採用する
など、物性改善のための様々な封止材料が作り出されて
いる。
れるフィラー（一般的にはシリカを使用）の量を増やし
たり、フィラーの形状として破砕状、球状のものをバラ
ンス良く併用し、再密充填構造でフィラー量を出来るだ
け増やす試みもなされている。さらに、成型時の流動性
を確保するために、球形のフィラーの採用と併せて、封
止樹脂の原料に分子量の小さいエポキシ樹脂を採用する
など、物性改善のための様々な封止材料が作り出されて
いる。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら現状にお
いては、エポキシ系樹脂単独での特性改善が限界のレベ
ルに達しつつあり、これ以上の改善は困難な状況になっ
ている。また、物性改善を優先するあまり、成型性や生
産性がなおざりにされ、コスト的にも高くなる傾向にあ
る。さらに、エポキシ樹脂の有する接着性、吸湿性、機
械物性などの優れた特性を保持するために、エポキシ系
樹脂単独で改善された封止樹脂（モールドコンパウン
ド）では、その耐熱性の指標となるガラス転移温度（Ｔ
ｇ）が１５０〜１７０℃の範囲に限られている。
いては、エポキシ系樹脂単独での特性改善が限界のレベ
ルに達しつつあり、これ以上の改善は困難な状況になっ
ている。また、物性改善を優先するあまり、成型性や生
産性がなおざりにされ、コスト的にも高くなる傾向にあ
る。さらに、エポキシ樹脂の有する接着性、吸湿性、機
械物性などの優れた特性を保持するために、エポキシ系
樹脂単独で改善された封止樹脂（モールドコンパウン
ド）では、その耐熱性の指標となるガラス転移温度（Ｔ
ｇ）が１５０〜１７０℃の範囲に限られている。
【０００６】これに対して、半導体装置（パッケージ）
をマザーボード等に実装するときの半田リフロー温度
（パッケージ実装温度）は通常２２０〜２６０℃であ
り、現状の封止材料（エポキシ系樹脂）では、そのガラ
ス転移温度がこれを大きく下回っている。ここで、封止
材料の温度による寸法変化は、そのガラス転移温度の高
低によって大きく左右される。すなわち、図２に示すよ
うに、封止材料の線膨張係数αは、その温度がガラス転
移温度Ｔｇに達しないレベルではα1 ＝１０〜３０ｐｐ
ｍのものが多いが、ガラス転移温度Ｔｇ以上になると、
線膨張係数がそれまでの２倍以上（α2 ≧２α1 ）とな
る。また、図３に示すように、封止材料のヤング率は、
その温度がガラス転移温度Ｔｇ以上になると急激に低下
し、それに伴って強度も低下する。
をマザーボード等に実装するときの半田リフロー温度
（パッケージ実装温度）は通常２２０〜２６０℃であ
り、現状の封止材料（エポキシ系樹脂）では、そのガラ
ス転移温度がこれを大きく下回っている。ここで、封止
材料の温度による寸法変化は、そのガラス転移温度の高
低によって大きく左右される。すなわち、図２に示すよ
うに、封止材料の線膨張係数αは、その温度がガラス転
移温度Ｔｇに達しないレベルではα1 ＝１０〜３０ｐｐ
ｍのものが多いが、ガラス転移温度Ｔｇ以上になると、
線膨張係数がそれまでの２倍以上（α2 ≧２α1 ）とな
る。また、図３に示すように、封止材料のヤング率は、
その温度がガラス転移温度Ｔｇ以上になると急激に低下
し、それに伴って強度も低下する。
【０００７】現在使用されているエポキシ系樹脂は、パ
ッケージ実装温度レベルでゴム状領域の物性のため、線
膨張係数の急激な増加とヤング率の急激な低下により、
封止樹脂／リードフレーム（ダイパッド）間及び封止樹
脂／半導体チップ間の密着性が著しく低下してしまう。
また、封止樹脂本体や封止樹脂／リードフレーム界面か
ら吸湿した水分が半田リフロー時の熱で蒸気圧を発生
し、これによってダイパッド裏面やダイパッド／半導体
チップ間が剥離したり、パッケージが膨れてクラックが
発生するなどの問題を抱えている。特に近年において
は、パッケージの小型化や半導体チップの大型化に伴
い、半導体装置に占める封止樹脂の容積が小さくなり、
その分、封止材料にかかる負担は過酷になってきてい
る。
ッケージ実装温度レベルでゴム状領域の物性のため、線
膨張係数の急激な増加とヤング率の急激な低下により、
封止樹脂／リードフレーム（ダイパッド）間及び封止樹
脂／半導体チップ間の密着性が著しく低下してしまう。
また、封止樹脂本体や封止樹脂／リードフレーム界面か
ら吸湿した水分が半田リフロー時の熱で蒸気圧を発生
し、これによってダイパッド裏面やダイパッド／半導体
チップ間が剥離したり、パッケージが膨れてクラックが
発生するなどの問題を抱えている。特に近年において
は、パッケージの小型化や半導体チップの大型化に伴
い、半導体装置に占める封止樹脂の容積が小さくなり、
その分、封止材料にかかる負担は過酷になってきてい
る。
【０００８】本発明は、上記課題を解決するためになさ
れたもので、その目的とするところは、リフロー時の耐
クラック性に優れた半導体装置を提供することにある。
れたもので、その目的とするところは、リフロー時の耐
クラック性に優れた半導体装置を提供することにある。
【０００９】
【課題を解決するための手段】本発明は、上記目的を達
成するためになされたもので、基板上に搭載された半導
体チップを封止樹脂にて封止してなる半導体装置におい
て、封止樹脂の材料として、エポキシ系樹脂に耐熱性の
熱可塑性樹脂または耐熱性の熱硬化性樹脂を配合してポ
リマーアロイ化したものを用いた構成となっている。
成するためになされたもので、基板上に搭載された半導
体チップを封止樹脂にて封止してなる半導体装置におい
て、封止樹脂の材料として、エポキシ系樹脂に耐熱性の
熱可塑性樹脂または耐熱性の熱硬化性樹脂を配合してポ
リマーアロイ化したものを用いた構成となっている。
【００１０】上記構成の半導体装置においては、封止樹
脂の材料として、エポキシ系樹脂に耐熱性の熱可塑性樹
脂または耐熱性の熱硬化性樹脂を配合してポリマーアロ
イ化したものを用いたことにより、エポキシ樹脂単独で
物性改善したものに比べて、封止樹脂のガラス転移温度
を高めることができる。これにより、封止樹脂のガラス
転移温度をパッケージ実装温度（２２０〜２６０℃）以
上とすることで、パッケージ実装時（半田リフロー時）
における封止樹脂の熱膨張を抑制することが可能とな
る。
脂の材料として、エポキシ系樹脂に耐熱性の熱可塑性樹
脂または耐熱性の熱硬化性樹脂を配合してポリマーアロ
イ化したものを用いたことにより、エポキシ樹脂単独で
物性改善したものに比べて、封止樹脂のガラス転移温度
を高めることができる。これにより、封止樹脂のガラス
転移温度をパッケージ実装温度（２２０〜２６０℃）以
上とすることで、パッケージ実装時（半田リフロー時）
における封止樹脂の熱膨張を抑制することが可能とな
る。
【００１１】また本発明は、基板上にダイボンド材を用
いて搭載された半導体チップを封止樹脂にて封止してな
る半導体装置において、ダイボンド材の樹脂材料とし
て、エポキシ系樹脂に耐熱性の熱可塑性樹脂または耐熱
性の熱硬化性樹脂を配合してポリマーアロイ化したもの
を用いた構成となっている。
いて搭載された半導体チップを封止樹脂にて封止してな
る半導体装置において、ダイボンド材の樹脂材料とし
て、エポキシ系樹脂に耐熱性の熱可塑性樹脂または耐熱
性の熱硬化性樹脂を配合してポリマーアロイ化したもの
を用いた構成となっている。
【００１２】上記構成の半導体装置においては、ダイボ
ンド材の樹脂材料として、エポキシ系樹脂に耐熱性の熱
可塑性樹脂または耐熱性の熱硬化性樹脂を配合してポリ
マーアロイ化したものを用いたことにより、エポキシ樹
脂単独で物性改善したものに比べて、ダイボンド材のガ
ラス転移温度を高めることができる。これにより、ダイ
ボンド材のガラス転移温度をパッケージ実装温度（２２
０〜２６０℃）以上とすることで、パッケージ実装時
（半田リフロー時）におけるダイボンド材の熱膨張を抑
制することが可能となる。
ンド材の樹脂材料として、エポキシ系樹脂に耐熱性の熱
可塑性樹脂または耐熱性の熱硬化性樹脂を配合してポリ
マーアロイ化したものを用いたことにより、エポキシ樹
脂単独で物性改善したものに比べて、ダイボンド材のガ
ラス転移温度を高めることができる。これにより、ダイ
ボンド材のガラス転移温度をパッケージ実装温度（２２
０〜２６０℃）以上とすることで、パッケージ実装時
（半田リフロー時）におけるダイボンド材の熱膨張を抑
制することが可能となる。
【００１３】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態につい
て図面を参照しつつ詳細に説明する。図１は、本発明が
適用される半導体装置の一例としてＱＦＰの構造を示す
もので、（ａ）はその斜視図、（ｂ）はその側断面図で
ある。
て図面を参照しつつ詳細に説明する。図１は、本発明が
適用される半導体装置の一例としてＱＦＰの構造を示す
もので、（ａ）はその斜視図、（ｂ）はその側断面図で
ある。
【００１４】図示した半導体装置１においては、リード
フレームのダイパッド２上に半導体チップ３が搭載され
ている。ダイパッド２と半導体チップ３とは、図示せぬ
導電性ペースト（銀ペースト等）を用いて接合されてい
る。また、半導体チップ３の上面には、そのチップ周縁
部に位置して複数の電極パッド（不図示）が形成されて
いる。これに対して、半導体チップ３の周囲には、複数
のインナーリード４が配置されている。そして、半導体
チップ３上の電極パッドとこれに対応するインナーリー
ド４とが、それぞれ金線等のワイヤ５を介して接続され
ている。
フレームのダイパッド２上に半導体チップ３が搭載され
ている。ダイパッド２と半導体チップ３とは、図示せぬ
導電性ペースト（銀ペースト等）を用いて接合されてい
る。また、半導体チップ３の上面には、そのチップ周縁
部に位置して複数の電極パッド（不図示）が形成されて
いる。これに対して、半導体チップ３の周囲には、複数
のインナーリード４が配置されている。そして、半導体
チップ３上の電極パッドとこれに対応するインナーリー
ド４とが、それぞれ金線等のワイヤ５を介して接続され
ている。
【００１５】また、上述のようにダイパッド２に搭載さ
れた半導体チップ３は、その周辺部のインナーリード４
やワイヤ５と一体に封止樹脂６によって封止されてい
る。封止樹脂６は、平面視略正方形に成形されており、
その４辺からは、それぞれインナーリード４と一体構造
をなすアウターリード７が延出している。また、各々の
アウターリード７は、Ｌ字状（ガルウィング状）に曲げ
成形されている。
れた半導体チップ３は、その周辺部のインナーリード４
やワイヤ５と一体に封止樹脂６によって封止されてい
る。封止樹脂６は、平面視略正方形に成形されており、
その４辺からは、それぞれインナーリード４と一体構造
をなすアウターリード７が延出している。また、各々の
アウターリード７は、Ｌ字状（ガルウィング状）に曲げ
成形されている。
【００１６】ここで本実施形態の特徴とするところは、
上述のようにダイパッド２に搭載された半導体チップ３
を封止する封止樹脂６の材料として、エポキシ系樹脂に
耐熱性の熱可塑性樹脂を配合してポリマーアロイ化した
ものを用いた点にある。
上述のようにダイパッド２に搭載された半導体チップ３
を封止する封止樹脂６の材料として、エポキシ系樹脂に
耐熱性の熱可塑性樹脂を配合してポリマーアロイ化した
ものを用いた点にある。
【００１７】具体的には、封止材料の主成分とされるエ
ポキシ系樹脂に、例えば耐熱性の熱可塑性樹脂として、
ＰＰＥ（ポリフェニレンエーテル）、ＰＥＳ（ポリエー
テルサルフォン）またはＰＰＳ（ポリフェニレンサルフ
ァイド）を配合してポリマーアロイ化する。
ポキシ系樹脂に、例えば耐熱性の熱可塑性樹脂として、
ＰＰＥ（ポリフェニレンエーテル）、ＰＥＳ（ポリエー
テルサルフォン）またはＰＰＳ（ポリフェニレンサルフ
ァイド）を配合してポリマーアロイ化する。
【００１８】これにより、封止樹脂６のガラス転移温度
を、パッケージ実装温度である半田リフロー温度（２２
０〜２６０℃）以上に高めることが可能となる。また、
封止樹脂６のガラス転移温度の向上に伴い、半田リフロ
ー時の破壊靱性値（ＫＩＣ）を向上させることも可能と
なる。
を、パッケージ実装温度である半田リフロー温度（２２
０〜２６０℃）以上に高めることが可能となる。また、
封止樹脂６のガラス転移温度の向上に伴い、半田リフロ
ー時の破壊靱性値（ＫＩＣ）を向上させることも可能と
なる。
【００１９】このようにエポキシ系樹脂と耐熱性の熱可
塑性樹脂をポリマーアロイ化し、これによって封止樹脂
６のガラス転移温度をパッケージ実装温度（半田リフロ
ー温度）以上に高めることにより、半田リフロー時にお
ける封止樹脂６の急激な線膨張係数の増加とヤング率の
低下を回避することができる。これにより、半田リフロ
ー時には封止樹脂６の熱膨張を抑制し、封止樹脂６と半
導体チップ３またはダイパッド２との密着性を維持する
ことができるため、半田リフローによるパッケージ剥離
を抑えることが可能となる。また、半田リフロー時の破
壊靱性値の向上により、パッケージクラックの発生を抑
えることも可能となる。
塑性樹脂をポリマーアロイ化し、これによって封止樹脂
６のガラス転移温度をパッケージ実装温度（半田リフロ
ー温度）以上に高めることにより、半田リフロー時にお
ける封止樹脂６の急激な線膨張係数の増加とヤング率の
低下を回避することができる。これにより、半田リフロ
ー時には封止樹脂６の熱膨張を抑制し、封止樹脂６と半
導体チップ３またはダイパッド２との密着性を維持する
ことができるため、半田リフローによるパッケージ剥離
を抑えることが可能となる。また、半田リフロー時の破
壊靱性値の向上により、パッケージクラックの発生を抑
えることも可能となる。
【００２０】さらに、耐熱性の熱可塑性樹脂としてＰＥ
Ｓを採用した場合には、その高強度特性により、半田リ
フロー時の破壊靱性値を大幅に向上させることができる
ため、耐パッケージクラック性のさらなる向上が期待で
きる。
Ｓを採用した場合には、その高強度特性により、半田リ
フロー時の破壊靱性値を大幅に向上させることができる
ため、耐パッケージクラック性のさらなる向上が期待で
きる。
【００２１】また、本発明の他の実施形態として、例え
ばフェノール樹脂またはポリイミド樹脂などのように耐
熱性のある熱硬化性樹脂をエポキシ系樹脂に配合してポ
リマーアロイ化し、これを封止樹脂６の材料として用い
た場合にも、そのガラス転移温度をパッケージ実装温度
レベル以上に高めてパッケージ剥離及びパッケージクラ
ックの発生を抑えることが可能となる。
ばフェノール樹脂またはポリイミド樹脂などのように耐
熱性のある熱硬化性樹脂をエポキシ系樹脂に配合してポ
リマーアロイ化し、これを封止樹脂６の材料として用い
た場合にも、そのガラス転移温度をパッケージ実装温度
レベル以上に高めてパッケージ剥離及びパッケージクラ
ックの発生を抑えることが可能となる。
【００２２】さらに、本発明に係る半導体装置は、半導
体チップ２を封止する封止樹脂６の材料にポリマーアロ
イ化したものを用いた構成のもの以外に、リードフレー
ムのダイパッド２上に半導体チップ２を搭載する際に用
いられるダイボンド材（銀ペースト等）の樹脂材料にポ
リマーアロイ化したものを用いた構成のものであっても
よい。
体チップ２を封止する封止樹脂６の材料にポリマーアロ
イ化したものを用いた構成のもの以外に、リードフレー
ムのダイパッド２上に半導体チップ２を搭載する際に用
いられるダイボンド材（銀ペースト等）の樹脂材料にポ
リマーアロイ化したものを用いた構成のものであっても
よい。
【００２３】かかる構成の半導体装置においては、ダイ
ボンド材の樹脂材料として、エポキシ系樹脂に耐熱性の
熱可塑性樹脂または耐熱性の熱硬化性樹脂を配合してポ
リマーアロイ化したものを用いることにより、ダイボン
ド材のガラス転移温度を高めることができる。また、ダ
イボンド材のガラス転移温度をパッケージ実装温度以上
に高めることにより、半田リフロー時におけるダイボン
ド材の熱膨張と接着力低下を抑えて耐パッケージクラッ
ク性を向上させることが可能となる。
ボンド材の樹脂材料として、エポキシ系樹脂に耐熱性の
熱可塑性樹脂または耐熱性の熱硬化性樹脂を配合してポ
リマーアロイ化したものを用いることにより、ダイボン
ド材のガラス転移温度を高めることができる。また、ダ
イボンド材のガラス転移温度をパッケージ実装温度以上
に高めることにより、半田リフロー時におけるダイボン
ド材の熱膨張と接着力低下を抑えて耐パッケージクラッ
ク性を向上させることが可能となる。
【００２４】ちなみに、ダイボンド材としては、銀ペー
スト等の導電性ペーストでも、樹脂のみの絶縁性ペース
トでも同様に適用可能である。また、ダイボンド材が導
電性ペーストである場合は、通常、銀粉等の金属微粉末
を５０〜８０重量％の割合で添加したものが用いられ
る。
スト等の導電性ペーストでも、樹脂のみの絶縁性ペース
トでも同様に適用可能である。また、ダイボンド材が導
電性ペーストである場合は、通常、銀粉等の金属微粉末
を５０〜８０重量％の割合で添加したものが用いられ
る。
【００２５】なお、上記実施形態においては、本発明が
適用される半導体装置のパッケージ形態としてＱＥＰを
例に挙げたが、本発明はこれに限らず、既述したＳＯＰ
やＤＩＰはもちろん、リードフレームに代えてプリント
配線板を用いたＢＧＡ（ボールグリッドアレイ）やＬＧ
Ａ（ランドグリッドアレイ）などのパッケージ形態を採
用した半導体装置にも同様に適用可能である。
適用される半導体装置のパッケージ形態としてＱＥＰを
例に挙げたが、本発明はこれに限らず、既述したＳＯＰ
やＤＩＰはもちろん、リードフレームに代えてプリント
配線板を用いたＢＧＡ（ボールグリッドアレイ）やＬＧ
Ａ（ランドグリッドアレイ）などのパッケージ形態を採
用した半導体装置にも同様に適用可能である。
【００２６】
【発明の効果】以上説明したように本発明の半導体装置
によれば、基板上に搭載された半導体チップを封止する
封止樹脂の材料として、エポキシ系樹脂に耐熱性の熱可
塑性樹脂または耐熱性の熱硬化性樹脂を配合してポリマ
ーアロイ化したものを用いることにより、封止樹脂のガ
ラス転移温度をパッケージ実装温度以上に高めて高耐熱
化を図ることができるため、リフロー時の耐クラック性
を向上させることが可能となる。
によれば、基板上に搭載された半導体チップを封止する
封止樹脂の材料として、エポキシ系樹脂に耐熱性の熱可
塑性樹脂または耐熱性の熱硬化性樹脂を配合してポリマ
ーアロイ化したものを用いることにより、封止樹脂のガ
ラス転移温度をパッケージ実装温度以上に高めて高耐熱
化を図ることができるため、リフロー時の耐クラック性
を向上させることが可能となる。
【００２７】また、本発明の他の半導体装置によれば、
基板上に半導体チップを搭載する際に用いられるダイボ
ンド材の樹脂材料として、エポキシ系樹脂に耐熱性の熱
可塑性樹脂または耐熱性の熱硬化性樹脂を配合してポリ
マーアロイ化したものを用いることにより、ダイボンド
材のガラス転移温度をパッケージ実装温度以上に高め
て、リフロー時の耐クラック性を向上させることが可能
となる。
基板上に半導体チップを搭載する際に用いられるダイボ
ンド材の樹脂材料として、エポキシ系樹脂に耐熱性の熱
可塑性樹脂または耐熱性の熱硬化性樹脂を配合してポリ
マーアロイ化したものを用いることにより、ダイボンド
材のガラス転移温度をパッケージ実装温度以上に高め
て、リフロー時の耐クラック性を向上させることが可能
となる。
【図１】本発明が適用される半導体装置の一例を示す図
である。
である。
【図２】封止材料の温度による寸法変化を説明する図
（その１）である。
（その１）である。
【図３】封止材料の温度による寸法変化を説明する図
（その２）である。
（その２）である。
１…半導体装置、２…ダイパッド、３…半導体チップ、
４…インナーリード、５…ワイヤ、６…封止樹脂、７…
アウターリード
４…インナーリード、５…ワイヤ、６…封止樹脂、７…
アウターリード
Claims (6)
- 【請求項１】 基板上に搭載された半導体チップを封止
樹脂にて封止してなる半導体装置において、 前記封止樹脂の材料として、エポキシ系樹脂に耐熱性の
熱可塑性樹脂または耐熱性の熱硬化性樹脂を配合してポ
リマーアロイ化したものを用いてなることを特徴とする
半導体装置。 - 【請求項２】 前記封止樹脂のガラス転移温度を前記ポ
リマーアロイ化によってパッケージ実装温度以上として
なることを特徴とする請求項１記載の半導体装置。 - 【請求項３】 基板上にダイボンド材を用いて搭載され
た半導体チップを封止樹脂にて封止してなる半導体装置
において、 前記ダイボンド材の樹脂材料として、エポキシ系樹脂に
耐熱性の熱可塑性樹脂または耐熱性の熱硬化性樹脂を配
合してポリマーアロイ化したものを用いてなることを特
徴とする半導体装置。 - 【請求項４】 前記ダイボンド材のガラス転移温度を前
記ポリマーアロイ化によってパッケージ実装温度以上と
してなることを特徴とする請求項３記載の半導体装置。 - 【請求項５】 前記封止樹脂の材料として、エポキシ系
樹脂に耐熱性の熱可塑性樹脂または耐熱性の熱硬化性樹
脂を配合してポリマーアロイ化したものを用いてなるこ
とを特徴とする請求項３記載の半導体装置。 - 【請求項６】 前記封止樹脂のガラス転移温度を前記ポ
リマーアロイ化によってパッケージ実装温度以上として
なることを特徴とする請求項５記載の半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11211502A JP2000200864A (ja) | 1998-10-30 | 1999-07-27 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP30998998 | 1998-10-30 | ||
| JP10-309989 | 1998-10-30 | ||
| JP11211502A JP2000200864A (ja) | 1998-10-30 | 1999-07-27 | 半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
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Family
ID=26518689
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11211502A Withdrawn JP2000200864A (ja) | 1998-10-30 | 1999-07-27 | 半導体装置 |
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| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2000200864A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7667978B2 (en) | 2006-12-04 | 2010-02-23 | Denso Corporation | Electronic package encapsulating electronic components therein |
| JP2015207603A (ja) * | 2014-04-17 | 2015-11-19 | 株式会社デンソー | 半導体装置 |
-
1999
- 1999-07-27 JP JP11211502A patent/JP2000200864A/ja not_active Withdrawn
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7667978B2 (en) | 2006-12-04 | 2010-02-23 | Denso Corporation | Electronic package encapsulating electronic components therein |
| JP2015207603A (ja) * | 2014-04-17 | 2015-11-19 | 株式会社デンソー | 半導体装置 |
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