JP2000200926A - 発光ダイオ―ド - Google Patents
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 化合物半導体領域のＧａが電極表面に析出す
ることを防止し、ワイヤボンデングの強度を改善した発
光ダイオ−ドを提供すること。 【解決手段】 発光素子部２の上に形成されるｐ側電極
３０は、ＡｕＢｅ層３１、Ａｕ層３２、Ｔｉ層３３、Ａ
ｕ層３４が順次積層されている。ＡｕＢｅ層３１は発光
素子部２とのオ−ミック接触層、Ｔｉ層３３は化合物半
導体領域のＧａの拡散障壁作用および接続を良好にする
ために設けられる。また、Ａｕ層３４はワイヤボンデン
グを良好にするための接続用金属層として形成される。
ＡｕＢｅ層３１とＴｉ層３３との間に形成されたＡｕ層
３２は、Ｔｉ層３３のＴｉがＡｕＢｅ層３１に拡散する
際の障壁として作用する。また、発光素子部２のＧａが
Ａｕ層３４側に拡散する際の障壁として作用する。
ることを防止し、ワイヤボンデングの強度を改善した発
光ダイオ−ドを提供すること。 【解決手段】 発光素子部２の上に形成されるｐ側電極
３０は、ＡｕＢｅ層３１、Ａｕ層３２、Ｔｉ層３３、Ａ
ｕ層３４が順次積層されている。ＡｕＢｅ層３１は発光
素子部２とのオ−ミック接触層、Ｔｉ層３３は化合物半
導体領域のＧａの拡散障壁作用および接続を良好にする
ために設けられる。また、Ａｕ層３４はワイヤボンデン
グを良好にするための接続用金属層として形成される。
ＡｕＢｅ層３１とＴｉ層３３との間に形成されたＡｕ層
３２は、Ｔｉ層３３のＴｉがＡｕＢｅ層３１に拡散する
際の障壁として作用する。また、発光素子部２のＧａが
Ａｕ層３４側に拡散する際の障壁として作用する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、化合物半導体領域
のガリウム（Ｇａ）が電極表面に析出することを防止し
て、ワイヤボンデングの機械的強度を向上させた電極を
有する発光ダイオ−ドに関する。
のガリウム（Ｇａ）が電極表面に析出することを防止し
て、ワイヤボンデングの機械的強度を向上させた電極を
有する発光ダイオ−ドに関する。
【０００２】
【従来の技術】化合物系半導体で構成される発光ダイオ
−ド（以下、ＬＥＤと略称する）として、リン化合物系
緑色ＬＥＤが知られている。図２は、ガリウム燐（Ｇａ
Ｐ）系化合物ＬＥＤチップの一例を示す縦断側面図であ
る。図２において、ＬＥＤ１は発光素子部２、電極３、
４で構成されている。
−ド（以下、ＬＥＤと略称する）として、リン化合物系
緑色ＬＥＤが知られている。図２は、ガリウム燐（Ｇａ
Ｐ）系化合物ＬＥＤチップの一例を示す縦断側面図であ
る。図２において、ＬＥＤ１は発光素子部２、電極３、
４で構成されている。
【０００３】発光素子部２は、ｎ型ＧａＰ基板２ａ、ｎ
型ＧａＰエピタキシャル成長層２ｂ、ｐ型ＧａＰエピタ
キシャル成長層２ｃを順次積層して化合物半導体領域を
形成してなる。電極３はｐ側電極で、表面に金線５がワ
イヤボンデングされる。また、電極４はｎ側電極で金ゲ
ルマニウム（ＡｕＧｅ）層と金（Ａｕ）層との積層構造
からなり、回路基板の配線パタ−ン等の導電接続部と接
続される。
型ＧａＰエピタキシャル成長層２ｂ、ｐ型ＧａＰエピタ
キシャル成長層２ｃを順次積層して化合物半導体領域を
形成してなる。電極３はｐ側電極で、表面に金線５がワ
イヤボンデングされる。また、電極４はｎ側電極で金ゲ
ルマニウム（ＡｕＧｅ）層と金（Ａｕ）層との積層構造
からなり、回路基板の配線パタ−ン等の導電接続部と接
続される。
【０００４】図３は、図１のｐ側電極３を拡大して示す
縦断側面図である。電極３は、ｐ型ＧａＰエピタキシャ
ル成長層２ｃ上に、オ−ミック接触層としての金ベリリ
ウム（ＡｕＢｅ）層３ａ、化合物半導体領域のＧａの拡
散障壁作用および接続を良好にするためのチタン（Ｔ
ｉ）層３ｂ、ワイヤボンデングを良好にするための接続
用金属層としての金（Ａｕ）層３ｃが順次積層されてい
る。
縦断側面図である。電極３は、ｐ型ＧａＰエピタキシャ
ル成長層２ｃ上に、オ−ミック接触層としての金ベリリ
ウム（ＡｕＢｅ）層３ａ、化合物半導体領域のＧａの拡
散障壁作用および接続を良好にするためのチタン（Ｔ
ｉ）層３ｂ、ワイヤボンデングを良好にするための接続
用金属層としての金（Ａｕ）層３ｃが順次積層されてい
る。
【０００５】図３のようにｐ側電極３を形成してから、
発光素子部２の出力光の輝度をあげるために、発光素子
部２の表面に塩酸を含む腐食液でエッチング処理し粗化
を行なう。このようなエッチング処理を行なうことによ
り、図４に示すように発光素子部２の表面２ｓには、ｐ
側電極３が設けられている部分を除いて鋸歯状に凹凸部
が形成される。このため、発光素子部２の出力光の出射
面が増大し、外部に放射される出力光の輝度が大きくな
る。
発光素子部２の出力光の輝度をあげるために、発光素子
部２の表面に塩酸を含む腐食液でエッチング処理し粗化
を行なう。このようなエッチング処理を行なうことによ
り、図４に示すように発光素子部２の表面２ｓには、ｐ
側電極３が設けられている部分を除いて鋸歯状に凹凸部
が形成される。このため、発光素子部２の出力光の出射
面が増大し、外部に放射される出力光の輝度が大きくな
る。
【０００６】しかしながら、Ｔｉ層３ｂの厚さが厚い場
合には、腐食液に含まれている塩酸がＴｉ層３ｂの周囲
から（矢視Ｖ方向）Ｔｉ層３ｂに侵入してＴｉと容易に
反応し、図４の３ｐ、３ｑに示すようにＴｉ層３ｂの一
部が溶けてしまい、ｐ側電極３からＴｉ層３ｂがはがれ
てしまうことがある。このため、Ｔｉ層３ｂは数十〜数
百オングストロ−ム程度に薄く形成されている。
合には、腐食液に含まれている塩酸がＴｉ層３ｂの周囲
から（矢視Ｖ方向）Ｔｉ層３ｂに侵入してＴｉと容易に
反応し、図４の３ｐ、３ｑに示すようにＴｉ層３ｂの一
部が溶けてしまい、ｐ側電極３からＴｉ層３ｂがはがれ
てしまうことがある。このため、Ｔｉ層３ｂは数十〜数
百オングストロ−ム程度に薄く形成されている。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】このようにＴｉ層３ｂ
の厚さが薄く形成されているので、発光ダイオ−ドに熱
処理等を施すと、図３に示すようにＴｉ層３ｂからＴｉ
が上下層（矢視Ｘ方向及び矢視Ｙ方向）に拡散し、拡散
したＴｉが下層のＡｕＢｅ層３ａに混入する。このた
め、ＡｕＢｅ層３ａとｐ型ＧａＰエピタキシャル成長層
２ｃとのコンタクト抵抗値が高くなり、オ−ミック性が
低下するという問題があった。
の厚さが薄く形成されているので、発光ダイオ−ドに熱
処理等を施すと、図３に示すようにＴｉ層３ｂからＴｉ
が上下層（矢視Ｘ方向及び矢視Ｙ方向）に拡散し、拡散
したＴｉが下層のＡｕＢｅ層３ａに混入する。このた
め、ＡｕＢｅ層３ａとｐ型ＧａＰエピタキシャル成長層
２ｃとのコンタクト抵抗値が高くなり、オ−ミック性が
低下するという問題があった。
【０００８】また、前記下層に拡散したＴｉがＡｕＢｅ
層３ａのＢｅと反応することにより、Ｔｉの拡散障壁作
用が低下する。このため、ＧａＰ系の化合物半導体領域
のガリウム（Ｇａ）が電極３の表層方向（矢視Ｚ方向）
に拡散してＡｕ層３ｃの表面に析出し、酸化物を形成す
る。このように酸化物が形成された電極３の表面に、金
線５がワイヤボンデングにより接続されるので、ワイヤ
ボンデングの機械的強度が低下するという問題があっ
た。
層３ａのＢｅと反応することにより、Ｔｉの拡散障壁作
用が低下する。このため、ＧａＰ系の化合物半導体領域
のガリウム（Ｇａ）が電極３の表層方向（矢視Ｚ方向）
に拡散してＡｕ層３ｃの表面に析出し、酸化物を形成す
る。このように酸化物が形成された電極３の表面に、金
線５がワイヤボンデングにより接続されるので、ワイヤ
ボンデングの機械的強度が低下するという問題があっ
た。
【０００９】本発明はこのような問題に鑑み、オ−ミッ
ク性を向上させると共に、化合物半導体領域のＧａが電
極表面に析出することを防止して、ワイヤボンデングの
機械的強度を向上させた発光ダイオ−ドを提供すること
を目的とする。
ク性を向上させると共に、化合物半導体領域のＧａが電
極表面に析出することを防止して、ワイヤボンデングの
機械的強度を向上させた発光ダイオ−ドを提供すること
を目的とする。
【００１０】
【課題を解決するための手段】本発明の上記目的は、請
求項１に係る発明において、発光ダイオ−ドを、ガリウ
ム（Ｇａ）を含む化合物半導体領域上に電極を設けた発
光ダイオ−ドにおいて、前記電極が、前記化合物半導体
領域にオ−ミック接触しているオ−ミック接触層と、金
属線とワイヤボンデングにより接続される接続層と、該
接続層とオ−ミック接触層との間に設けられたチタン
（Ｔｉ）層と、該Ｔｉ層とオ−ミック接触層との間に、
ＴｉおよびＧａに対する拡散障壁層を設ける構成とする
ことによって達成される。
求項１に係る発明において、発光ダイオ−ドを、ガリウ
ム（Ｇａ）を含む化合物半導体領域上に電極を設けた発
光ダイオ−ドにおいて、前記電極が、前記化合物半導体
領域にオ−ミック接触しているオ−ミック接触層と、金
属線とワイヤボンデングにより接続される接続層と、該
接続層とオ−ミック接触層との間に設けられたチタン
（Ｔｉ）層と、該Ｔｉ層とオ−ミック接触層との間に、
ＴｉおよびＧａに対する拡散障壁層を設ける構成とする
ことによって達成される。
【００１１】また、請求項２に係る発明においては、請
求項１に係る発光ダイオ−ドにおいて、前記オ−ミック
接触層が金ベリリウム（ＡｕＢｅ）からなり、かつ、前
記拡散障壁層が金（Ａｕ）からなることを特徴としてい
る。
求項１に係る発光ダイオ−ドにおいて、前記オ−ミック
接触層が金ベリリウム（ＡｕＢｅ）からなり、かつ、前
記拡散障壁層が金（Ａｕ）からなることを特徴としてい
る。
【００１２】請求項１に係る発明の上記特徴によれば、
化合物半導体領域とのオ−ミック接触を図るオ−ミック
接触層と、前記化合物半導体領域からのＧａの拡散を防
止するＴｉ層との間に、オ−ミック接触層へのＴｉの拡
散およびＧａの接続層への拡散を防止する拡散障壁層を
設けている。このため、Ｔｉ層のＴｉが拡散してオ−ミ
ック接触層に混入する量を低減し、オ−ミック接触層と
化合物半導体領域とのコンタクト抵抗値が高くなること
を防止でき、オ−ミック性を向上させることができる。
化合物半導体領域とのオ−ミック接触を図るオ−ミック
接触層と、前記化合物半導体領域からのＧａの拡散を防
止するＴｉ層との間に、オ−ミック接触層へのＴｉの拡
散およびＧａの接続層への拡散を防止する拡散障壁層を
設けている。このため、Ｔｉ層のＴｉが拡散してオ−ミ
ック接触層に混入する量を低減し、オ−ミック接触層と
化合物半導体領域とのコンタクト抵抗値が高くなること
を防止でき、オ−ミック性を向上させることができる。
【００１３】また、化合物半導体領域のＧａが拡散して
接続層の表面に析出する量を低減し、ワイヤボンデング
の機械的強度の低下を防止することができる。更に、Ｔ
ｉ層を薄く形成することができるので、塩酸を含む腐食
液でエッチング処理する際にＴｉの溶解によるＴｉ層の
はがれを防止することができる。
接続層の表面に析出する量を低減し、ワイヤボンデング
の機械的強度の低下を防止することができる。更に、Ｔ
ｉ層を薄く形成することができるので、塩酸を含む腐食
液でエッチング処理する際にＴｉの溶解によるＴｉ層の
はがれを防止することができる。
【００１４】請求項２に係る発明の上記特徴によれば、
電極のオ−ミック接触層をＡｕＢｅで形成しているの
で、化合物半導体領域と電極とを良好にコンタクトでき
る。また、電極に設けた拡散障壁層をＡｕで形成してい
るので、拡散障壁層とオ−ミック接触層、および拡散障
壁層とＴｉ層との接続が良くなる。
電極のオ−ミック接触層をＡｕＢｅで形成しているの
で、化合物半導体領域と電極とを良好にコンタクトでき
る。また、電極に設けた拡散障壁層をＡｕで形成してい
るので、拡散障壁層とオ−ミック接触層、および拡散障
壁層とＴｉ層との接続が良くなる。
【００１５】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態につい
て図を参照して説明する。図１は本発明の実施の形態の
ＧａＰ系発光ダイオ−ドの電極を示す縦断側面図であ
る。図１に示すように、ｐ型ＧａＰエピタキシャル成長
層２ｃの上に形成されるｐ側電極３０は、ＡｕＢｅ層３
１、Ａｕ層３２、Ｔｉ層３３、Ａｕ層３４が下層から順
次積層されている。
て図を参照して説明する。図１は本発明の実施の形態の
ＧａＰ系発光ダイオ−ドの電極を示す縦断側面図であ
る。図１に示すように、ｐ型ＧａＰエピタキシャル成長
層２ｃの上に形成されるｐ側電極３０は、ＡｕＢｅ層３
１、Ａｕ層３２、Ｔｉ層３３、Ａｕ層３４が下層から順
次積層されている。
【００１６】図３で説明したように、ＡｕＢｅ層３１は
ｐ型ＧａＰエピタキシャル成長層２ｃと接触するオ−ミ
ック接触層、Ｔｉ層３３は化合物半導体領域のＧａの拡
散障壁作用および接続を良好にするために設けられる。
また、Ａｕ層３４はワイヤボンデングを良好にするため
の接続用金属層（接続層）として形成される。
ｐ型ＧａＰエピタキシャル成長層２ｃと接触するオ−ミ
ック接触層、Ｔｉ層３３は化合物半導体領域のＧａの拡
散障壁作用および接続を良好にするために設けられる。
また、Ａｕ層３４はワイヤボンデングを良好にするため
の接続用金属層（接続層）として形成される。
【００１７】図１の例では、ＡｕＢｅ層３１とＴｉ層３
３との間にＡｕ層３２を形成している点で図３の従来例
とは相違している。このＡｕ層３２は、Ｔｉ層３３のＴ
ｉがＡｕＢｅ層３１に拡散する際の障壁として作用す
る。また、ｐ型ＧａＰエピタキシャル成長層２ｃのＧａ
が、接続用金属層としてのＡｕ層３４側に拡散する際の
障壁として作用する。
３との間にＡｕ層３２を形成している点で図３の従来例
とは相違している。このＡｕ層３２は、Ｔｉ層３３のＴ
ｉがＡｕＢｅ層３１に拡散する際の障壁として作用す
る。また、ｐ型ＧａＰエピタキシャル成長層２ｃのＧａ
が、接続用金属層としてのＡｕ層３４側に拡散する際の
障壁として作用する。
【００１８】このように、ＴｉおよびＧａに対する拡散
障壁層としてＡｕ層３２を形成しているので、Ｔｉ層３
３のＴｉが拡散してＡｕＢｅ層２ａに混入する量を低減
させる。このため、ＡｕＢｅ層３１とｐ型ＧａＰエピタ
キシャル成長層２ｃとのコンタクト抵抗値が高くなるこ
とを防止し、オ−ミック性を向上させることができる。
また、拡散障壁層をＡｕで形成しているので、拡散障壁
層とオ−ミック接触層、および拡散障壁層とＴｉ層との
接続が良くなる。
障壁層としてＡｕ層３２を形成しているので、Ｔｉ層３
３のＴｉが拡散してＡｕＢｅ層２ａに混入する量を低減
させる。このため、ＡｕＢｅ層３１とｐ型ＧａＰエピタ
キシャル成長層２ｃとのコンタクト抵抗値が高くなるこ
とを防止し、オ−ミック性を向上させることができる。
また、拡散障壁層をＡｕで形成しているので、拡散障壁
層とオ−ミック接触層、および拡散障壁層とＴｉ層との
接続が良くなる。
【００１９】さらに、電極３０にＡｕ層３２で拡散障壁
層を形成することにより、化合物半導体領域のＧａが拡
散して接続用金属層としてのＡｕ層３４の表面に析出す
る量を低減させ、該Ａｕ層３４と金線５などの金属線と
のワイヤボンデングの機械的強度を向上させることがで
きる。
層を形成することにより、化合物半導体領域のＧａが拡
散して接続用金属層としてのＡｕ層３４の表面に析出す
る量を低減させ、該Ａｕ層３４と金線５などの金属線と
のワイヤボンデングの機械的強度を向上させることがで
きる。
【００２０】図１のｐ側電極３０の一例として、ＡｕＢ
ｅ層３１は１０００〜５０００オングストロ−ム程度、
Ａｕ層３２は１０００〜２０００オングストロ−ム程
度、Ｔｉ層３３は５０〜５００オングストロ−ム程度、
Ａｕ層３４は６０００〜１２０００オングストロ−ム程
度に形成するのがより効果的で、生産性の面でも好まし
い。
ｅ層３１は１０００〜５０００オングストロ−ム程度、
Ａｕ層３２は１０００〜２０００オングストロ−ム程
度、Ｔｉ層３３は５０〜５００オングストロ−ム程度、
Ａｕ層３４は６０００〜１２０００オングストロ−ム程
度に形成するのがより効果的で、生産性の面でも好まし
い。
【００２１】ＴｉおよびＧａの拡散障壁層として形成さ
れるＡｕ層３２は、厚さが薄くなるとＴｉおよびＧａの
拡散防止効果が十分に得られない場合がある。また、厚
さが厚くなると電極３０が大型になり、発光ダイオ−ド
小型化の要請に対応できない。このため、拡散防止効果
と小型化の要請等を考慮して、Ａｕ層３２の厚さを１０
００〜２０００オングストロ−ム程度に選定している。
また、Ｔｉ層３３を５０〜５００オングストロ−ム程度
に薄く形成しているので、塩酸を含む腐食液でエッチン
グ処理する際に、Ｔｉ層の周囲からＴｉが溶解してはが
れることを防止することができる。
れるＡｕ層３２は、厚さが薄くなるとＴｉおよびＧａの
拡散防止効果が十分に得られない場合がある。また、厚
さが厚くなると電極３０が大型になり、発光ダイオ−ド
小型化の要請に対応できない。このため、拡散防止効果
と小型化の要請等を考慮して、Ａｕ層３２の厚さを１０
００〜２０００オングストロ−ム程度に選定している。
また、Ｔｉ層３３を５０〜５００オングストロ−ム程度
に薄く形成しているので、塩酸を含む腐食液でエッチン
グ処理する際に、Ｔｉ層の周囲からＴｉが溶解してはが
れることを防止することができる。
【００２２】このようなｐ側電極３０のＡｕＢｅ層３
１、Ａｕ層３２、Ｔｉ層３３、Ａｕ層３４は、各金属を
連続蒸着することにより、最下層のＡｕＢｅ層３１から
最上層のＡｕ層３４まで順次積層して形成することがで
きる。また、蒸着後の各金属のシンタリングは、３５０
〜４５０℃程度の温度で３０〜９０秒間程度、急速加熱
を行なうことにより実施する。
１、Ａｕ層３２、Ｔｉ層３３、Ａｕ層３４は、各金属を
連続蒸着することにより、最下層のＡｕＢｅ層３１から
最上層のＡｕ層３４まで順次積層して形成することがで
きる。また、蒸着後の各金属のシンタリングは、３５０
〜４５０℃程度の温度で３０〜９０秒間程度、急速加熱
を行なうことにより実施する。
【００２３】本発明は、特にＧａＰ系のＬＥＤのように
電極形成後に素子表面をエッチングにより粗化する場合
に有効であるが、図２に示したようなＧａＰ系のＬＥＤ
の電極として用いられる他に、化合物半導体領域の表面
に電極を形成するＬＥＤにおいて、電極の下層にＧａを
含む化合物半導体からなるＬＥＤに広く適用できる。
電極形成後に素子表面をエッチングにより粗化する場合
に有効であるが、図２に示したようなＧａＰ系のＬＥＤ
の電極として用いられる他に、化合物半導体領域の表面
に電極を形成するＬＥＤにおいて、電極の下層にＧａを
含む化合物半導体からなるＬＥＤに広く適用できる。
【００２４】また、本発明は、図２においてｐ型ＧａＰ
エピタキシャル成長層２ｃに電流阻止層を形成するＬＥ
Ｄの電極としても適用することができる。図２の構成で
は発光素子部２の出力光がｐ側電極３の影になり外部に
放射できなくなり、電極３の直下の電流は無駄になる
が、このような電流阻止層を形成することにより、出力
光を有効に外部に取り出せる部分にのみ電流を流す構成
とすることができる。
エピタキシャル成長層２ｃに電流阻止層を形成するＬＥ
Ｄの電極としても適用することができる。図２の構成で
は発光素子部２の出力光がｐ側電極３の影になり外部に
放射できなくなり、電極３の直下の電流は無駄になる
が、このような電流阻止層を形成することにより、出力
光を有効に外部に取り出せる部分にのみ電流を流す構成
とすることができる。
【００２５】
【発明の効果】以上説明したように請求項１に係る発明
は、化合物半導体領域とのオ−ミック接触を図るオ−ミ
ック接触層と、前記化合物半導体領域からのＧａの拡散
を防止するＴｉ層との間に、オ−ミック接触層へのＴｉ
の拡散およびＧａの接続層への拡散を防止する拡散障壁
層を設けている。このため、Ｔｉ層のＴｉが拡散してオ
−ミック接触層に混入する量を低減し、オ−ミック接触
層と化合物半導体領域とのコンタクト抵抗値が高くなる
ことを防止でき、オ−ミック性を向上させることができ
る。
は、化合物半導体領域とのオ−ミック接触を図るオ−ミ
ック接触層と、前記化合物半導体領域からのＧａの拡散
を防止するＴｉ層との間に、オ−ミック接触層へのＴｉ
の拡散およびＧａの接続層への拡散を防止する拡散障壁
層を設けている。このため、Ｔｉ層のＴｉが拡散してオ
−ミック接触層に混入する量を低減し、オ−ミック接触
層と化合物半導体領域とのコンタクト抵抗値が高くなる
ことを防止でき、オ−ミック性を向上させることができ
る。
【００２６】また、化合物半導体領域のＧａが拡散して
接続層の表面に析出する量を低減し、ワイヤボンデング
の機械的強度の低下を防止することができる。更に、Ｔ
ｉ層を薄く形成することができるので、塩酸を含む腐食
液でエッチング処理する際にＴｉの溶解によるＴｉ層の
はがれを防止することができる。
接続層の表面に析出する量を低減し、ワイヤボンデング
の機械的強度の低下を防止することができる。更に、Ｔ
ｉ層を薄く形成することができるので、塩酸を含む腐食
液でエッチング処理する際にＴｉの溶解によるＴｉ層の
はがれを防止することができる。
【００２７】請求項２に係る発明は、電極のオ−ミック
接触層をＡｕＢｅで形成しているので、化合物半導体領
域と電極とを良好にコンタクトできる。また、電極に設
けた拡散障壁層をＡｕで形成しているので、拡散障壁層
とオ−ミック接触層、および拡散障壁層とＴｉ層との接
続が良くなる。
接触層をＡｕＢｅで形成しているので、化合物半導体領
域と電極とを良好にコンタクトできる。また、電極に設
けた拡散障壁層をＡｕで形成しているので、拡散障壁層
とオ−ミック接触層、および拡散障壁層とＴｉ層との接
続が良くなる。
【図１】本発明の実施の形態に係る発光ダイオ−ドの電
極を示す縦断側面図である。
極を示す縦断側面図である。
【図２】発光ダイオ−ドの一例を示す縦断側面図であ
る。
る。
【図３】従来の発光ダイオ−ドの電極を示す縦断側面図
である。
である。
【図４】発光ダイオ−ドの電極のＴｉがはがれる状態を
示す縦断側面図である。
示す縦断側面図である。
１ 発光ダイオ−ド ２ 発光素子部 ３ ｐ側電極 ４ ｎ側電極 ５ 金線 ３０ ｐ側電極 ３１ ＡｕＢｅ層 ３２ Ａｕ層 ３３ Ｔｉ層 ３４ Ａｕ層
Claims (2)
- 【請求項１】 ガリウム（Ｇａ）を含む化合物半導体領
域上に電極を設けた発光ダイオ−ドにおいて、前記電極
が、前記化合物半導体領域にオ−ミック接触しているオ
−ミック接触層と、金属線とワイヤボンデングにより接
続される接続層と、該接続層とオ−ミック接触層との間
に設けられたチタン（Ｔｉ）層と、該Ｔｉ層とオ−ミッ
ク接触層との間に、ＴｉおよびＧａに対する拡散障壁層
を設けたことを特徴とする発光ダイオ−ド。 - 【請求項２】 前記オ−ミック接触層が金ベリリウム
（ＡｕＢｅ）からなり、かつ、前記拡散障壁層が金（Ａ
ｕ）からなることを特徴とする請求項１に記載の発光ダ
イオ−ド。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP92099A JP2000200926A (ja) | 1999-01-06 | 1999-01-06 | 発光ダイオ―ド |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP92099A JP2000200926A (ja) | 1999-01-06 | 1999-01-06 | 発光ダイオ―ド |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000200926A true JP2000200926A (ja) | 2000-07-18 |
Family
ID=11487132
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP92099A Pending JP2000200926A (ja) | 1999-01-06 | 1999-01-06 | 発光ダイオ―ド |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2000200926A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7057212B2 (en) | 2004-01-19 | 2006-06-06 | Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd. | Flip chip nitride semiconductor light emitting diode |
| US8143643B2 (en) * | 2002-11-16 | 2012-03-27 | Lg Innotek Co., Ltd. | Light device and fabrication method thereof |
| CN104851951B (zh) * | 2014-02-14 | 2019-03-08 | 晶元光电股份有限公司 | 发光元件 |
-
1999
- 1999-01-06 JP JP92099A patent/JP2000200926A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8143643B2 (en) * | 2002-11-16 | 2012-03-27 | Lg Innotek Co., Ltd. | Light device and fabrication method thereof |
| US8969883B2 (en) | 2002-11-16 | 2015-03-03 | Lg Innotek Co., Ltd. | Semiconductor light device and fabrication method thereof |
| US7057212B2 (en) | 2004-01-19 | 2006-06-06 | Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd. | Flip chip nitride semiconductor light emitting diode |
| CN104851951B (zh) * | 2014-02-14 | 2019-03-08 | 晶元光电股份有限公司 | 发光元件 |
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