JP2000201053A - 共振子型弾性表面波フィルタ - Google Patents
共振子型弾性表面波フィルタInfo
- Publication number
- JP2000201053A JP2000201053A JP2000048097A JP2000048097A JP2000201053A JP 2000201053 A JP2000201053 A JP 2000201053A JP 2000048097 A JP2000048097 A JP 2000048097A JP 2000048097 A JP2000048097 A JP 2000048097A JP 2000201053 A JP2000201053 A JP 2000201053A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- resonator
- electrode
- saw
- arrangement pitch
- filter
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Surface Acoustic Wave Elements And Circuit Networks Thereof (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 本発明は共振子型ＳＡＷフィルタに関し、不
要なスプリアスの発生を抑圧することにより、より高い
通過帯域外抑圧度が得られる共振子型ＳＡＷフィルタの
実現を目的とする。 【解決手段】 反射電極部１、３と、励振電極部２とを
有するＳＡＷ共振器を直列及び並列に複数個接続した共
振子型弾性表面波フィルタにおいて、直列に接続された
ＳＡＷ共振器の内の少なくとも一個のＳＡＷ共振器は、
その反射電極部１、３の電極配列ピッチλSREFと励振電
極部２の電極配列ピッチλSIDTとが異なるように構成す
る。
要なスプリアスの発生を抑圧することにより、より高い
通過帯域外抑圧度が得られる共振子型ＳＡＷフィルタの
実現を目的とする。 【解決手段】 反射電極部１、３と、励振電極部２とを
有するＳＡＷ共振器を直列及び並列に複数個接続した共
振子型弾性表面波フィルタにおいて、直列に接続された
ＳＡＷ共振器の内の少なくとも一個のＳＡＷ共振器は、
その反射電極部１、３の電極配列ピッチλSREFと励振電
極部２の電極配列ピッチλSIDTとが異なるように構成す
る。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、複数の弾性表面波
（ＳＡＷ）共振器を直列及び並列に接続して構成したバ
ンドパス型の共振子型弾性表面波（ＳＡＷ）フィルタに
関し、特に通過帯域外に発生し通過帯域外抑圧度を低下
させるスプリアスを抑制した共振子型ＳＡＷフィルタに
関する。
（ＳＡＷ）共振器を直列及び並列に接続して構成したバ
ンドパス型の共振子型弾性表面波（ＳＡＷ）フィルタに
関し、特に通過帯域外に発生し通過帯域外抑圧度を低下
させるスプリアスを抑制した共振子型ＳＡＷフィルタに
関する。
【０００２】
【従来の技術】高周波のバンドパスフィルタとして、反
射部と励振部に分けて圧電素子にすだれ状の電極を形成
した弾性表面波（Ｓｕｒｆａｃｅ Ａｃｏｕｓｔｉｃ
Ｗａｖｅ；ＳＡＷ）共振器が知られており、近年の自動
車電話及び携帯電話の急速な普及に伴い、小型で薄型の
ＲＦフィルタとして必要性が増している。
射部と励振部に分けて圧電素子にすだれ状の電極を形成
した弾性表面波（Ｓｕｒｆａｃｅ Ａｃｏｕｓｔｉｃ
Ｗａｖｅ；ＳＡＷ）共振器が知られており、近年の自動
車電話及び携帯電話の急速な普及に伴い、小型で薄型の
ＲＦフィルタとして必要性が増している。
【０００３】図７はＳＡＷ共振器の基本的な構造を示す
図であり、（１）はＳＡＷ共振器素子を模式的に示した
斜視図であり、（２）は電極パターンを示し、（３）は
ＳＡＷ共振器を表す記号である。図７の（１）及び
（２）に示すように、一般的なＳＡＷ共振器素子は圧電
材料や磁気ひずみ材料等の基板１００上に格子状に配列
された多数の反射電極により形成された一対の反射部
１、３を設け、その中間部に多数のすだれ状の電極対に
より形成された励振部２を配置し、表面弾性波が反射部
１、３の間を往復することにより生じる共振を、入出力
端子１１、１２を通して電気回路と接続するようにした
ものである。反射部１、３の反射電極の配列ピッチをλ
REF で、励振部２の交差指電極の配列ピッチをλIDT で
表すこととする。これらの配列ピッチは共振周波数に応
じて定められ、通常はλREF とλIDT が等しい。
図であり、（１）はＳＡＷ共振器素子を模式的に示した
斜視図であり、（２）は電極パターンを示し、（３）は
ＳＡＷ共振器を表す記号である。図７の（１）及び
（２）に示すように、一般的なＳＡＷ共振器素子は圧電
材料や磁気ひずみ材料等の基板１００上に格子状に配列
された多数の反射電極により形成された一対の反射部
１、３を設け、その中間部に多数のすだれ状の電極対に
より形成された励振部２を配置し、表面弾性波が反射部
１、３の間を往復することにより生じる共振を、入出力
端子１１、１２を通して電気回路と接続するようにした
ものである。反射部１、３の反射電極の配列ピッチをλ
REF で、励振部２の交差指電極の配列ピッチをλIDT で
表すこととする。これらの配列ピッチは共振周波数に応
じて定められ、通常はλREF とλIDT が等しい。
【０００４】上記のようなＳＡＷ共振器素子は、通常図
７の（３）のような記号で表される。これまで用いられ
てきたＳＡＷフィルタは、図７に示したトランスバーサ
ル型又はこれを二段にカスケード接続したカスケード型
と呼ばれる構造のものが主として使用されてきた。例え
ば、特開昭５７─９９８１３号公報にはトランスバーサ
ル型のＳＡＷフィルタが開示されており、特開平４─９
４２０８号公報にはカスケード型のＳＡＷフィルタが開
示されている。図８は従来のＳＡＷフィルタの電極パタ
ーンの例を示す図であり、（１）がトランスバーサル型
の電極パターンであり、（２）がカスケード型の電極パ
ターンである。両側の１と３の部分が反射部であり、中
央の部分が励振部である。図示のように、アース（ＧＮ
Ｄ）に接続される電極が交互に配置される。表示の都合
上、図では電極の数はあまり多くないが、実際には非常
に多数の電極が配列される。
７の（３）のような記号で表される。これまで用いられ
てきたＳＡＷフィルタは、図７に示したトランスバーサ
ル型又はこれを二段にカスケード接続したカスケード型
と呼ばれる構造のものが主として使用されてきた。例え
ば、特開昭５７─９９８１３号公報にはトランスバーサ
ル型のＳＡＷフィルタが開示されており、特開平４─９
４２０８号公報にはカスケード型のＳＡＷフィルタが開
示されている。図８は従来のＳＡＷフィルタの電極パタ
ーンの例を示す図であり、（１）がトランスバーサル型
の電極パターンであり、（２）がカスケード型の電極パ
ターンである。両側の１と３の部分が反射部であり、中
央の部分が励振部である。図示のように、アース（ＧＮ
Ｄ）に接続される電極が交互に配置される。表示の都合
上、図では電極の数はあまり多くないが、実際には非常
に多数の電極が配列される。
【０００５】一端子対ＳＡＷ共振器は水晶振動子等と同
様の等価回路を有しており、それらを直列及び並列に多
段に接続することにより、共振子型フィルタが実現でき
ることが知られている。図９は共振子型ＳＡＷフィルタ
における一端子対ＳＡＷ共振器の接続例を示す図であ
り、直列に接続した一端子対ＳＡＷ共振器をＳで表し、
並列に接続した一端子対ＳＡＷ共振器をＰで表す。従っ
て、（１）はＳＰＳＳＰ型であり、（２）はＰＳＰＳＰ
型であり、（３）はＳＰＳＰＳＰ型である。このように
共振子型ＳＡＷフィルタにおいては、接続方法により各
種の変形例がある。
様の等価回路を有しており、それらを直列及び並列に多
段に接続することにより、共振子型フィルタが実現でき
ることが知られている。図９は共振子型ＳＡＷフィルタ
における一端子対ＳＡＷ共振器の接続例を示す図であ
り、直列に接続した一端子対ＳＡＷ共振器をＳで表し、
並列に接続した一端子対ＳＡＷ共振器をＰで表す。従っ
て、（１）はＳＰＳＳＰ型であり、（２）はＰＳＰＳＰ
型であり、（３）はＳＰＳＰＳＰ型である。このように
共振子型ＳＡＷフィルタにおいては、接続方法により各
種の変形例がある。
【０００６】ＳＡＷ共振器を用いた共振子型フィルタは
一端子対ＳＡＷ共振器を純リアクタンス素子として扱
い、共振現象を応用しているため通過帯域におけるイン
ピーダンスを小さくすることが可能である。これによ
り、外部整合回路が不要になることや挿入損失の低損失
化が図れる等の利点がある。この共振子型フィルタは、
概して共振器の容量比が大きいため、狭帯域のバンドパ
スフィルタになり、その特性を生かして自動車電話や携
帯電話のＲＦフィルタ等に使用される。従って、一端子
対ＳＡＷ共振器とＳＡＷ共振器を用いた共振子型フィル
タはその設計手法等も全く異なるものである。本発明は
この一端子対ＳＡＷ共振器で構成した共振子型フィルタ
に関するものである。以下、この一端子対ＳＡＷ共振器
で構成した共振子型フィルタを共振子型ＳＡＷフィルタ
と称することとする。
一端子対ＳＡＷ共振器を純リアクタンス素子として扱
い、共振現象を応用しているため通過帯域におけるイン
ピーダンスを小さくすることが可能である。これによ
り、外部整合回路が不要になることや挿入損失の低損失
化が図れる等の利点がある。この共振子型フィルタは、
概して共振器の容量比が大きいため、狭帯域のバンドパ
スフィルタになり、その特性を生かして自動車電話や携
帯電話のＲＦフィルタ等に使用される。従って、一端子
対ＳＡＷ共振器とＳＡＷ共振器を用いた共振子型フィル
タはその設計手法等も全く異なるものである。本発明は
この一端子対ＳＡＷ共振器で構成した共振子型フィルタ
に関するものである。以下、この一端子対ＳＡＷ共振器
で構成した共振子型フィルタを共振子型ＳＡＷフィルタ
と称することとする。
【０００７】また共振子型ＳＡＷフィルタは、個々の共
振器の設計定数や、直列及び並列に接続する共振器をど
のように組み合わせるかの自由度が大きいため、低損失
で且つ帯域外の減衰量を比較的大きくすることができ、
これらの利点を生かして徐々に従来タイプのフィルタに
置き代わりつつある。
振器の設計定数や、直列及び並列に接続する共振器をど
のように組み合わせるかの自由度が大きいため、低損失
で且つ帯域外の減衰量を比較的大きくすることができ、
これらの利点を生かして徐々に従来タイプのフィルタに
置き代わりつつある。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】バンドパスフィルタの
重要な特性の一つに帯域外抑圧度がある。これは通過帯
域内の周波数の信号に比べて通過帯域外の周波数の信号
をどの程度通過させないかを示すもので、無線通信等の
ＲＦフィルタに使用した場合、この帯域外抑圧度が小さ
いと混信等の問題が発生するため、一般的には大きな値
であることが望ましい。
重要な特性の一つに帯域外抑圧度がある。これは通過帯
域内の周波数の信号に比べて通過帯域外の周波数の信号
をどの程度通過させないかを示すもので、無線通信等の
ＲＦフィルタに使用した場合、この帯域外抑圧度が小さ
いと混信等の問題が発生するため、一般的には大きな値
であることが望ましい。
【０００９】従来の共振子型ＳＡＷフィルタにおいて
は、その構造に起因して通過帯域外の一定の周波数にス
プリアスと呼ばれるスパイク状に帯域外抑圧度が低下、
すなわち減衰量がスパイク状に高くなる部分が生じる。
図１０は従来の共振子型ＳＡＷフィルタにおけるスプリ
アスの発生を示した図である。図に示したスパイク状の
部分がスプリアスである。図示のようにスプリアスの周
波数では減衰量があまり低下しない。従って、この共振
子型ＳＡＷフィルタを使用する機器の関係上、このスプ
リアスの周波数が抑圧する必要のある周波数と重なる場
合には、スプリアスの分だけ抑圧度が低下するという問
題が発生する。
は、その構造に起因して通過帯域外の一定の周波数にス
プリアスと呼ばれるスパイク状に帯域外抑圧度が低下、
すなわち減衰量がスパイク状に高くなる部分が生じる。
図１０は従来の共振子型ＳＡＷフィルタにおけるスプリ
アスの発生を示した図である。図に示したスパイク状の
部分がスプリアスである。図示のようにスプリアスの周
波数では減衰量があまり低下しない。従って、この共振
子型ＳＡＷフィルタを使用する機器の関係上、このスプ
リアスの周波数が抑圧する必要のある周波数と重なる場
合には、スプリアスの分だけ抑圧度が低下するという問
題が発生する。
【００１０】そのため、共振子型ＳＡＷフィルタを使用
する場合には、スプリアスによる帯域外抑圧度の悪化を
見込んで帯域外の全域において高い抑圧度を有するよう
な共振子型ＳＡＷフィルタにすることによりたとえスプ
リアスがあっても問題を生じないようにするか、又は直
列及び並列に接続する一端子対ＳＡＷ共振器の組み合わ
せや段数を調整する等の対策によりスプリアスをできる
だけ小さくしていた。しかし帯域外の全域において高い
抑圧度を有するような共振子型ＳＡＷフィルタを製作す
るのは難しく、一端子対ＳＡＷ共振器の組み合わせや段
数を調整するには大変な労力を必要とし大変煩雑であっ
た。
する場合には、スプリアスによる帯域外抑圧度の悪化を
見込んで帯域外の全域において高い抑圧度を有するよう
な共振子型ＳＡＷフィルタにすることによりたとえスプ
リアスがあっても問題を生じないようにするか、又は直
列及び並列に接続する一端子対ＳＡＷ共振器の組み合わ
せや段数を調整する等の対策によりスプリアスをできる
だけ小さくしていた。しかし帯域外の全域において高い
抑圧度を有するような共振子型ＳＡＷフィルタを製作す
るのは難しく、一端子対ＳＡＷ共振器の組み合わせや段
数を調整するには大変な労力を必要とし大変煩雑であっ
た。
【００１１】本発明は上記問題点に鑑みてなされたもの
であり、不要なスプリアスの発生を抑圧することによ
り、より高い通過帯域外抑圧度が得られる共振子型ＳＡ
Ｗフィルタの実現を目的とする。
であり、不要なスプリアスの発生を抑圧することによ
り、より高い通過帯域外抑圧度が得られる共振子型ＳＡ
Ｗフィルタの実現を目的とする。
【００１２】
【課題を解決するための手段】図１は本発明の共振子型
ＳＡＷフィルタの原理構成図である。図１に示すよう
に、本発明の共振子型ＳＡＷフィルタは、反射電極部
１、３と、励振電極部２とを有する一端子対弾性表面波
（ＳＡＷ）共振器を直列及び並列に複数個接続した共振
子型弾性表面波フィルタにおいて、直列に接続された一
端子対ＳＡＷ共振器の内の少なくとも一個の一端子対Ｓ
ＡＷ共振器は、その反射電極部１、３の電極配列ピッチ
λSREFと励振電極部２の電極配列ピッチλSIDTとが異な
ることを特徴とする。
ＳＡＷフィルタの原理構成図である。図１に示すよう
に、本発明の共振子型ＳＡＷフィルタは、反射電極部
１、３と、励振電極部２とを有する一端子対弾性表面波
（ＳＡＷ）共振器を直列及び並列に複数個接続した共振
子型弾性表面波フィルタにおいて、直列に接続された一
端子対ＳＡＷ共振器の内の少なくとも一個の一端子対Ｓ
ＡＷ共振器は、その反射電極部１、３の電極配列ピッチ
λSREFと励振電極部２の電極配列ピッチλSIDTとが異な
ることを特徴とする。
【００１３】また本発明の第二の態様の共振子型ＳＡＷ
フィルタでは、直列に接続された一端子対ＳＡＷ共振器
のみで反射電極部１、３の電極配列ピッチλSREFと励振
電極部２の電極配列ピッチλSIDTとが異なるようにする
ことを特徴とする。
フィルタでは、直列に接続された一端子対ＳＡＷ共振器
のみで反射電極部１、３の電極配列ピッチλSREFと励振
電極部２の電極配列ピッチλSIDTとが異なるようにする
ことを特徴とする。
【００１４】従来の共振子型ＳＡＷフィルタにおいて
は、共振子型ＳＡＷフィルタを構成する各一端子対ＳＡ
Ｗ共振器の反射電極部１、３の電極配列ピッチλREF と
励振電極部２の電極配列ピッチλIDT とは同一である。
これに対して、本発明の共振子型ＳＡＷフィルタのよう
に、直列に接続された一端子対ＳＡＷ共振器の内の少な
くとも一個の一端子対ＳＡＷ共振器において、その反射
電極部１、３の電極配列ピッチλSREFと励振電極部２の
電極配列ピッチλSIDTとをわずかに異なった値とするこ
とにより、スプリアスの程度を改善できることを発見し
た。しかもスプリアスが改善できる程度のわずかに異な
った値であれば、通過帯域内特性等の他の特性にはほと
んど影響しないため、従来の設計方法はそのまま使用で
きる。
は、共振子型ＳＡＷフィルタを構成する各一端子対ＳＡ
Ｗ共振器の反射電極部１、３の電極配列ピッチλREF と
励振電極部２の電極配列ピッチλIDT とは同一である。
これに対して、本発明の共振子型ＳＡＷフィルタのよう
に、直列に接続された一端子対ＳＡＷ共振器の内の少な
くとも一個の一端子対ＳＡＷ共振器において、その反射
電極部１、３の電極配列ピッチλSREFと励振電極部２の
電極配列ピッチλSIDTとをわずかに異なった値とするこ
とにより、スプリアスの程度を改善できることを発見し
た。しかもスプリアスが改善できる程度のわずかに異な
った値であれば、通過帯域内特性等の他の特性にはほと
んど影響しないため、従来の設計方法はそのまま使用で
きる。
【００１５】並列に接続される一端子対ＳＡＷ共振器の
反射電極部１、３の電極配列ピッチλPREFと励振電極部
２の電極配列ピッチλPIDTを異なる値にした場合には、
所望の周波数特性を得ることが難しくなるため、直列に
接続された一端子対ＳＡＷ共振器についてのみ電極配列
ピッチを異なる値にするが、ある特定の条件下では更に
並列に接続された一端子対ＳＡＷ共振器の電極配列ピッ
チを異なる値にしても他の周波数特性に影響することな
しに、スプリアスの程度を改善できる。
反射電極部１、３の電極配列ピッチλPREFと励振電極部
２の電極配列ピッチλPIDTを異なる値にした場合には、
所望の周波数特性を得ることが難しくなるため、直列に
接続された一端子対ＳＡＷ共振器についてのみ電極配列
ピッチを異なる値にするが、ある特定の条件下では更に
並列に接続された一端子対ＳＡＷ共振器の電極配列ピッ
チを異なる値にしても他の周波数特性に影響することな
しに、スプリアスの程度を改善できる。
【００１６】前述の特開昭５７─９９８１３号公報に
は、共振尖鋭度及び共振抵抗の両方が同時に最適な値に
なるように反射電極部の電極配列ピッチを励振電極部の
電極配列ピッチより若干短くしたトランスバーサル型の
ＳＡＷフィルタが開示されている。しかし上記のよう
に、特開昭５７─９９８１３号公報に開示された一端子
対ＳＡＷフィルタと本発明の共振子型ＳＡＷフィルタ
は、その設計手法等も全く異なるものであり、そもそも
共振子型ＳＡＷフィルタにおいては共振抵抗は十分に低
いため、共振尖鋭度及び共振抵抗の両方が同時に最適な
値になるようにするといったことは必要ない。
は、共振尖鋭度及び共振抵抗の両方が同時に最適な値に
なるように反射電極部の電極配列ピッチを励振電極部の
電極配列ピッチより若干短くしたトランスバーサル型の
ＳＡＷフィルタが開示されている。しかし上記のよう
に、特開昭５７─９９８１３号公報に開示された一端子
対ＳＡＷフィルタと本発明の共振子型ＳＡＷフィルタ
は、その設計手法等も全く異なるものであり、そもそも
共振子型ＳＡＷフィルタにおいては共振抵抗は十分に低
いため、共振尖鋭度及び共振抵抗の両方が同時に最適な
値になるようにするといったことは必要ない。
【００１７】
【発明の実施の形態】図９に示したように、共振子型Ｓ
ＡＷフィルタには各種の接続形式が存在し、本発明はそ
れらすべてに適用可能であるが、ここでは図９の（１）
のＳＰＳＳＰ型に本発明を適用した実施例を示す。図２
は本発明の実施例の共振子型ＳＡＷフィルタの上面図で
ある。
ＡＷフィルタには各種の接続形式が存在し、本発明はそ
れらすべてに適用可能であるが、ここでは図９の（１）
のＳＰＳＳＰ型に本発明を適用した実施例を示す。図２
は本発明の実施例の共振子型ＳＡＷフィルタの上面図で
ある。
【００１８】図２において、参照番号１００は圧電基板
を示し、以下の要素はこの圧電基板１００上に形成され
る。１１は入力パッドを示し、１２は出力パッドを示
し、１３と１４はアース（ＧＮＤ）パッドを示す。Ｓ
１、Ｓ２、Ｓ３は直列に接続される一端子対ＳＡＷ共振
器を示し、Ｐ１、Ｐ２は並列に接続される一端子対ＳＡ
Ｗ共振器を示す。このような配置により、図９の（１）
に示したＳＰＳＳＰ型の共振子型ＳＡＷフィルタが実現
される。各一端子対ＳＡＷ共振器は二個の反射電極部と
その中央に設けられた励振電極部から構成される。例え
ば、直列に接続される最初の一端子対ＳＡＷ共振器Ｓ１
は、両側の反射電極部１─Ｓ１、３─Ｓ１と、中央の励
振電極部２─Ｓ１で構成される。それらの電極パターン
は、例えば、図８に示したようになっている。
を示し、以下の要素はこの圧電基板１００上に形成され
る。１１は入力パッドを示し、１２は出力パッドを示
し、１３と１４はアース（ＧＮＤ）パッドを示す。Ｓ
１、Ｓ２、Ｓ３は直列に接続される一端子対ＳＡＷ共振
器を示し、Ｐ１、Ｐ２は並列に接続される一端子対ＳＡ
Ｗ共振器を示す。このような配置により、図９の（１）
に示したＳＰＳＳＰ型の共振子型ＳＡＷフィルタが実現
される。各一端子対ＳＡＷ共振器は二個の反射電極部と
その中央に設けられた励振電極部から構成される。例え
ば、直列に接続される最初の一端子対ＳＡＷ共振器Ｓ１
は、両側の反射電極部１─Ｓ１、３─Ｓ１と、中央の励
振電極部２─Ｓ１で構成される。それらの電極パターン
は、例えば、図８に示したようになっている。
【００１９】第一実施例は、８５０乃至９００ＭＨｚを
通過帯域とするバンドパスフィルタの共振子型ＳＡＷフ
ィルタであり、従来は直列接続される一端子対ＳＡＷ共
振器の反射電極部の電極配列ピッチλSREFと励振電極部
の電極配列ピッチλSIDT、及び並列に接続される一端子
対ＳＡＷ共振器の反射電極部の電極配列ピッチλPREFと
励振電極部の電極配列ピッチλPIDTはすべて４．４２μ
ｍとしていた。この従来の共振子型ＳＡＷフィルタの通
過特性は図１０に示したグラフに相当する。これに対し
て、本実施例の共振子型ＳＡＷフィルタにおいては、直
列に接続される三個の一端子対ＳＡＷ共振器の反射電極
部の電極配列ピッチλSREFのみを４．３８μｍとした。
本実施例の共振子型ＳＡＷフィルタの通過特性を図３に
示す。
通過帯域とするバンドパスフィルタの共振子型ＳＡＷフ
ィルタであり、従来は直列接続される一端子対ＳＡＷ共
振器の反射電極部の電極配列ピッチλSREFと励振電極部
の電極配列ピッチλSIDT、及び並列に接続される一端子
対ＳＡＷ共振器の反射電極部の電極配列ピッチλPREFと
励振電極部の電極配列ピッチλPIDTはすべて４．４２μ
ｍとしていた。この従来の共振子型ＳＡＷフィルタの通
過特性は図１０に示したグラフに相当する。これに対し
て、本実施例の共振子型ＳＡＷフィルタにおいては、直
列に接続される三個の一端子対ＳＡＷ共振器の反射電極
部の電極配列ピッチλSREFのみを４．３８μｍとした。
本実施例の共振子型ＳＡＷフィルタの通過特性を図３に
示す。
【００２０】図３と図１０を比較して明らかなように、
本実施例の共振子型ＳＡＷフィルタにおいては通過帯域
及び帯域外抑圧のおおまかな波形は従来と変わらない
が、図１０にみられた急峻なスプリアの発生は見られな
い。この周波数部分での絶対減衰量は３９ｄｂ程度であ
り、従来に比べて７ｄｂ程改善される。第二実施例は、
図２のＳＰＳＳＰ型の共振子型ＳＡＷフィルタにおい
て、並列に接続される二個の一端子対ＳＡＷ共振器の反
射電極部の電極配列ピッチλPREFと励振電極部の電極配
列ピッチλPIDTはすべて４．６０μｍとし、直列接続さ
れる一端子対ＳＡＷ共振器の励振電極部の電極配列ピッ
チλSIDTを４．４２μｍとし、反射電極部の電極配列ピ
ッチλSREFを４．４０μｍ、４．３９μｍ、４．３８μ
ｍと順に変化させたものであり、その時のスプリアスの
変化を図４に示す。図４の（１）がλSREFが４．４０μ
ｍの時であり、（２）がλSREFが４．３９μｍの時であ
り、（３）がλSREFが４．３８μｍの時である。この図
では、スプリアスの変化を明瞭に示すため、図３に比べ
て周波数範囲の一部を拡大して示してある。
本実施例の共振子型ＳＡＷフィルタにおいては通過帯域
及び帯域外抑圧のおおまかな波形は従来と変わらない
が、図１０にみられた急峻なスプリアの発生は見られな
い。この周波数部分での絶対減衰量は３９ｄｂ程度であ
り、従来に比べて７ｄｂ程改善される。第二実施例は、
図２のＳＰＳＳＰ型の共振子型ＳＡＷフィルタにおい
て、並列に接続される二個の一端子対ＳＡＷ共振器の反
射電極部の電極配列ピッチλPREFと励振電極部の電極配
列ピッチλPIDTはすべて４．６０μｍとし、直列接続さ
れる一端子対ＳＡＷ共振器の励振電極部の電極配列ピッ
チλSIDTを４．４２μｍとし、反射電極部の電極配列ピ
ッチλSREFを４．４０μｍ、４．３９μｍ、４．３８μ
ｍと順に変化させたものであり、その時のスプリアスの
変化を図４に示す。図４の（１）がλSREFが４．４０μ
ｍの時であり、（２）がλSREFが４．３９μｍの時であ
り、（３）がλSREFが４．３８μｍの時である。この図
では、スプリアスの変化を明瞭に示すため、図３に比べ
て周波数範囲の一部を拡大して示してある。
【００２１】図４から明らかなように、直列接続される
一端子対ＳＡＷ共振器の励振電極部の電極配列ピッチλ
SIDTと反射電極部の電極配列ピッチλSREFの差を大きく
していくに従い、スプリアスの強度は抑制されることが
わかる。以上第一及び第二実施例について説明したが、
他の実験等により、励振電極部の電極配列ピッチと反射
電極部の電極配列ピッチを異なる値にする時の一般的な
通過特性の変化傾向を見い出したので以下に説明する。
一端子対ＳＡＷ共振器の励振電極部の電極配列ピッチλ
SIDTと反射電極部の電極配列ピッチλSREFの差を大きく
していくに従い、スプリアスの強度は抑制されることが
わかる。以上第一及び第二実施例について説明したが、
他の実験等により、励振電極部の電極配列ピッチと反射
電極部の電極配列ピッチを異なる値にする時の一般的な
通過特性の変化傾向を見い出したので以下に説明する。
【００２２】図５は直列接続される一端子対ＳＡＷ共振
器の反射電極部の電極配列ピッチλ SREFを励振電極部の
電極配列ピッチλSIDTに対して変化させた時の通過特性
の一般的な変化傾向を模式的に示した図である。（１）
はλSREFとλSIDTを同一にした従来の共振子型ＳＡＷフ
ィルタの通過特性を示す図であり、通過帯域の高周波側
に急峻なスプリアスの発生があり、この周波数における
抑圧はａで示したレベルにとどまっている。従って、通
過帯域外のこの周波数では十分な抑圧を得ることはでき
ない。そのため従来の共振子型ＳＡＷフィルタにおいて
は、このスプリアスの発生を想定した上で、直列及び並
列に接続するＳＡＷ共振器の個数の増加や組み合わせの
変更等を行うことにより、通過帯域外抑圧を全体的に大
きくしていた。
器の反射電極部の電極配列ピッチλ SREFを励振電極部の
電極配列ピッチλSIDTに対して変化させた時の通過特性
の一般的な変化傾向を模式的に示した図である。（１）
はλSREFとλSIDTを同一にした従来の共振子型ＳＡＷフ
ィルタの通過特性を示す図であり、通過帯域の高周波側
に急峻なスプリアスの発生があり、この周波数における
抑圧はａで示したレベルにとどまっている。従って、通
過帯域外のこの周波数では十分な抑圧を得ることはでき
ない。そのため従来の共振子型ＳＡＷフィルタにおいて
は、このスプリアスの発生を想定した上で、直列及び並
列に接続するＳＡＷ共振器の個数の増加や組み合わせの
変更等を行うことにより、通過帯域外抑圧を全体的に大
きくしていた。
【００２３】図５の（２）は、λSREFとλSIDTを異なる
値とした本発明の共振子型ＳＡＷフィルタの通過特性を
示す図であり、図５の（１）に見られた急峻なスプリア
スの発生は見られない。λSREFがλSIDTに対して大きく
なる場合も小さくなる場合もスプリアスは低減される。
従って、λSREFとλSIDTを異なる値とすることでこの周
波数帯域における減衰量は大きくなり、高い通過帯域外
抑圧が実現できる。
値とした本発明の共振子型ＳＡＷフィルタの通過特性を
示す図であり、図５の（１）に見られた急峻なスプリア
スの発生は見られない。λSREFがλSIDTに対して大きく
なる場合も小さくなる場合もスプリアスは低減される。
従って、λSREFとλSIDTを異なる値とすることでこの周
波数帯域における減衰量は大きくなり、高い通過帯域外
抑圧が実現できる。
【００２４】前述のように、並列に接続される一端子対
ＳＡＷ共振器の反射電極部１、３の電極配列ピッチλ
PREFと励振電極部２の電極配列ピッチλPIDTを異なる値
にした場合には、所望の周波数特性を得ることが難しく
なる。そのため、一般的には直列に接続されるＳＡＷ共
振器においてのみλSREFとλSIDTを異なる値とするのが
実用的であるが、並列に接続されるＳＡＷ共振器におい
てλSREFとλSIDTを異なる値としても所定の条件では他
の周波数特性に大きな影響を与えることなくスプリアス
の発生を抑圧できることがわかった。この条件は、直列
に接続されるすべてのＳＡＷ共振器においてλSREFをλ
SIDTより大きくし、並列に接続されるすべてのＳＡＷ共
振器においてλPREFをλPIDTより小さくし、更にλSREF
とλPREFを等しくした時である。図５の（３）はこの時
の共振子型ＳＡＷフィルタの通過特性を示す図である。
図から明らかなように、スプリアスは発生しておらず、
この周波数部分での抑圧特性は図５の（２）に比べても
滑らかで歪みもない。但し、全体的な抑圧度は図５の
（２）と同程度といえる。
ＳＡＷ共振器の反射電極部１、３の電極配列ピッチλ
PREFと励振電極部２の電極配列ピッチλPIDTを異なる値
にした場合には、所望の周波数特性を得ることが難しく
なる。そのため、一般的には直列に接続されるＳＡＷ共
振器においてのみλSREFとλSIDTを異なる値とするのが
実用的であるが、並列に接続されるＳＡＷ共振器におい
てλSREFとλSIDTを異なる値としても所定の条件では他
の周波数特性に大きな影響を与えることなくスプリアス
の発生を抑圧できることがわかった。この条件は、直列
に接続されるすべてのＳＡＷ共振器においてλSREFをλ
SIDTより大きくし、並列に接続されるすべてのＳＡＷ共
振器においてλPREFをλPIDTより小さくし、更にλSREF
とλPREFを等しくした時である。図５の（３）はこの時
の共振子型ＳＡＷフィルタの通過特性を示す図である。
図から明らかなように、スプリアスは発生しておらず、
この周波数部分での抑圧特性は図５の（２）に比べても
滑らかで歪みもない。但し、全体的な抑圧度は図５の
（２）と同程度といえる。
【００２５】次に、直列接続される一端子対ＳＡＷ共振
器の反射電極部の電極配列ピッチλ SREFを励振電極部の
電極配列ピッチλSIDTに対して変化させた時のスプリア
スの発生する周波数位置の変化について説明する。図６
はこの変化を模式的に示す図であり、（１）はλSREFが
λSIDTより小さい場合を示し、（２）はλSREFがλSI DT
に等しい場合を示し、（３）はλSREFがλSIDTより大き
い場合を示す。もちろん上記のように、λSREFとλSIDT
を異なる値にした場合には、スプリアスの強度は抑圧さ
れるが、ここでは説明上λSREFとλSIDTを異なる値にし
てもある程度はスプリアスが発生しているように示す。
器の反射電極部の電極配列ピッチλ SREFを励振電極部の
電極配列ピッチλSIDTに対して変化させた時のスプリア
スの発生する周波数位置の変化について説明する。図６
はこの変化を模式的に示す図であり、（１）はλSREFが
λSIDTより小さい場合を示し、（２）はλSREFがλSI DT
に等しい場合を示し、（３）はλSREFがλSIDTより大き
い場合を示す。もちろん上記のように、λSREFとλSIDT
を異なる値にした場合には、スプリアスの強度は抑圧さ
れるが、ここでは説明上λSREFとλSIDTを異なる値にし
てもある程度はスプリアスが発生しているように示す。
【００２６】図６の（２）のλSREFがλSIDTに等しい場
合に比べて、（１）のλSREFがλSI DTより小さい場合に
はスプリアスの位置が高周波側に移動するが、（３）の
λSR EFがλSIDTより大きい場合にはスプリアスの位置が
低周波側に移動する。従って、λSREFのλSIDTに対する
値を適当に選択することにより、特に抑圧すべき周波数
部分にスプリアスが発生しないようにすることが可能で
ある。
合に比べて、（１）のλSREFがλSI DTより小さい場合に
はスプリアスの位置が高周波側に移動するが、（３）の
λSR EFがλSIDTより大きい場合にはスプリアスの位置が
低周波側に移動する。従って、λSREFのλSIDTに対する
値を適当に選択することにより、特に抑圧すべき周波数
部分にスプリアスが発生しないようにすることが可能で
ある。
【００２７】なお、スプリアスの発生以外の他の周波数
特性に大きな影響を与えることなくλSREFをλSIDTに対
して変化できる範囲は、λSREFがλSIDTより小さい場合
には、０．９８×λSIDT＜λSREF＜λSIDTの関係を満た
す範囲であり、λSREFがλSI DTより大きい場合には、λ
SIDT＜λSREF＜１．０４×λSIDTの関係を満たす範囲で
あった。
特性に大きな影響を与えることなくλSREFをλSIDTに対
して変化できる範囲は、λSREFがλSIDTより小さい場合
には、０．９８×λSIDT＜λSREF＜λSIDTの関係を満た
す範囲であり、λSREFがλSI DTより大きい場合には、λ
SIDT＜λSREF＜１．０４×λSIDTの関係を満たす範囲で
あった。
【００２８】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
スプリアスの抑制による帯域外抑圧度の大幅な改善を図
れる。また、スプリアスの発生する周波数位置をある程
度任意に移動させることができるため、使用する機器に
応じて所望の周波数部分で特に高い帯域外抑圧度を実現
することが可能になる。しかも本発明による帯域外抑圧
度の改善は、従来の通過特性にほとんど影響を与えない
ため、設計手法等の従来の技術をそのまま転用すること
ができ、本発明による共振子型ＳＡＷフィルタの実現も
容易である。
スプリアスの抑制による帯域外抑圧度の大幅な改善を図
れる。また、スプリアスの発生する周波数位置をある程
度任意に移動させることができるため、使用する機器に
応じて所望の周波数部分で特に高い帯域外抑圧度を実現
することが可能になる。しかも本発明による帯域外抑圧
度の改善は、従来の通過特性にほとんど影響を与えない
ため、設計手法等の従来の技術をそのまま転用すること
ができ、本発明による共振子型ＳＡＷフィルタの実現も
容易である。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の共振子型ＳＡＷフィルタの構成を示す
原理構成図である。
原理構成図である。
【図２】本発明の実施例におけるＳＰＳＳＰ型の共振子
型ＳＡＷフィルタの全体構成を示す上面図である。
型ＳＡＷフィルタの全体構成を示す上面図である。
【図３】第一実施例における通過特性を示す図である。
【図４】第二実施例におけるスプリアス部分の通過特性
を示す図である。
を示す図である。
【図５】電極配列ピッチを変化させた時の一般的な通過
特性の変化傾向を模式的に示す図である。
特性の変化傾向を模式的に示す図である。
【図６】電極配列ピッチを変化させた時のスプリアス位
置の変化傾向を模式的に示す図である。
置の変化傾向を模式的に示す図である。
【図７】弾性表面波（ＳＡＷ）共振器の基本構造を示す
図である。
図である。
【図８】従来のＳＡＷ共振器の構成を示す図である。
【図９】共振子型ＳＡＷフィルタの接続例を示す図であ
る。
る。
【図１０】従来の共振子型ＳＡＷフィルタにおけるスプ
リアスの発生を示す図である。
リアスの発生を示す図である。
１、３…反射電極部 ２…励振電極部 λSREF…直列に接続されたＳＡＷ共振器の反射電極部の
電極配列ピッチ λSIDT…直列に接続されたＳＡＷ共振器の励振電極部の
電極配列ピッチ λPREF…並列に接続されたＳＡＷ共振器の反射電極部の
電極配列ピッチ λPIDT…並列に接続されたＳＡＷ共振器の励振電極部の
電極配列ピッチ
電極配列ピッチ λSIDT…直列に接続されたＳＡＷ共振器の励振電極部の
電極配列ピッチ λPREF…並列に接続されたＳＡＷ共振器の反射電極部の
電極配列ピッチ λPIDT…並列に接続されたＳＡＷ共振器の励振電極部の
電極配列ピッチ
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 峯村 践 神奈川県川崎市中原区上小田中1015番地 富士通株式会社内
Claims (4)
- 【請求項１】 反射電極部（１、３）と、励振電極部
（２）とを有する一端子対弾性表面波（ＳＡＷ）共振器
を直列及び並列に複数個接続した共振子型弾性表面波フ
ィルタにおいて、 直列に接続された前記一端子対ＳＡＷ共振器の内の少な
くとも一個の一端子対ＳＡＷ共振器は、その反射電極部
（１、３）の電極配列ピッチ（λSREF）と励振電極部
（２）の電極配列ピッチ（λSIDT）とが異なることを特
徴とする共振子型弾性表面波フィルタ。 - 【請求項２】 反射電極部の電極配列ピッチ（λSREF）
と励振電極部の電極配列ピッチ（λSIDT）とが異なるの
は、全ての前記直列に接続された前記一端子対ＳＡＷ共
振器であることを特徴とする請求項１に記載の共振子型
弾性表面波フィルタ。 - 【請求項３】 電極配列ピッチが異なる一端子対ＳＡＷ
共振器において、前記反射電極部（１、３）の電極配列
ピッチ（λSREF）は、前記励振電極部（２）の電極配列
ピッチ（λSIDT）より短いことを特徴とする請求項２に
記載の共振子型弾性表面波フィルタ。 - 【請求項４】 電極配列ピッチが異なる一端子対ＳＡＷ
共振器において、前記反射電極部（１、３）の電極配列
ピッチ（λSREF）は、前記励振電極部（２）の電極配列
ピッチ（λSIDT）より長いことを特徴とする請求項２に
記載の共振子型弾性表面波フィルタ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000048097A JP2000201053A (ja) | 2000-01-01 | 2000-02-24 | 共振子型弾性表面波フィルタ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000048097A JP2000201053A (ja) | 2000-01-01 | 2000-02-24 | 共振子型弾性表面波フィルタ |
Related Parent Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5125775A Division JPH06338756A (ja) | 1993-05-27 | 1993-05-27 | 共振子型弾性表面波フィルタ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000201053A true JP2000201053A (ja) | 2000-07-18 |
Family
ID=18570235
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000048097A Pending JP2000201053A (ja) | 2000-01-01 | 2000-02-24 | 共振子型弾性表面波フィルタ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2000201053A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7245193B2 (en) | 2003-08-29 | 2007-07-17 | Seiko Epson Corporation | Surface acoustic wave element and electronic equipment provided with the element |
-
2000
- 2000-02-24 JP JP2000048097A patent/JP2000201053A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7245193B2 (en) | 2003-08-29 | 2007-07-17 | Seiko Epson Corporation | Surface acoustic wave element and electronic equipment provided with the element |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPH06338756A (ja) | 共振子型弾性表面波フィルタ | |
| EP0652637B1 (en) | Surface acoustic wave filter | |
| US6570470B2 (en) | Surface acoustic wave ladder filter utilizing parallel resonators with different resonant frequencies | |
| US7646266B2 (en) | Surface acoustic wave resonator and surface acoustic wave filter using the same | |
| US20010011932A1 (en) | Surface acoustic wave filter | |
| JP3001350B2 (ja) | 弾性表面波フィルタ | |
| JP2004523179A (ja) | 音波で動作するトランスデューサ構造体 | |
| US6972644B2 (en) | Surface acoustic wave ladder filter device having resonators with different electrode pitches and electrostatic capacitances | |
| US6208224B1 (en) | Surface acoustic wave filter with parallel arm resonators having different resonant frequencies | |
| JPH07283682A (ja) | 弾性表面波共振子フィルタ | |
| JPH10190394A (ja) | 弾性表面波共振子フィルタ | |
| JPH0856135A (ja) | 弾性表面波装置 | |
| JP2888493B2 (ja) | 縦型２重モード弾性表面波フィルタ | |
| US7002438B2 (en) | Surface acoustic wave device with reflection electrodes having pitches that vary | |
| JP3728912B2 (ja) | 弾性表面波フィルタ | |
| JP2002232264A (ja) | 弾性表面波フィルタ | |
| JP3077052B2 (ja) | 弾性表面波共振子フィルタ装置 | |
| JP3204112B2 (ja) | 弾性表面波共振子フィルタ | |
| US7772942B2 (en) | Elastic wave filter utilizing a sub-propagation mode response to increase out of band attenuation | |
| JP3915322B2 (ja) | 弾性表面波フィルタ | |
| US7221074B2 (en) | Surface acoustic device | |
| JPH10261935A (ja) | 弾性表面波素子 | |
| JP2000201053A (ja) | 共振子型弾性表面波フィルタ | |
| JP3321443B2 (ja) | １次−３次縦結合二重モードｓａｗフィルタ | |
| JP2005203996A (ja) | トランスバーサルｓａｗフィルタ |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20010410 |