JP2000201097A - 複合高周波部品及びそれを用いた移動体通信装置 - Google Patents
複合高周波部品及びそれを用いた移動体通信装置Info
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Landscapes
- Waveguide Connection Structure (AREA)
- Waveguide Switches, Polarizers, And Phase Shifters (AREA)
- Transceivers (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 整合回路が不要で、かつ回路の小型化が可能
な複合高周波部品及びそれを用いた移動体通信装置を提
供する。 【解決手段】 複合高周波部品１０は、ダイプレクサ
２、ＤＣＳ系３をなす高周波スイッチ３ａ、ノッチフィ
ルタ３ｂ、及びＧＳＭ系４をなす高周波スイッチ４ａ、
ノッチフィルタ４ｂからなる。そして、ダイプレクサ２
は、第１のインダクタＬ１１，Ｌ１２、及び第１のコン
デンサＣ１１〜Ｃ１５で構成される。また、高周波スイ
ッチ３ａ，４ｂは、ダイオードＤ１ｄ，Ｄ２ｄ，Ｄ１
ｇ，Ｄ２ｇ、第２のインダクタＬ２１ｄ〜Ｌ２３ｄ，Ｌ
２１ｇ〜Ｌ２３ｇ、及び第２のコンデンサＣ２１ｄ〜Ｃ
２３ｄ，Ｃ２１ｇ〜Ｃ２３ｇで構成される。さらに、ノ
ッチフィルタ３ｂ，４ｂは、第３のインダクタＬ３１
ｄ，Ｌ３１ｇ、及び第３のコンデンサＣ３１ｄ，Ｃ３２
ｄ，Ｃ３１ｇ，Ｃ３２ｇで構成される。
な複合高周波部品及びそれを用いた移動体通信装置を提
供する。 【解決手段】 複合高周波部品１０は、ダイプレクサ
２、ＤＣＳ系３をなす高周波スイッチ３ａ、ノッチフィ
ルタ３ｂ、及びＧＳＭ系４をなす高周波スイッチ４ａ、
ノッチフィルタ４ｂからなる。そして、ダイプレクサ２
は、第１のインダクタＬ１１，Ｌ１２、及び第１のコン
デンサＣ１１〜Ｃ１５で構成される。また、高周波スイ
ッチ３ａ，４ｂは、ダイオードＤ１ｄ，Ｄ２ｄ，Ｄ１
ｇ，Ｄ２ｇ、第２のインダクタＬ２１ｄ〜Ｌ２３ｄ，Ｌ
２１ｇ〜Ｌ２３ｇ、及び第２のコンデンサＣ２１ｄ〜Ｃ
２３ｄ，Ｃ２１ｇ〜Ｃ２３ｇで構成される。さらに、ノ
ッチフィルタ３ｂ，４ｂは、第３のインダクタＬ３１
ｄ，Ｌ３１ｇ、及び第３のコンデンサＣ３１ｄ，Ｃ３２
ｄ，Ｃ３１ｇ，Ｃ３２ｇで構成される。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、複合高周波部品及
びそれを用いた移動体通信装置に関し、特に、複数の異
なる移動体通信システムに利用可能な複合高周波部品及
びそれを用いた移動体通信装置に関する。
びそれを用いた移動体通信装置に関し、特に、複数の異
なる移動体通信システムに利用可能な複合高周波部品及
びそれを用いた移動体通信装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】現在、ヨーロッパでは、移動体通信装置
として、複数の周波数帯域、例えば１．８ＧＨｚ帯を使
用したＤＣＳ(Digital Cellular System)と９００ＭＨ
ｚ帯を使用したＧＳＭ(Global System for Mobile comm
unications)とで動作が可能なデュアルバンド携帯電話
器が提案されている。
として、複数の周波数帯域、例えば１．８ＧＨｚ帯を使
用したＤＣＳ(Digital Cellular System)と９００ＭＨ
ｚ帯を使用したＧＳＭ(Global System for Mobile comm
unications)とで動作が可能なデュアルバンド携帯電話
器が提案されている。
【０００３】図７は、一般的なデュアルバンド携帯電話
器の構成の一部を示すブロック図であり、１．８ＧＨｚ
帯のＤＣＳと９００ＭＨｚ帯のＧＳＭとを組み合わせた
一例を示したものである。デュアルバンド携帯電話器
は、アンテナ１、ダイプレクサ２、及び２つの信号経路
ＤＣＳ系３、ＧＳＭ系４を備える。
器の構成の一部を示すブロック図であり、１．８ＧＨｚ
帯のＤＣＳと９００ＭＨｚ帯のＧＳＭとを組み合わせた
一例を示したものである。デュアルバンド携帯電話器
は、アンテナ１、ダイプレクサ２、及び２つの信号経路
ＤＣＳ系３、ＧＳＭ系４を備える。
【０００４】ダイプレクサ２は、送信の際にはＤＣＳ系
３あるいはＧＳＭ系４からの送信信号を選択し、受信の
際にはＤＣＳ系３あるいはＧＳＭ系４への受信信号を選
択する役目を担う。ＤＣＳ系３は、送信部Ｔｘｄと受信
部Ｒｘｄとに分離する高周波スイッチ３ａ、ＤＣＳの基
本波を通過させるとともに、２次高調波及び３次高調波
を減衰させるフィルタであるノッチフィルタ３ｂからな
り、ＧＳＭ系４は、送信部Ｔｘｇと受信部Ｒｘｇとに分
離する高周波スイッチ４ａ、ＧＳＭの基本波を通過させ
るとともに、３次高調波を減衰させるフィルタであるノ
ッチフィルタ４ｂからなる。
３あるいはＧＳＭ系４からの送信信号を選択し、受信の
際にはＤＣＳ系３あるいはＧＳＭ系４への受信信号を選
択する役目を担う。ＤＣＳ系３は、送信部Ｔｘｄと受信
部Ｒｘｄとに分離する高周波スイッチ３ａ、ＤＣＳの基
本波を通過させるとともに、２次高調波及び３次高調波
を減衰させるフィルタであるノッチフィルタ３ｂからな
り、ＧＳＭ系４は、送信部Ｔｘｇと受信部Ｒｘｇとに分
離する高周波スイッチ４ａ、ＧＳＭの基本波を通過させ
るとともに、３次高調波を減衰させるフィルタであるノ
ッチフィルタ４ｂからなる。
【０００５】ここで、デュアルバンド携帯電話器の動作
についてＤＣＳ系３を用いる場合を例に挙げて説明す
る。送信の際には、高周波スイッチ３ａにて送信部Ｔｘ
ｄをオンにして送信部Ｔｘｄからの送信信号をノッチフ
ィルタ３ｂに送り、ノッチフィルタ３ｂを通過した送信
信号をダイプレクサ２で合波し、アンテナ１から送信す
る。一方、受信の際には、アンテナ１から受信した受信
信号をダイプレクサ２で分波し、アンテナ１からの受信
信号をノッチフィルタ３ｂに送り、高周波スイッチ３ａ
にて受信部Ｒｘｄをオンにしてノッチフィルタ３ｂを通
過した受信信号を受信部Ｒｘｄに送る。なお、ＧＳＭ系
４を用いる場合にも同様の動作にて送受信される。
についてＤＣＳ系３を用いる場合を例に挙げて説明す
る。送信の際には、高周波スイッチ３ａにて送信部Ｔｘ
ｄをオンにして送信部Ｔｘｄからの送信信号をノッチフ
ィルタ３ｂに送り、ノッチフィルタ３ｂを通過した送信
信号をダイプレクサ２で合波し、アンテナ１から送信す
る。一方、受信の際には、アンテナ１から受信した受信
信号をダイプレクサ２で分波し、アンテナ１からの受信
信号をノッチフィルタ３ｂに送り、高周波スイッチ３ａ
にて受信部Ｒｘｄをオンにしてノッチフィルタ３ｂを通
過した受信信号を受信部Ｒｘｄに送る。なお、ＧＳＭ系
４を用いる場合にも同様の動作にて送受信される。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】ところが、上記の従来
の移動体通信装置の１つであるデュアルバンド携帯電話
器によれば、アンテナ、ダイプレクサ、及びＤＣＳ系、
ＧＳＭ系を構成する高周波スイッチ、ノッチフィルタが
ディスクリートで１つ、１つ回路基板上に実装されるた
め、整合特性、減衰特性、あるいはアイソレーション特
性を確保するために、ダイプレクサと高周波スイッチと
の間に整合回路を付加する必要がある。そのため、部品
点数の増加、それにともなう実装面積の増加により、回
路基板が大型化し、その結果、デュアルバンド携帯電話
器（移動体通信装置）が大型化するという問題があっ
た。
の移動体通信装置の１つであるデュアルバンド携帯電話
器によれば、アンテナ、ダイプレクサ、及びＤＣＳ系、
ＧＳＭ系を構成する高周波スイッチ、ノッチフィルタが
ディスクリートで１つ、１つ回路基板上に実装されるた
め、整合特性、減衰特性、あるいはアイソレーション特
性を確保するために、ダイプレクサと高周波スイッチと
の間に整合回路を付加する必要がある。そのため、部品
点数の増加、それにともなう実装面積の増加により、回
路基板が大型化し、その結果、デュアルバンド携帯電話
器（移動体通信装置）が大型化するという問題があっ
た。
【０００７】本発明は、このような問題点を解決するた
めになされたものであり、整合回路が不要で、かつ回路
の小型化が可能な複合高周波部品及びそれを用いた移動
体通信装置を提供することを目的とする。
めになされたものであり、整合回路が不要で、かつ回路
の小型化が可能な複合高周波部品及びそれを用いた移動
体通信装置を提供することを目的とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】上述する問題点を解決す
るため本発明の複合高周波部品は、それぞれの周波数に
対応した複数の信号経路を有するマイクロ波回路の一部
を構成する複合高周波部品であって、送信の際には前記
複数の信号経路からの送信信号を結合し、受信の際には
前記複数の信号経路に受信信号を分配するダイプレクサ
と、前記複数の信号経路のそれぞれを送信部と受信部と
に分離する複数の高周波スイッチと、前記信号経路中に
接続された複数のフィルタとからなり、セラミックスか
らなる複数のシート層を積層してなるセラミック多層基
板に一体化されることを特徴とする。
るため本発明の複合高周波部品は、それぞれの周波数に
対応した複数の信号経路を有するマイクロ波回路の一部
を構成する複合高周波部品であって、送信の際には前記
複数の信号経路からの送信信号を結合し、受信の際には
前記複数の信号経路に受信信号を分配するダイプレクサ
と、前記複数の信号経路のそれぞれを送信部と受信部と
に分離する複数の高周波スイッチと、前記信号経路中に
接続された複数のフィルタとからなり、セラミックスか
らなる複数のシート層を積層してなるセラミック多層基
板に一体化されることを特徴とする。
【０００９】また、前記複数のフィルタが、前記複数の
高周波スイッチの後段の前記送信部側に接続されること
を特徴とする。
高周波スイッチの後段の前記送信部側に接続されること
を特徴とする。
【００１０】また、前記複数のフィルタが、ノッチフィ
ルタであることを特徴とする。
ルタであることを特徴とする。
【００１１】また、前記ダイプレクサが、第１のインダ
クタンス素子、及び第１のキャパシタンス素子で構成さ
れ、前記複数の高周波スイッチが、スイッチング素子、
第２のインダクタンス素子、及び第２のキャパシタンス
素子で構成され、前記複数のフィルタが、第３のインダ
クタンス素子、及び第３のキャパシタンス素子で構成さ
れるとともに、前記スイッチング素子、前記第１乃至第
３のインダクタンス素子、及び前記第１乃至第３のキャ
パシタンス素子が、前記セラミック多層基板に内蔵、あ
るいは搭載され、前記セラミック多層基板の内部に形成
される接続手段によって接続されることを特徴とする。
クタンス素子、及び第１のキャパシタンス素子で構成さ
れ、前記複数の高周波スイッチが、スイッチング素子、
第２のインダクタンス素子、及び第２のキャパシタンス
素子で構成され、前記複数のフィルタが、第３のインダ
クタンス素子、及び第３のキャパシタンス素子で構成さ
れるとともに、前記スイッチング素子、前記第１乃至第
３のインダクタンス素子、及び前記第１乃至第３のキャ
パシタンス素子が、前記セラミック多層基板に内蔵、あ
るいは搭載され、前記セラミック多層基板の内部に形成
される接続手段によって接続されることを特徴とする。
【００１２】また、前記複数の高周波スイッチを構成す
る第２のインダクタンス素子は並列トラップコイル及び
チョークコイルを含み、該並列トラップコイル及びチョ
ークコイルがチップコイルからなることを特徴とする。
る第２のインダクタンス素子は並列トラップコイル及び
チョークコイルを含み、該並列トラップコイル及びチョ
ークコイルがチップコイルからなることを特徴とする。
【００１３】本発明の移動体通信装置は、上記の複合高
周波部品を用いたことを特徴とする。
周波部品を用いたことを特徴とする。
【００１４】本発明の複合高周波部品によれば、複合高
周波部品をなすダイプレクサ、高周波スイッチ及びフィ
ルタを、セラミックスからなる複数のシート層を積層し
てなるセラミック多層基板に一体化するため、ダイプレ
クサと高周波スイッチとの間の整合調整が容易となり、
ダイプレクサと高周波スイッチとの間の整合調整を行な
う整合回路が不要となる。
周波部品をなすダイプレクサ、高周波スイッチ及びフィ
ルタを、セラミックスからなる複数のシート層を積層し
てなるセラミック多層基板に一体化するため、ダイプレ
クサと高周波スイッチとの間の整合調整が容易となり、
ダイプレクサと高周波スイッチとの間の整合調整を行な
う整合回路が不要となる。
【００１５】本発明の移動体通信装置によれば、整合回
路が不要である複合高周波部品を用いるため、複数の信
号経路を有するマイクロ波回路を形成する回路基板が小
型になる。
路が不要である複合高周波部品を用いるため、複数の信
号経路を有するマイクロ波回路を形成する回路基板が小
型になる。
【００１６】
【発明の実施の形態】以下、図面を参照して本発明の実
施例を説明する。図１は、本発明の複合高周波部品の第
１の実施例の回路図である。複合高周波部品１０は、図
７のブロック図に示したダイプレクサ２、ＤＣＳ系３を
なす高周波スイッチ３ａ、ノッチフィルタ３ｂ及びＧＳ
Ｍ系４をなす高周波スイッチ４ａ、ノッチフィルタ４ｂ
からなる。
施例を説明する。図１は、本発明の複合高周波部品の第
１の実施例の回路図である。複合高周波部品１０は、図
７のブロック図に示したダイプレクサ２、ＤＣＳ系３を
なす高周波スイッチ３ａ、ノッチフィルタ３ｂ及びＧＳ
Ｍ系４をなす高周波スイッチ４ａ、ノッチフィルタ４ｂ
からなる。
【００１７】そして、ダイプレクサ２の第１のポートＰ
１１にはアンテナ１が、第２のポートＰ１２にはＤＣＳ
系３のノッチフィルタ３ｂの第１のポートＰ３１ｄが、
第３のポートＰ１３にはＧＳＭ系４のノッチフィルタ４
ｂの第１のポートＰ３１ｇがそれぞれ接続される。
１１にはアンテナ１が、第２のポートＰ１２にはＤＣＳ
系３のノッチフィルタ３ｂの第１のポートＰ３１ｄが、
第３のポートＰ１３にはＧＳＭ系４のノッチフィルタ４
ｂの第１のポートＰ３１ｇがそれぞれ接続される。
【００１８】また、ＤＣＳ系３において、ノッチフィル
タ３ｂの第２のポートＰ３２ｄには高周波スイッチ３ａ
の第１のポートＰ２１ｄが接続され、高周波スイッチ３
ａの第２のポートＰ２２ｄには送信部Ｔｘｄが、第３の
ポートＰ２３ｄには受信部Ｒｘｄがそれぞれ接続され
る。
タ３ｂの第２のポートＰ３２ｄには高周波スイッチ３ａ
の第１のポートＰ２１ｄが接続され、高周波スイッチ３
ａの第２のポートＰ２２ｄには送信部Ｔｘｄが、第３の
ポートＰ２３ｄには受信部Ｒｘｄがそれぞれ接続され
る。
【００１９】さらに、ＧＳＭ系４において、ノッチフィ
ルタ４ｂの第２のポートＰ３２ｇには高周波スイッチ４
ａの第１のポートＰ２１ｇが接続され、高周波スイッチ
４ａの第２のポートＰ２２ｇには送信部Ｔｘｇが、第３
のポートＰ２３ｇには受信部Ｒｘｇがそれぞれ接続され
る。
ルタ４ｂの第２のポートＰ３２ｇには高周波スイッチ４
ａの第１のポートＰ２１ｇが接続され、高周波スイッチ
４ａの第２のポートＰ２２ｇには送信部Ｔｘｇが、第３
のポートＰ２３ｇには受信部Ｒｘｇがそれぞれ接続され
る。
【００２０】ダイプレクサ２は、第１のインダクタンス
素子である第１のインダクタＬ１１，Ｌ１２、及び第１
のキャパシタンス素子である第１のコンデンサＣ１１〜
Ｃ１５で構成される。
素子である第１のインダクタＬ１１，Ｌ１２、及び第１
のキャパシタンス素子である第１のコンデンサＣ１１〜
Ｃ１５で構成される。
【００２１】そして、第１のポートＰ１１と第２のポー
トＰ１２との間に第１のコンデンサＣ１１，Ｃ１２が直
列接続され、それらの接続点が第１のインダクタＬ１１
及び第１のコンデンサＣ１３を介して接地される。
トＰ１２との間に第１のコンデンサＣ１１，Ｃ１２が直
列接続され、それらの接続点が第１のインダクタＬ１１
及び第１のコンデンサＣ１３を介して接地される。
【００２２】また、第１のポートＰ１１と第３のポート
Ｐ１３との間に第１のインダクタＬ１２と第１のコンデ
ンサＣ１４とからなる並列回路が接続され、その並列回
路の第３のポートＰ１３側が第１のコンデンサＣ１５を
介して接地される。
Ｐ１３との間に第１のインダクタＬ１２と第１のコンデ
ンサＣ１４とからなる並列回路が接続され、その並列回
路の第３のポートＰ１３側が第１のコンデンサＣ１５を
介して接地される。
【００２３】すなわち、ダイプレクサ２は、第１のポー
トＰ１１と第２のポートＰ１２との間に高域通過フィル
タを、第１のポートＰ１１と第３のポートＰ１３との間
にノッチフィルタをそれぞれ配置した構成になってい
る。
トＰ１１と第２のポートＰ１２との間に高域通過フィル
タを、第１のポートＰ１１と第３のポートＰ１３との間
にノッチフィルタをそれぞれ配置した構成になってい
る。
【００２４】高周波スイッチ３ａ（４ａ）は、スイッチ
ング素子であるダイオードＤ１ｄ，Ｄ２ｄ（Ｄ１ｇ，Ｄ
２ｇ）、第２のインダクタンス素子である第２のインダ
クタＬ２１ｄ〜Ｌ２３ｄ（Ｌ２１ｇ〜Ｌ２３ｇ）、及び
第２のキャパシタンス素子である第２のコンデンサＣ２
１ｄ〜Ｃ２３ｄ（Ｃ２１ｇ〜Ｃ２３ｇ）で構成される。
なお、第２のインダクタＬ２１ｄ（Ｌ２１ｇ）は並列ト
ラップコイルであり、第２のインダクタＬ２２ｄ（Ｌ２
２ｇ）はチョークコイルである。
ング素子であるダイオードＤ１ｄ，Ｄ２ｄ（Ｄ１ｇ，Ｄ
２ｇ）、第２のインダクタンス素子である第２のインダ
クタＬ２１ｄ〜Ｌ２３ｄ（Ｌ２１ｇ〜Ｌ２３ｇ）、及び
第２のキャパシタンス素子である第２のコンデンサＣ２
１ｄ〜Ｃ２３ｄ（Ｃ２１ｇ〜Ｃ２３ｇ）で構成される。
なお、第２のインダクタＬ２１ｄ（Ｌ２１ｇ）は並列ト
ラップコイルであり、第２のインダクタＬ２２ｄ（Ｌ２
２ｇ）はチョークコイルである。
【００２５】そして、第１のポートＰ２１ｄ（Ｐ２１
ｇ）と第２のポートＰ２２ｄ（Ｐ２２ｇ）との間にカソ
ードが第１のポートＰ２１ｄ（Ｐ２１ｇ）側になるよう
にダイオードＤ１ｄ（Ｄ１ｇ）が接続され、ダイオード
Ｄ１ｄ（Ｄ１ｇ）には第２のインダクタＬ２１ｄ（Ｌ２
１ｇ）と第２のコンデンサＣ２１ｄ（Ｃ２１ｇ）とから
なる直列回路が並列に接続される。
ｇ）と第２のポートＰ２２ｄ（Ｐ２２ｇ）との間にカソ
ードが第１のポートＰ２１ｄ（Ｐ２１ｇ）側になるよう
にダイオードＤ１ｄ（Ｄ１ｇ）が接続され、ダイオード
Ｄ１ｄ（Ｄ１ｇ）には第２のインダクタＬ２１ｄ（Ｌ２
１ｇ）と第２のコンデンサＣ２１ｄ（Ｃ２１ｇ）とから
なる直列回路が並列に接続される。
【００２６】また、ダイオードＤ１ｄ（Ｄ１ｇ）の第２
のポートＰ２２ｄ（Ｐ２２ｇ）側、すなわちアノードは
第２のインダクタＬ２２ｄ（Ｌ２２ｇ）及び第２のコン
デンサＣ２２ｄ（Ｃ２２ｇ）を介して接地され、第２の
インダクタＬ２２ｄ（Ｌ２２ｇ）と第２のコンデンサＣ
２２ｄ（Ｃ２２ｇ）との接続点に制御端子Ｖｃ１（Ｖｃ
２）が接続される。
のポートＰ２２ｄ（Ｐ２２ｇ）側、すなわちアノードは
第２のインダクタＬ２２ｄ（Ｌ２２ｇ）及び第２のコン
デンサＣ２２ｄ（Ｃ２２ｇ）を介して接地され、第２の
インダクタＬ２２ｄ（Ｌ２２ｇ）と第２のコンデンサＣ
２２ｄ（Ｃ２２ｇ）との接続点に制御端子Ｖｃ１（Ｖｃ
２）が接続される。
【００２７】さらに、第１のポートＰ２１ｄ（Ｐ２１
ｇ）と第３のポートＰ２３ｄ（Ｐ２３ｇ）との間に第２
のインダクタＬ２３ｄ（Ｌ２３ｇ）が接続され、第２の
インダクタＬ２３ｄ（Ｌ２３ｇ）の第３のポートＰ２３
ｄ（Ｐ２３ｇ）側はダイオードＤ２ｄ（Ｄ２ｇ）及び第
２のコンデンサＣ２３ｄ（Ｃ２３ｇ）を介して接地さ
れ、ダイオードＤ２ｄ（Ｄ２ｇ）のカソードと第２のコ
ンデンサＣ２３ｄ（Ｃ２３ｇ）との接続点は抵抗Ｒｄ
（Ｒｇ）を介して接地される。
ｇ）と第３のポートＰ２３ｄ（Ｐ２３ｇ）との間に第２
のインダクタＬ２３ｄ（Ｌ２３ｇ）が接続され、第２の
インダクタＬ２３ｄ（Ｌ２３ｇ）の第３のポートＰ２３
ｄ（Ｐ２３ｇ）側はダイオードＤ２ｄ（Ｄ２ｇ）及び第
２のコンデンサＣ２３ｄ（Ｃ２３ｇ）を介して接地さ
れ、ダイオードＤ２ｄ（Ｄ２ｇ）のカソードと第２のコ
ンデンサＣ２３ｄ（Ｃ２３ｇ）との接続点は抵抗Ｒｄ
（Ｒｇ）を介して接地される。
【００２８】ノッチフィルタ３ｂ（４ｂ）は、第３のイ
ンダクタンス素子である第３のインダクタＬ３１ｄ（Ｌ
３１ｇ）、及び第３のキャパシタンス素子である第３の
コンデンサＣ３１ｄ，Ｃ３２ｄ（Ｃ３１ｇ，Ｃ３２ｇ）
で構成される。
ンダクタンス素子である第３のインダクタＬ３１ｄ（Ｌ
３１ｇ）、及び第３のキャパシタンス素子である第３の
コンデンサＣ３１ｄ，Ｃ３２ｄ（Ｃ３１ｇ，Ｃ３２ｇ）
で構成される。
【００２９】そして、第１のポートＰ３１ｄ（Ｐ３１
ｇ）と第２のポートＰ３２ｄ（Ｐ３２ｇ）との間に第３
のインダクタＬ３１ｄ（Ｌ３１ｇ）が接続され、第３の
インダクタＬ３１ｄ（Ｌ３１ｇ）には第３のコンデンサ
Ｃ３１ｄ（Ｃ３１ｇ）が並列に接続される。
ｇ）と第２のポートＰ３２ｄ（Ｐ３２ｇ）との間に第３
のインダクタＬ３１ｄ（Ｌ３１ｇ）が接続され、第３の
インダクタＬ３１ｄ（Ｌ３１ｇ）には第３のコンデンサ
Ｃ３１ｄ（Ｃ３１ｇ）が並列に接続される。
【００３０】また、第３のインダクタＬ３１ｄ（Ｌ３１
ｇ）の第２のポートＰ３２ｄ（Ｐ３２ｇ）側は第３のコ
ンデンサＣ３２ｄ（Ｃ３２ｇ）を介して接地される。
ｇ）の第２のポートＰ３２ｄ（Ｐ３２ｇ）側は第３のコ
ンデンサＣ３２ｄ（Ｃ３２ｇ）を介して接地される。
【００３１】図２は、図１の回路構成を有する複合高周
波部品の透視斜視図である。複合高周波部品１０は、セ
ラミック多層基板１１を含み、セラミック多層基板１１
には、図示していないが、図１におけるダイプレクサ２
を構成する第１のインダクタＬ１１，Ｌ１２、第１のコ
ンデンサＣ１１〜Ｃ１５、ＤＣＳ系３の高周波スイッチ
３ａ、ノッチフィルタ３ｂを構成する第２及び第３のイ
ンダクタＬ２１ｄ，Ｌ２３ｄ，Ｌ３１ｄ、第２及び第３
のコンデンサＣ２１ｄ，Ｃ２２ｄ，Ｃ３１ｄ，Ｃ３２
ｄ、並びに、ＧＳＭ系４の高周波スイッチ４ａ、ノッチ
フィルタ４ｂを構成する第２及び第３のインダクタＬ２
１ｇ，Ｌ２３ｇ，Ｌ３１ｇ、第２及び第３のコンデンサ
Ｃ２１ｇ，Ｃ２２ｇ，Ｃ３１ｇ，Ｃ３２ｇがそれぞれ内
蔵される。
波部品の透視斜視図である。複合高周波部品１０は、セ
ラミック多層基板１１を含み、セラミック多層基板１１
には、図示していないが、図１におけるダイプレクサ２
を構成する第１のインダクタＬ１１，Ｌ１２、第１のコ
ンデンサＣ１１〜Ｃ１５、ＤＣＳ系３の高周波スイッチ
３ａ、ノッチフィルタ３ｂを構成する第２及び第３のイ
ンダクタＬ２１ｄ，Ｌ２３ｄ，Ｌ３１ｄ、第２及び第３
のコンデンサＣ２１ｄ，Ｃ２２ｄ，Ｃ３１ｄ，Ｃ３２
ｄ、並びに、ＧＳＭ系４の高周波スイッチ４ａ、ノッチ
フィルタ４ｂを構成する第２及び第３のインダクタＬ２
１ｇ，Ｌ２３ｇ，Ｌ３１ｇ、第２及び第３のコンデンサ
Ｃ２１ｇ，Ｃ２２ｇ，Ｃ３１ｇ，Ｃ３２ｇがそれぞれ内
蔵される。
【００３２】また、セラミック多層基板１１の表面に
は、チップ部品からなるＤＣＳ系３の高周波スイッチ３
ａを構成するダイオードＤ１ｄ，Ｄ２ｄ、第２のインダ
クタ（チョークコイル）Ｌ２２ｄ、第２のコンデンサＣ
２３ｄ及び抵抗Ｒｄ、並びに、ＧＳＭ系４の高周波スイ
ッチ４ａを構成するダイオードＤ１ｇ，Ｄ２ｇ、第２の
インダクタ（チョークコイル）Ｌ２２ｇ、第２のコンデ
ンサＣ２３ｇ及び抵抗Ｒｇがそれぞれ搭載される。
は、チップ部品からなるＤＣＳ系３の高周波スイッチ３
ａを構成するダイオードＤ１ｄ，Ｄ２ｄ、第２のインダ
クタ（チョークコイル）Ｌ２２ｄ、第２のコンデンサＣ
２３ｄ及び抵抗Ｒｄ、並びに、ＧＳＭ系４の高周波スイ
ッチ４ａを構成するダイオードＤ１ｇ，Ｄ２ｇ、第２の
インダクタ（チョークコイル）Ｌ２２ｇ、第２のコンデ
ンサＣ２３ｇ及び抵抗Ｒｇがそれぞれ搭載される。
【００３３】さらに、セラミック多層基板１１の側面か
ら底面に架けて、１２個の外部端子Ｔａ〜Ｔｌがスクリ
ーン印刷などでそれぞれ形成される。これらの外部端子
Ｔａ〜Ｔｌのうち、５個の外部端子Ｔａ〜Ｔｅはセラミ
ック多層基板１１の一方長辺側、５個の外部端子Ｔｇ〜
Ｔｋはセラミック多層基板１１の他方長辺側、残りの２
個の外部端子Ｔｆ，Ｔｌはセラミック多層基板１１の相
対する短辺のそれぞれの側にスクリーン印刷などにより
形成される。
ら底面に架けて、１２個の外部端子Ｔａ〜Ｔｌがスクリ
ーン印刷などでそれぞれ形成される。これらの外部端子
Ｔａ〜Ｔｌのうち、５個の外部端子Ｔａ〜Ｔｅはセラミ
ック多層基板１１の一方長辺側、５個の外部端子Ｔｇ〜
Ｔｋはセラミック多層基板１１の他方長辺側、残りの２
個の外部端子Ｔｆ，Ｔｌはセラミック多層基板１１の相
対する短辺のそれぞれの側にスクリーン印刷などにより
形成される。
【００３４】そして、外部端子Ｔａ〜Ｔｌは、それぞれ
ダイプレクサ２の第１のポートＰ１１、高周波スイッチ
３ａ，４ａの第２及び第３のポートＰ２２ｄ，Ｐ２３
ｄ，Ｐ２２ｇ，Ｐ２３ｇ、高周波スイッチ３ａ，４ａの
制御端子Ｖｃ１，Ｖｃ２、並びにグランドとなる。
ダイプレクサ２の第１のポートＰ１１、高周波スイッチ
３ａ，４ａの第２及び第３のポートＰ２２ｄ，Ｐ２３
ｄ，Ｐ２２ｇ，Ｐ２３ｇ、高周波スイッチ３ａ，４ａの
制御端子Ｖｃ１，Ｖｃ２、並びにグランドとなる。
【００３５】また、セラミック多層基板１１上にはダイ
オードＤ１ｄ，Ｄ２ｄ，Ｄ１ｇ，Ｄ２ｇ、第２のインダ
クタＬ２２ｄ，Ｌ２２ｇ、第２のコンデンサＣ２３ｄ，
Ｃ２３ｇ、及び抵抗Ｒｄ、Ｒｇを覆うように金属キャッ
プ１２が被せられる。
オードＤ１ｄ，Ｄ２ｄ，Ｄ１ｇ，Ｄ２ｇ、第２のインダ
クタＬ２２ｄ，Ｌ２２ｇ、第２のコンデンサＣ２３ｄ，
Ｃ２３ｇ、及び抵抗Ｒｄ、Ｒｇを覆うように金属キャッ
プ１２が被せられる。
【００３６】図３（ａ）〜図３（ｈ）、図４（ａ）〜図
４（ｆ）は、図２の複合高周波部品のセラミック多層基
板を構成する各シート層の上面図及び下面図である。セ
ラミック多層基板１１は、酸化バリウム、酸化アルミニ
ウム、シリカを主成分としたセラミックスからなる第1
〜第１３のシート層１１ａ〜１１ｍを上から順次積層
し、１０００℃以下の焼成温度で焼成することにより形
成される。
４（ｆ）は、図２の複合高周波部品のセラミック多層基
板を構成する各シート層の上面図及び下面図である。セ
ラミック多層基板１１は、酸化バリウム、酸化アルミニ
ウム、シリカを主成分としたセラミックスからなる第1
〜第１３のシート層１１ａ〜１１ｍを上から順次積層
し、１０００℃以下の焼成温度で焼成することにより形
成される。
【００３７】そして、第１のシート層１１ａの上面に
は、セラミック多層基板１１の表面に搭載されるダイオ
ードＤ１ｄ，Ｄ２ｄ，Ｄ１ｇ，Ｄ２ｇ、第２のインダク
タＬ２２ｄ，Ｌ２２ｇ、第２のコンデンサＣ２３ｄ，Ｃ
２３ｇ及び抵抗Ｒｄ，Ｒｇを実装するためのランドＬａ
がスクリーン印刷などで印刷され、形成される。
は、セラミック多層基板１１の表面に搭載されるダイオ
ードＤ１ｄ，Ｄ２ｄ，Ｄ１ｇ，Ｄ２ｇ、第２のインダク
タＬ２２ｄ，Ｌ２２ｇ、第２のコンデンサＣ２３ｄ，Ｃ
２３ｇ及び抵抗Ｒｄ，Ｒｇを実装するためのランドＬａ
がスクリーン印刷などで印刷され、形成される。
【００３８】また、第３及び第１０のシート層１１ｃ，
１１ｊの上面には、導体層からなるストリップライン電
極ＳＬ１〜ＳＬ８がスクリーン印刷などで印刷され、形
成される。さらに、第４〜第８及び第１２のシート層１
１ｄ〜１１ｈ，１１ｌの上面には、導体層からなるコン
デンサ電極Ｃｐ１〜Ｃｐ１８がスクリーン印刷などで印
刷され、形成される。
１１ｊの上面には、導体層からなるストリップライン電
極ＳＬ１〜ＳＬ８がスクリーン印刷などで印刷され、形
成される。さらに、第４〜第８及び第１２のシート層１
１ｄ〜１１ｈ，１１ｌの上面には、導体層からなるコン
デンサ電極Ｃｐ１〜Ｃｐ１８がスクリーン印刷などで印
刷され、形成される。
【００３９】また、第７、第９、第１１及び第１３のシ
ート層１１ｇ，１１ｉ，１１ｋ，１１ｍの上面には、導
体層からなるグランド電極Ｇ１〜Ｇ４がスクリーン印刷
などで印刷され、形成される。さらに、第１３のシート
層１１ｍの下面（図４（ｆ））には、外部端子Ｔａ〜Ｔ
ｌがスクリーン印刷などで印刷され、形成される。
ート層１１ｇ，１１ｉ，１１ｋ，１１ｍの上面には、導
体層からなるグランド電極Ｇ１〜Ｇ４がスクリーン印刷
などで印刷され、形成される。さらに、第１３のシート
層１１ｍの下面（図４（ｆ））には、外部端子Ｔａ〜Ｔ
ｌがスクリーン印刷などで印刷され、形成される。
【００４０】また、第１〜第１１のシート層１１ａ〜１
１ｋには、所定の位置に、ランドＬａ、ストリップライ
ン電極ＳＬ１〜ＳＬ８、ストリップライン電極ＳＬ１〜
ＳＬ８、及びグランド電極Ｇ１〜Ｇ４を接続するための
ビアホール電極ＶＨａ〜ＶＨｋが設けられる。
１ｋには、所定の位置に、ランドＬａ、ストリップライ
ン電極ＳＬ１〜ＳＬ８、ストリップライン電極ＳＬ１〜
ＳＬ８、及びグランド電極Ｇ１〜Ｇ４を接続するための
ビアホール電極ＶＨａ〜ＶＨｋが設けられる。
【００４１】この際、ダイプレクサ２の第１のインダク
タＬ１１，Ｌ１２がストリップライン電極ＳＬ６，ＳＬ
７で形成される。また、ＤＣＳ系３の高周波スイッチ３
ａの第２のインダクタＬ２１ｄ，Ｌ２３ｄがストリップ
ライン電極ＳＬ２，ＳＬ４で、ＤＣＳ系３のノッチフィ
ルタ３ｂの第３のインダクタＬ３１ｄがストリップライ
ン電極ＳＬ８で、それぞれ形成される。
タＬ１１，Ｌ１２がストリップライン電極ＳＬ６，ＳＬ
７で形成される。また、ＤＣＳ系３の高周波スイッチ３
ａの第２のインダクタＬ２１ｄ，Ｌ２３ｄがストリップ
ライン電極ＳＬ２，ＳＬ４で、ＤＣＳ系３のノッチフィ
ルタ３ｂの第３のインダクタＬ３１ｄがストリップライ
ン電極ＳＬ８で、それぞれ形成される。
【００４２】さらに、ＧＳＭ系４の高周波スイッチ４ａ
の第２のインダクタＬ２１ｇ，Ｌ２３ｇがストリップラ
イン電極ＳＬ１，ＳＬ３で、ＧＳＭ系４のノッチフィル
タ４ｂの第３のインダクタＬ３１ｇがストリップライン
電極ＳＬ５で、それぞれ形成される。
の第２のインダクタＬ２１ｇ，Ｌ２３ｇがストリップラ
イン電極ＳＬ１，ＳＬ３で、ＧＳＭ系４のノッチフィル
タ４ｂの第３のインダクタＬ３１ｇがストリップライン
電極ＳＬ５で、それぞれ形成される。
【００４３】また、ダイプレクサ２の第１のコンデンサ
Ｃ１１がコンデンサ電極Ｃｐ６，Ｃｐ９で、第１のコン
デンサＣ１２がコンデンサ電極Ｃｐ３，Ｃｐ６で、第１
のコンデンサＣ１３がコンデンサ電極Ｃｐ１７とグラン
ド電極Ｇ４とで、第１のコンデンサＣ１４がコンデンサ
電極Ｃｐ９，Ｃｐ１１で、第１のコンデンサＣ１５がコ
ンデンサ電極Ｃｐ１６とグランド電極Ｇ４とで、それぞ
れ形成される。
Ｃ１１がコンデンサ電極Ｃｐ６，Ｃｐ９で、第１のコン
デンサＣ１２がコンデンサ電極Ｃｐ３，Ｃｐ６で、第１
のコンデンサＣ１３がコンデンサ電極Ｃｐ１７とグラン
ド電極Ｇ４とで、第１のコンデンサＣ１４がコンデンサ
電極Ｃｐ９，Ｃｐ１１で、第１のコンデンサＣ１５がコ
ンデンサ電極Ｃｐ１６とグランド電極Ｇ４とで、それぞ
れ形成される。
【００４４】さらに、ＤＣＳ系３の高周波スイッチ３ａ
の第２のコンデンサＣ２１ｄがコンデンサ電極Ｃｐ５，
Ｃｐ８で、第２のコンデンサＣ２２ｄがコンデンサ電極
Ｃｐ１３とグランド電極Ｇ２とで、それぞれ形成され
る。また、ＤＣＳ系３のノッチフィルタ３ｂの第３のコ
ンデンサＣ３１ｄがコンデンサ電極Ｃｐ８，Ｃｐ１２
で、第３のコンデンサＣ３２ｄがコンデンサ電極Ｃｐ１
８とグランド電極Ｇ４とで、それぞれ形成される。
の第２のコンデンサＣ２１ｄがコンデンサ電極Ｃｐ５，
Ｃｐ８で、第２のコンデンサＣ２２ｄがコンデンサ電極
Ｃｐ１３とグランド電極Ｇ２とで、それぞれ形成され
る。また、ＤＣＳ系３のノッチフィルタ３ｂの第３のコ
ンデンサＣ３１ｄがコンデンサ電極Ｃｐ８，Ｃｐ１２
で、第３のコンデンサＣ３２ｄがコンデンサ電極Ｃｐ１
８とグランド電極Ｇ４とで、それぞれ形成される。
【００４５】また、ＧＳＭ系４の高周波スイッチ４ａの
第２のコンデンサＣ２１ｇがコンデンサ電極Ｃｐ４，Ｃ
ｐ７で、第２のコンデンサＣ２２ｇがコンデンサ電極Ｃ
ｐ１３とグランド電極Ｇ２とで、それぞれ形成される。
また、ＧＳＭ系４のノッチフィルタ４ｂの第３のコンデ
ンサＣ３１ｇがコンデンサ電極Ｃｐ７，Ｃｐ１０で、第
３のコンデンサＣ３２ｇがコンデンサ電極Ｃｐ１５とグ
ランド電極Ｇ４とで、それぞれ形成される。
第２のコンデンサＣ２１ｇがコンデンサ電極Ｃｐ４，Ｃ
ｐ７で、第２のコンデンサＣ２２ｇがコンデンサ電極Ｃ
ｐ１３とグランド電極Ｇ２とで、それぞれ形成される。
また、ＧＳＭ系４のノッチフィルタ４ｂの第３のコンデ
ンサＣ３１ｇがコンデンサ電極Ｃｐ７，Ｃｐ１０で、第
３のコンデンサＣ３２ｇがコンデンサ電極Ｃｐ１５とグ
ランド電極Ｇ４とで、それぞれ形成される。
【００４６】ここで、図１の回路構成を有する複合高周
波部品１０の動作について説明する。まず、ＤＣＳ系３
（１．８ＧＨｚ帯）の送信信号を送信する場合には、Ｄ
ＣＳ系３の高周波スイッチ３ａにおいて制御端子Ｖｃ１
に３Ｖを印加してダイオードＤ１ｄ，Ｄ２ｄをオンする
ことにより、ＤＣＳ系３の送信信号が高周波スイッチ３
ａ、ノッチフィルタ３ｂ及びダイプレクサ２を通過し、
ダイプレクサ２の第１のポートＰ１１に接続されたアン
テナ１から送信される。
波部品１０の動作について説明する。まず、ＤＣＳ系３
（１．８ＧＨｚ帯）の送信信号を送信する場合には、Ｄ
ＣＳ系３の高周波スイッチ３ａにおいて制御端子Ｖｃ１
に３Ｖを印加してダイオードＤ１ｄ，Ｄ２ｄをオンする
ことにより、ＤＣＳ系３の送信信号が高周波スイッチ３
ａ、ノッチフィルタ３ｂ及びダイプレクサ２を通過し、
ダイプレクサ２の第１のポートＰ１１に接続されたアン
テナ１から送信される。
【００４７】この際、ＧＳＭ系４の高周波スイッチ４ａ
において制御端子Ｖｃ２に０Ｖを印加してダイオードＤ
１ｇをオフすることにより、ＧＳＭ系４の送信信号が送
信されないようにしている。また、ダイプレクサ２を接
続することにより、ＤＣＳ系３の送信信号がＧＳＭ系４
の送信部Ｔｘｇ及び受信部Ｒｘｇに回り込まないように
している。さらに、ＤＣＳ系３のノッチフィルタ３ｂで
はＤＣＳ系３の２次高調波及び３次高調波を減衰させて
いる。
において制御端子Ｖｃ２に０Ｖを印加してダイオードＤ
１ｇをオフすることにより、ＧＳＭ系４の送信信号が送
信されないようにしている。また、ダイプレクサ２を接
続することにより、ＤＣＳ系３の送信信号がＧＳＭ系４
の送信部Ｔｘｇ及び受信部Ｒｘｇに回り込まないように
している。さらに、ＤＣＳ系３のノッチフィルタ３ｂで
はＤＣＳ系３の２次高調波及び３次高調波を減衰させて
いる。
【００４８】次いで、ＧＳＭ系４（９００ＭＨｚ帯）の
送信信号を送信する場合には、ＧＳＭ系４の高周波スイ
ッチ４ａにおいて制御端子Ｖｃ２に３Ｖを印加してダイ
オードＤ１ｇ，Ｄ２ｇをオンすることにより、ＧＳＭ系
４の送信信号が高周波スイッチ４ａ、ノッチフィルタ４
ｂ及びダイプレクサ２を通過し、ダイプレクサ２の第１
のポートＰ１１に接続されたアンテナ１から送信され
る。
送信信号を送信する場合には、ＧＳＭ系４の高周波スイ
ッチ４ａにおいて制御端子Ｖｃ２に３Ｖを印加してダイ
オードＤ１ｇ，Ｄ２ｇをオンすることにより、ＧＳＭ系
４の送信信号が高周波スイッチ４ａ、ノッチフィルタ４
ｂ及びダイプレクサ２を通過し、ダイプレクサ２の第１
のポートＰ１１に接続されたアンテナ１から送信され
る。
【００４９】この際、ＤＣＳ系３の高周波スイッチ３ａ
において制御端子Ｖｃ１に０Ｖを印加してダイオードＤ
１ｄをオフすることにより、ＤＣＳ系３の送信信号が送
信されないようにしている。また、ダイプレクサ２を接
続することにより、ＧＳＭ系４の送信信号がＤＣＳ系３
の送信部Ｔｘｄ及び受信部Ｒｘｄに回り込まないように
している。さらに、ＧＳＭ系４のノッチフィルタ４ｂで
はＧＳＭ系４の３次高調波を減衰させている。
において制御端子Ｖｃ１に０Ｖを印加してダイオードＤ
１ｄをオフすることにより、ＤＣＳ系３の送信信号が送
信されないようにしている。また、ダイプレクサ２を接
続することにより、ＧＳＭ系４の送信信号がＤＣＳ系３
の送信部Ｔｘｄ及び受信部Ｒｘｄに回り込まないように
している。さらに、ＧＳＭ系４のノッチフィルタ４ｂで
はＧＳＭ系４の３次高調波を減衰させている。
【００５０】次いで、ＤＣＳ系３及びＧＳＭ系４の受信
信号を受信する場合には、ＤＣＳ系３の高周波スイッチ
３ａにおいて制御端子Ｖｃ１に０Ｖを印加してダイオー
ドＤ１ｄ，Ｄ２ｄをオフし、ＧＳＭ系４の高周波スイッ
チ４ａにおいて制御端子Ｖｃ２に０Ｖを印加してダイオ
ードＤ１ｇ，Ｄ２ｇをオフすることにより、ＤＣＳ系３
の受信信号がＤＣＳ系３の送信部Ｔｘｄに、ＧＳＭ系４
の受信信号がＧＳＭ系４の送信部Ｔｘｇに、それぞれ回
り込まないようにしている。
信号を受信する場合には、ＤＣＳ系３の高周波スイッチ
３ａにおいて制御端子Ｖｃ１に０Ｖを印加してダイオー
ドＤ１ｄ，Ｄ２ｄをオフし、ＧＳＭ系４の高周波スイッ
チ４ａにおいて制御端子Ｖｃ２に０Ｖを印加してダイオ
ードＤ１ｇ，Ｄ２ｇをオフすることにより、ＤＣＳ系３
の受信信号がＤＣＳ系３の送信部Ｔｘｄに、ＧＳＭ系４
の受信信号がＧＳＭ系４の送信部Ｔｘｇに、それぞれ回
り込まないようにしている。
【００５１】また、ダイプレクサ２を接続することによ
り、ＤＣＳ系３の受信信号がＧＳＭ系４に、ＧＳＭ系４
の受信信号がＤＣＳ系４に、それぞれ回り込まないよう
にしている。
り、ＤＣＳ系３の受信信号がＧＳＭ系４に、ＧＳＭ系４
の受信信号がＤＣＳ系４に、それぞれ回り込まないよう
にしている。
【００５２】上述の第１の実施例の複合高周波部品によ
れば、複合高周波部品をなすダイプレクサ、高周波スイ
ッチ及びノッチフィルタを、セラミックスからなる複数
のシート層を積層してなるセラミック多層基板に一体化
するため、ダイプレクサと高周波スイッチとの間の整合
調整が容易となり、ダイプレクサと高周波スイッチとの
間の整合調整を行なう整合回路が不要となる。したがっ
て、複合高周波部品の小型化が可能となる。ちなみに、
１つのダイプレクサ、２つの高周波スイッチ、及び２つ
のノッチフィルタを６．３ｍｍ×５ｍｍ×２ｍｍの大き
さに一体化することが可能となった。
れば、複合高周波部品をなすダイプレクサ、高周波スイ
ッチ及びノッチフィルタを、セラミックスからなる複数
のシート層を積層してなるセラミック多層基板に一体化
するため、ダイプレクサと高周波スイッチとの間の整合
調整が容易となり、ダイプレクサと高周波スイッチとの
間の整合調整を行なう整合回路が不要となる。したがっ
て、複合高周波部品の小型化が可能となる。ちなみに、
１つのダイプレクサ、２つの高周波スイッチ、及び２つ
のノッチフィルタを６．３ｍｍ×５ｍｍ×２ｍｍの大き
さに一体化することが可能となった。
【００５３】また、フィルタがノッチフィルタであるた
め、減衰させたい２次高調波、３次高調波の近傍のみを
減衰させることができ、その結果、基本波の通過帯域へ
の影響を小さくできる。したがって、低域通過フィルタ
や帯域通過フィルタのように高調波帯域全体を減衰させ
る場合に比べ、基本波の通過帯域における挿入損失を低
減させることができるため、複合高周波部品全体の損失
を改善することが可能となる。
め、減衰させたい２次高調波、３次高調波の近傍のみを
減衰させることができ、その結果、基本波の通過帯域へ
の影響を小さくできる。したがって、低域通過フィルタ
や帯域通過フィルタのように高調波帯域全体を減衰させ
る場合に比べ、基本波の通過帯域における挿入損失を低
減させることができるため、複合高周波部品全体の損失
を改善することが可能となる。
【００５４】さらに、ダイプレクサが、第１のインダク
タ、及び第１のコンデンサで構成され、高周波スイッチ
が、ダイオード、第２のインダクタ、及び第２のコンデ
ンサで構成され、ノッチフィルタが、第３のインダク
タ、及び第３のコンデンサで構成されるとともに、それ
らがセラミック多層基板に内蔵、あるいは搭載され、セ
ラミック多層基板の内部に形成される接続手段によって
接続されるため、複合高周波部品が１つのセラミック多
層基板で構成でき、小型化が実現できる。加えて、部品
間の配線による損失を改善することができ、その結果、
複合高周波部品全体の損失を改善することが可能とな
る。
タ、及び第１のコンデンサで構成され、高周波スイッチ
が、ダイオード、第２のインダクタ、及び第２のコンデ
ンサで構成され、ノッチフィルタが、第３のインダク
タ、及び第３のコンデンサで構成されるとともに、それ
らがセラミック多層基板に内蔵、あるいは搭載され、セ
ラミック多層基板の内部に形成される接続手段によって
接続されるため、複合高周波部品が１つのセラミック多
層基板で構成でき、小型化が実現できる。加えて、部品
間の配線による損失を改善することができ、その結果、
複合高周波部品全体の損失を改善することが可能とな
る。
【００５５】また、インダクタとなるストリップライン
電極がセラミック多層基板に内蔵されているため、波長
短縮効果により、インダクタとなるストリップライン電
極の長さを短縮することができる。したがって、これら
のストリップライン電極の挿入損失を向上させることが
できため、複合高周波部品の小型化及び低損失化を実現
することができる。その結果、この複合高周波部品を搭
載する移動体通信装置の小型化及び高性能化も同時に実
現できる。
電極がセラミック多層基板に内蔵されているため、波長
短縮効果により、インダクタとなるストリップライン電
極の長さを短縮することができる。したがって、これら
のストリップライン電極の挿入損失を向上させることが
できため、複合高周波部品の小型化及び低損失化を実現
することができる。その結果、この複合高周波部品を搭
載する移動体通信装置の小型化及び高性能化も同時に実
現できる。
【００５６】図５は、本発明の複合高周波部品の第２の
実施例の回路図である。複合高周波部品２０は、第１の
実施例の複合高周波部品１０（図１）と比較してＤＣＳ
系３をなすノッチフィルタ３ｂ、及びＧＳＭ系４をなす
ノッチフィルタ４ｂの接続位置が異なる。
実施例の回路図である。複合高周波部品２０は、第１の
実施例の複合高周波部品１０（図１）と比較してＤＣＳ
系３をなすノッチフィルタ３ｂ、及びＧＳＭ系４をなす
ノッチフィルタ４ｂの接続位置が異なる。
【００５７】すなわち、ＤＣＳ系３をなすノッチフィル
タ３ｂが高周波スイッチ３ａの後段の送信部Ｔｘｄ側
に、ＧＳＭ系４をなすノッチフィルタ４ｂが高周波スイ
ッチ４ａの後段の送信部Ｔｘｇ側に、それぞれ接続され
る。
タ３ｂが高周波スイッチ３ａの後段の送信部Ｔｘｄ側
に、ＧＳＭ系４をなすノッチフィルタ４ｂが高周波スイ
ッチ４ａの後段の送信部Ｔｘｇ側に、それぞれ接続され
る。
【００５８】上述の第２の実施例の複合高周波部品によ
れば、ノッチフィルタが高周波スイッチの後段の送信部
側に接続されるため、送信の際に、送信部にある高出力
増幅器の歪みをこのノッチフィルタで減衰させることが
できる。したがって、受信側の挿入損失を改善すること
ができる。
れば、ノッチフィルタが高周波スイッチの後段の送信部
側に接続されるため、送信の際に、送信部にある高出力
増幅器の歪みをこのノッチフィルタで減衰させることが
できる。したがって、受信側の挿入損失を改善すること
ができる。
【００５９】図６は、本発明の複合高周波部品の第３の
実施例の外観を示す斜視図である。複合高周波部品３０
は、第１の実施例の複合高周波部品１０（図１）と比較
してＤＣＳ系３及びＧＳＭ系４をなす高周波スイッチ３
ａ，４ａを構成する並列トラップコイルＬ２１ｄ，Ｌ２
１ｇ及びチョークコイルＬ２２ｄ，Ｌ２２ｇがチップコ
イルからなり、それらがセラミック多層基板１１上に搭
載される点で異なる。
実施例の外観を示す斜視図である。複合高周波部品３０
は、第１の実施例の複合高周波部品１０（図１）と比較
してＤＣＳ系３及びＧＳＭ系４をなす高周波スイッチ３
ａ，４ａを構成する並列トラップコイルＬ２１ｄ，Ｌ２
１ｇ及びチョークコイルＬ２２ｄ，Ｌ２２ｇがチップコ
イルからなり、それらがセラミック多層基板１１上に搭
載される点で異なる。
【００６０】上述の第３の実施例の複合高周波部品によ
れば、高周波スイッチの並列トラップコイル及びチョー
クコイルがＱ値の高いチップコイルからなるため、周波
数帯の異なる複数のシステムに対しても同形状のチップ
コイルを使用することができる。したがって、周波数帯
域の変更による設計変更が容易になるため、短時間で設
計変更ができ、その結果、製造コストの低減が実現でき
る。
れば、高周波スイッチの並列トラップコイル及びチョー
クコイルがＱ値の高いチップコイルからなるため、周波
数帯の異なる複数のシステムに対しても同形状のチップ
コイルを使用することができる。したがって、周波数帯
域の変更による設計変更が容易になるため、短時間で設
計変更ができ、その結果、製造コストの低減が実現でき
る。
【００６１】また、並列トラップコイル及びチョークコ
イルのＱ値が高くなるため、通過帯域が広帯域になると
ともに、より低損失が実現できる。
イルのＱ値が高くなるため、通過帯域が広帯域になると
ともに、より低損失が実現できる。
【００６２】なお、上記の実施例において、複合高周波
部品が、ＤＣＳとＧＳＭとの組み合わせに使用される場
合について説明したが、その使用は、ＤＣＳとＧＳＭと
の組み合わせに限定されるものではなく、例えば、ＰＣ
Ｓ(Personal CommunicationServices)とＡＭＰＳ(Advan
ced Mobile Phone Services)との組み合わせ、ＤＥＣＴ
(Digital European Cordless Telephone)とＧＳＭとの
組み合わせ、ＰＨＳ(Personal Handy-phone System)と
ＰＤＣ(Personal Digital Cellular)との組み合わせ、
などに使用することができる。
部品が、ＤＣＳとＧＳＭとの組み合わせに使用される場
合について説明したが、その使用は、ＤＣＳとＧＳＭと
の組み合わせに限定されるものではなく、例えば、ＰＣ
Ｓ(Personal CommunicationServices)とＡＭＰＳ(Advan
ced Mobile Phone Services)との組み合わせ、ＤＥＣＴ
(Digital European Cordless Telephone)とＧＳＭとの
組み合わせ、ＰＨＳ(Personal Handy-phone System)と
ＰＤＣ(Personal Digital Cellular)との組み合わせ、
などに使用することができる。
【００６３】また、２系統の信号経路を有する場合につ
いて説明したが、３系統以上の信号経路を有する場合に
ついても同様の効果が得られる。
いて説明したが、３系統以上の信号経路を有する場合に
ついても同様の効果が得られる。
【００６４】
【発明の効果】請求項１の複合高周波部品によれば、複
合高周波部品をなすダイプレクサ、高周波スイッチ及び
フィルタを、セラミックスからなる複数のシート層を積
層してなるセラミック多層基板に一体化するため、ダイ
プレクサと高周波スイッチとの間の整合調整が容易とな
り、ダイプレクサと高周波スイッチとの間、及び高周波
スイッチとフィルタとの間に整合調整を行なう整合回路
を設ける必要がなくなる。
合高周波部品をなすダイプレクサ、高周波スイッチ及び
フィルタを、セラミックスからなる複数のシート層を積
層してなるセラミック多層基板に一体化するため、ダイ
プレクサと高周波スイッチとの間の整合調整が容易とな
り、ダイプレクサと高周波スイッチとの間、及び高周波
スイッチとフィルタとの間に整合調整を行なう整合回路
を設ける必要がなくなる。
【００６５】したがって、部品点数を減らすことができ
るため、複数の信号経路を有するマイクロ波回路を形成
する回路基板の小型化が可能となる。
るため、複数の信号経路を有するマイクロ波回路を形成
する回路基板の小型化が可能となる。
【００６６】請求項２の複合高周波部品によれば、フィ
ルタが高周波スイッチの後段の送信部側に接続されるた
め、送信部に構成する高出力増幅器による送信信号の歪
みを減衰させることができる。したがって、受信部の挿
入損失を改善することができる。
ルタが高周波スイッチの後段の送信部側に接続されるた
め、送信部に構成する高出力増幅器による送信信号の歪
みを減衰させることができる。したがって、受信部の挿
入損失を改善することができる。
【００６７】請求項３の複合高周波部品によれば、フィ
ルタがノッチフィルタであるため、減衰させたい２次高
調波、３次高調波の近傍のみを減衰させることができ、
その結果、基本波の通過帯域への影響を小さくできる。
したがって、低域通過フィルタや帯域通過フィルタのよ
うに高調波帯域全体を減衰させる場合に比べ、基本波の
通過帯域における挿入損失を低減させることができるた
め、複合高周波部品全体の損失を改善することが可能と
なる。
ルタがノッチフィルタであるため、減衰させたい２次高
調波、３次高調波の近傍のみを減衰させることができ、
その結果、基本波の通過帯域への影響を小さくできる。
したがって、低域通過フィルタや帯域通過フィルタのよ
うに高調波帯域全体を減衰させる場合に比べ、基本波の
通過帯域における挿入損失を低減させることができるた
め、複合高周波部品全体の損失を改善することが可能と
なる。
【００６８】請求項４の複合高周波部品によれば、ダイ
プレクサが、第１のインダクタンス素子、及び第１のキ
ャパシタンス素子で構成され、高周波スイッチが、スイ
ッチング素子、第２のインダクタンス素子、及び第２の
キャパシタンス素子で構成され、フィルタが、第３のイ
ンダクタンス素子、及び第３のキャパシタンス素子で構
成されるとともに、それらがセラミック多層基板に内
蔵、あるいは搭載され、セラミック多層基板の内部に形
成される接続手段によって接続されるため、複合高周波
部品が１つのセラミック多層基板で構成でき、小型化が
実現できる。加えて、部品間の配線による損失を改善す
ることができ、その結果、複合高周波部品全体の損失を
改善することが可能となる。
プレクサが、第１のインダクタンス素子、及び第１のキ
ャパシタンス素子で構成され、高周波スイッチが、スイ
ッチング素子、第２のインダクタンス素子、及び第２の
キャパシタンス素子で構成され、フィルタが、第３のイ
ンダクタンス素子、及び第３のキャパシタンス素子で構
成されるとともに、それらがセラミック多層基板に内
蔵、あるいは搭載され、セラミック多層基板の内部に形
成される接続手段によって接続されるため、複合高周波
部品が１つのセラミック多層基板で構成でき、小型化が
実現できる。加えて、部品間の配線による損失を改善す
ることができ、その結果、複合高周波部品全体の損失を
改善することが可能となる。
【００６９】また、インダクタとなるストリップライン
電極がセラミック多層基板に内蔵、あるいは搭載される
ため、波長短縮効果により、インダクタとなるストリッ
プライン電極の長さを短縮することができる。したがっ
て、これらのストリップライン電極の挿入損失を向上さ
せることができため、複合高周波部品の小型化及び低損
失化を実現することができる。その結果、この複合高周
波部品を搭載する移動体通信装置の小型化及び高性能化
も同時に実現できる。
電極がセラミック多層基板に内蔵、あるいは搭載される
ため、波長短縮効果により、インダクタとなるストリッ
プライン電極の長さを短縮することができる。したがっ
て、これらのストリップライン電極の挿入損失を向上さ
せることができため、複合高周波部品の小型化及び低損
失化を実現することができる。その結果、この複合高周
波部品を搭載する移動体通信装置の小型化及び高性能化
も同時に実現できる。
【００７０】請求項５の複合高周波部品によれば、複数
の高周波スイッチを構成する第２のインダクタンス素子
のうち、チョークコイル及び並列トラップコイルがチッ
プコイルであるため、高周波スイッチを低損失に設計で
きるとともに、広帯域化が可能となる。
の高周波スイッチを構成する第２のインダクタンス素子
のうち、チョークコイル及び並列トラップコイルがチッ
プコイルであるため、高周波スイッチを低損失に設計で
きるとともに、広帯域化が可能となる。
【００７１】請求項６の移動体通信装置によれば、小型
でかつ低損失の複合高周波部品を用いているため、この
複合高周波部品を搭載する移動体通信装置の小型化及び
高性能化が実現できる。
でかつ低損失の複合高周波部品を用いているため、この
複合高周波部品を搭載する移動体通信装置の小型化及び
高性能化が実現できる。
【図１】本発明の複合高周波部品に係る第１の実施例の
回路図である。
回路図である。
【図２】図１の複合高周波部品の斜視図である。
【図３】図２の複合高周波部品のセラミック多層基板を
構成する（ａ）第１のシート層〜（ｈ）第８のシートの
上面図である。
構成する（ａ）第１のシート層〜（ｈ）第８のシートの
上面図である。
【図４】図２の複合高周波部品のセラミック多層基板を
構成する（ａ）第９のシート層〜（ｅ）第１３のシート
の上面図及び（ｆ）第１３のシートの下面図である。
構成する（ａ）第９のシート層〜（ｅ）第１３のシート
の上面図及び（ｆ）第１３のシートの下面図である。
【図５】本発明の複合高周波部品に係る第２の実施例の
回路図である。
回路図である。
【図６】本発明の複合高周波部品に係る第３の実施例の
斜視図である。
斜視図である。
【図７】一般的なデュアルバンド携帯電話器（移動体通
信装置）の構成の一部を示すブロック図である。
信装置）の構成の一部を示すブロック図である。
１０，２０，３０ 複合高周波部品 ２ ダイプレクサ ３，４ 信号経路（ＤＣＳ系、ＧＳＭ系） ３ａ，４ａ 高周波スイッチ ３ｂ，４ｂ ノッチフィルタ １１ セラミック多層基板 １１ａ〜１１ｍ シート層 Ｃ１１〜Ｃ１５ 第１のキャパシタンス素子 Ｃ２１ｄ〜Ｃ２３ｄ，Ｃ２１ｇ〜Ｃ２３ｇ 第２の
キャパシタン素子 Ｃ３１ｄ，Ｃ３２ｄ，Ｃ３１ｇ，Ｃ３２ｇ 第３の
キャパシタン素子 Ｄ１ｄ，Ｄ２ｄ，Ｄ１ｇ，Ｄ２ｇ スイッチング素
子 Ｌ１１，Ｌ１２ 第１のインダクタ素子 Ｌ２１ｄ〜Ｌ２３ｄ，Ｌ２１ｇ〜Ｌ２３ｇ 第２の
インダクタ素子 Ｌ３１ｄ，Ｌ３１ｇ 第３のインダクタ素子
キャパシタン素子 Ｃ３１ｄ，Ｃ３２ｄ，Ｃ３１ｇ，Ｃ３２ｇ 第３の
キャパシタン素子 Ｄ１ｄ，Ｄ２ｄ，Ｄ１ｇ，Ｄ２ｇ スイッチング素
子 Ｌ１１，Ｌ１２ 第１のインダクタ素子 Ｌ２１ｄ〜Ｌ２３ｄ，Ｌ２１ｇ〜Ｌ２３ｇ 第２の
インダクタ素子 Ｌ３１ｄ，Ｌ３１ｇ 第３のインダクタ素子
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 武藤 英樹 京都府長岡京市天神二丁目26番10号 株式 会社村田製作所内 (72)発明者 上嶋 孝紀 京都府長岡京市天神二丁目26番10号 株式 会社村田製作所内 (72)発明者 中島 規巨 京都府長岡京市天神二丁目26番10号 株式 会社村田製作所内
Claims (6)
- 【請求項１】 それぞれの周波数に対応した複数の信号
経路を有するマイクロ波回路の一部を構成する複合高周
波部品であって、 送信の際には前記複数の信号経路からの送信信号を選択
し、受信の際には前記複数の信号経路への受信信号を選
択するダイプレクサと、前記複数の信号経路のそれぞれ
を送信部と受信部とに分離する複数の高周波スイッチ
と、前記信号経路中に接続された複数のフィルタとから
なり、前記ダイプレクサ、高周波スイッチ、及びフィル
タが、セラミックスからなる複数のシート層を積層して
なるセラミック多層基板に一体化されることを特徴とす
る複合高周波部品。 - 【請求項２】 前記複数のフィルタが、前記複数の高周
波スイッチの後段の前記送信部側に接続されることを特
徴とする請求項１に記載の複合高周波部品。 - 【請求項３】 前記複数のフィルタが、ノッチフィルタ
であることを特徴とする請求項１あるいは請求項２に記
載の複合高周波部品。 - 【請求項４】 前記ダイプレクサが、第１のインダクタ
ンス素子、及び第１のキャパシタンス素子で構成され、
前記複数の高周波スイッチが、スイッチング素子、第２
のインダクタンス素子、及び第２のキャパシタンス素子
で構成され、前記複数のフィルタが、第３のインダクタ
ンス素子、及び第３のキャパシタンス素子で構成される
とともに、 前記スイッチング素子、前記第１乃至第３のインダクタ
ンス素子、及び前記第１乃至第３のキャパシタンス素子
が、前記セラミック多層基板に内蔵、あるいは搭載さ
れ、前記セラミック多層基板の内部に形成される接続手
段によって接続されることを特徴とする請求項１乃至請
求項３のいずれかに記載の複合高周波部品。 - 【請求項５】 前記複数の高周波スイッチを構成する第
２のインダクタンス素子は並列トラップコイル及びチョ
ークコイルを含み、該並列トラップコイル及びチョーク
コイルがチップコイルからなることを特徴とする請求項
４に記載の複合高周波部品。 - 【請求項６】 請求項１乃至請求項５に記載の複合高周
波部品を用いたことを特徴とする移動体通信装置。
Priority Applications (8)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25573099A JP3304931B2 (ja) | 1998-10-27 | 1999-09-09 | 複合高周波部品及びそれを用いた移動体通信装置 |
| EP99121060A EP0998035B1 (en) | 1998-10-27 | 1999-10-21 | Composite high frequency component and mobile communication device including the same |
| DE69930453T DE69930453T2 (de) | 1998-10-27 | 1999-10-21 | Zusammengestellte Hochfrequenzkomponente und damit ausgerüstetes mobiles Kommunikationsgerät |
| DE69941583T DE69941583D1 (de) | 1998-10-27 | 1999-10-21 | Zusammengestellte Hochfrequenzkomponente und damit ausgerüstetes mobiles Kommunikationsgerät |
| EP06001136A EP1650865B1 (en) | 1998-10-27 | 1999-10-21 | Composite high frequency component and mobile communication device including the same |
| US09/426,231 US6633748B1 (en) | 1998-10-27 | 1999-10-22 | Composite high frequency component and mobile communication device including the same |
| US10/441,218 US7200365B2 (en) | 1998-10-27 | 2003-05-20 | Composite high frequency component and mobile communication device including the same |
| US10/607,436 US20040087280A1 (en) | 1998-10-27 | 2003-06-27 | Composite high frequency component and mobile commmunication device including the same |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10-305655 | 1998-10-27 | ||
| JP30565598 | 1998-10-27 | ||
| JP25573099A JP3304931B2 (ja) | 1998-10-27 | 1999-09-09 | 複合高周波部品及びそれを用いた移動体通信装置 |
Related Child Applications (2)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000393536A Division JP4126874B2 (ja) | 1998-10-27 | 2000-12-25 | 複合高周波部品及びそれを用いた移動体通信装置 |
| JP2000393537A Division JP4352612B2 (ja) | 1998-10-27 | 2000-12-25 | 複合高周波部品及びそれを用いた移動体通信装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000201097A true JP2000201097A (ja) | 2000-07-18 |
| JP3304931B2 JP3304931B2 (ja) | 2002-07-22 |
Family
ID=26542388
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP25573099A Expired - Lifetime JP3304931B2 (ja) | 1998-10-27 | 1999-09-09 | 複合高周波部品及びそれを用いた移動体通信装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3304931B2 (ja) |
Cited By (13)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002290255A (ja) * | 2001-03-26 | 2002-10-04 | Tdk Corp | 無線通信装置 |
| JP2002299903A (ja) * | 2001-03-30 | 2002-10-11 | Kyocera Corp | 高周波モジュール |
| JP2002344276A (ja) * | 2001-05-16 | 2002-11-29 | Murata Mfg Co Ltd | 高周波電力分配・合成回路および高周波電力分配・合成部品 |
| US6600385B2 (en) | 2000-08-21 | 2003-07-29 | Tdk Corporation | Front end module for mobile communications apparatus |
| KR20040025469A (ko) * | 2002-09-19 | 2004-03-24 | 엘지전자 주식회사 | 이중 대역 단말기의 다이플렉서 회로 |
| KR100666762B1 (ko) * | 2001-02-27 | 2007-01-09 | 엔지케이 스파크 플러그 캄파니 리미티드 | 고주파회로 기판 및 그것을 이용한 고주파용 안테나스위치 모듈 |
| KR100669055B1 (ko) * | 2000-09-12 | 2007-01-15 | 닛뽕덴끼 가부시끼가이샤 | 휴대전화, ＧＰＳ, Ｂｌｕｅｔｏｏｔｈ 일체형 복합단말 및 그 제어방법 |
| JP2008072738A (ja) * | 2004-06-30 | 2008-03-27 | Hitachi Metals Ltd | 高周波回路、高周波部品及びマルチバンド通信装置 |
| JPWO2006003959A1 (ja) * | 2004-06-30 | 2008-07-31 | 日立金属株式会社 | 高周波回路、高周波部品及びマルチバンド通信装置 |
| KR100856237B1 (ko) * | 2002-03-29 | 2008-09-03 | 삼성전기주식회사 | 코드레스폰의 송수신 스퓨리어스 제거용 필터 |
| US7466211B2 (en) | 2005-04-28 | 2008-12-16 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | High-frequency switching module and frequency-characteristic adjusting method for high-frequency circuit |
| EP1981173A4 (en) * | 2006-01-31 | 2010-11-10 | Murata Manufacturing Co | HIGH-FREQUENCY COMPOSITE COMPONENTS AND MOBILE COMMUNICATION APPARATUS |
| US7904030B2 (en) | 2001-03-29 | 2011-03-08 | Panasonic Corporation | High frequency switch, radio communication apparatus, and high frequency switching method |
-
1999
- 1999-09-09 JP JP25573099A patent/JP3304931B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (15)
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| JP2002344276A (ja) * | 2001-05-16 | 2002-11-29 | Murata Mfg Co Ltd | 高周波電力分配・合成回路および高周波電力分配・合成部品 |
| KR100856237B1 (ko) * | 2002-03-29 | 2008-09-03 | 삼성전기주식회사 | 코드레스폰의 송수신 스퓨리어스 제거용 필터 |
| KR20040025469A (ko) * | 2002-09-19 | 2004-03-24 | 엘지전자 주식회사 | 이중 대역 단말기의 다이플렉서 회로 |
| JPWO2006003959A1 (ja) * | 2004-06-30 | 2008-07-31 | 日立金属株式会社 | 高周波回路、高周波部品及びマルチバンド通信装置 |
| JP2009124746A (ja) * | 2004-06-30 | 2009-06-04 | Hitachi Metals Ltd | 高周波部品及びマルチバンド通信装置 |
| US7773956B2 (en) | 2004-06-30 | 2010-08-10 | Hitachi Metals, Ltd. | Multi-band high frequency circuit, multi-band high-frequency component and multi-band communications apparatus |
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| US7466211B2 (en) | 2005-04-28 | 2008-12-16 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | High-frequency switching module and frequency-characteristic adjusting method for high-frequency circuit |
| EP1981173A4 (en) * | 2006-01-31 | 2010-11-10 | Murata Manufacturing Co | HIGH-FREQUENCY COMPOSITE COMPONENTS AND MOBILE COMMUNICATION APPARATUS |
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|---|---|
| JP3304931B2 (ja) | 2002-07-22 |
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