JP2000202445A - フッ化物イオンを含む半導体製造工程回収水の処理方法 - Google Patents
フッ化物イオンを含む半導体製造工程回収水の処理方法Info
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- JP2000202445A JP2000202445A JP11006666A JP666699A JP2000202445A JP 2000202445 A JP2000202445 A JP 2000202445A JP 11006666 A JP11006666 A JP 11006666A JP 666699 A JP666699 A JP 666699A JP 2000202445 A JP2000202445 A JP 2000202445A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 フッ化物イオンを含む半導体洗浄工程回収水
を再利用するに当り、超純水製造装置のＲＯ膜装置にお
けるフッ化カルシウムスケールの生成を確実に防止し
て、処理水量、処理効率の向上と処理の安定化を図る。 【解決手段】 フッ化物イオンを含む半導体製造工程回
収水に、ヘキサメタリン酸ナトリウム、トリポリリン酸
ナトリウム又はホスホン酸系化合物を添加した後、逆浸
透膜分離処理する。
を再利用するに当り、超純水製造装置のＲＯ膜装置にお
けるフッ化カルシウムスケールの生成を確実に防止し
て、処理水量、処理効率の向上と処理の安定化を図る。 【解決手段】 フッ化物イオンを含む半導体製造工程回
収水に、ヘキサメタリン酸ナトリウム、トリポリリン酸
ナトリウム又はホスホン酸系化合物を添加した後、逆浸
透膜分離処理する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明はフッ化物イオンを含
む半導体製造工程回収水の処理方法に係り、特に、フッ
化物イオンを含む半導体製造工程回収水を再利用するに
当り、超純水製造装置の逆浸透（ＲＯ）膜装置における
フッ化カルシウムスケールの生成を防止して、処理水
量、処理効率の向上及び処理の安定化を図る方法に関す
る。
む半導体製造工程回収水の処理方法に係り、特に、フッ
化物イオンを含む半導体製造工程回収水を再利用するに
当り、超純水製造装置の逆浸透（ＲＯ）膜装置における
フッ化カルシウムスケールの生成を防止して、処理水
量、処理効率の向上及び処理の安定化を図る方法に関す
る。
【０００２】
【従来の技術】半導体工場では、水の有効利用率を高め
るために、各種排水を分別して回収し、超純水製造装置
で処理して超純水として再利用することが行われてい
る。
るために、各種排水を分別して回収し、超純水製造装置
で処理して超純水として再利用することが行われてい
る。
【０００３】しかし、半導体工場では、製造工程におい
てフッ酸を使用しているため、半導体製造工程回収水に
は微量ではあるがフッ化物イオンが存在する。このフッ
化物イオンは、カルシウムシオンと結合して容易にフッ
化カルシウムを生成する。生成したフッ化カルシウム
は、スケールとして系内に付着するが、このフッ化カル
シウムスケールは容易に除去することはできず、削り取
るなどの物理的処理を行うか、或いは高濃度のＥＤＴＡ
（エチレンジアミンテトラ酢酸）で長時間処理するなど
の処理が必要となる。
てフッ酸を使用しているため、半導体製造工程回収水に
は微量ではあるがフッ化物イオンが存在する。このフッ
化物イオンは、カルシウムシオンと結合して容易にフッ
化カルシウムを生成する。生成したフッ化カルシウム
は、スケールとして系内に付着するが、このフッ化カル
シウムスケールは容易に除去することはできず、削り取
るなどの物理的処理を行うか、或いは高濃度のＥＤＴＡ
（エチレンジアミンテトラ酢酸）で長時間処理するなど
の処理が必要となる。
【０００４】一方、半導体製造工程回収水を処理する超
純水製造装置に用いられるＲＯ膜装置では、給水が５〜
１０倍に濃縮されるため、給水中のフッ化物イオンやカ
ルシウムイオンが極微量であっても膜面にフッ化カルシ
ウムスケールが析出し、ＲＯ膜が目詰まりすることか
ら、安定処理ができないという問題があった。
純水製造装置に用いられるＲＯ膜装置では、給水が５〜
１０倍に濃縮されるため、給水中のフッ化物イオンやカ
ルシウムイオンが極微量であっても膜面にフッ化カルシ
ウムスケールが析出し、ＲＯ膜が目詰まりすることか
ら、安定処理ができないという問題があった。
【０００５】従来、このＲＯ膜装置でのフッ化カルシウ
ムスケールの析出を防止するために、ＲＯ膜装置の前段
に軟化装置を設け、回収水中のカルシウムイオンを予め
除去することが行われている。
ムスケールの析出を防止するために、ＲＯ膜装置の前段
に軟化装置を設け、回収水中のカルシウムイオンを予め
除去することが行われている。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、軟化装
置におけるカルシウムイオンの除去性能は必ずしも十分
であるとは言えず、微量のカルシウムイオンのリークが
あり、また、運転不良によってもカルシウムイオンがリ
ークする事故が発生する恐れもあった。
置におけるカルシウムイオンの除去性能は必ずしも十分
であるとは言えず、微量のカルシウムイオンのリークが
あり、また、運転不良によってもカルシウムイオンがリ
ークする事故が発生する恐れもあった。
【０００７】このため、従来においては、ＲＯ膜装置に
おけるフッ化カルシウムスケールの析出を防止し得ず、
経時による差圧の上昇で処理水量、処理効率が低下する
場合が多かった。
おけるフッ化カルシウムスケールの析出を防止し得ず、
経時による差圧の上昇で処理水量、処理効率が低下する
場合が多かった。
【０００８】なお、分離膜の目詰りに対しては、薬品洗
浄等により膜性能を回復させることが考えられるが、Ｒ
Ｏ膜は有機材質よりなり、過酷な洗浄を行うことができ
ず、フッ化カルシウムスケールの析出で目詰りを生じた
場合には、ＲＯ膜を交換する必要があった。
浄等により膜性能を回復させることが考えられるが、Ｒ
Ｏ膜は有機材質よりなり、過酷な洗浄を行うことができ
ず、フッ化カルシウムスケールの析出で目詰りを生じた
場合には、ＲＯ膜を交換する必要があった。
【０００９】このようなことから、従来においては、フ
ッ化物イオンを含む半導体製造工程回収水については、
多くの場合、超純水製造装置で処理して再利用すること
なく、排水処理を実施して放流しているのが実情であ
る。
ッ化物イオンを含む半導体製造工程回収水については、
多くの場合、超純水製造装置で処理して再利用すること
なく、排水処理を実施して放流しているのが実情であ
る。
【００１０】本発明は上記従来の問題点を解決し、フッ
化物イオンを含む半導体製造工程回収水を再利用するに
当り、超純水製造装置のＲＯ膜装置におけるフッ化カル
シウムスケールの生成を確実に防止して、処理水量、処
理効率の向上と処理の安定化を図るフッ化物イオンを含
む半導体製造工程回収水の処理方法を提供することを目
的とする。
化物イオンを含む半導体製造工程回収水を再利用するに
当り、超純水製造装置のＲＯ膜装置におけるフッ化カル
シウムスケールの生成を確実に防止して、処理水量、処
理効率の向上と処理の安定化を図るフッ化物イオンを含
む半導体製造工程回収水の処理方法を提供することを目
的とする。
【００１１】
【課題を解決するための手段】本発明のフッ化物イオン
を含む半導体製造工程回収水の処理方法は、フッ化物イ
オンを含む半導体製造工程回収水に、ヘキサメタリン酸
ナトリウム、トリポリリン酸ナトリウム及びホスホン酸
系化合物よりなる群から選ばれる１種又は２種以上の薬
剤を添加した後、逆浸透膜分離処理することを特徴とす
る。
を含む半導体製造工程回収水の処理方法は、フッ化物イ
オンを含む半導体製造工程回収水に、ヘキサメタリン酸
ナトリウム、トリポリリン酸ナトリウム及びホスホン酸
系化合物よりなる群から選ばれる１種又は２種以上の薬
剤を添加した後、逆浸透膜分離処理することを特徴とす
る。
【００１２】スケール分散剤として、ＲＯ膜装置の給水
にヘキサメタリン酸ナトリウム、トリポリリン酸ナトリ
ウム又はホスホン酸系化合物を添加することにより、こ
れらの少量添加でＲＯ膜装置におけるフッ化カルシウム
スケールの生成を効果的に防止することができる。
にヘキサメタリン酸ナトリウム、トリポリリン酸ナトリ
ウム又はホスホン酸系化合物を添加することにより、こ
れらの少量添加でＲＯ膜装置におけるフッ化カルシウム
スケールの生成を効果的に防止することができる。
【００１３】なお、一般に、スケール分散剤としては、
上記のリン酸系分散剤の他に、ポリアクリル酸ナトリウ
ム等があるが、ポリアクリル酸ナトリウム等の他の分散
剤では低濃度（１０ｐｐｍ以下）添加でのスケール防止
効果が悪いため、本発明では上記特定のリン酸系分散剤
を用いる。
上記のリン酸系分散剤の他に、ポリアクリル酸ナトリウ
ム等があるが、ポリアクリル酸ナトリウム等の他の分散
剤では低濃度（１０ｐｐｍ以下）添加でのスケール防止
効果が悪いため、本発明では上記特定のリン酸系分散剤
を用いる。
【００１４】
【発明の実施の形態】以下に本発明を詳細に説明する。
【００１５】本発明では、フッ化物イオンを含む半導体
製造工程回収水に、ヘキサメタリン酸ナトリウム、トリ
ポリリン酸ナトリウム及びホスホン酸系化合物よりなる
群から選ばれる１種又は２種以上のスケール分散剤を添
加した後、ＲＯ膜分離処理する。
製造工程回収水に、ヘキサメタリン酸ナトリウム、トリ
ポリリン酸ナトリウム及びホスホン酸系化合物よりなる
群から選ばれる１種又は２種以上のスケール分散剤を添
加した後、ＲＯ膜分離処理する。
【００１６】なお、ホスホン酸系化合物としては、アミ
ノトリメチルホスホン酸（Ｎ（ＣＨ2ＰＯ3Ｈ2）3）や１
−ヒドロキシエチリデン−１，１−ジホスホン酸（ＣＨ
3ＣＯＨ（ＰＯ3Ｈ2）2）が挙げられる。
ノトリメチルホスホン酸（Ｎ（ＣＨ2ＰＯ3Ｈ2）3）や１
−ヒドロキシエチリデン−１，１−ジホスホン酸（ＣＨ
3ＣＯＨ（ＰＯ3Ｈ2）2）が挙げられる。
【００１７】これらのスケール分散剤は、ＲＯ膜装置の
給水に連続的に添加しても間欠的に添加しても良いが、
その添加量が、過度に多いと薬剤コストが高騰すると共
に水質の低下を引き起こすことから、１０ｐｐｍ以下、
特に１〜５ｐｐｍとするのが好ましい。
給水に連続的に添加しても間欠的に添加しても良いが、
その添加量が、過度に多いと薬剤コストが高騰すると共
に水質の低下を引き起こすことから、１０ｐｐｍ以下、
特に１〜５ｐｐｍとするのが好ましい。
【００１８】
【実施例】以下に実施例及び比較例を挙げて本発明をよ
り具体的に説明する。
り具体的に説明する。
【００１９】実施例１〜３、比較例１，２ 半導体製造工場において、フッ化物イオンを含む半導体
製造工程回収水（濃厚系回収水）について、採水日Ａ，
Ｂ，Ｃで行った水質分析結果は下記表１に示す通りであ
る。
製造工程回収水（濃厚系回収水）について、採水日Ａ，
Ｂ，Ｃで行った水質分析結果は下記表１に示す通りであ
る。
【００２０】
【表１】
【００２１】一方、フッ化物イオン濃度及びカルシウム
イオン濃度とフッ化カルシウム（ＣａＦ2）スケールの
析出領域との関係は図３に示す通りであり、濃厚系回収
水がスケール析出条件にあることが明らかである。
イオン濃度とフッ化カルシウム（ＣａＦ2）スケールの
析出領域との関係は図３に示す通りであり、濃厚系回収
水がスケール析出条件にあることが明らかである。
【００２２】このようなスケール析出条件にある濃厚系
回収水を、図１に示す如く、活性炭塔１、軟化塔２、保
安フィルター３に順次通水した後、ＲＯ膜装置４で濃縮
倍率５倍で処理し、ＲＯ膜装置４の透過水をリンス系回
収原水槽へ送る処理装置において、保安フィルター３の
入口部に分散剤として表２に示すものをそれぞれ５ｐｐ
ｍ注入し（ただし、比較例１では分散剤注入せず）、Ｒ
Ｏ膜装置４の差圧の経時変化を調べ、結果を図２に示し
た。
回収水を、図１に示す如く、活性炭塔１、軟化塔２、保
安フィルター３に順次通水した後、ＲＯ膜装置４で濃縮
倍率５倍で処理し、ＲＯ膜装置４の透過水をリンス系回
収原水槽へ送る処理装置において、保安フィルター３の
入口部に分散剤として表２に示すものをそれぞれ５ｐｐ
ｍ注入し（ただし、比較例１では分散剤注入せず）、Ｒ
Ｏ膜装置４の差圧の経時変化を調べ、結果を図２に示し
た。
【００２３】
【表２】
【００２４】図２より、分散剤を添加しない比較例１や
分散剤としてポリアクリル酸ナトリウムを注入した比較
例２では、約５〜６ヶ月の運転で差圧が３ｋｇ／ｃｍ2
に上昇しているのに対し、本発明に係るリン酸系スケー
ル分散剤を注入した実施例１〜３では、１年間の運転後
も差圧の上昇は認められず、本発明に係るリン酸系スケ
ール分散剤がＲＯ膜装置におけるスケール析出及びそれ
による差圧上昇の防止に顕著な効果があることがわか
る。
分散剤としてポリアクリル酸ナトリウムを注入した比較
例２では、約５〜６ヶ月の運転で差圧が３ｋｇ／ｃｍ2
に上昇しているのに対し、本発明に係るリン酸系スケー
ル分散剤を注入した実施例１〜３では、１年間の運転後
も差圧の上昇は認められず、本発明に係るリン酸系スケ
ール分散剤がＲＯ膜装置におけるスケール析出及びそれ
による差圧上昇の防止に顕著な効果があることがわか
る。
【００２５】
【発明の効果】以上詳述した通り、本発明のフッ化物イ
オンを含む半導体製造工程回収水の処理方法によれば、
フッ化物イオンを含む半導体製造工程回収水を再利用す
るに当り、超純水製造装置のＲＯ膜装置におけるフッ化
カルシウムスケールの生成を確実に防止して、処理水
量、処理効率の向上と処理の安定化を図ることができ
る。
オンを含む半導体製造工程回収水の処理方法によれば、
フッ化物イオンを含む半導体製造工程回収水を再利用す
るに当り、超純水製造装置のＲＯ膜装置におけるフッ化
カルシウムスケールの生成を確実に防止して、処理水
量、処理効率の向上と処理の安定化を図ることができ
る。
【００２６】このため、本発明によれば、フッ化物イオ
ンを含む半導体製造工程回収水を再利用することがで
き、水の再利用率を高めることができる。
ンを含む半導体製造工程回収水を再利用することがで
き、水の再利用率を高めることができる。
【図１】実施例で用いた処理装置を示す系統図である。
【図２】実施例１〜３及び比較例１，２の結果を示すグ
ラフである。
ラフである。
【図３】フッ化物イオン濃度及びカルシウムイオン濃度
とフッ化カルシウムスケールの析出領域との関係を示す
グラフである。
とフッ化カルシウムスケールの析出領域との関係を示す
グラフである。
１ 活性炭塔 ２ 軟化塔 ３ 保安フィルター ４ ＲＯ膜装置
─────────────────────────────────────────────────────
【手続補正書】
【提出日】平成１１年１月２２日（１９９９．１．２
２）
２）
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００３
【補正方法】変更
【補正内容】
【０００３】しかし、半導体工場では、製造工程におい
てフッ酸を使用しているため、半導体製造工程回収水に
は微量ではあるがフッ化物イオンが存在する。このフッ
化物イオンは、カルシウムイオンと結合して容易にフッ
化カルシウムを生成する。生成したフッ化カルシウム
は、スケールとして系内に付着するが、このフッ化カル
シウムスケールは容易に除去することはできず、削り取
るなどの物理的処理を行うか、或いは高濃度のＥＤＴＡ
（エチレンジアミンテトラ酢酸）で長時間処理するなど
の処理が必要となる。
てフッ酸を使用しているため、半導体製造工程回収水に
は微量ではあるがフッ化物イオンが存在する。このフッ
化物イオンは、カルシウムイオンと結合して容易にフッ
化カルシウムを生成する。生成したフッ化カルシウム
は、スケールとして系内に付着するが、このフッ化カル
シウムスケールは容易に除去することはできず、削り取
るなどの物理的処理を行うか、或いは高濃度のＥＤＴＡ
（エチレンジアミンテトラ酢酸）で長時間処理するなど
の処理が必要となる。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Ｆターム(参考） 4D006 GA03 KA02 KA03 KA33 KB11 KB12 KB14 KD19 KD30 KE06P KE11R KE12P KE15P KE19P PA01 PB07 PB08 PB27 PB28 PC02
Claims (1)
- 【請求項１】 フッ化物イオンを含む半導体製造工程回
収水に、ヘキサメタリン酸ナトリウム、トリポリリン酸
ナトリウム及びホスホン酸系化合物よりなる群から選ば
れる１種又は２種以上の薬剤を添加した後、逆浸透膜分
離処理することを特徴とするフッ化物イオンを含む半導
体製造工程回収水の処理方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11006666A JP2000202445A (ja) | 1999-01-13 | 1999-01-13 | フッ化物イオンを含む半導体製造工程回収水の処理方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11006666A JP2000202445A (ja) | 1999-01-13 | 1999-01-13 | フッ化物イオンを含む半導体製造工程回収水の処理方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000202445A true JP2000202445A (ja) | 2000-07-25 |
Family
ID=11644711
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11006666A Pending JP2000202445A (ja) | 1999-01-13 | 1999-01-13 | フッ化物イオンを含む半導体製造工程回収水の処理方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2000202445A (ja) |
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002210335A (ja) * | 2001-01-16 | 2002-07-30 | Japan Organo Co Ltd | 逆浸透膜を用いる脱塩装置及び脱塩方法 |
| WO2013157549A1 (ja) * | 2012-04-17 | 2013-10-24 | 栗田工業株式会社 | 逆浸透膜処理方法及び逆浸透膜処理装置 |
| CN104176866A (zh) * | 2014-08-28 | 2014-12-03 | 宁波泽沃水处理科技有限公司 | 多功能纯水处理装置 |
| CN104176865A (zh) * | 2014-08-28 | 2014-12-03 | 宁波泽沃水处理科技有限公司 | 纯净水处理装置 |
| JP2015058398A (ja) * | 2013-09-19 | 2015-03-30 | ダイキン工業株式会社 | 有機フッ素界面活性剤含有排水の処理方法および処理装置 |
| WO2015136992A1 (ja) * | 2014-03-14 | 2015-09-17 | 栗田工業株式会社 | 冷却排出水の回収方法及び回収装置 |
| KR20150132571A (ko) | 2013-03-22 | 2015-11-25 | 쿠리타 고교 가부시키가이샤 | 스케일 방지방법 및 스케일 방지제 |
| CN105110505A (zh) * | 2015-08-26 | 2015-12-02 | 湖州升腾环境工程有限公司 | 一种预处理及软化一级反渗透装置 |
| JP2021065845A (ja) * | 2019-10-24 | 2021-04-30 | 栗田工業株式会社 | 排水回収システム |
-
1999
- 1999-01-13 JP JP11006666A patent/JP2000202445A/ja active Pending
Cited By (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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| JP2013220384A (ja) * | 2012-04-17 | 2013-10-28 | Kurita Water Ind Ltd | 逆浸透膜処理方法及び逆浸透膜処理装置 |
| KR20150132571A (ko) | 2013-03-22 | 2015-11-25 | 쿠리타 고교 가부시키가이샤 | 스케일 방지방법 및 스케일 방지제 |
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| CN106029580A (zh) * | 2014-03-14 | 2016-10-12 | 栗田工业株式会社 | 冷却排出水的回收方法及回收装置 |
| CN104176866A (zh) * | 2014-08-28 | 2014-12-03 | 宁波泽沃水处理科技有限公司 | 多功能纯水处理装置 |
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| JP2021065845A (ja) * | 2019-10-24 | 2021-04-30 | 栗田工業株式会社 | 排水回収システム |
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|---|---|---|---|
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|
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| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20071225 |
|
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