JP2000206550A - 液晶表示装置 - Google Patents
液晶表示装置Info
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- JP2000206550A JP2000206550A JP11006087A JP608799A JP2000206550A JP 2000206550 A JP2000206550 A JP 2000206550A JP 11006087 A JP11006087 A JP 11006087A JP 608799 A JP608799 A JP 608799A JP 2000206550 A JP2000206550 A JP 2000206550A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】液晶表示装置のバックライトの消費電力を抑え
る。または、消費電力をそのままに画面の輝度を大きく
する。 【解決手段】ゲート配線，データ配線，コモン配線，ソ
ース配線の少なくとも一つの配線の下にＡｇ反射膜を配
置することを特徴とする液晶表示装置。
る。または、消費電力をそのままに画面の輝度を大きく
する。 【解決手段】ゲート配線，データ配線，コモン配線，ソ
ース配線の少なくとも一つの配線の下にＡｇ反射膜を配
置することを特徴とする液晶表示装置。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、薄膜トランジスタ
（ＴＦＴ）によって駆動するアクティブマトリクス型液
晶表示装置（ＴＦＴ−ＬＣＤ）に関する。
（ＴＦＴ）によって駆動するアクティブマトリクス型液
晶表示装置（ＴＦＴ−ＬＣＤ）に関する。
【０００２】
【従来の技術】横電界型液晶パネルの構造として、ガラ
ス基板上に形成された、ゲート配線，データ配線，ゲー
ト配線とデータ配線との交点付近に設けられた薄膜トラ
ンジスタ，薄膜トランジスタに接続されたソース配線，
ソース配線に対向して配置されたコモン配線，ゲート絶
縁膜，絶縁性保護膜と、基板と対抗して形成された対向
基板と、前記基板と前記対向基板との間に挟持された液
晶層からなる液晶表示パネルと、液晶パネル背面に設け
られる液晶パネルを照明する光源と、前記光源を前記液
晶パネルに一様に光を反射させる反射板を有している。
ス基板上に形成された、ゲート配線，データ配線，ゲー
ト配線とデータ配線との交点付近に設けられた薄膜トラ
ンジスタ，薄膜トランジスタに接続されたソース配線，
ソース配線に対向して配置されたコモン配線，ゲート絶
縁膜，絶縁性保護膜と、基板と対抗して形成された対向
基板と、前記基板と前記対向基板との間に挟持された液
晶層からなる液晶表示パネルと、液晶パネル背面に設け
られる液晶パネルを照明する光源と、前記光源を前記液
晶パネルに一様に光を反射させる反射板を有している。
【０００３】縦電界型液晶パネルの構造として、ガラス
基板上に形成された、ゲート配線，データ配線，ゲート
配線とデータ配線との交点付近に設けられた薄膜トラン
ジスタ，薄膜トランジスタに接続されたソース配線，ソ
ース配線に接続した画素電極，ゲート絶縁膜，絶縁性保
護膜と、基板と対抗して形成された対向基板と、前記基
板と前記対向基板との間に挟持された液晶層からなる液
晶表示パネルと、液晶パネル背面に設けられる液晶パネ
ルを照明する光源と、前記光源を前記液晶パネルに一様
に光を反射させる反射板を有している。
基板上に形成された、ゲート配線，データ配線，ゲート
配線とデータ配線との交点付近に設けられた薄膜トラン
ジスタ，薄膜トランジスタに接続されたソース配線，ソ
ース配線に接続した画素電極，ゲート絶縁膜，絶縁性保
護膜と、基板と対抗して形成された対向基板と、前記基
板と前記対向基板との間に挟持された液晶層からなる液
晶表示パネルと、液晶パネル背面に設けられる液晶パネ
ルを照明する光源と、前記光源を前記液晶パネルに一様
に光を反射させる反射板を有している。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来で
は画素電極、または、ソース配線とコモン配線の間、ま
たは、ソース配線とゲート配線の間を直接通過する光が
表示用に使われ、配線に照射した光はほとんどカットさ
れるため光量が小さく、明るい表示をするためには光源
のパワーアップによる光量アップを図るか、もしくは、
開口率の高い配線の設計をする必要があった。
は画素電極、または、ソース配線とコモン配線の間、ま
たは、ソース配線とゲート配線の間を直接通過する光が
表示用に使われ、配線に照射した光はほとんどカットさ
れるため光量が小さく、明るい表示をするためには光源
のパワーアップによる光量アップを図るか、もしくは、
開口率の高い配線の設計をする必要があった。
【０００５】そこで、考案された液晶表示装置として特
開平3−170911号公報，特開平2−89025号公報または、
特開平2−10317 号公報記載のように液晶パネルとバッ
クライトの間に光学素子（光学フィルム、または、基板
上に形成したレンズ等）を備える構成で、配線に照射し
ていた光を集光させて画面の輝度を大きくしようとし
た。しかし、ＴＦＴパネル設計の変更に伴う画素領域の
変更があれば、光学素子も、また設計しなおさなければ
ならない。また、これらの光学素子はもともとの液晶表
示装置に新たな部材を付け加える、または、ＴＦＴ基板
に特殊な加工を施すなど、コストの面からも不利であ
る。
開平3−170911号公報，特開平2−89025号公報または、
特開平2−10317 号公報記載のように液晶パネルとバッ
クライトの間に光学素子（光学フィルム、または、基板
上に形成したレンズ等）を備える構成で、配線に照射し
ていた光を集光させて画面の輝度を大きくしようとし
た。しかし、ＴＦＴパネル設計の変更に伴う画素領域の
変更があれば、光学素子も、また設計しなおさなければ
ならない。また、これらの光学素子はもともとの液晶表
示装置に新たな部材を付け加える、または、ＴＦＴ基板
に特殊な加工を施すなど、コストの面からも不利であ
る。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明の液晶表示装置
は、少なくとも一つの配線の下に可視光領域での光の反
射率の高いＡｇを用いた反射膜を配置することを特徴と
し、反射膜に照射した光を面光源の構成部材の反射板ま
で光を送り返して再利用することにより、光の利用効率
を上げ、バックライト駆動電力を増すことなく画面の輝
度を大幅に大きくしたものである。
は、少なくとも一つの配線の下に可視光領域での光の反
射率の高いＡｇを用いた反射膜を配置することを特徴と
し、反射膜に照射した光を面光源の構成部材の反射板ま
で光を送り返して再利用することにより、光の利用効率
を上げ、バックライト駆動電力を増すことなく画面の輝
度を大幅に大きくしたものである。
【０００７】
【発明の実施の形態】（実施例１）横電界液晶駆動方式
の液晶表示装置のゲート配線とデータ配線とソース配線
とコモン配線の下にＡｇ反射膜を配置した液晶パネル
と、従来法の液晶パネルの輝度を比較した。
の液晶表示装置のゲート配線とデータ配線とソース配線
とコモン配線の下にＡｇ反射膜を配置した液晶パネル
と、従来法の液晶パネルの輝度を比較した。
【０００８】図１は液晶表示装置の断面図である。表示
パネルはＴＦＴガラス基板１１の一方の表面に、ゲート
配線１，データ配線２，ソース配線３，コモン配線４，
反射膜５，ゲート絶縁膜６，真性半導体７，Ｎ型半導体
８，保護膜９，配向膜１０を形成したものと、対向ガラ
ス基板１２の一方の表面に、カラーフィルタ１３，ブラ
ックマトリクス１４，対向基板保護膜１５，対向基板配
向膜１６を形成したものと、ＴＦＴガラス基板１１と対
向ガラス基板１２に挟持された液晶層１７と、偏向板１
８と、対向偏向板１９と、面光源２０で構成される。
パネルはＴＦＴガラス基板１１の一方の表面に、ゲート
配線１，データ配線２，ソース配線３，コモン配線４，
反射膜５，ゲート絶縁膜６，真性半導体７，Ｎ型半導体
８，保護膜９，配向膜１０を形成したものと、対向ガラ
ス基板１２の一方の表面に、カラーフィルタ１３，ブラ
ックマトリクス１４，対向基板保護膜１５，対向基板配
向膜１６を形成したものと、ＴＦＴガラス基板１１と対
向ガラス基板１２に挟持された液晶層１７と、偏向板１
８と、対向偏向板１９と、面光源２０で構成される。
【０００９】図２は、作製した液晶表示装置の１画素と
その周辺部分の平面パターンである。画素の構成要素の
中のゲート配線１，データ配線２，ソース配線３，コモ
ン配線４，薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）１１を示し、先
の図１の断面はＡ−Ａ′である。ただし、コモン配線４
はゲート配線１と同一薄膜からホトリソグラフィ法にて
加工されたものであり、データ配線２とソース配線３は
同一薄膜からホトリソグラフィ法にて加工されたもので
ある。
その周辺部分の平面パターンである。画素の構成要素の
中のゲート配線１，データ配線２，ソース配線３，コモ
ン配線４，薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）１１を示し、先
の図１の断面はＡ−Ａ′である。ただし、コモン配線４
はゲート配線１と同一薄膜からホトリソグラフィ法にて
加工されたものであり、データ配線２とソース配線３は
同一薄膜からホトリソグラフィ法にて加工されたもので
ある。
【００１０】図３は、ＴＦＴガラス基板製造工程のフロ
ーチャートである。先ず、透明ガラス基板（ＴＦＴガラ
ス基板１１）の片側全面上に、ＤＣスパッタ法にて、厚
さ５０ｎｍのＡｇ薄膜を形成する。基板温度を１２０
℃、Ａｒ圧力は０.３Ｐａ である。Ａｇ薄膜にホト工程
（ホトレジストを塗付して、マスクを用いた選択パター
ン露光行い、パターン現像まで：この作業を以後ホト工
程と呼ぶ）を行い、その後エッチング液（ＮＨ3 ：Ｈ2
Ｏ2＝１：１）にて選択エッチングを行い、反射膜５を
形成する。
ーチャートである。先ず、透明ガラス基板（ＴＦＴガラ
ス基板１１）の片側全面上に、ＤＣスパッタ法にて、厚
さ５０ｎｍのＡｇ薄膜を形成する。基板温度を１２０
℃、Ａｒ圧力は０.３Ｐａ である。Ａｇ薄膜にホト工程
（ホトレジストを塗付して、マスクを用いた選択パター
ン露光行い、パターン現像まで：この作業を以後ホト工
程と呼ぶ）を行い、その後エッチング液（ＮＨ3 ：Ｈ2
Ｏ2＝１：１）にて選択エッチングを行い、反射膜５を
形成する。
【００１１】次にＤＣスパッタ法にて、厚さ２００ｎｍ
のＣｒ薄膜を形成する。基板温度を１２０℃、Ａｒ圧力
は０.３Ｐａ である。ホト工程を行い、その後硝酸第２
セリウムアンモニウム水溶液（１５ｗｔ％，３０℃）に
よって選択エッチングを行い、ゲート配線１及びコモン
配線４のパターンを作製する。
のＣｒ薄膜を形成する。基板温度を１２０℃、Ａｒ圧力
は０.３Ｐａ である。ホト工程を行い、その後硝酸第２
セリウムアンモニウム水溶液（１５ｗｔ％，３０℃）に
よって選択エッチングを行い、ゲート配線１及びコモン
配線４のパターンを作製する。
【００１２】次に、ＴＦＴガラス基板１１上のゲート配
線１及びコモン配線４パターンの上に、ゲート絶縁膜６
（ＳｉＮ，厚さ２００ｎｍ），真性半導体７（非晶質Ｓ
ｉ，厚さ２００ｎｍ)，Ｎ型半導体８(非晶質Ｓｉ，厚さ
３５ｎｍ）をプラズマＣＶＤ装置にて、基板温度を３０
０℃として連続成膜する。ここで、ホト工程を行い、真
性半導体７，Ｎ型半導体８をドライエッチング(ＣＣｌ
3 とＯ2 混合ガス使用)でパターン加工する。
線１及びコモン配線４パターンの上に、ゲート絶縁膜６
（ＳｉＮ，厚さ２００ｎｍ），真性半導体７（非晶質Ｓ
ｉ，厚さ２００ｎｍ)，Ｎ型半導体８(非晶質Ｓｉ，厚さ
３５ｎｍ）をプラズマＣＶＤ装置にて、基板温度を３０
０℃として連続成膜する。ここで、ホト工程を行い、真
性半導体７，Ｎ型半導体８をドライエッチング(ＣＣｌ
3 とＯ2 混合ガス使用)でパターン加工する。
【００１３】次に、反射膜５と同様の方法で、データ配
線２，ソース配線３の下の反射膜５を形成する。続いて
ゲート配線１，コモン配線４と同様の方法で、データ配
線２，ソース配線３を形成する。さらに、プラズマＣＶ
Ｄ装置を用いて保護膜９（ＳｉＮ，厚さ５００ｎｍ）を
作製する。
線２，ソース配線３の下の反射膜５を形成する。続いて
ゲート配線１，コモン配線４と同様の方法で、データ配
線２，ソース配線３を形成する。さらに、プラズマＣＶ
Ｄ装置を用いて保護膜９（ＳｉＮ，厚さ５００ｎｍ）を
作製する。
【００１４】以上のようにして作製した液晶パネルは従
来法のＣｒ配線と同じ約４０％程度の開口率であるが、
従来配線により有効に使われていなかった光を反射させ
て再利用することで、従来法によるＣｒ配線液晶パネル
と輝度を比較して、約２割大きくなった。
来法のＣｒ配線と同じ約４０％程度の開口率であるが、
従来配線により有効に使われていなかった光を反射させ
て再利用することで、従来法によるＣｒ配線液晶パネル
と輝度を比較して、約２割大きくなった。
【００１５】（実施例２）コモンレス横電界液晶駆動方
式の液晶表示装置のゲート配線とデータ配線とソース配
線との下にＡｇ反射膜を配置した液晶パネルと、従来法
の液晶パネルの輝度を比較した。
式の液晶表示装置のゲート配線とデータ配線とソース配
線との下にＡｇ反射膜を配置した液晶パネルと、従来法
の液晶パネルの輝度を比較した。
【００１６】図４は液晶表示装置の断面図である。表示
パネルはＴＦＴガラス基板１１の一方の表面に、ゲート
配線１，データ配線２，ソース配線３，反射膜５，ゲー
ト絶縁膜６，真性半導体７，Ｎ型半導体８，保護膜９，
配向膜１０を形成したものと、対向ガラス基板１２の一
方の表面に、カラーフィルタ１３，ブラックマトリクス
１４，対向基板保護膜１５，対向基板配向膜１６を形成
したものと、ＴＦＴガラス基板１１と対向ガラス基板１
２に挟持された液晶層１７と、偏向板１８と、対向偏向
板１９と、面光源２０で構成される。
パネルはＴＦＴガラス基板１１の一方の表面に、ゲート
配線１，データ配線２，ソース配線３，反射膜５，ゲー
ト絶縁膜６，真性半導体７，Ｎ型半導体８，保護膜９，
配向膜１０を形成したものと、対向ガラス基板１２の一
方の表面に、カラーフィルタ１３，ブラックマトリクス
１４，対向基板保護膜１５，対向基板配向膜１６を形成
したものと、ＴＦＴガラス基板１１と対向ガラス基板１
２に挟持された液晶層１７と、偏向板１８と、対向偏向
板１９と、面光源２０で構成される。
【００１７】図５は、作製した液晶表示装置の１画素と
その周辺部分の平面パターンである。画素の構成要素の
中のゲート配線１，データ配線２，ソース配線３，薄膜
トランジスタ（ＴＦＴ）１１を示し、先の図４の断面は
Ａ−Ａ′である。ただし、データ配線２とソース配線３
は同一薄膜からホトリソグラフィ法にて加工されたもの
である。
その周辺部分の平面パターンである。画素の構成要素の
中のゲート配線１，データ配線２，ソース配線３，薄膜
トランジスタ（ＴＦＴ）１１を示し、先の図４の断面は
Ａ−Ａ′である。ただし、データ配線２とソース配線３
は同一薄膜からホトリソグラフィ法にて加工されたもの
である。
【００１８】ＴＦＴガラス基板製造工程のフローチャー
トはコモン配線を形成しないこと以外は図３と同様であ
る。
トはコモン配線を形成しないこと以外は図３と同様であ
る。
【００１９】以上のようにして作製した液晶パネルは従
来法のＣｒ配線と同じ約５０％程度の開口率であるが、
従来配線により有効に使われていなかった光を反射させ
て再利用することで、従来法によるＣｒ配線液晶パネル
と輝度を比較して、約１.５割大きくなった。
来法のＣｒ配線と同じ約５０％程度の開口率であるが、
従来配線により有効に使われていなかった光を反射させ
て再利用することで、従来法によるＣｒ配線液晶パネル
と輝度を比較して、約１.５割大きくなった。
【００２０】（実施例３）縦電界液晶駆動方式の液晶表
示装置のゲート配線とデータ配線とソース配線との下に
Ａｇ反射膜を配置した液晶パネルと、従来法の液晶パネ
ルの輝度を比較した。
示装置のゲート配線とデータ配線とソース配線との下に
Ａｇ反射膜を配置した液晶パネルと、従来法の液晶パネ
ルの輝度を比較した。
【００２１】図６は液晶表示装置の断面図である。表示
パネルはＴＦＴガラス基板１１の一方の表面に、ゲート
配線１，データ配線２，ソース配線３，遮光膜２２，透
明画素電極２３，反射膜５，ゲート絶縁膜６，真性半導
体７，Ｎ型半導体８，保護膜９，配向膜１０を形成した
ものと、対向ガラス基板１２の一方の表面に、共通透明
電極２４，カラーフィルタ１３，ブラックマトリクス１
４，対向基板保護膜１５，対向基板配向膜１６を形成し
たものと、ＴＦＴガラス基板１１と対向ガラス基板１２
に挟持された液晶層１７と、偏向板１８と、対向偏向板
１９と、面光源２０で構成される。
パネルはＴＦＴガラス基板１１の一方の表面に、ゲート
配線１，データ配線２，ソース配線３，遮光膜２２，透
明画素電極２３，反射膜５，ゲート絶縁膜６，真性半導
体７，Ｎ型半導体８，保護膜９，配向膜１０を形成した
ものと、対向ガラス基板１２の一方の表面に、共通透明
電極２４，カラーフィルタ１３，ブラックマトリクス１
４，対向基板保護膜１５，対向基板配向膜１６を形成し
たものと、ＴＦＴガラス基板１１と対向ガラス基板１２
に挟持された液晶層１７と、偏向板１８と、対向偏向板
１９と、面光源２０で構成される。
【００２２】図７は、作製した液晶表示装置の１画素と
その周辺部分の平面パターンである。画素の構成要素の
中のゲート配線１，データ配線２，ソース配線３，透明
画素電極２３，薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）１１を示
し、先の図６の断面はＡ−Ａ′である。ただし、データ
配線２とソース配線３は同一薄膜からホトリソグラフィ
法にて加工されたものである。
その周辺部分の平面パターンである。画素の構成要素の
中のゲート配線１，データ配線２，ソース配線３，透明
画素電極２３，薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）１１を示
し、先の図６の断面はＡ−Ａ′である。ただし、データ
配線２とソース配線３は同一薄膜からホトリソグラフィ
法にて加工されたものである。
【００２３】図８は、ＴＦＴガラス基板製造工程のフロ
ーチャートである。先ず、透明ガラス基板（ＴＦＴガラ
ス基板１１）の片側全面上に、ＤＣスパッタ法にて、厚
さ５０ｎｍのＡｇ薄膜を形成する。基板温度を１２０
℃、Ａｒ圧力は０.３Ｐａ である。Ａｇ薄膜にホト工程
を行い、その後エッチング液（ＮＨ3 ：Ｈ2Ｏ2＝１：
１）にて選択エッチングを行い、反射膜５のパターンを
形成する。
ーチャートである。先ず、透明ガラス基板（ＴＦＴガラ
ス基板１１）の片側全面上に、ＤＣスパッタ法にて、厚
さ５０ｎｍのＡｇ薄膜を形成する。基板温度を１２０
℃、Ａｒ圧力は０.３Ｐａ である。Ａｇ薄膜にホト工程
を行い、その後エッチング液（ＮＨ3 ：Ｈ2Ｏ2＝１：
１）にて選択エッチングを行い、反射膜５のパターンを
形成する。
【００２４】次にＤＣスパッタ法にて、厚さ２００ｎｍ
のＣｒ薄膜を形成する。基板温度を１２０℃、Ａｒ圧力
は０.３Ｐａ である。ホト工程を行い、その後硝酸第２
セリウムアンモニウム水溶液（１５ｗｔ％，３０℃）に
よって選択エッチングを行い、ゲート配線１のパターン
を作製する。
のＣｒ薄膜を形成する。基板温度を１２０℃、Ａｒ圧力
は０.３Ｐａ である。ホト工程を行い、その後硝酸第２
セリウムアンモニウム水溶液（１５ｗｔ％，３０℃）に
よって選択エッチングを行い、ゲート配線１のパターン
を作製する。
【００２５】次に、ＴＦＴガラス基板１１上のゲート配
線１パターンの上に、ゲート絶縁膜６（ＳｉＮ，厚さ２
００ｎｍ），真性半導体７(非晶質Ｓｉ，厚さ２００ｎ
ｍ)，Ｎ型半導体８(非晶質Ｓｉ，厚さ３５ｎｍ)をプラ
ズマＣＶＤ装置にて、基板温度を３００℃として連続成
膜する。ここで、ホト工程を行い、真性半導体７，Ｎ型
半導体８をドライエッチング（ＣＣｌ3 とＯ2 混合ガス
使用）でパターン加工する。
線１パターンの上に、ゲート絶縁膜６（ＳｉＮ，厚さ２
００ｎｍ），真性半導体７(非晶質Ｓｉ，厚さ２００ｎ
ｍ)，Ｎ型半導体８(非晶質Ｓｉ，厚さ３５ｎｍ)をプラ
ズマＣＶＤ装置にて、基板温度を３００℃として連続成
膜する。ここで、ホト工程を行い、真性半導体７，Ｎ型
半導体８をドライエッチング（ＣＣｌ3 とＯ2 混合ガス
使用）でパターン加工する。
【００２６】次に、反射膜５と同様の方法で、データ配
線２，ソース配線３の下の反射膜５を形成する。続いて
ゲート配線１，コモン配線４と同様の方法で、データ配
線２，ソース配線３を形成する。次にＩＴＯをＤＣスパ
ッタで膜厚１５０ｎｍ成膜し、ホト工程を行い、ＩＴＯ
膜をウェットエッチング（ＨＢｒ）で透明画素電極２３
を形成する。さらに、プラズマＣＶＤ装置を用いて保護
膜９（ＳｉＮ，厚さ５００ｎｍ）を作製する。
線２，ソース配線３の下の反射膜５を形成する。続いて
ゲート配線１，コモン配線４と同様の方法で、データ配
線２，ソース配線３を形成する。次にＩＴＯをＤＣスパ
ッタで膜厚１５０ｎｍ成膜し、ホト工程を行い、ＩＴＯ
膜をウェットエッチング（ＨＢｒ）で透明画素電極２３
を形成する。さらに、プラズマＣＶＤ装置を用いて保護
膜９（ＳｉＮ，厚さ５００ｎｍ）を作製する。
【００２７】以上のようにして作製した液晶パネルは従
来法のＣｒ配線と同じ約７０％程度の開口率であるが、
従来配線により有効に使われていなかった光を反射させ
て再利用することで、従来法によるＣｒ配線液晶パネル
と輝度を比較して、約１割大きくなった。
来法のＣｒ配線と同じ約７０％程度の開口率であるが、
従来配線により有効に使われていなかった光を反射させ
て再利用することで、従来法によるＣｒ配線液晶パネル
と輝度を比較して、約１割大きくなった。
【００２８】（実施例４）実施例１から実施例３と同様
の構成において、ゲート配線１，データ配線２，ソース
配線３と、実施例１のコモン配線４を多層膜とし、配線
の低抵抗化を図った場合の実施例を示す。図９に配線の
断面構造を示した。ゲート配線１，データ配線２とコモ
ン配線４以外の部分は図１，図４，図６と同様である。
反射膜形成後に、ＤＣスパッタ法で、厚さ２００ｎｍの
Ａｌ−Ｎｄ合金膜２５を形成する。基板温度１２０℃、
Ａｒ圧力０.３Ｐａ である。ただし、Ｎｄ組成は３ｗｔ
％とした。その後混酸（リン酸：硝酸：酢酸：純水の混
合液，４０℃）によって合金膜の選択エッチングを行い
パターンを完成する。
の構成において、ゲート配線１，データ配線２，ソース
配線３と、実施例１のコモン配線４を多層膜とし、配線
の低抵抗化を図った場合の実施例を示す。図９に配線の
断面構造を示した。ゲート配線１，データ配線２とコモ
ン配線４以外の部分は図１，図４，図６と同様である。
反射膜形成後に、ＤＣスパッタ法で、厚さ２００ｎｍの
Ａｌ−Ｎｄ合金膜２５を形成する。基板温度１２０℃、
Ａｒ圧力０.３Ｐａ である。ただし、Ｎｄ組成は３ｗｔ
％とした。その後混酸（リン酸：硝酸：酢酸：純水の混
合液，４０℃）によって合金膜の選択エッチングを行い
パターンを完成する。
【００２９】このあと、厚さ８０ｎｍのＣｒ膜２６を形
成する。さらにその上に、厚さ２０ｎｍのＣｒ合金膜２
７をＤＣスパッタ法(基板温度１２０℃、Ａｒ圧力０.３
Ｐa)で形成する。Ｃｒ合金組成の組成は、Ｃｒ−５０ｗ
ｔ％Ｍｏとした。ここで、ホト工程を行い、その後硝酸
第２セリウムアンモニウム水溶液（１５ｗｔ％，３０
℃）によってＣｒ膜２６とＣｒ合金膜２７を同時に選択
エッチングし、図９の３層構造のゲート配線１，コモン
配線４，データ配線２，ソース配線３を完成する。この
ように、反射膜５を配線の下に配置することで、配線の
材料，構造にとらわれず従来構造に比べ光を有効に再利
用でき、輝度を大きくすることが可能である。
成する。さらにその上に、厚さ２０ｎｍのＣｒ合金膜２
７をＤＣスパッタ法(基板温度１２０℃、Ａｒ圧力０.３
Ｐa)で形成する。Ｃｒ合金組成の組成は、Ｃｒ−５０ｗ
ｔ％Ｍｏとした。ここで、ホト工程を行い、その後硝酸
第２セリウムアンモニウム水溶液（１５ｗｔ％，３０
℃）によってＣｒ膜２６とＣｒ合金膜２７を同時に選択
エッチングし、図９の３層構造のゲート配線１，コモン
配線４，データ配線２，ソース配線３を完成する。この
ように、反射膜５を配線の下に配置することで、配線の
材料，構造にとらわれず従来構造に比べ光を有効に再利
用でき、輝度を大きくすることが可能である。
【００３０】（実施例５）反射膜に用いているＡｇは、
膜厚１５０Å程度では、可視光領域の波長４００ｎｍの
短い波長を５０％程度しか反射することができない。Ｃ
ｒの反射率が６０％程度なので、それ以上の反射率が確
保できれば高輝度かに反射膜が貢献できる。Ａｇ膜厚３
００Åにおいて、反射率が８０％以上になり、十分な反
射光が得られた。
膜厚１５０Å程度では、可視光領域の波長４００ｎｍの
短い波長を５０％程度しか反射することができない。Ｃ
ｒの反射率が６０％程度なので、それ以上の反射率が確
保できれば高輝度かに反射膜が貢献できる。Ａｇ膜厚３
００Åにおいて、反射率が８０％以上になり、十分な反
射光が得られた。
【００３１】また、実施例１の工程にしたがってＴＦＴ
基板を作成し、反射膜の膜厚によるパネルの不良発生数
を図１０に示す。このように、Ａｇ膜厚を厚くすること
により、配線と併せた膜厚が大きくなるため、ゲート配
線とデータ配線間のゲート絶縁膜の絶縁性の低下を招
く。そのため、配線間のショートのない最大膜厚として
反射膜の膜厚を１０００Åとした。
基板を作成し、反射膜の膜厚によるパネルの不良発生数
を図１０に示す。このように、Ａｇ膜厚を厚くすること
により、配線と併せた膜厚が大きくなるため、ゲート配
線とデータ配線間のゲート絶縁膜の絶縁性の低下を招
く。そのため、配線間のショートのない最大膜厚として
反射膜の膜厚を１０００Åとした。
【００３２】
【発明の効果】本発明は液晶表示装置に係わり、特に画
面の輝度を大きく、または光源（バックライト等）の消
費電力の低減を可能にすることである。
面の輝度を大きく、または光源（バックライト等）の消
費電力の低減を可能にすることである。
【００３３】本発明により、面光源からの光の中で配線
を照射していたものを積極的に利用し、バックライトの
駆動電力を増すことなく画面の輝度を大幅に大きくでき
る効果がある。
を照射していたものを積極的に利用し、バックライトの
駆動電力を増すことなく画面の輝度を大幅に大きくでき
る効果がある。
【図１】本発明による縦電界型液晶表示装置の一実施例
を示す断面図である。
を示す断面図である。
【図２】本発明による縦電界型液晶表示装置の平面図で
ある。
ある。
【図３】本発明による縦電界型液晶表示装置の薄膜トラ
ンジスタの製造工程の一実施例を示す流れ図である。
ンジスタの製造工程の一実施例を示す流れ図である。
【図４】本発明によるコモンレス縦電界型液晶表示装置
の一実施例を示す断面図である。
の一実施例を示す断面図である。
【図５】本発明によるコモンレス縦電界型液晶表示装置
の平面図である。
の平面図である。
【図６】本発明による横電界型液晶表示装置の一実施例
を示す断面図である。
を示す断面図である。
【図７】本発明による横電界型液晶表示装置の平面図で
ある。
ある。
【図８】本発明による横電界型液晶表示装置の薄膜トラ
ンジスタの製造工程の一実施例を示す流れ図である。
ンジスタの製造工程の一実施例を示す流れ図である。
【図９】本発明を積層配線に適用した一実施例を示す断
面図である。
面図である。
【図１０】本発明の実施例であるＴＦＴ基板の反射膜の
膜厚の不良発生数を示す図である。
膜厚の不良発生数を示す図である。
１…ゲート配線、２…データ配線、３…ソース配線、４
…コモン配線、５…反射膜、６…ゲート絶縁膜、７…真
性半導体、８…Ｎ型半導体、９…保護膜、１０…配向
膜、１１…ＴＦＴガラス基板、１２…対向ガラス基板、
１３…カラーフィルタ、１４…ブラックマトリクス、１
５…対向基板保護膜、１６…対向基板配向膜、１７…液
晶層、１８…偏向板、１９…対向偏向板、２０…面光
源、２１…薄膜トランジスタ、２２…遮光膜、２３…透
明画素電極、２４…共通透明電極、２５…Ａｌ−Ｎｄ合
金膜、２６…Ｃｒ膜、２７…Ｃｒ合金膜。
…コモン配線、５…反射膜、６…ゲート絶縁膜、７…真
性半導体、８…Ｎ型半導体、９…保護膜、１０…配向
膜、１１…ＴＦＴガラス基板、１２…対向ガラス基板、
１３…カラーフィルタ、１４…ブラックマトリクス、１
５…対向基板保護膜、１６…対向基板配向膜、１７…液
晶層、１８…偏向板、１９…対向偏向板、２０…面光
源、２１…薄膜トランジスタ、２２…遮光膜、２３…透
明画素電極、２４…共通透明電極、２５…Ａｌ−Ｎｄ合
金膜、２６…Ｃｒ膜、２７…Ｃｒ合金膜。
フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｇ０９Ｆ 9/35 ３２０ Ｈ０４Ｎ 5/66 １０２Ａ Ｈ０１Ｌ 29/786 Ｇ０２Ｆ 1/136 ５００ Ｈ０４Ｎ 5/66 １０２ Ｈ０１Ｌ 29/78 ６１２Ｃ (72)発明者 檜山 郁夫 茨城県日立市大みか町七丁目１番１号 株 式会社日立製作所日立研究所内 (72)発明者 鬼沢 賢一 茨城県日立市大みか町七丁目１番１号 株 式会社日立製作所日立研究所内 (72)発明者 茶原 健一 茨城県日立市大みか町七丁目１番１号 株 式会社日立製作所日立研究所内 (72)発明者 田村 克 茨城県日立市大みか町七丁目１番１号 株 式会社日立製作所日立研究所内 Ｆターム(参考） 2H091 FA14Z FB08 FC02 FC10 FC26 FD04 FD12 FD23 GA13 HA06 LA03 LA12 LA16 2H092 GA14 JA26 JA29 JA38 JA40 JA42 JA44 JB13 JB23 JB32 JB38 JB51 JB56 JB63 JB69 KA05 KA07 KA16 KA18 KB04 KB23 KB24 MA05 MA08 MA14 MA15 MA16 MA18 MA19 MA20 MA23 MA27 MA31 MA35 MA37 MA41 NA01 NA07 NA25 NA26 NA27 NA29 PA06 PA12 QA07 5C058 AA06 AB01 AB03 BA05 BA26 5C094 AA10 AA22 AA48 BA03 BA43 CA19 DA13 EA04 EA05 EA06 EA07 EB02 ED11 FB12 GB10 JA08 5F110 CC07 EE04 EE23 EE44 FF03 FF30 GG02 GG15 GG24 GG35 GG45 HK04 HK09 HK16 HK33 NN02 NN04 NN24 NN35 NN80 QQ03 QQ09
Claims (10)
- 【請求項１】絶縁性基板上に複数のゲート配線と、前記
複数のゲート配線に交差するように形成された複数のデ
ータ配線と、前記ゲート配線と前記データ配線との交点
付近に設けられた薄膜トランジスタと、前記基板と対向
して形成された対向基板と、前記基板と前記対向基板と
の間に挟持された液晶層で構成される液晶パネルと、前
記液晶パネルを照明する光源と、前記光源を前記液晶パ
ネルに一様に光を反射させる反射板を有する液晶表示装
置において、前記ゲート配線と前記データ配線に、少な
くとも一つの配線、またはそれ以上の配線の下にＡｇ反
射膜を有することを特徴とする液晶表示装置。 - 【請求項２】請求項１の液晶表示装置において、前記ト
ランジスタに接続されたソース配線と、ソース配線に対
向して配置されたコモン配線を有し、前記ゲート配線
と、前記データ配線と、前記ソース配線と、前記コモン
配線に、少なくとも一つの配線、またはそれ以上の配線
の下に前記反射膜を有することを特徴とする液晶表示装
置。 - 【請求項３】請求項１の液晶表示装置において、前記ト
ランジスタに接続されたソース配線を有し、前記ゲート
配線と、前記データ配線と、前記ソース配線に、少なく
とも一つの配線、またはそれ以上の配線の下に前記反射
膜を有することを特徴とする液晶表示装置。 - 【請求項４】請求項１の液晶表示装置において、前記ト
ランジスタに接続された透明画素電極と、前記対向基板
に共通透明電極を有する液晶表示装置。 - 【請求項５】請求項２から請求項４のいずれか１項記載
の液晶表示装置において、前記反射膜の上に形成された
配線は、前記反射膜の幅と比べて同じもしくは大きい幅
を持つことを特徴とする液晶表示装置。 - 【請求項６】請求項５の液晶表示装置について、前記反
射膜の厚さが３００Åから１０００Åであることを特徴
とする液晶表示装置。 - 【請求項７】請求項６の液晶表示装置について、前記配
線がＣｒまたはＣｒを主体としてＷ，Ｍｏ，Ｎｂ，Ｔ
ｉ，Ｔａの少なくとも一つを添加した合金膜である液晶
表示装置。 - 【請求項８】請求項６の液晶表示装置について、前記配
線がＡｌまたはＡｌを主体としてＴｉ，Ｔａ，希土類元
素の少なくとも一つを添加した合金膜である液晶表示装
置。 - 【請求項９】請求項８の液晶表示装置について、前記合
金は、他の金属膜で被覆されている液晶表示装置。 - 【請求項１０】請求項９の液晶表示装置について、前記
金属膜がＣｒまたはＣｒを主体としてＷ，Ｍｏ，Ｎｂ，
Ｔｉ，Ｔａの少なくとも一つを添加した合金膜である液
晶表示装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11006087A JP2000206550A (ja) | 1999-01-13 | 1999-01-13 | 液晶表示装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11006087A JP2000206550A (ja) | 1999-01-13 | 1999-01-13 | 液晶表示装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000206550A true JP2000206550A (ja) | 2000-07-28 |
Family
ID=11628764
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11006087A Pending JP2000206550A (ja) | 1999-01-13 | 1999-01-13 | 液晶表示装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2000206550A (ja) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002139737A (ja) * | 2000-07-31 | 2002-05-17 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 液晶表示装置とその製造方法 |
| JP2003015155A (ja) * | 2001-06-28 | 2003-01-15 | Hitachi Ltd | 液晶表示装置 |
| JP2007025703A (ja) * | 2005-07-20 | 2007-02-01 | Samsung Electronics Co Ltd | アレイ基板及びその製造方法並びに表示装置 |
| KR100720087B1 (ko) * | 2000-07-31 | 2007-05-18 | 삼성전자주식회사 | 표시 소자용 배선 및 이를 이용한 박막 트랜지스터 기판및 그 제조 방법 |
| KR100729763B1 (ko) * | 2000-12-04 | 2007-06-20 | 삼성전자주식회사 | 액정 표시 장치용 박막 트랜지스터 기판 및 그 제조 방법 |
| KR100859512B1 (ko) * | 2002-04-25 | 2008-09-22 | 삼성전자주식회사 | 배선 및 그의 제조 방법과 이를 포함하는 박막 트랜지스터어레이 기판 및 그의 제조 방법 |
| US7760276B2 (en) | 2004-12-31 | 2010-07-20 | Lg Display Co., Ltd. | Liquid crystal display device and fabricating method thereof |
-
1999
- 1999-01-13 JP JP11006087A patent/JP2000206550A/ja active Pending
Cited By (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002139737A (ja) * | 2000-07-31 | 2002-05-17 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 液晶表示装置とその製造方法 |
| JP2003021825A (ja) * | 2000-07-31 | 2003-01-24 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 液晶表示装置とその製造方法 |
| JP2003021824A (ja) * | 2000-07-31 | 2003-01-24 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 液晶表示装置とその製造方法 |
| KR100720087B1 (ko) * | 2000-07-31 | 2007-05-18 | 삼성전자주식회사 | 표시 소자용 배선 및 이를 이용한 박막 트랜지스터 기판및 그 제조 방법 |
| KR100729763B1 (ko) * | 2000-12-04 | 2007-06-20 | 삼성전자주식회사 | 액정 표시 장치용 박막 트랜지스터 기판 및 그 제조 방법 |
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| KR100859512B1 (ko) * | 2002-04-25 | 2008-09-22 | 삼성전자주식회사 | 배선 및 그의 제조 방법과 이를 포함하는 박막 트랜지스터어레이 기판 및 그의 제조 방법 |
| US7760276B2 (en) | 2004-12-31 | 2010-07-20 | Lg Display Co., Ltd. | Liquid crystal display device and fabricating method thereof |
| US8189162B2 (en) | 2004-12-31 | 2012-05-29 | Lg Display Co., Ltd. | Liquid crystal display device and fabricating method thereof |
| JP2007025703A (ja) * | 2005-07-20 | 2007-02-01 | Samsung Electronics Co Ltd | アレイ基板及びその製造方法並びに表示装置 |
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|---|---|---|---|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |