JP2000207709A - 薄膜磁気ヘッドの製造方法 - Google Patents
薄膜磁気ヘッドの製造方法Info
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Landscapes
- Magnetic Heads (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 インダクティブヘッドを備える薄膜磁気ヘッ
ドの製造において、トラック幅の微細化に対応して上部
磁性膜先端の上ポールを高い寸法精度で形成し、より一
層の狭トラック化による高記録密度化を実現する。 【解決手段】 下部磁性膜３、磁気ギャップ膜７、導体
コイル１１及び有機絶縁層８、９を積層しかつめっき用
下地膜１２を被着した基板１の上にフォトレジストを塗
布し、従来のフォトリソグラフィ技術によりパターニン
グして、上ポールのトラック幅方向の一方の端部を画定
する垂直壁１５を有するレジストフレーム１６を形成す
る。磁性材料をスパッタリングすることにより、レジス
トフレームの垂直壁に被膜１８を略一定の膜厚に形成す
る。イオンミリングにより余分な平面部分の被膜１７
ａ、ｂを除去し、かつ被膜１８を所定のトラック幅に調
整した後、導体コイル及び絶縁層の上に上部磁性膜のヨ
ーク部分を電気めっきにより、上ポール部分２０と一体
に形成する。
ドの製造において、トラック幅の微細化に対応して上部
磁性膜先端の上ポールを高い寸法精度で形成し、より一
層の狭トラック化による高記録密度化を実現する。 【解決手段】 下部磁性膜３、磁気ギャップ膜７、導体
コイル１１及び有機絶縁層８、９を積層しかつめっき用
下地膜１２を被着した基板１の上にフォトレジストを塗
布し、従来のフォトリソグラフィ技術によりパターニン
グして、上ポールのトラック幅方向の一方の端部を画定
する垂直壁１５を有するレジストフレーム１６を形成す
る。磁性材料をスパッタリングすることにより、レジス
トフレームの垂直壁に被膜１８を略一定の膜厚に形成す
る。イオンミリングにより余分な平面部分の被膜１７
ａ、ｂを除去し、かつ被膜１８を所定のトラック幅に調
整した後、導体コイル及び絶縁層の上に上部磁性膜のヨ
ーク部分を電気めっきにより、上ポール部分２０と一体
に形成する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、書込み・読出し兼
用のインダクティブ（誘導型）ヘッドを備え、又は書込
み用のインダクティブヘッドと読出し用の磁気抵抗（Ｍ
Ｒ）型ヘッドとを一体的に備え、例えばハードディスク
装置など、コンピュータ、ワードプロセッサ等の様々な
電子機器の記録再生装置に使用される薄膜磁気ヘッドの
製造方法に関する。
用のインダクティブ（誘導型）ヘッドを備え、又は書込
み用のインダクティブヘッドと読出し用の磁気抵抗（Ｍ
Ｒ）型ヘッドとを一体的に備え、例えばハードディスク
装置など、コンピュータ、ワードプロセッサ等の様々な
電子機器の記録再生装置に使用される薄膜磁気ヘッドの
製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、磁気記録における大容量化・高密
度化を図るために、高飽和磁束密度の磁性材料を用いた
薄膜磁気ヘッドが広く採用されている。特に最近は、従
来から多用されている書込み・読出し兼用のインダクテ
ィブヘッドを書込み専用に採用し、これに、再生感度が
大きくかつ再生出力が記録媒体との相対速度に依存しな
い読出し専用のＭＲヘッドを一体化したＭＲ／インダク
ティブ複合型ヘッドによって、より一層の高記録密度
化、装置の小型化及び高出力化が図られている。磁気記
録の高密度化を達成するためには、記録素子であるイン
ダクティブヘッドのトラック幅を狭小化する必要があ
る。
度化を図るために、高飽和磁束密度の磁性材料を用いた
薄膜磁気ヘッドが広く採用されている。特に最近は、従
来から多用されている書込み・読出し兼用のインダクテ
ィブヘッドを書込み専用に採用し、これに、再生感度が
大きくかつ再生出力が記録媒体との相対速度に依存しな
い読出し専用のＭＲヘッドを一体化したＭＲ／インダク
ティブ複合型ヘッドによって、より一層の高記録密度
化、装置の小型化及び高出力化が図られている。磁気記
録の高密度化を達成するためには、記録素子であるイン
ダクティブヘッドのトラック幅を狭小化する必要があ
る。
【０００３】従来、記録再生兼用のインダクティブヘッ
ドでは、特開平３−１４７５０８号や特開平５−３３４
６２１号公報等に記載されるように、磁気ギャップ膜を
挟んで対向する上下磁性膜先端のポール幅を一致させる
ことにより狭トラック化を図る方法が提案されている。
他方、ＭＲヘッドの上部シールドがインダクティブヘッ
ドの下部磁性膜を兼用する複合型ヘッドでは、その上に
磁気ギャップ層を挟んで積層される上部磁性膜の先端の
ポール幅によりトラック幅が決定される。
ドでは、特開平３−１４７５０８号や特開平５−３３４
６２１号公報等に記載されるように、磁気ギャップ膜を
挟んで対向する上下磁性膜先端のポール幅を一致させる
ことにより狭トラック化を図る方法が提案されている。
他方、ＭＲヘッドの上部シールドがインダクティブヘッ
ドの下部磁性膜を兼用する複合型ヘッドでは、その上に
磁気ギャップ層を挟んで積層される上部磁性膜の先端の
ポール幅によりトラック幅が決定される。
【０００４】いずれの場合にも、インダクティブヘッド
の上部磁性膜は、通常フォトリソグラフィ技術を用いた
フレームめっき法により形成される。即ち、下部磁性膜
の上に磁気ギャップ膜、導体コイル及び有機絶縁層を積
層した後、その上にめっき用金属下地膜を被着し、かつ
フォトレジストを塗布してパターニングし、上部磁性膜
に対応する寸法・形状のレジストフレームを形成する。
これを用いて、電気めっきによりパーマロイ合金などの
磁性材料を成膜し、レジストフレーム及び余分な金属下
地膜を除去することにより、所望の上部磁性膜を形成す
る。
の上部磁性膜は、通常フォトリソグラフィ技術を用いた
フレームめっき法により形成される。即ち、下部磁性膜
の上に磁気ギャップ膜、導体コイル及び有機絶縁層を積
層した後、その上にめっき用金属下地膜を被着し、かつ
フォトレジストを塗布してパターニングし、上部磁性膜
に対応する寸法・形状のレジストフレームを形成する。
これを用いて、電気めっきによりパーマロイ合金などの
磁性材料を成膜し、レジストフレーム及び余分な金属下
地膜を除去することにより、所望の上部磁性膜を形成す
る。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】上述した従来のフレー
ムめっき法では、上部磁性膜先端の上ポールを画定する
レジストフレームの溝の幅によりトラック幅を決定する
ことになる。ところが、フォトリソグラフィ技術では、
微細なパターニングの精度が不十分で、パターンの微細
化が進むほど、素子高さ方向に溝幅のばらつきが大きく
なり、めっきされる上ポールの膜厚に大きなばらつきが
生じる。特に、溝幅が０．５μｍ以下の微細なレジスト
フレームの形成は困難で、トラック幅の狭小化に限界が
あり、最近の高記録密度化の要求に十分対応できないと
いう問題があった。
ムめっき法では、上部磁性膜先端の上ポールを画定する
レジストフレームの溝の幅によりトラック幅を決定する
ことになる。ところが、フォトリソグラフィ技術では、
微細なパターニングの精度が不十分で、パターンの微細
化が進むほど、素子高さ方向に溝幅のばらつきが大きく
なり、めっきされる上ポールの膜厚に大きなばらつきが
生じる。特に、溝幅が０．５μｍ以下の微細なレジスト
フレームの形成は困難で、トラック幅の狭小化に限界が
あり、最近の高記録密度化の要求に十分対応できないと
いう問題があった。
【０００６】そこで、本発明は、上述した従来の問題点
に鑑みてなされたものであり、その目的は、インダクテ
ィブヘッドを備える薄膜磁気ヘッドにおいて、その上部
磁性膜先端の上ポールを高精度に形成することができ、
それによりトラック幅の微細化に対応した寸法精度の向
上を図り、高記録密度化の要求に対応したより一層の狭
トラック化を実現し得る薄膜磁気ヘッドの製造方法を提
供することにある。
に鑑みてなされたものであり、その目的は、インダクテ
ィブヘッドを備える薄膜磁気ヘッドにおいて、その上部
磁性膜先端の上ポールを高精度に形成することができ、
それによりトラック幅の微細化に対応した寸法精度の向
上を図り、高記録密度化の要求に対応したより一層の狭
トラック化を実現し得る薄膜磁気ヘッドの製造方法を提
供することにある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明は、上述した目的
を達成するためになされたものであり、基板の上に下部
磁性膜、磁気ギャップ膜、導体コイル及び絶縁層を積層
し、該磁気ギャップ膜の上にフォトレジストを塗布し、
該フォトレジストをパターニングして、上部磁性膜先端
の上ポールのトラック幅方向の一方の端部を画定する垂
直壁を有するレジストフレームを形成し、該レジストフ
レームの垂直壁に磁性材料を成膜して上部磁性膜の上ポ
ール部分を形成し、前記導体コイル及び絶縁層の上に上
部磁性膜のヨーク部分を、上ポール部分と一体に形成す
る過程からなることを特徴とする薄膜磁気ヘッドの製造
方法が提供される。
を達成するためになされたものであり、基板の上に下部
磁性膜、磁気ギャップ膜、導体コイル及び絶縁層を積層
し、該磁気ギャップ膜の上にフォトレジストを塗布し、
該フォトレジストをパターニングして、上部磁性膜先端
の上ポールのトラック幅方向の一方の端部を画定する垂
直壁を有するレジストフレームを形成し、該レジストフ
レームの垂直壁に磁性材料を成膜して上部磁性膜の上ポ
ール部分を形成し、前記導体コイル及び絶縁層の上に上
部磁性膜のヨーク部分を、上ポール部分と一体に形成す
る過程からなることを特徴とする薄膜磁気ヘッドの製造
方法が提供される。
【０００８】本発明によれば、従来のフォトリソグラフ
ィ技術によっても、レジストフレームの垂直壁を比較的
正確に形成できるので、トラック幅方向に上ポールの一
方の端部を高精度に画定することができ、めっき下地膜
を設けて電気めっきするのではなく、磁性材料を垂直壁
に直接成膜することにより、その膜厚を所望の値にかつ
素子高さ方向に一定に制御して、上ポールの幅即ちトラ
ック幅を高精度に画定することができる。
ィ技術によっても、レジストフレームの垂直壁を比較的
正確に形成できるので、トラック幅方向に上ポールの一
方の端部を高精度に画定することができ、めっき下地膜
を設けて電気めっきするのではなく、磁性材料を垂直壁
に直接成膜することにより、その膜厚を所望の値にかつ
素子高さ方向に一定に制御して、上ポールの幅即ちトラ
ック幅を高精度に画定することができる。
【０００９】レジストフレームの垂直壁に成膜した前記
磁気材料を、その膜厚が所望のトラック幅と一致するよ
うに加工する過程を更に含むと、上ポールの幅より高精
度に画定できるので、好都合である。このような加工
は、例えばイオンミリング、その他のドライエッチング
により行なわれる。
磁気材料を、その膜厚が所望のトラック幅と一致するよ
うに加工する過程を更に含むと、上ポールの幅より高精
度に画定できるので、好都合である。このような加工
は、例えばイオンミリング、その他のドライエッチング
により行なわれる。
【００１０】或る実施例では、前記磁性材料をスパッタ
リングにより成膜することができ、その場合、磁性材料
がレジストフレームの垂直壁に回り込んで、該垂直膜に
薄膜を成長させながら、同時にその膜厚を高精度に制御
できるので、好都合である。
リングにより成膜することができ、その場合、磁性材料
がレジストフレームの垂直壁に回り込んで、該垂直膜に
薄膜を成長させながら、同時にその膜厚を高精度に制御
できるので、好都合である。
【００１１】また或る実施例では、上ポールに比して高
度な寸法精度を要しない上部磁性膜のヨーク部分を、従
来と同様に電気めっきにより形成することができる。
度な寸法精度を要しない上部磁性膜のヨーク部分を、従
来と同様に電気めっきにより形成することができる。
【００１２】別の実施例では、基板の上に下シールド
と、磁気抵抗素子と、下部磁性膜を形成する上シールド
とを積層する過程を更に含むことにより、基板上に読出
し用のＭＲヘッドを形成し、かつその上シールドを下部
磁性膜に兼用する書込み用のインダクティブヘッドを積
層した複合型ヘッドを製造することができる。
と、磁気抵抗素子と、下部磁性膜を形成する上シールド
とを積層する過程を更に含むことにより、基板上に読出
し用のＭＲヘッドを形成し、かつその上シールドを下部
磁性膜に兼用する書込み用のインダクティブヘッドを積
層した複合型ヘッドを製造することができる。
【００１３】
【発明の実施の形態】以下に添付図面を参照しつつ、本
発明による方法を適用して、ＭＲ／インダクティブ複合
型薄膜磁気ヘッドを製造する工程について詳細に説明す
る。図１に示すように、Ａｌ2Ｏ3−ＴｉＣ系のセラミッ
ク材料からなる基板１表面には、従来の製造プロセスを
用いて、アルミナ又はＳｉＯ2などの絶縁下地膜２を被
着し、その上にパーマロイ系合金、コバルト系合金、鉄
系センダスト合金などの軟磁性材料をめっき又はスパッ
タ蒸着してなる下シールド３及び上シールド４と、それ
らの間に挟まれたＭＲ素子５とを有する読出し用のＭＲ
ヘッド６が形成されている。ＭＲ素子５は、アルミナな
ど絶縁膜からなる上下ギャップ層の間に設けられたＮi
Ｆeなどからなる磁気抵抗薄膜、再生信号の歪み低減の
ためのバイアス膜、磁区安定膜などで構成される。
発明による方法を適用して、ＭＲ／インダクティブ複合
型薄膜磁気ヘッドを製造する工程について詳細に説明す
る。図１に示すように、Ａｌ2Ｏ3−ＴｉＣ系のセラミッ
ク材料からなる基板１表面には、従来の製造プロセスを
用いて、アルミナ又はＳｉＯ2などの絶縁下地膜２を被
着し、その上にパーマロイ系合金、コバルト系合金、鉄
系センダスト合金などの軟磁性材料をめっき又はスパッ
タ蒸着してなる下シールド３及び上シールド４と、それ
らの間に挟まれたＭＲ素子５とを有する読出し用のＭＲ
ヘッド６が形成されている。ＭＲ素子５は、アルミナな
ど絶縁膜からなる上下ギャップ層の間に設けられたＮi
Ｆeなどからなる磁気抵抗薄膜、再生信号の歪み低減の
ためのバイアス膜、磁区安定膜などで構成される。
【００１４】書込み用のインダクティブヘッドの下部磁
性膜を兼ねる上シールド４上には、磁気変換ギャップを
形成するためのアルミナからなる磁気ギャップ膜７と、
ノボラック系樹脂からなる有機絶縁層８、９と、バック
ギャップ１０を中心とした渦巻状のＣｕからなる書込み
用の導体コイル１１とが積層されている。更にその上に
は、後述するインダクティブヘッドの上部磁性膜のヨー
ク部分を電気めっきするためのめっき用下地膜１２が、
スパッタリング等により被着されている。
性膜を兼ねる上シールド４上には、磁気変換ギャップを
形成するためのアルミナからなる磁気ギャップ膜７と、
ノボラック系樹脂からなる有機絶縁層８、９と、バック
ギャップ１０を中心とした渦巻状のＣｕからなる書込み
用の導体コイル１１とが積層されている。更にその上に
は、後述するインダクティブヘッドの上部磁性膜のヨー
ク部分を電気めっきするためのめっき用下地膜１２が、
スパッタリング等により被着されている。
【００１５】本発明によれば、先ず図２Ａ、Ｂに示すよ
うに、図１の基板上にノボラック系樹脂のフォトレジス
ト１３をスピンコートによって塗布する。この上にフォ
トマスク１４を置いて露光し、現像しかつ水洗した後、
熱処理することにより、図３Ａに示すように、或る高さ
の垂直壁１５を有するレジストフレーム１６を形成す
る。垂直面１５は、形成しようとする前記上部磁性膜の
上ポール部分のトラック幅方向の一方の端部に整合させ
て配置する。
うに、図１の基板上にノボラック系樹脂のフォトレジス
ト１３をスピンコートによって塗布する。この上にフォ
トマスク１４を置いて露光し、現像しかつ水洗した後、
熱処理することにより、図３Ａに示すように、或る高さ
の垂直壁１５を有するレジストフレーム１６を形成す
る。垂直面１５は、形成しようとする前記上部磁性膜の
上ポール部分のトラック幅方向の一方の端部に整合させ
て配置する。
【００１６】次に、前記上部磁性膜を形成するＮiＦe、
Ｆe-Ｎ、ＣuＺrなどの磁性材料をスパッタリングにより
成膜する。前記磁性材料は、図３Ｂに示すように、基板
及びレジストフレーム１６上面に被膜１７ａ、ｂを形成
するだけでなく、垂直壁１５に回り込んで該壁面に沿っ
て垂直方向の被膜１８を形成する。このスパッタリング
は、被膜１８の膜厚Ｔを所望の上ポールのトラック幅以
上に、かつ前記垂直壁に沿って略一定となるように調整
・制御する。通常、垂直方向の被膜１８の膜厚は、平面
方向の被膜１７ａ、ｂの約半分である。
Ｆe-Ｎ、ＣuＺrなどの磁性材料をスパッタリングにより
成膜する。前記磁性材料は、図３Ｂに示すように、基板
及びレジストフレーム１６上面に被膜１７ａ、ｂを形成
するだけでなく、垂直壁１５に回り込んで該壁面に沿っ
て垂直方向の被膜１８を形成する。このスパッタリング
は、被膜１８の膜厚Ｔを所望の上ポールのトラック幅以
上に、かつ前記垂直壁に沿って略一定となるように調整
・制御する。通常、垂直方向の被膜１８の膜厚は、平面
方向の被膜１７ａ、ｂの約半分である。
【００１７】次に、イオンミリングなどにより、基板及
びレジストフレーム上面の被膜１７ａ、ｂを完全に除去
すると共に、被膜１８を前記垂直壁に略平行にかつ所望
のトラック幅Ｔｗに調整する。このとき、被膜１７ａ、
ｂと被膜１８のミリングレートは、イオンを入射する角
度θによって決定され、例えば、最初の入射角θを０〜
３０°に設定し、次にこれを４５〜７５°に変更してミ
リングを行う。これにより、所望のトラック幅を有する
上部磁性膜の上ポール部分１９が形成されると共に、従
来の素子高さ方向におけるトラック幅のばらつきが大幅
に改善される。本発明によれば、０．５mm以下の微細な
トラック幅を高精度に形成することができる。
びレジストフレーム上面の被膜１７ａ、ｂを完全に除去
すると共に、被膜１８を前記垂直壁に略平行にかつ所望
のトラック幅Ｔｗに調整する。このとき、被膜１７ａ、
ｂと被膜１８のミリングレートは、イオンを入射する角
度θによって決定され、例えば、最初の入射角θを０〜
３０°に設定し、次にこれを４５〜７５°に変更してミ
リングを行う。これにより、所望のトラック幅を有する
上部磁性膜の上ポール部分１９が形成されると共に、従
来の素子高さ方向におけるトラック幅のばらつきが大幅
に改善される。本発明によれば、０．５mm以下の微細な
トラック幅を高精度に形成することができる。
【００１８】次に、残存するレジストフレーム１６を除
去し、又はこれをそのまま残して新たにフォトレジスト
を塗布し、従来と同様のフォトリソグラフィ技術を用い
て、図４に示すように前記ヨーク部分のためのレジスト
フレーム２０を形成する。そして、このレジストフレー
ムを用いて、上ポール部分と同じ磁性材料を電気めっき
することにより、上ポール部分１９に連続する前記ヨー
ク部分を形成する。これにより、所望のトラック幅を有
するインダクティブヘッドの上部磁性膜が形成される。
最後に、レジストフレーム２０及び余分な下地膜１２な
どを除去し、その上から全体をアルミナの保護膜で被覆
すると、ＭＲ／インダクティブ複合ヘッドが完成する。
去し、又はこれをそのまま残して新たにフォトレジスト
を塗布し、従来と同様のフォトリソグラフィ技術を用い
て、図４に示すように前記ヨーク部分のためのレジスト
フレーム２０を形成する。そして、このレジストフレー
ムを用いて、上ポール部分と同じ磁性材料を電気めっき
することにより、上ポール部分１９に連続する前記ヨー
ク部分を形成する。これにより、所望のトラック幅を有
するインダクティブヘッドの上部磁性膜が形成される。
最後に、レジストフレーム２０及び余分な下地膜１２な
どを除去し、その上から全体をアルミナの保護膜で被覆
すると、ＭＲ／インダクティブ複合ヘッドが完成する。
【００１９】以上、本発明の好適な実施例について添付
図面を用いて詳細に説明したが、当業者に明らかなよう
に、本発明は上記実施例に限定されるものでなく、その
技術的範囲内において様々な変形・変更を加えて実施す
ることができる。例えば、レジストフレーム１６の垂直
壁１５には、スパッタリング以外に蒸着法やイオンプレ
ーティングなどの様々な公知方法を用いることができ
る。また、垂直方向の被膜１８は、イオンミリング以外
に、その材料などに対応して公知の適当なドライエッチ
ングにより膜厚を調整することができる。
図面を用いて詳細に説明したが、当業者に明らかなよう
に、本発明は上記実施例に限定されるものでなく、その
技術的範囲内において様々な変形・変更を加えて実施す
ることができる。例えば、レジストフレーム１６の垂直
壁１５には、スパッタリング以外に蒸着法やイオンプレ
ーティングなどの様々な公知方法を用いることができ
る。また、垂直方向の被膜１８は、イオンミリング以外
に、その材料などに対応して公知の適当なドライエッチ
ングにより膜厚を調整することができる。
【００２０】
【発明の効果】本発明は、以上のように構成されている
ので、以下に記載されるような効果を奏する。本発明の
薄膜磁気ヘッドの製造方法によれば、インダクティブヘ
ッドの上部磁性膜の形成において、従来のフォトリソグ
ラフィ技術を用いてレジストフレームの垂直壁を比較的
正確に形成し、上ポールのトラック幅方向の一方の端部
を高精度に画定し、かつ磁性材料を垂直壁に沿って直接
成膜することによって、上ポールの膜厚即ちトラック幅
の寸法精度が向上し、トラック幅の微細化及びそれによ
るより一層高記録密度化を実現することができる。
ので、以下に記載されるような効果を奏する。本発明の
薄膜磁気ヘッドの製造方法によれば、インダクティブヘ
ッドの上部磁性膜の形成において、従来のフォトリソグ
ラフィ技術を用いてレジストフレームの垂直壁を比較的
正確に形成し、上ポールのトラック幅方向の一方の端部
を高精度に画定し、かつ磁性材料を垂直壁に沿って直接
成膜することによって、上ポールの膜厚即ちトラック幅
の寸法精度が向上し、トラック幅の微細化及びそれによ
るより一層高記録密度化を実現することができる。
【図１】ＭＲヘッド、インダクティブヘッドの磁気ギャ
ップ膜、導体コイル、有機絶縁層及びめっき用金属下地
膜を積層した基板を示す断面図である。
ップ膜、導体コイル、有機絶縁層及びめっき用金属下地
膜を積層した基板を示す断面図である。
【図２】Ａ図は図１の基板にフォトレジストを塗布して
露光する状態を示す断面図、Ｂ図はそのII−II線におけ
る断面図である。
露光する状態を示す断面図、Ｂ図はそのII−II線におけ
る断面図である。
【図３】Ａ〜Ｄ図は、図２の基板上にインダクティブヘ
ッドの上部磁性膜の上ポール部分を形成する過程を工程
順に示す断面図である。
ッドの上部磁性膜の上ポール部分を形成する過程を工程
順に示す断面図である。
【図４】上部磁性膜のヨーク部分を形成するためのレジ
ストフレームを形成した基板の平面図である。
ストフレームを形成した基板の平面図である。
１ 基板 ２ 絶縁下地膜 ３ 下シールド ４ 上シールド ５ ＭＲ素子 ６ ＭＲヘッド ７ 磁気ギャップ膜 ８、９ 有機絶縁層 １０ バックギャップ １１ 導体コイル １２ 下地膜 １３ フォトレジスト １４ フォトマスク １５ 垂直壁 １６ レジストフレーム １７ａ、ｂ 被膜 １８ 被膜 １９ 上ポール部分 ２０ レジストフレーム
Claims (6)
- 【請求項１】 基板の上に下部磁性膜、磁気ギャップ
膜、導体コイル及び絶縁層を積層し、前記磁気ギャップ
膜の上にフォトレジストを塗布し、前記フォトレジスト
をパターニングして、上部磁性膜先端の上ポールのトラ
ック幅方向の一方の端部を画定する垂直壁を有するレジ
ストフレームを形成し、前記レジストフレームの前記垂
直壁に磁性材料を成膜して前記上部磁性膜の上ポール部
分を形成し、前記導体コイル及び絶縁層の上に前記上部
磁性膜のヨーク部分を、前記上ポール部分と一体に形成
する過程からなることを特徴とする薄膜磁気ヘッドの製
造方法。 - 【請求項２】 前記垂直壁に成膜した前記磁気材料の膜
厚を所望のトラック幅に加工する過程を更に有すること
を特徴とする薄膜磁気ヘッドの製造方法。 - 【請求項３】 イオンミリングにより前記磁気材料の膜
厚を所望のトラック幅に加工することを特徴とする請求
項２に記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法。 - 【請求項４】 スパッタリングにより前記磁性材料を前
記垂直壁に成膜することを特徴とする請求項１乃至３の
いずれかに記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法。 - 【請求項５】 前記上部磁性膜のヨーク部分を電気めっ
きにより形成することを特徴とする請求項１乃至４のい
ずれかに記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法。 - 【請求項６】 前記基板の上に下シールドと、磁気抵抗
素子と、前記下部磁性膜を形成する上シールドとを積層
する過程を更に含むことを特徴とする請求項１乃至５の
いずれかに記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11006151A JP2000207709A (ja) | 1999-01-13 | 1999-01-13 | 薄膜磁気ヘッドの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11006151A JP2000207709A (ja) | 1999-01-13 | 1999-01-13 | 薄膜磁気ヘッドの製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000207709A true JP2000207709A (ja) | 2000-07-28 |
Family
ID=11630541
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11006151A Pending JP2000207709A (ja) | 1999-01-13 | 1999-01-13 | 薄膜磁気ヘッドの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2000207709A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2003021577A3 (en) * | 2001-08-31 | 2003-09-25 | Ibm | Narrow write head pole tip fabricated by sidewall processing |
| JP2010267370A (ja) * | 2009-05-18 | 2010-11-25 | Seagate Technology Llc | 磁気記録素子を有する変換ヘッドを形成するための方法、および変換ヘッドのための磁気記録素子 |
-
1999
- 1999-01-13 JP JP11006151A patent/JP2000207709A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2003021577A3 (en) * | 2001-08-31 | 2003-09-25 | Ibm | Narrow write head pole tip fabricated by sidewall processing |
| US7127800B2 (en) | 2001-08-31 | 2006-10-31 | Hitachi Global Storage Technologies Netherlands, B.V. | Narrow write head pole tip fabricated by sidewall processing |
| US7199972B2 (en) | 2001-08-31 | 2007-04-03 | Hitachi Global Storage Technologies Netherlands, B.V. | Narrow write head pole tip fabricated by sidewall processing |
| JP2010267370A (ja) * | 2009-05-18 | 2010-11-25 | Seagate Technology Llc | 磁気記録素子を有する変換ヘッドを形成するための方法、および変換ヘッドのための磁気記録素子 |
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