JP2000208363A - コンデンサを備えた回路基板及びその製造方法 - Google Patents
コンデンサを備えた回路基板及びその製造方法Info
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- 239000003990 capacitor Substances 0.000 title claims abstract description 20
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 9
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 22
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 21
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 20
- 238000001027 hydrothermal synthesis Methods 0.000 claims abstract description 16
- 239000010936 titanium Substances 0.000 claims abstract description 15
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 13
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 24
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 24
- 239000003513 alkali Substances 0.000 claims description 21
- 238000007747 plating Methods 0.000 claims description 18
- 239000000843 powder Substances 0.000 claims description 17
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims description 12
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims description 12
- 239000011888 foil Substances 0.000 claims description 9
- 229910018104 Ni-P Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910018536 Ni—P Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 238000004898 kneading Methods 0.000 claims description 4
- 239000013078 crystal Substances 0.000 abstract description 22
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 9
- 239000011889 copper foil Substances 0.000 abstract description 6
- 239000007788 liquid Substances 0.000 abstract 1
- 239000010408 film Substances 0.000 description 96
- 229910052451 lead zirconate titanate Inorganic materials 0.000 description 13
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N nickel Substances [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 11
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 9
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 7
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 7
- QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N Acetic acid Chemical compound CC(O)=O QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000012670 alkaline solution Substances 0.000 description 6
- OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N titanium oxide Inorganic materials [Ti]=O OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- -1 polypropylene Polymers 0.000 description 5
- 239000000057 synthetic resin Substances 0.000 description 5
- 229920003002 synthetic resin Polymers 0.000 description 5
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 4
- HFGPZNIAWCZYJU-UHFFFAOYSA-N lead zirconate titanate Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[Ti+4].[Zr+4].[Pb+2] HFGPZNIAWCZYJU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 4
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 3
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 3
- 238000009713 electroplating Methods 0.000 description 3
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 3
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 3
- 238000004506 ultrasonic cleaning Methods 0.000 description 3
- 229910001316 Ag alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000004677 Nylon Substances 0.000 description 2
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N Palladium Chemical compound [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910001252 Pd alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 229920000265 Polyparaphenylene Polymers 0.000 description 2
- 239000004721 Polyphenylene oxide Substances 0.000 description 2
- 239000004743 Polypropylene Substances 0.000 description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- JRPBQTZRNDNNOP-UHFFFAOYSA-N barium titanate Chemical compound [Ba+2].[Ba+2].[O-][Ti]([O-])([O-])[O-] JRPBQTZRNDNNOP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910002113 barium titanate Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000007772 electroless plating Methods 0.000 description 2
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 2
- 238000010335 hydrothermal treatment Methods 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 239000011259 mixed solution Substances 0.000 description 2
- 230000003472 neutralizing effect Effects 0.000 description 2
- 229920001778 nylon Polymers 0.000 description 2
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229920001955 polyphenylene ether Polymers 0.000 description 2
- 229920006380 polyphenylene oxide Polymers 0.000 description 2
- 229920001155 polypropylene Polymers 0.000 description 2
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 2
- VEALVRVVWBQVSL-UHFFFAOYSA-N strontium titanate Chemical compound [Sr+2].[O-][Ti]([O-])=O VEALVRVVWBQVSL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 2
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 101100116283 Arabidopsis thaliana DD11 gene Proteins 0.000 description 1
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 description 1
- YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N Fluorine atom Chemical compound [F] YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 1
- 239000004734 Polyphenylene sulfide Substances 0.000 description 1
- UCKMPCXJQFINFW-UHFFFAOYSA-N Sulphide Chemical compound [S-2] UCKMPCXJQFINFW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002585 base Substances 0.000 description 1
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 1
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 230000005484 gravity Effects 0.000 description 1
- 150000002484 inorganic compounds Chemical class 0.000 description 1
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 238000006386 neutralization reaction Methods 0.000 description 1
- 150000007524 organic acids Chemical class 0.000 description 1
- 150000002894 organic compounds Chemical class 0.000 description 1
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000005011 phenolic resin Substances 0.000 description 1
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 1
- 229920006389 polyphenyl polymer Polymers 0.000 description 1
- 229920000069 polyphenylene sulfide Polymers 0.000 description 1
- 238000003825 pressing Methods 0.000 description 1
- 230000002265 prevention Effects 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 238000007751 thermal spraying Methods 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
- 238000005406 washing Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Parts Printed On Printed Circuit Boards (AREA)
- Fixed Capacitors And Capacitor Manufacturing Machines (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 回路パターン中の強誘電体膜を形成しない導
通部を強誘電体膜を形成する際に使用する強アルカリ液
から保護するすることができるコンデンサを備えた回路
基板を得る。 【解決手段】 絶縁基板１上に銅箔からなる回路パター
ン３を形成する。回路パターン３に含まれる下部電極３
ａの上にチタンを主成分とする導電膜５を形成する。回
路パターン３の接続用電極３ｂの上にＮｉメッキ層１１
を形成する。導電膜５の上に水熱合成法により結晶性の
強誘電体膜７を形成する。強誘電体膜７の上に接続用回
路パターン３の一部と電気的に接続される上部電極９を
形成する。
通部を強誘電体膜を形成する際に使用する強アルカリ液
から保護するすることができるコンデンサを備えた回路
基板を得る。 【解決手段】 絶縁基板１上に銅箔からなる回路パター
ン３を形成する。回路パターン３に含まれる下部電極３
ａの上にチタンを主成分とする導電膜５を形成する。回
路パターン３の接続用電極３ｂの上にＮｉメッキ層１１
を形成する。導電膜５の上に水熱合成法により結晶性の
強誘電体膜７を形成する。強誘電体膜７の上に接続用回
路パターン３の一部と電気的に接続される上部電極９を
形成する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、コンデンサを備え
た回路基板及びその製造方法に関するものである。
た回路基板及びその製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】本願発明者は、平成１０年１月６日に出
願した先の出願（特願平１０−１３４０３号）で、水熱
合成法により形成したチタン酸ジルコン酸鉛（ＰＺＴ）
等の結晶性の強誘電体膜を誘電層として用いる薄形コン
デンサを備えた回路基板を提案した。この回路基板は、
次のようにして製造する。まず、絶縁性基板の表面に銅
箔，アルミニウム箔等の金属箔を貼り付け、これにエッ
チング処理を施して回路パターンを形成する。次に回路
パターンに含まれる下部電極の表面にスパッタリングや
溶射により、チタンを主成分とする導電膜を形成する。
この導電膜は、水熱合成法により強誘電体膜を形成する
際の結晶生成の下地層となる役割を果たしている。した
がって、この導電膜の上にのみ水熱合成法によって結晶
性の強誘電体膜からなる誘電層が形成される。例えば、
チタン酸ジルコン酸鉛（ＰＺＴ）の強誘電体膜を形成す
るには、Ｐｂ化合物，Ｚｒ化合物，Ｔｉ化合物を含む強
アルカリ溶液中に絶縁性基板を浸し、高温、高圧に設定
されたオートクレーブに溶液と共に入れて強誘電体膜を
形成する。次に強誘電体膜と回路パターンの一部とを電
気的に接続する上部電極をスパッタリングまたは導電性
ペーストの印刷により形成してコンデンサ部を完成す
る。
願した先の出願（特願平１０−１３４０３号）で、水熱
合成法により形成したチタン酸ジルコン酸鉛（ＰＺＴ）
等の結晶性の強誘電体膜を誘電層として用いる薄形コン
デンサを備えた回路基板を提案した。この回路基板は、
次のようにして製造する。まず、絶縁性基板の表面に銅
箔，アルミニウム箔等の金属箔を貼り付け、これにエッ
チング処理を施して回路パターンを形成する。次に回路
パターンに含まれる下部電極の表面にスパッタリングや
溶射により、チタンを主成分とする導電膜を形成する。
この導電膜は、水熱合成法により強誘電体膜を形成する
際の結晶生成の下地層となる役割を果たしている。した
がって、この導電膜の上にのみ水熱合成法によって結晶
性の強誘電体膜からなる誘電層が形成される。例えば、
チタン酸ジルコン酸鉛（ＰＺＴ）の強誘電体膜を形成す
るには、Ｐｂ化合物，Ｚｒ化合物，Ｔｉ化合物を含む強
アルカリ溶液中に絶縁性基板を浸し、高温、高圧に設定
されたオートクレーブに溶液と共に入れて強誘電体膜を
形成する。次に強誘電体膜と回路パターンの一部とを電
気的に接続する上部電極をスパッタリングまたは導電性
ペーストの印刷により形成してコンデンサ部を完成す
る。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】従来の製造方法では、
回路パターンのうち導電膜によって覆われず且つ導通部
として用いられる部分（引きまわし部，スルーホールラ
ンド，ターミナルランド，測定ランド，接続部等）が、
強誘電体膜を形成する際に強アルカリ溶液中に晒されて
侵されるため、導通部の表面の抵抗値が大きくなった
り、表面が著しく荒れる。そのため従来は、この強誘電
体膜を形成しない導通部を耐アルカリ性の樹脂層で覆
い、必要に応じて強誘電体膜形成後にこの樹脂層を除去
していた。この樹脂層を除去する工程は、製造工程を増
加させるだけでなく、樹脂層の除去時に導通部の表面が
腐食するおそれもある。
回路パターンのうち導電膜によって覆われず且つ導通部
として用いられる部分（引きまわし部，スルーホールラ
ンド，ターミナルランド，測定ランド，接続部等）が、
強誘電体膜を形成する際に強アルカリ溶液中に晒されて
侵されるため、導通部の表面の抵抗値が大きくなった
り、表面が著しく荒れる。そのため従来は、この強誘電
体膜を形成しない導通部を耐アルカリ性の樹脂層で覆
い、必要に応じて強誘電体膜形成後にこの樹脂層を除去
していた。この樹脂層を除去する工程は、製造工程を増
加させるだけでなく、樹脂層の除去時に導通部の表面が
腐食するおそれもある。
【０００４】本発明の目的は、回路パターンの導通部の
耐強アルカリ性が高いコンデンサを備えた回路基板の製
造方法を提供することにある。
耐強アルカリ性が高いコンデンサを備えた回路基板の製
造方法を提供することにある。
【０００５】本発明の他の目的は、少ない工程で回路パ
ターンの導通部の保護を図ることができるコンデンサを
備えた回路基板を提供することにある。
ターンの導通部の保護を図ることができるコンデンサを
備えた回路基板を提供することにある。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明は、絶縁性基板の
表面に形成された金属箔（Ｃｕ，Ａｌのように耐アルカ
リ性のない金属の箔）からなる回路パターンと、回路パ
ターンに含まれる下部電極の上に形成されたチタンを主
成分とする導電膜と、導電膜の上に水熱合成法により形
成された結晶性の強誘電体膜と、強誘電体膜の上に形成
されて回路パターンの一部と電気的に接続された上部電
極とを備えてなるコンデンサを備えた回路基板を改良の
対象とする。ここで水熱合成法とは、被形成部材（絶縁
性基板）を強誘電体膜を形成する材料を含有する強アル
カリ溶液中に浸した状態で、高温、高圧中に放置して強
誘電体膜を形成する方法をいう。水熱合成法には、被形
成部材に通電を行う電解式と被形成部材に通電を行わな
い無電解式とがある。この水熱合成法については、特開
平８−１３３７３３号に詳しく述べられている。本発明
では、回路パターンのうち導電膜によって覆われず且つ
導通部として用いられる部分に耐強アルカリ性を有する
金属のメッキ層または導電性厚膜を形成する。
表面に形成された金属箔（Ｃｕ，Ａｌのように耐アルカ
リ性のない金属の箔）からなる回路パターンと、回路パ
ターンに含まれる下部電極の上に形成されたチタンを主
成分とする導電膜と、導電膜の上に水熱合成法により形
成された結晶性の強誘電体膜と、強誘電体膜の上に形成
されて回路パターンの一部と電気的に接続された上部電
極とを備えてなるコンデンサを備えた回路基板を改良の
対象とする。ここで水熱合成法とは、被形成部材（絶縁
性基板）を強誘電体膜を形成する材料を含有する強アル
カリ溶液中に浸した状態で、高温、高圧中に放置して強
誘電体膜を形成する方法をいう。水熱合成法には、被形
成部材に通電を行う電解式と被形成部材に通電を行わな
い無電解式とがある。この水熱合成法については、特開
平８−１３３７３３号に詳しく述べられている。本発明
では、回路パターンのうち導電膜によって覆われず且つ
導通部として用いられる部分に耐強アルカリ性を有する
金属のメッキ層または導電性厚膜を形成する。
【０００７】耐強アルカリ性を有する金属のメッキ層に
は、電解メッキまたは無電解メッキによりメッキされた
Ｎｉ，Ｎｉ−Ｐ，Ｎｉ−ＷＢ，Ｎｉ−Ｂ，Ｎｉ−Ａｇ，
Ａｇ，Ａｕ等のメッキ層が含まれる。
は、電解メッキまたは無電解メッキによりメッキされた
Ｎｉ，Ｎｉ−Ｐ，Ｎｉ−ＷＢ，Ｎｉ−Ｂ，Ｎｉ−Ａｇ，
Ａｇ，Ａｕ等のメッキ層が含まれる。
【０００８】耐アルカリ性を有する導電性厚膜は、耐強
アルカリ性を有する樹脂ペースト中に耐強アルカリ性を
有する金属粉体が混練された導電性ペーストを用いて形
成される。このような導電性ペーストとしては、フッ素
系樹脂，６−６ナイロン，ポリフェニルサルファイド，
ポリプロピレン，ポリフェニレン等の樹脂ペーストにＡ
ｇ粉末，Ａｕ粉末，Ｎｉ粉末等の耐強アルカリ性を有す
る金属粉体が混練されたものを用いることができる。
アルカリ性を有する樹脂ペースト中に耐強アルカリ性を
有する金属粉体が混練された導電性ペーストを用いて形
成される。このような導電性ペーストとしては、フッ素
系樹脂，６−６ナイロン，ポリフェニルサルファイド，
ポリプロピレン，ポリフェニレン等の樹脂ペーストにＡ
ｇ粉末，Ａｕ粉末，Ｎｉ粉末等の耐強アルカリ性を有す
る金属粉体が混練されたものを用いることができる。
【０００９】また本発明のコンデンサを備えた回路基板
の製造方法では、絶縁性基板の表面に形成された金属箔
からなる回路パターンと、回路パターンに含まれる下部
電極の上に形成されたチタンを主成分とする導電膜と、
導電膜の上に水熱合成法により形成された結晶性の強誘
電体膜と、強誘電体膜の上に形成されて回路パターンの
一部と電気的に接続された上部電極とを形成する。そし
て回路パターンのうち誘電体膜を形成する前に導電膜に
よって覆われず且つ導通部として用いられる部分を耐強
アルカリ性を有する金属のメッキ層または導電性厚膜で
覆う。
の製造方法では、絶縁性基板の表面に形成された金属箔
からなる回路パターンと、回路パターンに含まれる下部
電極の上に形成されたチタンを主成分とする導電膜と、
導電膜の上に水熱合成法により形成された結晶性の強誘
電体膜と、強誘電体膜の上に形成されて回路パターンの
一部と電気的に接続された上部電極とを形成する。そし
て回路パターンのうち誘電体膜を形成する前に導電膜に
よって覆われず且つ導通部として用いられる部分を耐強
アルカリ性を有する金属のメッキ層または導電性厚膜で
覆う。
【００１０】本発明のように回路パターンに含まれる下
部電極の上に水熱合成法で強誘電体膜を形成する前に、
回路パターンのうち導電膜によって覆われず且つ導通部
として用いられる部分を耐強アルカリ性を有する金属の
メッキ層または導電性厚膜で覆うと、導通部の表面の抵
抗値が高くなったり、導通部の表面が著しく荒れること
がなくなり、導通部の導通性能を良好な状態に維持でき
る。また従来のように、樹脂層を除去する工程がないの
で製造工数が減る。
部電極の上に水熱合成法で強誘電体膜を形成する前に、
回路パターンのうち導電膜によって覆われず且つ導通部
として用いられる部分を耐強アルカリ性を有する金属の
メッキ層または導電性厚膜で覆うと、導通部の表面の抵
抗値が高くなったり、導通部の表面が著しく荒れること
がなくなり、導通部の導通性能を良好な状態に維持でき
る。また従来のように、樹脂層を除去する工程がないの
で製造工数が減る。
【００１１】
【発明の実施の形態】次に本発明の実施の形態の一例を
図面を参照しながら詳細に説明する。図１は本発明のコ
ンデンサを備えた回路基板の断面図である。
図面を参照しながら詳細に説明する。図１は本発明のコ
ンデンサを備えた回路基板の断面図である。
【００１２】絶縁性基板１は、後に説明する強誘電体膜
７を形成するために用いる強アルカリ溶液によって、絶
縁基板１の表面の性質が変化することのない基板であ
る。このような絶縁基板１としては、例えばガラスエポ
キシを用いる。またフェノール樹脂，ポリイミド，ポリ
フェニレンエーテル（ＰＰＥ），ポリフェニレンオキサ
イド（ＰＰＯ）を主材料として形成された基板を用いる
ことができる。
７を形成するために用いる強アルカリ溶液によって、絶
縁基板１の表面の性質が変化することのない基板であ
る。このような絶縁基板１としては、例えばガラスエポ
キシを用いる。またフェノール樹脂，ポリイミド，ポリ
フェニレンエーテル（ＰＰＥ），ポリフェニレンオキサ
イド（ＰＰＯ）を主材料として形成された基板を用いる
ことができる。
【００１３】絶縁基板１の上に形成された回路パターン
３は、絶縁性基板１の上に銅箔が積層された銅張積層板
の銅箔をエッチングすることにより形成されている。回
路パターン３はコンデンサを形成するための下部電極３
ａと接続用電極３ｂからなる導通部を含んでいる。なお
回路パターン３をアルミ箔で形成する場合もある。
３は、絶縁性基板１の上に銅箔が積層された銅張積層板
の銅箔をエッチングすることにより形成されている。回
路パターン３はコンデンサを形成するための下部電極３
ａと接続用電極３ｂからなる導通部を含んでいる。なお
回路パターン３をアルミ箔で形成する場合もある。
【００１４】回路パターン３の下部電極３ａの上には導
電膜５が形成されている。この導電膜５は、蒸着等の薄
膜形成技術により形成するのが一般的であるが、チタン
を主成分とする導電ペーストを用いて形成することがで
きる約２０μｍの厚みを有している。この導電膜５は、
下部電極３ａの上に強誘電体膜７を形成する場合におい
て、接合強度を高める役割を果たしている。この例では
導電膜５を、フッ素系樹脂の樹脂ペーストにチタン粉末
が混練された導電性ペーストから形成している。フッ素
系樹脂は、強誘電体膜７を形成する水熱合成法で用いる
アルカリ溶液によって性質が変化しない合成樹脂であ
る。このような合成樹脂としては、このほか６−６ナイ
ロン，ポリフェニレンサルファイド，ポリプロピレン，
ポリフェニレン等を用いることができる。また金属粉末
にはチタン粉末のほかに酸化チタン粉末，チタンウイス
カーを使用することができる。
電膜５が形成されている。この導電膜５は、蒸着等の薄
膜形成技術により形成するのが一般的であるが、チタン
を主成分とする導電ペーストを用いて形成することがで
きる約２０μｍの厚みを有している。この導電膜５は、
下部電極３ａの上に強誘電体膜７を形成する場合におい
て、接合強度を高める役割を果たしている。この例では
導電膜５を、フッ素系樹脂の樹脂ペーストにチタン粉末
が混練された導電性ペーストから形成している。フッ素
系樹脂は、強誘電体膜７を形成する水熱合成法で用いる
アルカリ溶液によって性質が変化しない合成樹脂であ
る。このような合成樹脂としては、このほか６−６ナイ
ロン，ポリフェニレンサルファイド，ポリプロピレン，
ポリフェニレン等を用いることができる。また金属粉末
にはチタン粉末のほかに酸化チタン粉末，チタンウイス
カーを使用することができる。
【００１５】強誘電体膜７は、導電膜５の上に形成され
ており、水熱合成法によって形成されたチタン酸ジルコ
ン酸鉛結晶膜（ＰＺＴ結晶膜）によって構成されてい
る。この強誘電体膜７は、厚みが１０μｍであり、誘電
率は８００〜１２００であり、容量は１０００ＰＦ／ｍ
ｍ2 である。強誘電体膜７としては、このほかチタン酸
ストロンチウム結晶膜（ＳＴＯ結晶膜），チタン酸バリ
ウム結晶膜（ＢＴＯ結晶膜）の組成を採用してもよい。
ＳＴＯ結晶膜，ＢＴＯ結晶膜は、通常、電解式の水熱合
成法により形成されるものである。
ており、水熱合成法によって形成されたチタン酸ジルコ
ン酸鉛結晶膜（ＰＺＴ結晶膜）によって構成されてい
る。この強誘電体膜７は、厚みが１０μｍであり、誘電
率は８００〜１２００であり、容量は１０００ＰＦ／ｍ
ｍ2 である。強誘電体膜７としては、このほかチタン酸
ストロンチウム結晶膜（ＳＴＯ結晶膜），チタン酸バリ
ウム結晶膜（ＢＴＯ結晶膜）の組成を採用してもよい。
ＳＴＯ結晶膜，ＢＴＯ結晶膜は、通常、電解式の水熱合
成法により形成されるものである。
【００１６】上部電極９は、ＰＺＴ結晶膜上から回路パ
ターン３の強誘電体膜７が形成されない接続用電極３ｂ
に亘って形成されている。この上部電極９は、銀・パラ
ジウム合金，ニッケル，銅等の導電性ペーストを用いて
形成されている。なお、さらに上部電極９を中心とする
本発明の回路基板全体を覆うように樹脂のオーバーコー
トを形成してもよい。
ターン３の強誘電体膜７が形成されない接続用電極３ｂ
に亘って形成されている。この上部電極９は、銀・パラ
ジウム合金，ニッケル，銅等の導電性ペーストを用いて
形成されている。なお、さらに上部電極９を中心とする
本発明の回路基板全体を覆うように樹脂のオーバーコー
トを形成してもよい。
【００１７】メッキ層１１は、回路基板３上に形成され
る回路パターンのうち強誘電体膜７が形成されない部分
（導通部）全体を覆うように形成されている。この例で
は、メッキ層１１としてＮｉメッキ層が用いられてい
る。メッキ層１１には、このほかＮｉ−Ｐ，Ｎｉ−Ｗ
Ｂ，Ｎｉ−Ｂ，Ｎｉ−Ａｇ，Ａｇ，Ａｕ等の耐強アルカ
リ性を有する金属のメッキ層を採用することができる。
また金属のメッキ層の代わりに耐強アルカリ性を有する
導電性厚膜を用いることができる。このような導電性厚
膜は、フッ素系樹脂，エポキシ系樹脂等にＡｇ，Ａｕ，
Ｎｉ等の金属粉末を混練した導電性ペーストを用いて形
成される。
る回路パターンのうち強誘電体膜７が形成されない部分
（導通部）全体を覆うように形成されている。この例で
は、メッキ層１１としてＮｉメッキ層が用いられてい
る。メッキ層１１には、このほかＮｉ−Ｐ，Ｎｉ−Ｗ
Ｂ，Ｎｉ−Ｂ，Ｎｉ−Ａｇ，Ａｇ，Ａｕ等の耐強アルカ
リ性を有する金属のメッキ層を採用することができる。
また金属のメッキ層の代わりに耐強アルカリ性を有する
導電性厚膜を用いることができる。このような導電性厚
膜は、フッ素系樹脂，エポキシ系樹脂等にＡｇ，Ａｕ，
Ｎｉ等の金属粉末を混練した導電性ペーストを用いて形
成される。
【００１８】本実施の形態のコンデンサを備えた回路基
板は次のように製造する。まず、絶縁性基板１の上に銅
箔が積層された銅張積層板の銅箔をエッチングして回路
パターン３を形成する。
板は次のように製造する。まず、絶縁性基板１の上に銅
箔が積層された銅張積層板の銅箔をエッチングして回路
パターン３を形成する。
【００１９】次に、回路パターン３に含まれる下部電極
３ａの表面上に、フッ素樹脂等の合成樹脂にチタン粉
末、酸化チタン粉末またはチタンウイスカーの金属粉末
を混練した導電性ペーストを塗布して厚み３０〜４０μ
ｍの導電膜５を形成する。本例では、導電性ペーストの
合成樹脂として、旭硝子株式会社からルミフロンの商品
名で販売されているフッ素樹脂を用い、また金属粉末と
して、チタン粉末を用いた。導電性ペーストは、回路パ
ターン３に塗布されて導電性ぺーストの層が形成された
後時間の経過と共に、チタン粉末，酸化チタン粉末また
はチタンウイスカー等の比重の大きい成分が導電性ペー
ストの層内で沈降する。その結果、チタン粉末，酸化チ
タン粉末またはチタンウイスカーを多く含む下層と、チ
タン粉末，酸化チタン粉末またはチタンウイスカーをほ
とんど含まず、その大部分が合成樹脂からなる上層とに
分れる。その後、この塗布された導電性ペーストを、加
圧してもパターン形状を維持できる硬度が得られるまで
１５０〜２００℃の温度で加熱する。次いで、加熱され
た導電性ペーストに絶縁性基板１の鉛直方向（厚み方
向）に１０〜５０ｋｇ／ｃｍ2 の加圧力を加えながらさ
らに加熱して、厚み約２０μｍの導電膜を形成する。こ
れにより、導電膜の上層の樹脂が導電膜の面方向の周囲
に押しやられる。その後導電膜の表面を削る。そのた
め、チタン粉末，酸化チタン粉末またはチタンウイスカ
ーが導電膜の表面に露出して厚み方向に導電性が高くな
った導電膜５が得られる。なおこの例では、導電膜に加
圧力を加えながら加熱した後に、その表面を削って導電
膜５を形成したが、導電膜を加圧力を加えずに加熱した
後に、その表面を削って導電膜を形成しても構わない。
３ａの表面上に、フッ素樹脂等の合成樹脂にチタン粉
末、酸化チタン粉末またはチタンウイスカーの金属粉末
を混練した導電性ペーストを塗布して厚み３０〜４０μ
ｍの導電膜５を形成する。本例では、導電性ペーストの
合成樹脂として、旭硝子株式会社からルミフロンの商品
名で販売されているフッ素樹脂を用い、また金属粉末と
して、チタン粉末を用いた。導電性ペーストは、回路パ
ターン３に塗布されて導電性ぺーストの層が形成された
後時間の経過と共に、チタン粉末，酸化チタン粉末また
はチタンウイスカー等の比重の大きい成分が導電性ペー
ストの層内で沈降する。その結果、チタン粉末，酸化チ
タン粉末またはチタンウイスカーを多く含む下層と、チ
タン粉末，酸化チタン粉末またはチタンウイスカーをほ
とんど含まず、その大部分が合成樹脂からなる上層とに
分れる。その後、この塗布された導電性ペーストを、加
圧してもパターン形状を維持できる硬度が得られるまで
１５０〜２００℃の温度で加熱する。次いで、加熱され
た導電性ペーストに絶縁性基板１の鉛直方向（厚み方
向）に１０〜５０ｋｇ／ｃｍ2 の加圧力を加えながらさ
らに加熱して、厚み約２０μｍの導電膜を形成する。こ
れにより、導電膜の上層の樹脂が導電膜の面方向の周囲
に押しやられる。その後導電膜の表面を削る。そのた
め、チタン粉末，酸化チタン粉末またはチタンウイスカ
ーが導電膜の表面に露出して厚み方向に導電性が高くな
った導電膜５が得られる。なおこの例では、導電膜に加
圧力を加えながら加熱した後に、その表面を削って導電
膜５を形成したが、導電膜を加圧力を加えずに加熱した
後に、その表面を削って導電膜を形成しても構わない。
【００２０】次に、回路パターン３のうち強誘電体膜７
が形成されない即ち導電膜５が形成されない導通部の表
面の全体を覆うように、Ｎｉ，Ｎｉ−Ｐ，Ｎｉ−ＷＢ，
Ｎｉ−Ｂ，Ｎｉ−Ａｇ，ＡｇまたはＡｕのメッキ層１１
を電解あるいは無電解メッキにより形成する。本実施例
では、Ｎｉメッキ層１１を導通部の上に電解メッキによ
り形成した。なおこのメッキ層１１に代えて耐強アルカ
リ性を有する導電性厚膜を形成する場合には、上述の導
電膜５の形成工程と同様に、耐強アルカリ性を有する導
電性ペーストを導通部上に塗布した後、加熱、加圧、表
面切削等の加工を行う。
が形成されない即ち導電膜５が形成されない導通部の表
面の全体を覆うように、Ｎｉ，Ｎｉ−Ｐ，Ｎｉ−ＷＢ，
Ｎｉ−Ｂ，Ｎｉ−Ａｇ，ＡｇまたはＡｕのメッキ層１１
を電解あるいは無電解メッキにより形成する。本実施例
では、Ｎｉメッキ層１１を導通部の上に電解メッキによ
り形成した。なおこのメッキ層１１に代えて耐強アルカ
リ性を有する導電性厚膜を形成する場合には、上述の導
電膜５の形成工程と同様に、耐強アルカリ性を有する導
電性ペーストを導通部上に塗布した後、加熱、加圧、表
面切削等の加工を行う。
【００２１】次に、導電膜５上にいわゆる水熱合成法に
より結晶性の強誘電体膜７（ＰＺＴ結晶膜）を形成す
る。本例では次のように強誘電体膜７を形成する。ま
ず、Ｐｂ（ＮＯ3 ）2 水溶液１６ｍｍｏｌ，ＺｒＯＣｌ
2 水溶液８ｍｍｏｌ，ＴｉＣｌ4水溶液０．０８ｍｍｏ
ｌ及びＫＯＨ水溶液０．３ｍｍｏｌの強アルカリの混合
溶液中に導電膜５等を形成した絶縁性基板１を浸漬す
る。その後、１８０℃、１０気圧中で１２時間の無電解
式の水熱処理を行い、Ｐｂ（ＺｒＴｉ）Ｏ3 の結晶核を
生成する。次いで、Ｐｂ（ＮＯ3 ）2 水溶液１６ｍｍｏ
ｌ，ＺｒＯＣｌ2 水溶液８．３２ｍｍｏｌ，ＴｉＣｌ4
水溶液７．６８ｍｍｏｌ及びＫＯＨ水溶液２．２４ｍｍ
ｏｌの強アルカリの混合溶液（溶液合計６４０ｍｌ）中
に既に表面に結晶核が形成された絶縁性基板１を浸漬
し、１６０℃中で１０時間の無電解式の水熱処理を行っ
てＫを含有するＰｂ（ＺｒＴｉ）Ｏ3 の膜を形成した。
そして、純水中で３分間の超音波洗浄を２回行い、さら
に１ｍｏｌ／ｌの酢酸水溶液中で３分間の超音波洗浄を
２回行って、再び純水中で３分間の超音波洗浄を２回行
う。これを１００℃で１２時間の乾燥を行いＰＺＴ結晶
膜の形成を終える。なお、本例ではＰＺＴ膜を形成する
際に用いるＰｂ化合物，Ｚｒ化合物，Ｔｉ化合物として
無機化合物を用いたが、これらの化合物として有機化合
物を用いても構わない。また、上記例では、チタン酸ジ
ルコン酸鉛結晶膜（ＰＺＴ結晶膜）により強誘電体膜を
形成したが、チタン酸ストロンチウム結晶膜（ＳＴＯ結
晶膜），チタン酸バリウム結晶膜（ＢＴＯ結晶膜）等に
よっても強誘電体膜を形成することができる。
より結晶性の強誘電体膜７（ＰＺＴ結晶膜）を形成す
る。本例では次のように強誘電体膜７を形成する。ま
ず、Ｐｂ（ＮＯ3 ）2 水溶液１６ｍｍｏｌ，ＺｒＯＣｌ
2 水溶液８ｍｍｏｌ，ＴｉＣｌ4水溶液０．０８ｍｍｏ
ｌ及びＫＯＨ水溶液０．３ｍｍｏｌの強アルカリの混合
溶液中に導電膜５等を形成した絶縁性基板１を浸漬す
る。その後、１８０℃、１０気圧中で１２時間の無電解
式の水熱処理を行い、Ｐｂ（ＺｒＴｉ）Ｏ3 の結晶核を
生成する。次いで、Ｐｂ（ＮＯ3 ）2 水溶液１６ｍｍｏ
ｌ，ＺｒＯＣｌ2 水溶液８．３２ｍｍｏｌ，ＴｉＣｌ4
水溶液７．６８ｍｍｏｌ及びＫＯＨ水溶液２．２４ｍｍ
ｏｌの強アルカリの混合溶液（溶液合計６４０ｍｌ）中
に既に表面に結晶核が形成された絶縁性基板１を浸漬
し、１６０℃中で１０時間の無電解式の水熱処理を行っ
てＫを含有するＰｂ（ＺｒＴｉ）Ｏ3 の膜を形成した。
そして、純水中で３分間の超音波洗浄を２回行い、さら
に１ｍｏｌ／ｌの酢酸水溶液中で３分間の超音波洗浄を
２回行って、再び純水中で３分間の超音波洗浄を２回行
う。これを１００℃で１２時間の乾燥を行いＰＺＴ結晶
膜の形成を終える。なお、本例ではＰＺＴ膜を形成する
際に用いるＰｂ化合物，Ｚｒ化合物，Ｔｉ化合物として
無機化合物を用いたが、これらの化合物として有機化合
物を用いても構わない。また、上記例では、チタン酸ジ
ルコン酸鉛結晶膜（ＰＺＴ結晶膜）により強誘電体膜を
形成したが、チタン酸ストロンチウム結晶膜（ＳＴＯ結
晶膜），チタン酸バリウム結晶膜（ＢＴＯ結晶膜）等に
よっても強誘電体膜を形成することができる。
【００２２】次に、強誘電体膜７等を形成した絶縁性基
板１を取り出し、これを酢酸等の有機酸からなる中和処
理液に浸漬し中和処理を施して、絶縁性基板１の表面に
付着した中和処理液を洗浄除去した後、乾燥する。そし
て強誘電体膜７の周縁部にショート防止レジストを印刷
し焼き付ける。
板１を取り出し、これを酢酸等の有機酸からなる中和処
理液に浸漬し中和処理を施して、絶縁性基板１の表面に
付着した中和処理液を洗浄除去した後、乾燥する。そし
て強誘電体膜７の周縁部にショート防止レジストを印刷
し焼き付ける。
【００２３】次に、ＰＺＴ結晶膜上から回路パターン３
に含まれる接続用電極３ｂに亘って銀・パラジウム合
金，ニッケル，銅等の導電性ペーストを印刷して上部電
極９を形成する。この上部電極９は、スパッタリングに
より薄膜で形成することもできる。この場合、銅，パラ
ジウム，白金等を用いて形成して本発明のコンデンサを
備えた回路基板を完成する。
に含まれる接続用電極３ｂに亘って銀・パラジウム合
金，ニッケル，銅等の導電性ペーストを印刷して上部電
極９を形成する。この上部電極９は、スパッタリングに
より薄膜で形成することもできる。この場合、銅，パラ
ジウム，白金等を用いて形成して本発明のコンデンサを
備えた回路基板を完成する。
【００２４】
【発明の効果】本発明によれば、回路パターンに含まれ
る下部電極の上に強誘電体膜を形成する前に、回路パタ
ーンのうち導電膜によって覆われず且つ導通部として用
いられる部分を耐強アルカリ性を有する金属のメッキ層
または導電性厚膜で覆うため、導通部が強アルカリ溶液
により侵されるのを防ぐことができる。
る下部電極の上に強誘電体膜を形成する前に、回路パタ
ーンのうち導電膜によって覆われず且つ導通部として用
いられる部分を耐強アルカリ性を有する金属のメッキ層
または導電性厚膜で覆うため、導通部が強アルカリ溶液
により侵されるのを防ぐことができる。
【図１】本発明のコンデンサを備えた回路基板の実施の
形態の一例の要部の断面図である。
形態の一例の要部の断面図である。
１ 絶縁性基板 ３ 回路パターン ３ａ 下部電極 ３ｂ 接続用電極（導通部） ５ 導電膜 ７ 強誘電体膜 ９ 上部電極 １１ メッキ層（導電性厚膜）
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Ｆターム(参考） 4E351 AA03 BB04 BB31 BB32 BB38 CC03 CC06 CC21 DD04 DD11 DD19 DD52 EE01 GG13 5E082 AB03 BC19 EE03 EE04 EE05 EE18 EE19 EE21 EE23 EE24 EE26 EE35 EE37 FG03 FG26 FG41 GG10 GG26 KK01
Claims (4)
- 【請求項１】 絶縁性基板の表面に形成された金属箔か
らなる回路パターンと、前記回路パターンに含まれる下
部電極の上に形成されたチタンを主成分とする導電膜
と、前記導電膜の上に水熱合成法により形成された結晶
性の強誘電体膜と、前記強誘電体膜の上に形成されて前
記回路パターンの一部と電気的に接続された上部電極と
を備えてなるコンデンサを備えた回路基板であって、 前記回路パターンのうち前記導電膜によって覆われず且
つ導通部として用いられている部分が耐強アルカリ性を
有する金属のメッキ層または導電性厚膜によって覆われ
ることを特徴とするコンデンサを備えた回路基板。 - 【請求項２】 前記メッキ層を形成する前記金属が、Ｎ
ｉ，Ｎｉ−Ｐ，Ｎｉ−ＷＢ，Ｎｉ−Ｂ，Ｎｉ−Ａｇ，Ａ
ｇ，Ａｕのいずれかである請求項１に記載のコンデンサ
を備えた回路基板。 - 【請求項３】 前記導電性厚膜は、耐強アルカリ性を有
する樹脂ペースト中に耐強アルカリ性を有する金属粉体
が混練された導電性ペーストを用いて形成されている請
求項１に記載のコンデンサを備えた回路基板。 - 【請求項４】 絶縁性基板の表面に形成された金属箔か
らなる回路パターンと、前記回路パターンに含まれる下
部電極の上に形成されたチタンを主成分とする導電膜
と、前記導電膜の上に水熱合成法により形成された結晶
性の強誘電体膜と、前記強誘電体膜の上に形成されて前
記回路パターンの一部と電気的に接続された上部電極と
を備えてなるコンデンサを備えた回路基板の製造方法で
あって、 前記回路パターンのうち前記強誘電体膜を形成する前に
前記導電膜によって覆われず且つ導通部として用いられ
る部分を耐強アルカリ性を有する金属のメッキ層または
導電性厚膜によって覆うことを特徴とするコンデンサを
備えた回路基板の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11002651A JP2000208363A (ja) | 1999-01-08 | 1999-01-08 | コンデンサを備えた回路基板及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11002651A JP2000208363A (ja) | 1999-01-08 | 1999-01-08 | コンデンサを備えた回路基板及びその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000208363A true JP2000208363A (ja) | 2000-07-28 |
Family
ID=11535269
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11002651A Withdrawn JP2000208363A (ja) | 1999-01-08 | 1999-01-08 | コンデンサを備えた回路基板及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2000208363A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003022926A (ja) * | 2001-07-06 | 2003-01-24 | Mitsui Mining & Smelting Co Ltd | 積層セラミックコンデンサ内部電極用の表面処理ニッケル粉及びその製造方法 |
| WO2005080074A1 (ja) * | 2004-02-19 | 2005-09-01 | Hitachi Chemical Co., Ltd. | 薄膜複合材料およびその製造方法、ならびに当該薄膜複合材料を用いた多層配線板および電子部品 |
| JP2010205993A (ja) * | 2009-03-04 | 2010-09-16 | Nec Corp | 導電性樹脂を用いるキャパシタ構造及びその製造方法 |
-
1999
- 1999-01-08 JP JP11002651A patent/JP2000208363A/ja not_active Withdrawn
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003022926A (ja) * | 2001-07-06 | 2003-01-24 | Mitsui Mining & Smelting Co Ltd | 積層セラミックコンデンサ内部電極用の表面処理ニッケル粉及びその製造方法 |
| WO2005080074A1 (ja) * | 2004-02-19 | 2005-09-01 | Hitachi Chemical Co., Ltd. | 薄膜複合材料およびその製造方法、ならびに当該薄膜複合材料を用いた多層配線板および電子部品 |
| JP2010205993A (ja) * | 2009-03-04 | 2010-09-16 | Nec Corp | 導電性樹脂を用いるキャパシタ構造及びその製造方法 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
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