JP2000208492A - タングステンプラズマエッチング方法とタングステンプラズマエッチング装置 - Google Patents
タングステンプラズマエッチング方法とタングステンプラズマエッチング装置Info
- Publication number
- JP2000208492A JP2000208492A JP11008630A JP863099A JP2000208492A JP 2000208492 A JP2000208492 A JP 2000208492A JP 11008630 A JP11008630 A JP 11008630A JP 863099 A JP863099 A JP 863099A JP 2000208492 A JP2000208492 A JP 2000208492A
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- Japan
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- tungsten
- plasma etching
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 タングステンのプラズマエッチングにおけ
る半導体ウェハ７の面内均一性がフォーカスリング８に
より損なわれることを防止する。 【解決手段】フォーカスリング１３の材料を石英にす
る。 【効果】 フォーカスリング１３を成す石英中には酸
素が存在しその酸素がエッチングレートの面内不均一性
の原因である反応生成物に反応し、これを揮発物質化す
ることができ、延いては反応生成物が半導体ウェハ７周
辺部近傍上に滞留することを防止することができる。依
って、エッチングレートの面内均一性を高めることがで
きる。
る半導体ウェハ７の面内均一性がフォーカスリング８に
より損なわれることを防止する。 【解決手段】フォーカスリング１３の材料を石英にす
る。 【効果】 フォーカスリング１３を成す石英中には酸
素が存在しその酸素がエッチングレートの面内不均一性
の原因である反応生成物に反応し、これを揮発物質化す
ることができ、延いては反応生成物が半導体ウェハ７周
辺部近傍上に滞留することを防止することができる。依
って、エッチングレートの面内均一性を高めることがで
きる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、特に、対を成す平
行平板電極の一方の対向面上に表面にタングステン膜が
形成された半導体ウェハを配置し、該半導体ウェハの周
辺にフォーカスリングを配置し、上記平行平板電極対の
設置空間内に反応性ガスを導入しながら該対を成す平行
平板電極間に高周波電圧を印加して放電を生ぜしめ、そ
の放電により生じたプラズマガスにより上記半導体ウェ
ハ表面のタングステン膜をエッチングするタングステン
プラズマエッチング方法と、その実施に使用するタング
ステンプラズマエッチング装置に関する。
行平板電極の一方の対向面上に表面にタングステン膜が
形成された半導体ウェハを配置し、該半導体ウェハの周
辺にフォーカスリングを配置し、上記平行平板電極対の
設置空間内に反応性ガスを導入しながら該対を成す平行
平板電極間に高周波電圧を印加して放電を生ぜしめ、そ
の放電により生じたプラズマガスにより上記半導体ウェ
ハ表面のタングステン膜をエッチングするタングステン
プラズマエッチング方法と、その実施に使用するタング
ステンプラズマエッチング装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体装置は微細化、高集積化の一途を
辿っており、それに伴う回路の集積化のため配線の多層
化が進んでいるが、多層配線に対してもより高集積化を
図ることが求められており、それには上下配線間を接続
するコンタクトホールの小径化が不可欠である。そし
て、コンタクトホールの小径化に対しては、従来一般的
に用いられていたＡｌ−Ｓｉ配線技術、Ａｌ−Ｃｕ配線
技術では対応することが難しくなりつつある。というの
は、このような技術では金属で小径コンタクトホールを
良好に埋めきるカバレッジが得られないからである。
辿っており、それに伴う回路の集積化のため配線の多層
化が進んでいるが、多層配線に対してもより高集積化を
図ることが求められており、それには上下配線間を接続
するコンタクトホールの小径化が不可欠である。そし
て、コンタクトホールの小径化に対しては、従来一般的
に用いられていたＡｌ−Ｓｉ配線技術、Ａｌ−Ｃｕ配線
技術では対応することが難しくなりつつある。というの
は、このような技術では金属で小径コンタクトホールを
良好に埋めきるカバレッジが得られないからである。
【０００３】そのため、タングステンで微細なコンタク
トホールをＣＶＤにより埋めることのできるタングステ
ン埋め込み技術が徐々に多く用いられるようになりつつ
ある。これは、層間絶縁膜にコンタクトホールを形成し
た後、タングステン膜をＣＶＤにより形成して該コンタ
クトホールをタングステンで埋め、その後、タングステ
ン膜をエッチバックして層間絶縁膜上のタングステン膜
を除去するというものであり、そのエッチバックはタン
グステンのプラズマエッチングにより行われる。
トホールをＣＶＤにより埋めることのできるタングステ
ン埋め込み技術が徐々に多く用いられるようになりつつ
ある。これは、層間絶縁膜にコンタクトホールを形成し
た後、タングステン膜をＣＶＤにより形成して該コンタ
クトホールをタングステンで埋め、その後、タングステ
ン膜をエッチバックして層間絶縁膜上のタングステン膜
を除去するというものであり、そのエッチバックはタン
グステンのプラズマエッチングにより行われる。
【０００４】図２はそのタングステン膜のプラズマエッ
チングに使用されるプラズマエッチング装置の従来例を
示す概略構成図であり、図において、１はチャンバー、
２はその天井に形成されたプロセスガス導入部、３はチ
ャンバー２の底部周縁部に配設された排気口、４はチャ
ンバー１天井の略中央に設けられた上部電極で、プロセ
スガスの通過可能なるように設けられている。５はチャ
ンバー２の底面中央部上に上記上部電極４と平行に対向
するように配設された下部電極で、その上面（上部電極
４と対向する面）中央が半導体ウェハ配置部６とされ、
タングステン膜のエッチバック時には該配置部６上に半
導体ウェハ７が配置される。
チングに使用されるプラズマエッチング装置の従来例を
示す概略構成図であり、図において、１はチャンバー、
２はその天井に形成されたプロセスガス導入部、３はチ
ャンバー２の底部周縁部に配設された排気口、４はチャ
ンバー１天井の略中央に設けられた上部電極で、プロセ
スガスの通過可能なるように設けられている。５はチャ
ンバー２の底面中央部上に上記上部電極４と平行に対向
するように配設された下部電極で、その上面（上部電極
４と対向する面）中央が半導体ウェハ配置部６とされ、
タングステン膜のエッチバック時には該配置部６上に半
導体ウェハ７が配置される。
【０００５】８は上記下部電極５上であって半導体ウェ
ハ６の周りに配置されたフォーカスリングであり、従来
のフォーカスリング８は一般にセラミックにより形成さ
れていた。尚、図２の右下部分には半導体ウェハ７の断
面構造を示した。９は半導体基板、１０はＳｉ０2膜、
１１はＴｉＮ膜、１２はエッチバックされるタングステ
ン膜である。
ハ６の周りに配置されたフォーカスリングであり、従来
のフォーカスリング８は一般にセラミックにより形成さ
れていた。尚、図２の右下部分には半導体ウェハ７の断
面構造を示した。９は半導体基板、１０はＳｉ０2膜、
１１はＴｉＮ膜、１２はエッチバックされるタングステ
ン膜である。
【０００６】図２に示すようなプラズマエッチング装置
を用いて次のようにしてタングステンのエッチバックが
行われる。半導体ウェハ配置部６に半導体ウェハ７をセ
ットし、プロセスガス導入部２からチャンバー１内にプ
ロセスガスであるＳＦ6／Ａｒガスを導入し、そのガス
が上記上部電極４・下部電極５間を通って上記排気口３
から排気される状態を形成すると共に、上記上部電極４
・下部電極５間に高周波電圧を印加して放電を生じさせ
る。すると、その放電により生じたプラズマガスにより
半導体ウェハ７表面のタングステン膜１２がエッチング
される。
を用いて次のようにしてタングステンのエッチバックが
行われる。半導体ウェハ配置部６に半導体ウェハ７をセ
ットし、プロセスガス導入部２からチャンバー１内にプ
ロセスガスであるＳＦ6／Ａｒガスを導入し、そのガス
が上記上部電極４・下部電極５間を通って上記排気口３
から排気される状態を形成すると共に、上記上部電極４
・下部電極５間に高周波電圧を印加して放電を生じさせ
る。すると、その放電により生じたプラズマガスにより
半導体ウェハ７表面のタングステン膜１２がエッチング
される。
【０００７】そして、その際、フォーカスリング８はプ
ラズマの拡散を防止し、エッチングレートの均一性を向
上させる役割を果たし、更には、半導体ウェハ７の位置
決めをする役割を果たす。
ラズマの拡散を防止し、エッチングレートの均一性を向
上させる役割を果たし、更には、半導体ウェハ７の位置
決めをする役割を果たす。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】ところで、従来のタン
グステンのバックエッチ技術には、半導体ウェハ７の特
に周辺部に生成物が形成され、エッチングレートの面内
均一性が低いという問題があった。そこで、本願発明者
がその原因を追求したところ、次のことが判明した。
グステンのバックエッチ技術には、半導体ウェハ７の特
に周辺部に生成物が形成され、エッチングレートの面内
均一性が低いという問題があった。そこで、本願発明者
がその原因を追求したところ、次のことが判明した。
【０００９】即ち、元来、上部電極４から吹き出した反
応性ガスは下方の下部電極５に向けて排気され、そのた
め、半導体ウェハ７上の反応生成物もウェハ中央側から
排気側であるウェハ周辺側に運ばれている。ところで、
半導体ウェハ７の周辺に位置されたフォーカスリング８
は該ウェハ７よりも顕著に厚いので、ウェハ７・フォー
カスリング８間に比較的大きな段差が生じ、その段差が
反応生成物の流れを乱す。
応性ガスは下方の下部電極５に向けて排気され、そのた
め、半導体ウェハ７上の反応生成物もウェハ中央側から
排気側であるウェハ周辺側に運ばれている。ところで、
半導体ウェハ７の周辺に位置されたフォーカスリング８
は該ウェハ７よりも顕著に厚いので、ウェハ７・フォー
カスリング８間に比較的大きな段差が生じ、その段差が
反応生成物の流れを乱す。
【００１０】そして、その反応生成物はＷＦ系、ＴｉＦ
系の物質からなる。というのは、プロセスガスとしてＳ
Ｆ6／Ａｒを用い、タングステン膜１２を少なくともそ
の下地のＴｉＮ膜１１が露出するまでエッチングするか
らである。
系の物質からなる。というのは、プロセスガスとしてＳ
Ｆ6／Ａｒを用い、タングステン膜１２を少なくともそ
の下地のＴｉＮ膜１１が露出するまでエッチングするか
らである。
【００１１】このように、ＷＦ系、ＴｉＦ系の物質から
なる反応物が半導体ウェハ７の周辺部上において滞留す
ると、謂わばこれがエッチング残渣となり、エッチング
を妨げる原因になったりする。また、該周辺部における
反応生成物の再付着量が半導体ウェハ中心部に比較して
多くなる。そのため、エッチングレートの面内均一性が
損なわれるという問題が生じたのである。また、アルミ
ナ系セラミックからなるフォーカスリング８によりアル
ミニウム系反応生成物が発生し、半導体ウェハ７表面を
汚染するという問題もあった。
なる反応物が半導体ウェハ７の周辺部上において滞留す
ると、謂わばこれがエッチング残渣となり、エッチング
を妨げる原因になったりする。また、該周辺部における
反応生成物の再付着量が半導体ウェハ中心部に比較して
多くなる。そのため、エッチングレートの面内均一性が
損なわれるという問題が生じたのである。また、アルミ
ナ系セラミックからなるフォーカスリング８によりアル
ミニウム系反応生成物が発生し、半導体ウェハ７表面を
汚染するという問題もあった。
【００１２】本発明はこのような問題点を解決すべく為
されたものであり、対を成す平行平板電極の一方の対向
面上に表面にタングステン膜が形成された半導体ウェハ
を配置し、該半導体ウェハの周辺にフォーカスリングを
配置し、上記平行平板電極対の設置空間内に反応性ガス
を導入しながら該対を成す平行平板電極間に高周波電圧
を印加して放電を生ぜしめ、その放電により生じたプラ
ズマガスにより上記半導体ウェハ表面のタングステン膜
をエッチングするタングステンのプラズマエッチングに
おける半導体ウェハの面内均一性がフォーカスリングに
より損なわれることを防止し、更には、フォーカスリン
グによりアルミニウム系生成物が生じそれにより半導体
ウェハ表面が汚染されることを防止することを目的とす
る。
されたものであり、対を成す平行平板電極の一方の対向
面上に表面にタングステン膜が形成された半導体ウェハ
を配置し、該半導体ウェハの周辺にフォーカスリングを
配置し、上記平行平板電極対の設置空間内に反応性ガス
を導入しながら該対を成す平行平板電極間に高周波電圧
を印加して放電を生ぜしめ、その放電により生じたプラ
ズマガスにより上記半導体ウェハ表面のタングステン膜
をエッチングするタングステンのプラズマエッチングに
おける半導体ウェハの面内均一性がフォーカスリングに
より損なわれることを防止し、更には、フォーカスリン
グによりアルミニウム系生成物が生じそれにより半導体
ウェハ表面が汚染されることを防止することを目的とす
る。
【００１３】
【課題を解決するための手段】本発明は、フォーカスリ
ングの材料を石英にするものである。
ングの材料を石英にするものである。
【００１４】従って、本発明によれば、フォーカスリン
グが石英からなり、石英中には酸素が存在するので、プ
ラズマエッチング中にその酸素が上述した反応生成物に
反応し、該反応生成物を揮発物質化することができる。
例えば、反応生成物ＴｉＦｘが酸素と反応することによ
り揮散物質ＴｉＯｘＦｙに変化し、反応生成物ＷＦｘが
揮散物質ＷＯｘＦｙに変化する。その結果、反応生成物
は滞留することなく揮発物質化して周りに迅速に揮散す
るので、半導体ウェハの面内均一性がフォーカスリング
により損なわれることを防止することができる。
グが石英からなり、石英中には酸素が存在するので、プ
ラズマエッチング中にその酸素が上述した反応生成物に
反応し、該反応生成物を揮発物質化することができる。
例えば、反応生成物ＴｉＦｘが酸素と反応することによ
り揮散物質ＴｉＯｘＦｙに変化し、反応生成物ＷＦｘが
揮散物質ＷＯｘＦｙに変化する。その結果、反応生成物
は滞留することなく揮発物質化して周りに迅速に揮散す
るので、半導体ウェハの面内均一性がフォーカスリング
により損なわれることを防止することができる。
【００１５】また、フォーカスリングが石英からなるの
で、従来のアルミナ系フォーカスリングによりアルミニ
ウム系生成物が生じて半導体ウェハを汚染するという問
題を回避することができる。
で、従来のアルミナ系フォーカスリングによりアルミニ
ウム系生成物が生じて半導体ウェハを汚染するという問
題を回避することができる。
【００１６】
【発明の実施の形態】本発明は、基本的には、フォーカ
スリングを石英により形成するというものである。
スリングを石英により形成するというものである。
【００１７】
【実施例】以下、本発明を図示実施例に従って詳細に説
明する。図１は本発明タングステンプラズマエッチング
装置の一つの実施例を示す概略構成図であり、図におい
て、１はチャンバー、２はその天井に形成されたプロセ
スガス導入部、３はチャンバー２の底部周縁部に配設さ
れた排気口、４はチャンバー１天井の側中央に設けられ
た上部電極で、プロセスガスの通過可能なるように設け
られている。５はチャンバー２の底面中央部上に上記上
部電極４と平行に対向するように配設された下部電極
で、その上面（上部電極４と対向する面）中央が半導体
ウェハ配置部６とされ、タングステン膜のエッチバック
時には該配置部６上に半導体ウェハ７が配置される。
明する。図１は本発明タングステンプラズマエッチング
装置の一つの実施例を示す概略構成図であり、図におい
て、１はチャンバー、２はその天井に形成されたプロセ
スガス導入部、３はチャンバー２の底部周縁部に配設さ
れた排気口、４はチャンバー１天井の側中央に設けられ
た上部電極で、プロセスガスの通過可能なるように設け
られている。５はチャンバー２の底面中央部上に上記上
部電極４と平行に対向するように配設された下部電極
で、その上面（上部電極４と対向する面）中央が半導体
ウェハ配置部６とされ、タングステン膜のエッチバック
時には該配置部６上に半導体ウェハ７が配置される。
【００１８】１３は上記下部電極５上であって半導体ウ
ェハ６の周りに配置されたフォーカスリングであり、従
来のフォーカスリング８は一般にセラミックにより形成
されていたが、本タングステンプラズマエッチング装置
においては、石英により形成したものを用いる。尚、図
１の右下部分には半導体ウェハ７の断面構造を示した。
９は半導体基板、１０はＳｉ０2膜、１１はＴｉＮ膜、
１２はエッチバックされるタングステン膜である。
ェハ６の周りに配置されたフォーカスリングであり、従
来のフォーカスリング８は一般にセラミックにより形成
されていたが、本タングステンプラズマエッチング装置
においては、石英により形成したものを用いる。尚、図
１の右下部分には半導体ウェハ７の断面構造を示した。
９は半導体基板、１０はＳｉ０2膜、１１はＴｉＮ膜、
１２はエッチバックされるタングステン膜である。
【００１９】図１に示すようなプラズマエッチング装置
を用いて次のようにしてタングステンのエッチバックが
行われる。半導体ウェハ配置部６に半導体ウェハ７をセ
ットし、プロセスガス導入部２からチャンバー１内にプ
ロセスガスであるＳＦ6／Ａｒガスを導入し、そのガス
が上記上部電極４・下部電極５間を通って上記排気口３
から排気される状態を形成すると共に、上記上部電極４
・下部電極５間に高周波電圧を印加して放電を生じさせ
る。すると、その放電により生じたプラズマガスにより
半導体ウェハ７表面のタングステン膜１２がエッチング
される。
を用いて次のようにしてタングステンのエッチバックが
行われる。半導体ウェハ配置部６に半導体ウェハ７をセ
ットし、プロセスガス導入部２からチャンバー１内にプ
ロセスガスであるＳＦ6／Ａｒガスを導入し、そのガス
が上記上部電極４・下部電極５間を通って上記排気口３
から排気される状態を形成すると共に、上記上部電極４
・下部電極５間に高周波電圧を印加して放電を生じさせ
る。すると、その放電により生じたプラズマガスにより
半導体ウェハ７表面のタングステン膜１２がエッチング
される。
【００２０】そして、その際、フォーカスリング１３は
プラズマの拡散を防止し、エッチングレートの均一性を
向上させる役割を果たし、更には、半導体ウェハ７の位
置決めの役割を果たすが、それに止まらず、反応生成物
であるＴｉＦｘ及びＷＦｘを揮発物質であるＴｉＯｘＦ
ｙ及びＷＯｘＦｙに変化させる酸素Ｏの供給源としての
役割を果たす。即ち、石英はＳｉ０2からなり、酸素を
含有する。従って、反応生成物ＴｉＦｘ及びＷＦｘが半
導体ウェハ７周辺部に滞留しようとしてもその周辺に存
在する石英からなるフォーカスリング１３中の酸素がそ
の反応生成物ＴｉＦｘ及びＷＦｘと反応し、揮発物質で
あるＴｉＯｘＦｙ及びＷＯｘＦｙに変化させる。
プラズマの拡散を防止し、エッチングレートの均一性を
向上させる役割を果たし、更には、半導体ウェハ７の位
置決めの役割を果たすが、それに止まらず、反応生成物
であるＴｉＦｘ及びＷＦｘを揮発物質であるＴｉＯｘＦ
ｙ及びＷＯｘＦｙに変化させる酸素Ｏの供給源としての
役割を果たす。即ち、石英はＳｉ０2からなり、酸素を
含有する。従って、反応生成物ＴｉＦｘ及びＷＦｘが半
導体ウェハ７周辺部に滞留しようとしてもその周辺に存
在する石英からなるフォーカスリング１３中の酸素がそ
の反応生成物ＴｉＦｘ及びＷＦｘと反応し、揮発物質で
あるＴｉＯｘＦｙ及びＷＯｘＦｙに変化させる。
【００２１】そして、その揮発物質ＴｉＯｘＦｙ及びＷ
ＯｘＦｙが周辺に揮散し、エッチングレートの面内不均
一性の原因となっていた反応生成物反応生成物ＴｉＦｘ
及びＷＦｘの滞留が無くなる。従って、半導体ウェハの
面内均一性がフォーカスリングにより損なわれることを
防止することができるのである。
ＯｘＦｙが周辺に揮散し、エッチングレートの面内不均
一性の原因となっていた反応生成物反応生成物ＴｉＦｘ
及びＷＦｘの滞留が無くなる。従って、半導体ウェハの
面内均一性がフォーカスリングにより損なわれることを
防止することができるのである。
【００２２】また、フォーカスリング１３が石英からな
るので、従来のアルミニウム系のセラミックからなるフ
ォーカスリング８を用いた場合におけるようにフォーカ
スリングによりアルミニウム系生成物が生じて半導体ウ
ェハ表面が汚染されるという問題を回避することができ
る。
るので、従来のアルミニウム系のセラミックからなるフ
ォーカスリング８を用いた場合におけるようにフォーカ
スリングによりアルミニウム系生成物が生じて半導体ウ
ェハ表面が汚染されるという問題を回避することができ
る。
【００２３】
【発明の効果】本発明によれば、フォーカスリングが石
英からなり、石英中には酸素が存在するので、プラズマ
エッチング中にその酸素が上述した反応生成物に反応
し、該反応生成物を揮発物質化することができる。例え
ば、反応生成物ＴｉＦｘが酸素と反応することにより揮
散物質ＴｉＯｘＦｙに変化し、反応生成物ＷＦｘが揮散
物質ＷＯｘＦｙに変化する。その結果、反応生成物は滞
留することなく揮発物質化して周りに迅速に揮散するの
で、半導体ウェハの面内均一性がフォーカスリングによ
り損なわれることを防止することができる。
英からなり、石英中には酸素が存在するので、プラズマ
エッチング中にその酸素が上述した反応生成物に反応
し、該反応生成物を揮発物質化することができる。例え
ば、反応生成物ＴｉＦｘが酸素と反応することにより揮
散物質ＴｉＯｘＦｙに変化し、反応生成物ＷＦｘが揮散
物質ＷＯｘＦｙに変化する。その結果、反応生成物は滞
留することなく揮発物質化して周りに迅速に揮散するの
で、半導体ウェハの面内均一性がフォーカスリングによ
り損なわれることを防止することができる。
【００２４】また、フォーカスリングが石英からなるの
で、従来のアルミニウム系のセラミックからなるフォー
カスリングを用いた場合におけるようにフォーカスリン
グによりアルミニウム系生成物が生じて半導体ウェハ表
面が汚染されるという問題を回避することができる。
で、従来のアルミニウム系のセラミックからなるフォー
カスリングを用いた場合におけるようにフォーカスリン
グによりアルミニウム系生成物が生じて半導体ウェハ表
面が汚染されるという問題を回避することができる。
【図１】本発明タングステンプラズマエッチング装置の
一つの実施例の概略構成図である。
一つの実施例の概略構成図である。
【図２】タングステンプラズマエッチング装置の従来例
の概略構成図である。
の概略構成図である。
１・・・チャンバー、４、５・・・平行平板電極、６・
・・半導体ウェハ配置部、７・・・半導体ウェハ、１３
・・・フォーカスリング。
・・半導体ウェハ配置部、７・・・半導体ウェハ、１３
・・・フォーカスリング。
Claims (2)
- 【請求項１】 対を成す平行平板電極の一方の対向面上
に表面にタングステン膜が形成された半導体ウェハを配
置し、該半導体ウェハの周辺にフォーカスリングを配置
し、上記平行平板電極対の設置空間内に反応性ガスを導
入しながら該対を成す平行平板電極間に高周波電圧を印
加して放電を生ぜしめ、その放電により生じたプラズマ
ガスにより上記半導体ウェハ表面のタングステン膜をエ
ッチングするタングステンプラズマエッチング方法であ
って、 上記フォーカスリングとして石英からなるものを用いる
ことを特徴とするタングステンプラズマエッチング方
法。 - 【請求項２】 平行平板電極内に対を成す平行平板電極
を配置し、該電極の一方の対向面上に半導体ウェハ配置
部を設け、該半導体ウェハ配置部の周辺にフォーカスリ
ングを設け、上記平行平板電極内に反応ガスを供給しな
がら上記平行平板電極間に高周波電圧を印加して上記半
導体ウェハ配置部に配置された半導体ウェハ表面上のタ
ングステン膜をエッチングするようにしたタングステン
プラズマエッチング装置であって、 上記フォーカスリングが石英からなることを特徴とする
タングステンプラズマエッチング装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11008630A JP2000208492A (ja) | 1999-01-18 | 1999-01-18 | タングステンプラズマエッチング方法とタングステンプラズマエッチング装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11008630A JP2000208492A (ja) | 1999-01-18 | 1999-01-18 | タングステンプラズマエッチング方法とタングステンプラズマエッチング装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000208492A true JP2000208492A (ja) | 2000-07-28 |
Family
ID=11698284
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11008630A Pending JP2000208492A (ja) | 1999-01-18 | 1999-01-18 | タングステンプラズマエッチング方法とタングステンプラズマエッチング装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2000208492A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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| CN100364064C (zh) * | 2003-09-05 | 2008-01-23 | 东京毅力科创株式会社 | 聚焦环和等离子体处理装置 |
| JP2008103760A (ja) * | 2007-12-27 | 2008-05-01 | Hitachi High-Technologies Corp | プラズマ処理装置 |
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| CN113097038A (zh) * | 2021-02-25 | 2021-07-09 | 长江存储科技有限责任公司 | 刻蚀装置 |
-
1999
- 1999-01-18 JP JP11008630A patent/JP2000208492A/ja active Pending
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